JP2774905B2 - 無電解メッキ法 - Google Patents
無電解メッキ法Info
- Publication number
- JP2774905B2 JP2774905B2 JP4236208A JP23620892A JP2774905B2 JP 2774905 B2 JP2774905 B2 JP 2774905B2 JP 4236208 A JP4236208 A JP 4236208A JP 23620892 A JP23620892 A JP 23620892A JP 2774905 B2 JP2774905 B2 JP 2774905B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- tank
- plating solution
- oxygen
- electroless
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は表面処理の分野で使用
される無電解メッキ法に関する。
される無電解メッキ法に関する。
【０００２】
【従来の技術】無電解メッキの分野では、生産性の向上
とメッキ液の安定化との両立をめぐって従来より様々な
研究がなされている。つまり、生産性を向上させようと
するとメッキ液の単位容量当たりの反応が激しくなり、
メッキ液の安定性が阻害されるため、生産性の向上のメ
ッキ液の安定化とが中々両立しないのである。
とメッキ液の安定化との両立をめぐって従来より様々な
研究がなされている。つまり、生産性を向上させようと
するとメッキ液の単位容量当たりの反応が激しくなり、
メッキ液の安定性が阻害されるため、生産性の向上のメ
ッキ液の安定化とが中々両立しないのである。
【０００３】このような無電解メッキにおける生産性の
向上とメッキ液の安定化との両立を図るための方策の一
つとして、例えば、特公平２−３６６７６号公報では、
メッキ液中の溶存酸素濃度を適切な範囲に管理するよう
にしている。すなわち、溶存酸素濃度が適切な範囲を越
えると、メッキ皮膜表面が酸化されてメッキ析出速度が
抑制されて生産性の低下をきたし、また、溶存酸素濃度
が適切な範囲を下回ると、メッキ反応時に発生する水素
ガスによる還元作用によって、メッキ液の不安定化を招
くことになるのである。
向上とメッキ液の安定化との両立を図るための方策の一
つとして、例えば、特公平２−３６６７６号公報では、
メッキ液中の溶存酸素濃度を適切な範囲に管理するよう
にしている。すなわち、溶存酸素濃度が適切な範囲を越
えると、メッキ皮膜表面が酸化されてメッキ析出速度が
抑制されて生産性の低下をきたし、また、溶存酸素濃度
が適切な範囲を下回ると、メッキ反応時に発生する水素
ガスによる還元作用によって、メッキ液の不安定化を招
くことになるのである。
【０００４】上記の溶存酸素濃度を適切な範囲に管理す
るという方法からすれば、生産性の向上をはかるため
に、例えば、メッキ液の単位容量当たりの被メッキ物の
処理面積（液負荷）を増大させる場合においても、処理
面積の増大に従って増える溶存酸素の消耗量に見合うだ
けの酸素を外部から供給しさえすれば、メッキ液の安定
化も同時に達成されるはずである。
るという方法からすれば、生産性の向上をはかるため
に、例えば、メッキ液の単位容量当たりの被メッキ物の
処理面積（液負荷）を増大させる場合においても、処理
面積の増大に従って増える溶存酸素の消耗量に見合うだ
けの酸素を外部から供給しさえすれば、メッキ液の安定
化も同時に達成されるはずである。
【０００５】しかしながら、従来のメッキ槽では、酸素
供給用のノズルが酸素の供給とメッキ液の攪拌効果をね
らってメッキ槽の底部に設置されており、「ノズルよ
り発生する酸素を含有した気泡が被メッキ物上のメッキ
皮膜に直に接触するため、皮膜表面が酸化されて自己触
媒機能が阻害され析出速度が低下する」、あるいは、
「気泡によるメッキ液の攪拌効果により補給される各
種メッキ成分濃度の均一化は図られるが、同時にメッキ
反応によって発生する水素のメッキ液中での滞留時間が
長くなるため、水素と溶存酸素との直接反応や水素自身
の溶解によって効率的な酸素供給がなされない」といっ
た問題がある。
供給用のノズルが酸素の供給とメッキ液の攪拌効果をね
らってメッキ槽の底部に設置されており、「ノズルよ
り発生する酸素を含有した気泡が被メッキ物上のメッキ
皮膜に直に接触するため、皮膜表面が酸化されて自己触
媒機能が阻害され析出速度が低下する」、あるいは、
「気泡によるメッキ液の攪拌効果により補給される各
種メッキ成分濃度の均一化は図られるが、同時にメッキ
反応によって発生する水素のメッキ液中での滞留時間が
長くなるため、水素と溶存酸素との直接反応や水素自身
の溶解によって効率的な酸素供給がなされない」といっ
た問題がある。
【０００６】上記の点に関しては、特開平４−３７６
号公報や特公昭６３−５２１１３号公報に開示されてい
るように、気泡が直に被メッキ物に接触しないような工
夫が見られるのであるが、上記の点については十分な
改善がなされていないことから、適切な酸素供給が阻害
されるため、結果として、効果的な生産性向上が達成さ
れていないのが現状であった。
号公報や特公昭６３−５２１１３号公報に開示されてい
るように、気泡が直に被メッキ物に接触しないような工
夫が見られるのであるが、上記の点については十分な
改善がなされていないことから、適切な酸素供給が阻害
されるため、結果として、効果的な生産性向上が達成さ
れていないのが現状であった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、上記事情
に鑑み、生産性の向上とメッキ液の安定化を両立させら
れる無電解メッキ法を提供することを課題とする。
に鑑み、生産性の向上とメッキ液の安定化を両立させら
れる無電解メッキ法を提供することを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、この発明の無電解メッキ法は、無電解メッキ液によ
り被メッキ物にメッキを施すためのメッキ槽と、内側に
前記メッキ槽が配設され酸素供給手段を備えた酸素供給
槽とを設け、メッキ槽内の無電解メッキ液をメッキ槽の
上縁から溢れ出させて酸素供給槽に送り出し、前記酸素
供給手段により酸素供給槽内で無電解メッキ液に酸素を
供給したあと、酸素が供給された無電解メッキ液をメッ
キ槽内に収容された被メッキ物の下方からメッキ槽に戻
すようにして、無電解メッキ液を両槽の間を循環させた
状態で前記被メッキ物のメッキ処理を行うようにしてい
る。
め、この発明の無電解メッキ法は、無電解メッキ液によ
り被メッキ物にメッキを施すためのメッキ槽と、内側に
前記メッキ槽が配設され酸素供給手段を備えた酸素供給
槽とを設け、メッキ槽内の無電解メッキ液をメッキ槽の
上縁から溢れ出させて酸素供給槽に送り出し、前記酸素
供給手段により酸素供給槽内で無電解メッキ液に酸素を
供給したあと、酸素が供給された無電解メッキ液をメッ
キ槽内に収容された被メッキ物の下方からメッキ槽に戻
すようにして、無電解メッキ液を両槽の間を循環させた
状態で前記被メッキ物のメッキ処理を行うようにしてい
る。
【０００９】この発明の無電解メッキ法の場合、上に加
えて、酸素供給槽からの無電解メッキ液を被メッキ物の
下方でメッキ槽に送り込むとともに、前記被メッキ物の
上方で酸素供給槽への無電解メッキ液をメッキ槽から出
すようにすれば、メッキ反応に伴い被メッキ物の表面か
ら発生する水素が速やかにメッキ槽から排除されるため
好ましい。
えて、酸素供給槽からの無電解メッキ液を被メッキ物の
下方でメッキ槽に送り込むとともに、前記被メッキ物の
上方で酸素供給槽への無電解メッキ液をメッキ槽から出
すようにすれば、メッキ反応に伴い被メッキ物の表面か
ら発生する水素が速やかにメッキ槽から排除されるため
好ましい。
【００１０】以下、この発明にかかる無電解メッキ法
を、図面を参照しながら具体的に説明する。図１は、こ
の発明にかかる無電解メッキ法の一例を行うときの様子
をあらわす説明図である。この発明の無電解メッキ法の
場合、図１にみるように、メッキ槽１・・と酸素供給槽
２とを設ける。図１ではメッキ槽１が複数あるがメッキ
槽１は一つであってもよい。メッキ槽１は無電解メッキ
液で被メッキ物にメッキを施すための槽であり、酸素供
給槽２は酸素供給手段３により槽内の無電解メッキ液に
酸素を供給する槽である。無電解メッキ液を両槽１，２
の間を循環させた状態で被メッキ物に無電解メッキを施
す。無電解メッキ液の循環は、メッキ槽１内の無電解メ
ッキ液を酸素供給槽２に送り出して、前記酸素供給手段
３により酸素供給槽２内で無電解メッキ液に酸素を供給
しメッキ槽１に無電解メッキ液を戻すようにして行う。
両槽１，２間の循環は、循環用パイプ４を通してなされ
る。
を、図面を参照しながら具体的に説明する。図１は、こ
の発明にかかる無電解メッキ法の一例を行うときの様子
をあらわす説明図である。この発明の無電解メッキ法の
場合、図１にみるように、メッキ槽１・・と酸素供給槽
２とを設ける。図１ではメッキ槽１が複数あるがメッキ
槽１は一つであってもよい。メッキ槽１は無電解メッキ
液で被メッキ物にメッキを施すための槽であり、酸素供
給槽２は酸素供給手段３により槽内の無電解メッキ液に
酸素を供給する槽である。無電解メッキ液を両槽１，２
の間を循環させた状態で被メッキ物に無電解メッキを施
す。無電解メッキ液の循環は、メッキ槽１内の無電解メ
ッキ液を酸素供給槽２に送り出して、前記酸素供給手段
３により酸素供給槽２内で無電解メッキ液に酸素を供給
しメッキ槽１に無電解メッキ液を戻すようにして行う。
両槽１，２間の循環は、循環用パイプ４を通してなされ
る。
【００１１】酸素供給手段３による酸素の供給は、例え
ば、ポンプやコンプレッサー等で空気あるいは必要に応
じて酸素の含有量を調整したガスを無電解メッキ液中に
送り酸素を溶け込ませるなどにより行う。勿論、これ以
外の供給形態であってもさしつかえない。無電解メッキ
液中への酸素の供給にノズルを用いる場合、酸素を効率
的に溶解させるために、メッキ液と気泡との界面積が大
きくなるように微細気泡を発生させられる中空多孔質体
などをノズルとして使うか、あるいは、酸素供給槽内に
攪拌機や強制循環式などの攪拌機構を設けるなどするこ
とが好ましい。
ば、ポンプやコンプレッサー等で空気あるいは必要に応
じて酸素の含有量を調整したガスを無電解メッキ液中に
送り酸素を溶け込ませるなどにより行う。勿論、これ以
外の供給形態であってもさしつかえない。無電解メッキ
液中への酸素の供給にノズルを用いる場合、酸素を効率
的に溶解させるために、メッキ液と気泡との界面積が大
きくなるように微細気泡を発生させられる中空多孔質体
などをノズルとして使うか、あるいは、酸素供給槽内に
攪拌機や強制循環式などの攪拌機構を設けるなどするこ
とが好ましい。
【００１２】メッキ反応に伴い被メッキ物の表面から発
生する水素を効果的にメッキ液中より排除するため、酸
素供給槽２からの無電解メッキ液をメッキ槽１の被メッ
キ物の下方で送り込む（図１ではメッキ槽１の底から戻
している）とともに、被メッキ物より上方で酸素供給槽
２に送り出す無電解メッキ液を取り出すようにする。こ
の発生水素の効率的な排除のために、メッキ槽１は被メ
ッキ物の浸漬にさしつかえない範囲で浅くし、水素の滞
留時間を極力短くするのがよい。
生する水素を効果的にメッキ液中より排除するため、酸
素供給槽２からの無電解メッキ液をメッキ槽１の被メッ
キ物の下方で送り込む（図１ではメッキ槽１の底から戻
している）とともに、被メッキ物より上方で酸素供給槽
２に送り出す無電解メッキ液を取り出すようにする。こ
の発生水素の効率的な排除のために、メッキ槽１は被メ
ッキ物の浸漬にさしつかえない範囲で浅くし、水素の滞
留時間を極力短くするのがよい。
【００１３】また、メッキ槽１の容量も余り大きくない
方が、発生水素の効率的な排除のために好ましい。メッ
キ槽１の容量を大きくメッキ処理面積を増した場合、液
循環速度が増大し、メッキ槽１内の液攪拌効果が顕著に
なってしまったり、被メッキ物が浸漬された位置によっ
て膜厚や析出皮膜の物性に微妙な影響が出る。このよう
な不具合は、メッキ槽の容量を発生水素の効率的排除に
適したサイズに抑える代わりに、例えば、同一サイズの
メッキ槽を複数個用意し、各メッキ槽と酸素供給槽との
間の無電解メッキ液循環速度を制御するか、酸素供給槽
からの無電解メッキ液の戻り口の口径をゆるやかに広げ
てメッキ槽に底部に接続するか、あるいは、被メッキ物
の下方に多孔質シートなどのフィルターを設け、無電解
メッキ液をフィルターを通して平行流に近い状態でメッ
キ槽に流入させたりするとよい。このようにしておけ
ば、生産投入量（処理量）の少ない場合でも、必要なメ
ッキ槽だけを選択的に使用したり、また、上述のような
攪拌効果による水素排除の阻害や膜厚みや析出皮膜の物
性に対する影響が、軽減される。
方が、発生水素の効率的な排除のために好ましい。メッ
キ槽１の容量を大きくメッキ処理面積を増した場合、液
循環速度が増大し、メッキ槽１内の液攪拌効果が顕著に
なってしまったり、被メッキ物が浸漬された位置によっ
て膜厚や析出皮膜の物性に微妙な影響が出る。このよう
な不具合は、メッキ槽の容量を発生水素の効率的排除に
適したサイズに抑える代わりに、例えば、同一サイズの
メッキ槽を複数個用意し、各メッキ槽と酸素供給槽との
間の無電解メッキ液循環速度を制御するか、酸素供給槽
からの無電解メッキ液の戻り口の口径をゆるやかに広げ
てメッキ槽に底部に接続するか、あるいは、被メッキ物
の下方に多孔質シートなどのフィルターを設け、無電解
メッキ液をフィルターを通して平行流に近い状態でメッ
キ槽に流入させたりするとよい。このようにしておけ
ば、生産投入量（処理量）の少ない場合でも、必要なメ
ッキ槽だけを選択的に使用したり、また、上述のような
攪拌効果による水素排除の阻害や膜厚みや析出皮膜の物
性に対する影響が、軽減される。
【００１４】メッキ槽１と酸素供給槽２の配置形態は、
特定の形態に限らないが、メッキ液の有効利用と循環
（フィードバック）の容易性などからすると、図２にみ
るように、酸素供給槽２の内側にメッキ槽１・・を配設
し、ポンプ７により、メッキ槽１の底から無電解メッキ
液６を戻し、メッキ槽１の上縁から無電解メッキ液を溢
れ出させることにより酸素供給槽２に送り出す形態がよ
い。また、酸素の供給は、酸素供給手段３の散気管５を
通して酸素供給槽２内のメッキ液６に酸素を与えるよう
にするのがよい。
特定の形態に限らないが、メッキ液の有効利用と循環
（フィードバック）の容易性などからすると、図２にみ
るように、酸素供給槽２の内側にメッキ槽１・・を配設
し、ポンプ７により、メッキ槽１の底から無電解メッキ
液６を戻し、メッキ槽１の上縁から無電解メッキ液を溢
れ出させることにより酸素供給槽２に送り出す形態がよ
い。また、酸素の供給は、酸素供給手段３の散気管５を
通して酸素供給槽２内のメッキ液６に酸素を与えるよう
にするのがよい。
【００１５】また、この発明の無電解メッキ法で使用す
る無電解メッキ液も特定のメッキ液に限らないが、無電
解銅メッキや無電解ニッケルメッキなど自己触媒性のあ
るメッキ液が好ましい。
る無電解メッキ液も特定のメッキ液に限らないが、無電
解銅メッキや無電解ニッケルメッキなど自己触媒性のあ
るメッキ液が好ましい。
【００１６】
【作用】この発明の場合、酸素含有気泡の被メッキ物へ
の直接接触によるメッキ析出速度の低下がない。これ
は、無電解メッキ液への酸素供給がメッキ槽とは別の酸
素供給槽でなされ、酸素含有気泡の被メッキ物への直接
接触という事態が回避されるからである。
の直接接触によるメッキ析出速度の低下がない。これ
は、無電解メッキ液への酸素供給がメッキ槽とは別の酸
素供給槽でなされ、酸素含有気泡の被メッキ物への直接
接触という事態が回避されるからである。
【００１７】この発明の場合、メッキ槽中の無電解メッ
キ液の溶存酸素濃度が適切な濃度範囲に効率よく保たれ
る。無電解メッキ液への酸素供給がメッキ槽とは別の酸
素供給槽で行う場合、メッキと無関係に適切な酸素供給
形態を自由に選べ、適切な酸素溶存濃度にすることが容
易に出来るからである。また、無電解メッキ液への酸素
供給がメッキ槽とは別の酸素供給槽でなされている場
合、メッキ反応に伴い被メッキ物の表面から発生する水
素による酸素の消費が軽減され無駄な消費が抑えられる
ため、適切な濃度範囲の酸素供給を効率的に行える。
キ液の溶存酸素濃度が適切な濃度範囲に効率よく保たれ
る。無電解メッキ液への酸素供給がメッキ槽とは別の酸
素供給槽で行う場合、メッキと無関係に適切な酸素供給
形態を自由に選べ、適切な酸素溶存濃度にすることが容
易に出来るからである。また、無電解メッキ液への酸素
供給がメッキ槽とは別の酸素供給槽でなされている場
合、メッキ反応に伴い被メッキ物の表面から発生する水
素による酸素の消費が軽減され無駄な消費が抑えられる
ため、適切な濃度範囲の酸素供給を効率的に行える。
【００１８】このように、この発明では、メッキ槽中の
無電解メッキ液の溶存酸素濃度が適切な濃度範囲に効率
よく保たれるため、生産性の向上とメッキ液の安定化を
両立させられるようになる。
無電解メッキ液の溶存酸素濃度が適切な濃度範囲に効率
よく保たれるため、生産性の向上とメッキ液の安定化を
両立させられるようになる。
【００１９】
【実施例】以下、この発明の実施例を説明する。この発
明は、下記の実施例に限らない。 −実施例１− 実施例１の場合、図３にみるように、メッキ槽１が３つ
である他は、図２と同じ構成のシステムで無電解銅メッ
キを行った。メッキ槽１の容量は各２０リットルであ
り、酸素供給槽２の容量は２４０リットルである。ま
た、酸素供給手段３の多孔質セラミック製散気管５を酸
素供給槽２の底に設け、空気を吹き込むことで無電解銅
メッキ液中に酸素を供給するようにした。
明は、下記の実施例に限らない。 −実施例１− 実施例１の場合、図３にみるように、メッキ槽１が３つ
である他は、図２と同じ構成のシステムで無電解銅メッ
キを行った。メッキ槽１の容量は各２０リットルであ
り、酸素供給槽２の容量は２４０リットルである。ま
た、酸素供給手段３の多孔質セラミック製散気管５を酸
素供給槽２の底に設け、空気を吹き込むことで無電解銅
メッキ液中に酸素を供給するようにした。
【００２０】実施例１の無電解銅メッキ液の組成は、次
の通りである。 ＣｕＳＯ4 ５Ｈ2 Ｏ １０ｇ／リットル ＥＤＴＡ２Ｎａ２Ｈ2 Ｏ ３０ｇ／リットル ＨＣＯＨ ３ｇ／リットル ２−２’ビピリジル ５ｍｇ／リットル ＰＥＧ♯１０００ １００ｍｇ／リットル ＮａＯＨ ｐＨ１２．４とする量 Ｈ2 Ｏ 残量 また、ポンプ７により、酸素供給槽２内の無電解メッキ
液を各メッキ槽１の底から、８００リットル／時間の送
液量で送り、メッキ液を循環させるようにした。
の通りである。 ＣｕＳＯ4 ５Ｈ2 Ｏ １０ｇ／リットル ＥＤＴＡ２Ｎａ２Ｈ2 Ｏ ３０ｇ／リットル ＨＣＯＨ ３ｇ／リットル ２−２’ビピリジル ５ｍｇ／リットル ＰＥＧ♯１０００ １００ｍｇ／リットル ＮａＯＨ ｐＨ１２．４とする量 Ｈ2 Ｏ 残量 また、ポンプ７により、酸素供給槽２内の無電解メッキ
液を各メッキ槽１の底から、８００リットル／時間の送
液量で送り、メッキ液を循環させるようにした。
【００２１】なお、メッキ反応で消耗するＣｕ、ＨＣＯ
Ｈ、ＮａＯＨなどの補給必要成分は、補給手段９で適宜
供給するようにした。被メッキ物８は、以下のものであ
る。ＳＵＳ製のメッキ治具１５に１００ｍｍ角のガラス
エポキシ基板を８０枚セットしたものを３つ用意し、そ
れぞれ通常の活性化処理（キャタリスト−アクセレータ
法）によりＰｄ核を基板表面に付与したものである。３
つの被メッキ物８を各メッキ槽１に投入し、無電解銅メ
ッキを行った。各メッキ槽１内の溶存酸素濃度は約２．
０ｐｐｍと適切な濃度範囲にあり、安定したメッキ処理
が長時間行え、しかも、得られたメッキ膜は色、外観性
状も良好で、生産性の向上も達成できることが分かっ
た。
Ｈ、ＮａＯＨなどの補給必要成分は、補給手段９で適宜
供給するようにした。被メッキ物８は、以下のものであ
る。ＳＵＳ製のメッキ治具１５に１００ｍｍ角のガラス
エポキシ基板を８０枚セットしたものを３つ用意し、そ
れぞれ通常の活性化処理（キャタリスト−アクセレータ
法）によりＰｄ核を基板表面に付与したものである。３
つの被メッキ物８を各メッキ槽１に投入し、無電解銅メ
ッキを行った。各メッキ槽１内の溶存酸素濃度は約２．
０ｐｐｍと適切な濃度範囲にあり、安定したメッキ処理
が長時間行え、しかも、得られたメッキ膜は色、外観性
状も良好で、生産性の向上も達成できることが分かっ
た。
【００２２】−実施例２− 実施例２の場合、図４にみるように、メッキ槽１の底に
多孔質セラミック製シートのフィルター１３を設け、酸
素供給槽２からの無電解銅メッキ液が被メッキ物８の下
方から上向きに平行流で流れるようにして、５００リッ
トル／時間でメッキ液を液循環させるようにした以外
は、実施例１と同様にして無電解銅メッキを行った。
多孔質セラミック製シートのフィルター１３を設け、酸
素供給槽２からの無電解銅メッキ液が被メッキ物８の下
方から上向きに平行流で流れるようにして、５００リッ
トル／時間でメッキ液を液循環させるようにした以外
は、実施例１と同様にして無電解銅メッキを行った。
【００２３】実施例１の場合よりも、循環速度を遅くし
たにもかかわらず、発生水素が効果的に排除された結
果、各メッキ槽１内の溶存酸素濃度は約２．０ｐｐｍと
適切な濃度範囲にあり、安定したメッキ処理が長時間行
え、しかも、得られたメッキ膜は色、外観性状も良好
で、生産性の向上も達成できることが分かった。 −比較例１− 比較例１の場合、図５にみるように、普通のメッキ槽３
１だけを用い、同じ組成で同じ液量（３００リットル）
の無電解銅メッキ液を使い、被メッキ物８、酸素供給方
式も同じにして、実施例１に準じて無電解銅メッキを行
った。
たにもかかわらず、発生水素が効果的に排除された結
果、各メッキ槽１内の溶存酸素濃度は約２．０ｐｐｍと
適切な濃度範囲にあり、安定したメッキ処理が長時間行
え、しかも、得られたメッキ膜は色、外観性状も良好
で、生産性の向上も達成できることが分かった。 −比較例１− 比較例１の場合、図５にみるように、普通のメッキ槽３
１だけを用い、同じ組成で同じ液量（３００リットル）
の無電解銅メッキ液を使い、被メッキ物８、酸素供給方
式も同じにして、実施例１に準じて無電解銅メッキを行
った。
【００２４】その結果、多孔質セラミック製散気管５か
ら出る気泡が直接被メッキ物に当たり、得られたメッキ
皮膜は褐色のムラが見られた。また、析出速度の低下も
見られ、生産性の向上は達成されなかった。 −比較例２− 比較例２の場合、図６にみるように、多孔質セラミック
製散気管５から出る気泡が直接被メッキ物に当たらない
ように遮蔽板２０を設けた以外は、比較例１と同様にし
て、無電解銅メッキを行った。
ら出る気泡が直接被メッキ物に当たり、得られたメッキ
皮膜は褐色のムラが見られた。また、析出速度の低下も
見られ、生産性の向上は達成されなかった。 −比較例２− 比較例２の場合、図６にみるように、多孔質セラミック
製散気管５から出る気泡が直接被メッキ物に当たらない
ように遮蔽板２０を設けた以外は、比較例１と同様にし
て、無電解銅メッキを行った。
【００２５】その結果、多孔質セラミック製散気管５か
ら出る気泡が直接被メッキ物に当たることは避けられた
ため、得られたメッキ皮膜には褐色のムラは出なかった
が、散気管５から出る気泡により、メッキ槽３１の無電
解銅メッキが乱流攪拌されるため、メッキ液中の溶存酸
素濃度は約０．４ｐｐｍと適切な濃度範囲になく、得ら
れたメッキ膜にはザラツキが観察された。
ら出る気泡が直接被メッキ物に当たることは避けられた
ため、得られたメッキ皮膜には褐色のムラは出なかった
が、散気管５から出る気泡により、メッキ槽３１の無電
解銅メッキが乱流攪拌されるため、メッキ液中の溶存酸
素濃度は約０．４ｐｐｍと適切な濃度範囲になく、得ら
れたメッキ膜にはザラツキが観察された。
【００２６】また、長時間のメッキ処理により、メッキ
槽３１内に銅の析出が見られ、安定した生産性の向上は
達成できないことが確認された。
槽３１内に銅の析出が見られ、安定した生産性の向上は
達成できないことが確認された。
【００２７】
【発明の効果】この発明の場合、無電解メッキ液への酸
素供給がメッキ槽とは別の酸素供給槽で行うため、酸素
含有気泡の被メッキ物への直接接触によるメッキ析出速
度の低下がなく、しかも、メッキ槽中の無電解メッキ液
の溶存酸素濃度が適切な濃度範囲に効率よく保たれ、そ
の結果、生産性の向上とメッキ液の安定化を両立させら
れるようになる。
素供給がメッキ槽とは別の酸素供給槽で行うため、酸素
含有気泡の被メッキ物への直接接触によるメッキ析出速
度の低下がなく、しかも、メッキ槽中の無電解メッキ液
の溶存酸素濃度が適切な濃度範囲に効率よく保たれ、そ
の結果、生産性の向上とメッキ液の安定化を両立させら
れるようになる。
【図１】この発明の無電解メッキ法の実施システム例を
あらわす説明図である。
あらわす説明図である。
【図２】この発明の無電解メッキ法の他の実施システム
例をあらわす説明図である。
例をあらわす説明図である。
【図３】実施例１の無電解メッキ法のシステムをあらわ
す説明図である。
す説明図である。
【図４】実施例２の無電解メッキ法のシステムのメッキ
槽をあらわす説明図である。
槽をあらわす説明図である。
【図５】比較例１の無電解メッキ法のシステムをあらわ
す説明図である。
す説明図である。
【図６】比較例２の無電解メッキ法のシステムをあらわ
す説明図である。
す説明図である。
１ メッキ槽 ２ 酸素供給槽 ３ 酸素供給手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23C 18/31
Claims (1)
- 【請求項１】 無電解メッキ液により被メッキ物にメッ
キを施すためのメッキ槽と、内側に前記メッキ槽が配設
され酸素供給手段を備えた酸素供給槽とを設け、メッキ
槽内の無電解メッキ液をメッキ槽の上縁から溢れ出させ
て酸素供給槽に送り出し、前記酸素供給手段により酸素
供給槽内で無電解メッキ液に酸素を供給したあと、酸素
が供給された無電解メッキ液をメッキ槽内に収容された
被メッキ物の下方からメッキ槽に戻すようにして、無電
解メッキ液を両槽の間を循環させた状態で前記被メッキ
物のメッキ処理を行うようにする無電解メッキ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4236208A JP2774905B2 (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | 無電解メッキ法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4236208A JP2774905B2 (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | 無電解メッキ法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0688246A JPH0688246A (ja) | 1994-03-29 |
| JP2774905B2 true JP2774905B2 (ja) | 1998-07-09 |
Family
ID=16997383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4236208A Expired - Fee Related JP2774905B2 (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | 無電解メッキ法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2774905B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5386471B2 (ja) * | 2010-12-16 | 2014-01-15 | 株式会社日立製作所 | 無電解めっき装置及び無電解めっき方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6194560U (ja) * | 1984-11-29 | 1986-06-18 | ||
| JP3075409B2 (ja) * | 1989-10-30 | 2000-08-14 | イビデン株式会社 | 無電解メッキ装置 |
| JPH04224682A (ja) * | 1990-12-25 | 1992-08-13 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解銅めっき法、その方法に使用される酸素供給装置およびその方法に使用される無電解銅めっき装置 |
-
1992
- 1992-09-03 JP JP4236208A patent/JP2774905B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0688246A (ja) | 1994-03-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Hanna et al. | Controlling factors affecting the stability and rate of electroless copper plating | |
| JP2010202962A (ja) | 高速連続めっき処理装置 | |
| US4684545A (en) | Electroless plating with bi-level control of dissolved oxygen | |
| EP0618308B1 (en) | Electroless gold plating bath | |
| JP2774905B2 (ja) | 無電解メッキ法 | |
| JPH0576550B2 (ja) | ||
| US5308464A (en) | Low temperature tin-bismuth electroplating system | |
| JP3091583B2 (ja) | 無電解めっき液への酸素供給方法及び装置 | |
| JP3075409B2 (ja) | 無電解メッキ装置 | |
| JP3091582B2 (ja) | 無電解めっき方法及び装置 | |
| US4967690A (en) | Electroless plating with bi-level control of dissolved oxygen, with specific location of chemical maintenance means | |
| JP3809608B2 (ja) | 無電解銅めっき方法とその装置及びその銅補給液の作製方法とその装置 | |
| US20070175358A1 (en) | Electroless gold plating solution | |
| JP3086904B2 (ja) | 無電解めっき法 | |
| JPH05112898A (ja) | めつき方法 | |
| JP3817645B2 (ja) | 無電解銅めっき方法とその装置及びその銅補給装置並びにその無電解銅めっき補給液の作成方法とその装置 | |
| JP4235710B2 (ja) | ブラインドビアホールを有する基板のビアフィリングめっき方法およびその装置 | |
| JPH03240969A (ja) | 無電解銅めっきの銅イオン補給液保存方法 | |
| US20050016416A1 (en) | Stabilizer for electroless copper plating solution | |
| US4790876A (en) | Chemical copper-blating bath | |
| JP2960439B2 (ja) | 金めつき用補充液 | |
| JPH08283954A (ja) | 無電解銅めっき装置 | |
| JPH06228760A (ja) | 無電解銅めっき方法 | |
| JPH07316829A (ja) | 無電解めっき方法 | |
| JP2720226B2 (ja) | 電気錫メッキ方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |