JP4235710B2 - ブラインドビアホールを有する基板のビアフィリングめっき方法およびその装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、硫酸銅めっき液内において基板からなるカソードと銅系のアノードとの間に給電しつつめっき処理を行い基板に設けられたブラインドビアホール内に金属銅を充填させるビアフィリングめっき方法およびビアフィリングめっき装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
スルーホール（例えば、特許文献１を参照。）を有するプリント配線回路基板（この明細書では、“基板”と略称する。）のめっき方法には、種々あるが、一般的には、ドリルで穿孔することでスルーホール（板厚方向に貫通する貫通穴）を設けた基板の両面に無電解めっきを施し、しかる後に電気めっきを施して両面およびスルーホール内に皮膜を形成する。
【０００３】
後者（電気めっき）を実行するために供されるめっき装置は、基板が平板形状であることから平板形状ワーク（被めっき物）にめっき処理を施すために供用されるめっき装置（例えば、特許文献２を参照。）と同様な構造である。
【０００４】
すなわち、特許文献２（図２）のめっき装置に相当しかつ簡潔記載した図５に示すめっき装置１０Ｐにおいて、めっき槽１１内には銅系（例えば、含リン銅製）のアノード２０Ｌ，２０Ｒが対向配設され、このアノード２０Ｌ，２０Ｒ間において基板１００Ｐをめっき液Ｑｐ内に浸漬する。そして、アノード２０Ｌ，２０Ｒとカソード（１００Ｐ）に給電することにより、スルーホール内に所定厚さの皮膜を形成するめっき処理を施すことができる。
【０００５】
めっき処理中のめっき液Ｑｐは、空気吐出手段８０の起動により間接的かつ全体的に液撹拌され、組成均一化が図られる。空気吐出手段８０は、空気吐出管８１に設けられた複数の空気吐出孔８２から空気を吐出して上向きの空気流Ｆａｃを発生させて液撹拌可能に形成されている。
【０００６】
めっき処理中におけるめっき液Ｑｐは、空気吐出手段８０の代わりに図６に示した液撹拌手段７０の起動により直接に液撹拌される場合もある。液撹拌手段７０は、液噴出管７１に設けられた複数の液噴出口７２からめっき液Ｑｐを噴出させて上向きの液流Ｆｑｃを発生させて液撹拌可能に形成されている。
【０００７】
なお、空気吐出管８１（複数の空気吐出孔８２）または液噴出管７１（複数の液噴出口７２）は、基板１００Ｐの表面およびスルーホール内の活性化を期待するものであるから、めっき液内に浸漬される基板１００Ｐの下方に位置するように配設される。この意味において、空気吐出手段８０も液撹拌手段７０も、カソードに関して液撹拌を促すカソード液撹拌手段と称される訳である。
【０００８】
かくして、いわゆる部分的ヤケの発生を防止でき、高品質スルーホールめっき処理を安定して行えるわけである。しかも、スルーホールおよびパターンめっきに対応した添加剤の開発も相俟って、量産稼働がなされている。
【０００９】
ところで、一段の高密度化の要求が高まり、ブラインドビアホール（非貫通ホール）を金属銅で充填（埋込）させるビアフィリングめっき方法（技術）の開発が強く望まれている。
【００１０】
本出願人においても、めっき液的にはビアフィリングめっき向けに専用的に開発した添加剤を利用し、装置的には上記（特許文献２に相当する図５）の場合と同様な構造のめっき装置を用いて、ビアフィリングめっき方法を試行している。
【００１１】
具体的には、めっき液（めっき浴組成）を硫酸銅（例えば、２００ｇ／Ｌ）と硫酸（例えば、５０ｇ／Ｌ）と塩素イオン（例えば、５０ｍｇ／Ｌ）の混合液としかつ適量の添加剤を加える。添加剤としては、ポリエーテル化合物（ポリマー）、有機硫黄化合物（ブライトナー）および４級化アミン化合物（レベラー）の各適量である。また、装置的には、スルーホールとブラインドビアホールとの相違から、空気流（液噴流）の方向、強弱等々を一段と慎重に調整している。
【００１２】
そして、埋込み性（フィリング性）は、断面観察により図７に示す厚みＡ，Ｂを測定し、算出したフィリング率［（Ｂ／Ａ）×１００％］で評価とした。かくして、初期状態（例えば、めっき槽１１内にめっき液を液建てした直後）には、８７〜９７％の良好な結果を得ることができた。
【００１３】
【特許文献１】
特開平５−３０８１８９号公報（第２頁）
【特許文献２】
特開平６−１７２９７号公報（第２〜４頁、図２）
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、安定性に欠け、経時的にフィリング性が低下するという問題が認められる。しかも、この問題をスルーホールめっき処理における装置的（乃至プロセス的）な問題解消策つまり基板１００の表面に対する空気流（液噴流）の方向、強弱等々をより一段と慎重に設定変更・調整したとしても、有効な改善を見ることができない。
【００１５】
このような事情から、現在、フィリング性が低下した場合には、空電解、活性炭処理、液更新等を行う（いわば、めっき液の初期化をする。）ことで対応せざるを得ないから、生産性並びにコスト面の点で不利が残る。すなわち、ビアフィリングめっき処理上の最大の障害は経時的変化（フィリング性の不安定化）であって、この解決が無くしてスルーホールを有する基板１００Ｐの場合と同様なコスト面の要求をも満たした量産稼働の実現は至難である。
【００１６】
本発明の第１の目的は、フィリング性を安定化できるビアフィリングめっき方法を提供することにある。また、第２の目的は、フィリング性を安定化できるビアフィリングめっき方法を実行するのに好適なビアフィリングめっき装置を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本願発明は、次のような発生原因の追求を含む試験研究のもとに創生されたものである。
【００１８】
すなわち、幾多の試行（試験・研究）を通して、初期状態では高いフィリング性をもつにも拘わらず経時的変化によってフィリング性が大幅に低下するという事実およびビアフィリングめっき処理においてはスルーホールめっき処理のように基板（の表面）に着目した対策（液撹拌による活性化等）では有効な改善ができないという事実を再認識するに至り、出願人はその問題点が他の要因（アノード側や添加剤との関係等）に起因するものと仮定し、その解明に挑戦した。
【００１９】
まず、硫酸銅めっき液に浸漬する前と２４時間浸漬した後の各アノード表面をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）により解析した。浸漬前［図８（Ａ）を参照。］のアノード表面は金属銅（Ｃｕ）である３３５ｅＶにピークが検出されたが、浸漬後［図８（Ｂ）を参照。］では金属銅以外に１価の銅（Ｃｕ^＋）である３３７ｅＶのピークが顕著に現れた。つまり、Ｃｕ^＋の生成が確認された。
【００２０】
そこで、Ｃｕ^＋がフィリング性に与える影響を確認するために、硫酸銅めっき液に亜酸化銅（試薬）を混入してみた。亜酸化銅の混入にともないフィリング性は低下し、亜酸化銅（０．５ｇ／Ｌ）の混入でビアホールに金属銅を充填（埋込み）することが出来なくなった。結果、アノード表面に生成したＣｕ^＋がフィリング性を低下させる要因の一つであることが明白になった。
【００２１】
すなわち、硫酸銅めっき液の添加剤として使用しているブライトナーは、還元反応により図９に示す分子構造をとる。そして、還元反応により変質したブライトナーは、電析促進効果が著しく強まり、上記した亜酸化銅（試薬）の過剰添加時と同様の現象を引起す。このブライトナーの変質は、還元力を有するＣｕ^＋の還元作用による経時変化で発生されると推測される。
【００２２】
したがって、フィリング性の安定化には、生成されたＣｕ^＋を除去（乃至Ｃｕ^＋の生成を抑制）する必要がある。ここに、Ｃｕ^＋は酸素に触れることで容易にＣｕ^＋＋に酸化されることに着目し、非めっき処理中（めっき処理の停止中…放置時）にアノード（その近傍）に酸素（空気）を強制的かつ積極的に導入して酸化除去作用を促進することが有効と考えた。
【００２３】
そして、放置時におけるめっき液撹拌方法とフィリング性の関係を調べた。放置条件としては、浴温２３℃で２４時間放置し、硫酸銅めっき液中の溶存酸素濃度の変化も同時に測定した。結果を表１に示す。
【００２４】
【表１】

【００２５】
表１を参照し、静止状態の硫酸銅めっき液中に銅系（含リン銅製）のアノードが存在することで溶存酸素濃度は減少し、アノード表面にて生成したＣｕ^＋が酸素を消費（例えば、５．１ｍｇ／Ｌ＝７．２ｍｇ／Ｌ−２．１ｍｇ／Ｌ）していることがわかる。溶存酸素濃度（例えば、６．７〜６．９ｍｇ／Ｌ）を維持するには、空気撹拌（空気を供給して液撹拌を行う。）が有効であった。
【００２６】
しかし、カソード側での空気撹拌は、溶存酸素濃度（６．９ｍｇ／Ｌ）を維持できるにも拘わらずフィリング性の低下（例えば、９５％→７８％）が認められ、充分な効果（例えば、９７％以上）が得られないことが判明した。かくして、フィリング性を安定化するには、アノード側での液撹拌が好ましとの確信を得た。
【００２７】
しかも、空気撹拌および機械撹拌のいずれでも充分な効果が得られた。つまり、空気撹拌により酸素を直接供給しなくとも、機械撹拌を行うこと（つまり、空気に触れることで酸素を採り込むこと）で、めっき液中の溶存酸素量（例えば、５．８ｍｇ／Ｌ）を維持することができる。すなわち、めっき液が静止している場合には、大気と接触している箇所の酸素濃度が飽和に達するため、それ以上溶け込めなくなるが、液流動を激しくすることで大気との接触面積が増大し、酸素の溶け込みがスムーズになるためである。
【００２８】
このことから、フィリング性の安定化には、めっき液中の全体的な溶存酸素濃度を高く維持することが重要ではなく、アノード（あるいは、アノード近傍）における液撹拌効率を高めること、究極的には僅かな酸素濃度（例えば、５．８〜６．９ｍｇ／Ｌ）であってもアノード表面に向けて酸素を供給し続けることが重要である。
【００２９】
以上から、結論的に、ビアフィリングめっきの量産稼働に向けて最大の障害であった経時変化つまりアノード表面にて生成されるＣｕ^＋の還元作用によりブライトナーが変質してブライトナー過剰時の現象を引き起す現象をアノード側に酸素を供給することで一掃化することができるとともに、生産性およびコスト面からも有効であるとの確信を得た。
【００３０】
かくして、本発明は、従来のカソード側に着目しためっき処理中の液撹拌による基板表面の活性強化という考え方とは逆の考え方（発想の逆転）つまり“アノードに向けて酸素を供給してＣｕ^＋を酸化除去することで、経時変化を改善して安定したフィリング性を得る。”に基づき創生した新規・ユニークでかつ有用な方法・装置を提供するものである。
【００３１】
具体的に、請求項１の発明は、硫酸銅めっき液内において基板からなるカソードと銅系のアノードとの間に給電しつつめっき処理を行い該基板に設けられたブラインドビアホール内に金属銅を充填させるビアフィリングめっき方法であって、非給電状態である非めっき処理中に前記アノードに向けて酸素を強制供給しアノード表面に生成される１価の銅を積極的に酸化除去させ、かつ該酸化除去の実行状態または該酸化除去の停止状態で前記めっき処理を実行させることを特徴とする、ビアフィリングめっき方法である。
【００３２】
この請求項１の発明に係るビアフィリングめっき方法では、停止中（非めっき処理中）、アノード（または、アノード近傍）に向けて酸素を直接または間接的に強制的に供給する。酸素供給は連続または間歇的でもよい。すると、銅系アノード等との関係でアノード表面に生成される１価の銅（Ｃｕ^＋）を積極的に２価の銅（Ｃｕ^＋＋）に酸化して除去することができるから、添加剤であるブライトナーの変質を防止することできる。したがって、還元反応により変質したブライトナーによる著しく強い電析促進効果を抑制することができるので、めっき処理中のフィリング性を大幅に安定化できる。
【００３３】
なお、めっき処理中には、酸化除去停止状態としてよいが、処理時間が長時間連続される場合等にあっては酸化除去を実行状態に選択してもよい。一時的にでも酸化除去実行状態に選択すれば、全めっき処理時間に渡るフィリング性を均一化および一層の安定化を期待し得る。
【００３４】
また、請求項２の発明は、硫酸銅めっき液内において基板からなるカソードと銅系のアノードとの間に給電しつつ該基板に設けられたブラインドビアホール内に金属銅を充填させるビアフィリングめっきを行えるように形成されたビアフィリングめっき装置において、前記アノードに向けて酸素を強制供給してアノード表面に生成される１価の銅を２価の銅に酸化促進可能に形成された酸化促進手段を設け、非給電状態である非めっき処理中に酸化促進手段を働かせてアノード表面に生成される１価の銅を積極的に２価の銅に酸化促進しつつ除去可能に形成されたビアフィリングめっき装置である。
【００３５】
この請求項２の発明に係るビアフィリングめっき装置では、停止中（非めっき処理中）に、酸化促進手段を連続または間歇的に働かせて、アノード（または、アノード近傍）に酸素を直接または間接的に強制供給し、アノード表面に生成される１価の銅（Ｃｕ^＋）を積極的に２価の銅（Ｃｕ^＋＋）に酸化促進して除去する。これにより、添加剤であるブライトナーの変質を防止することできる。したがって、還元反応により変質したブライトナーによる著しく強い電析促進効果を抑制することができるので、その後に給電して再開するめっき処理でのフィリング性を大幅に安定化できる。しかも、酸化促進手段を簡単な構造［例えば、空気吐出管（酸素供給管）を設ける。］で構築することができるから、コスト面からも具現化が容易である。
【００３６】
また、請求項３の発明は、前記酸化促進手段が、めっき液内の前記アノード表面に向けた液噴流によりめっき液を撹拌させることで当該撹拌めっき液を介して酸素を強制供給可能に形成されている。
【００３７】
この請求項３の発明に係るビアフィリングめっき装置では、酸化促進手段は、めっき液内のアノード表面（または、その近傍）に向けためっき液の噴流によりアノード近傍のめっき液を撹拌させる構造であり、この撹拌めっき液を介して間接的にアノード（または、アノード近傍）に酸素を強制的に供給することができる。つまり、撹拌されためっき液に溶存した酸素を利用して酸化促進させることができる。
【００３８】
さらに、請求項４の発明は、前記酸化促進手段が、めっき液内での前記アノード表面に向けた空気流によりめっき液を撹拌させることで当該撹拌めっき液を介して酸素を強制供給可能に形成されている。
【００３９】
この請求項４の発明に係るビアフィリングめっき装置では、酸化促進手段は、めっき液内のアノード（または、アノード近傍）に向けて空気（気泡等）を供給してめっき液を撹拌させる構造であり、この撹拌めっき液を介してアノード近傍に酸素を間接的かつ強制的に供給することができる。つまり、撹拌されためっき液に空気中の酸素の溶解を高めつつ、その溶存酸素を利用して酸化促進させることができる。
【００４０】
さらに請求項５の発明は、前記アノードが前記カソード側と布製仕切膜で隔離されたアノード室内に設けられ、前記酸化促進手段が該アノード室内のめっき液を吸引しつつ該布製仕切膜を通してめっき槽内からアノード室内のアノードに向うめっき液の流れ込みを生成してめっき液を補給しつつ当該補給めっき液を介して酸素を強制供給可能に形成されている。
【００４１】
この請求項５の発明に係るビアフィリングめっき装置では、酸化促進手段は、アノード室内のめっき液を吸引しつつ布製仕切膜を通してめっき槽内からアノード室内にめっき液を吸引することで発生されるアノードに向う流れ込みを利用してめっき液を補給する構造であり、補給めっき液を介して間接的にアノード（または、アノード近傍）に酸素を強制的に供給することができる。つまり、補給されためっき液に溶存する酸素を利用して酸化促進させることができる。
【００４２】
さらにまた、請求項６の発明は、前記酸化促進手段がめっき処理中においても酸化促進可能に形成されている。
【００４３】
かかる請求項６の発明に係るビアフィリングめっき装置では、めっき処理中においても、酸化促進手段を働かせた酸化除去実行状態を選択することで連続または間歇的に酸化促進できるから、継続めっき処理中におけるフィリング性の安定化を一段と向上できる。
【００４４】
例えば、めっき処理時間の長短によって酸化除去を実行状態または酸化除去の停止状態を選択することができる。長時間に渡る連続めっき処理中に一時的にでも酸化除去実行状態に選択すれば、全処理時間に渡るフィリング性の均一的な安定化を期待できる。
【００４５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００４６】
（第１の実施の形態）
本フィリング性を安定化できるビアフィリングめっき方法を実行するに好適な本ビアフィリングめっき装置は、図１に示す如く、アノード２０（左側２０Ｌ，右側２０Ｒ）に向けて酸素を強制供給してアノード表面に生成される１価の銅（Ｃｕ^＋）を２価の銅（Ｃｕ^＋＋）に酸化促進可能に形成された酸化促進手段（液噴流手段３０）を設け、かつ非めっき処理中（非給電状態中）に酸化促進手段（３０）を働かせてアノード表面に生成される１価の銅を積極的に２価の銅に酸化促進しつつ除去可能に形成されている。
【００４７】
めっき装置１０の基本的構成・機能は、硫酸銅めっき液Ｑ内において基板１００からなるカソードと銅系のアノード２０（２０Ｌ，２０Ｒ）との間に給電しつつ基板１００に設けられたブラインドビアホール１０５（図７を参照。）内に金属銅１２０（図７を参照。）を充填させるビアフィリングめっき処理を施すことができるものである。
【００４８】
すなわち、非給電状態である非めっき処理中にアノード２０Ｌ，２０Ｒ（または、その近傍）に向けて酸素を強制供給しアノード表面に生成される１価の銅（Ｃｕ^＋）を積極的に酸化除去させ、かつ酸化除去の実行状態または酸化除去の停止状態でめっき処理を実行させることを特徴とする請求項１に係るビアフィリングめっき方法を確実に行える。
【００４９】
図１において、めっき槽１１内には、めっき液Ｑが浴建てされている。槽（１１）内の左右両側には、アノード２０Ｌ，２０Ｒが取り付けられている。このアノード２０Ｌ，２０Ｒ間に基板１００が槽外上方から下降されて浸漬される。
【００５０】
アノード２０Ｌ，２０Ｒは、銅系であり、この実施の形態では、チタン製ラス網上のケース内に多数の含リン銅ボールを収容させた構造である。各ケースは、めっき槽１１の前後方向（図１の紙面に垂直方向）に伸び、浸漬された基板１００側から見た形状は平板状の四角形状でありかつ当該基板１００の上下方向寸法と幅寸法（図１の紙面に垂直方向の寸法）で決まる平面形状と比較してそれよりも大きい。
【００５１】
基板１００の板厚方向（図１の紙面で左右方向）の両面には、図７（但し、この図７では、図示簡便化の点から、片面側に開口するブラインドビアホール１０５のみを示した。実際には、反対面側に開口するブラインドビアホール１０５もある。）に示すようなブラインドビアホール（非貫通穴）１０５が多数設けられている。この実施の形態では、板厚ｔが３０μｍで、穴径φが７０μｍを想定している。
【００５２】
ここに、酸化促進手段を形成する液噴流手段３０は、めっき液内のアノード表面に向けためっき液Ｑの噴流によりめっき液Ｑを撹拌させることで、撹拌めっき液を介して酸素をアノード（その近傍）２０Ｌ，２０Ｒに強制供給可能に形成されている。請求項３の発明に係る。
【００５３】
フィリングめっき処理用に開発しためっき液Ｑの組成は、銅イオンの供給源である硫酸銅と、液の電導度を上げる硫酸と、添加剤の働きを助ける塩素の基本成分と、添加剤成分（塩素との相互作用により陰極界面に単分子膜を形成し銅の析出を幅広く抑制するポリマー、電析作用を促進するブライトナーおよび凸部の電析反応を抑制するレベラー）とから形成されている。詳しくは、各実施例において説明するが、これら各成分の濃度、電析促進作用、電析抑制作用を適切に調整することにより、ビアフィリングめっき処理を安定して行え、高品質な基板１００を生産（量産稼働）することができる。
【００５４】
すなわち、液噴流手段３０は、図１に示すめっき槽１１の前後方向（紙面垂直方向）に伸びる左右一対のヘッダー３９Ｌ，３９Ｒと、前後方向に一定の間隔をもって各ヘッダー３９Ｌ，３９Ｒに立設された複数の液噴出管３１Ｌ，３１Ｒと、各ヘッダー３９Ｌ，３９Ｒに液供給ポンプ３４で加圧されためっき液Ｑを供給する配管系（液供給管３３、分岐管３３Ｌ，３３Ｒ）と、液供給ポンプ３４の吸込側に接続された液吸込管３５から形成されている。
【００５５】
各液噴出管３１Ｌ，３１Ｒには、上下方向に一定の距離だけ離隔された複数の液噴出口（噴流用ノズル）３２が設けられている。各液噴出口３２は、当該各アノード２０に向けた水平方向にめっき液Ｑを噴流可能に穴明けされている。図１では、簡便的に穴明け中心を細線の実線で示してある。
【００５６】
なお、この簡便的表示は、図２の空気吐出管４１に対する空気吐出孔４２，液噴出管７１に対する液噴出口７２、図３の液吸引管５１に対する液吸引口５２，液噴出管７１に対する液噴出口７２、図４の空気吐出管４１に対する空気吐出孔４２，空気吐出管８１に対する空気吐出孔８２についても同様に表示してある。
【００５７】
かくして、各液噴出口３２は各アノード２０Ｌ，２０Ｒ側から見てマトリクス状に配設され、当該各アノード２０Ｌ，２０Ｒに向けた液流Ｆｑｈを生成することができるわけである。
【００５８】
各液噴出口３２は各アノード２０Ｌ，２０Ｒのケース表面から５〜５００ｍｍの範囲内で選択された距離だけ離れた位置に設け、液噴流手段３０全体として有効アノード面積１ｍ^２当たり１０〜５００Ｌ／ｍｉｎの範囲内で選択された液量を強制供給できるように形成するのが好ましい。
【００５９】
液吸込管３５の一端は、めっき槽１１の左右で各アノード２０Ｌ，２０Ｒの背面側に設けたオーバーフロー槽１２に接続されている。この意味は、めっき槽１１からオーバーフロー槽１２に溢出する際に誘起されるめっき液と空気との自然な接触を巧みに利用して、めっき液Ｑ中の溶存酸素量を増大させるための策を設けたことである。
【００６０】
つまり、めっき槽１１内のめっき液Ｑには、大気開放され液面と大気との接触・撹拌で酸素を取り込むことができ、基板１００の出し入れの際は一段と取り込み助長されるが、オーバーフロー槽１２を設けることで大幅な酸素取り込みを図っているのである。
【００６１】
液供給ポンプ３４の起動・停止等は、図１の制御盤２００の設定により制御される。例えば、給電装置（図示省略）の駆動（停止）命令を利用して液供給ポンプ３４を自動的に起動（停止）させる。また、液供給ポンプ３４を連続起動させるか、間歇的に起動させるかを選択できる。間歇起動の場合における起動・停止インターバルも設定することができる。なお、図１に示す制御盤２００は、以下の図２〜図４においては図示省略した。
【００６２】
なお、制御盤２００は、めっき処理中においても、同様な選択・設定等を行えるように構築してある。かくすれば、酸化促進手段（３０）をめっき処理中においても酸化促進起動でき、継続めっき処理中におけるフィリング性の安定化を一段と向上させることができる。
【００６３】
かかる第１の実施の形態に係るビアフィリングめっき装置１０では、停止中（非めっき処理中）に、酸化促進手段（３０）つまり液供給ポンプ３４を連続（または、間歇的）に働かせてアノード（その近傍）２０Ｌ，２０Ｒに酸素を強制供給し、アノード表面に生成される１価の銅（Ｃｕ^＋）を２価の銅（Ｃｕ^＋＋）に酸化促進して除去する。これにより、添加剤であるブライトナーの変質を防止することできる。
【００６４】
よって、還元反応により変質したブライトナーによる著しく強い電析促進効果を抑制することができるから、その後に給電して再開するめっき処理中のフィリング性を大幅に安定化できる。
【００６５】
しかも、酸化促進手段（３０）が、めっき液Ｑ内のアノード表面に向けた液噴流Ｆｑｈによりめっき液Ｑを撹拌させることで溶存酸素を増大させ、この撹拌めっき液Ｑを介して酸素を間接的に強制供給可能に形成された液噴流手段３０から構築されているので、簡単な構造で、コスト面からも具現化が容易で、装置コストの一段の低減ができる。
【００６６】
また、各アノード２０Ｌ，２０Ｒの背面側にオーバーフロー槽１２が設けられているので、めっき槽１１からオーバーフロー槽１２へめっき液Ｑを溢出・循環させつつ、めっき液Ｑ中への酸素の取り込みを大幅に向上でき、溶存酸素を高めることができる。
【００６７】
また、各液噴出口３２がマトリクス状に配設され、各アノード２０Ｌ，２０Ｒに向けたマトリクス状の複数液噴流Ｆｑｈを生成することができるので、各アノード２０Ｌ，２０Ｒの平面的な全範囲に渡り均一で安定した酸化除去作用を実行・維持させられる。
【００６８】
なお、この第１の実施の形態においては、酸化促進手段を液噴流手段３０から形成した場合について説明したが、酸化促進手段を空気吐出手段４０から形成しても実施することができ、この場合を第４の実施の形態として記載する。
【００６９】
（第２の実施の形態）
第２の実施の形態では、図２に示す如く、基本的構成（１１，１２，２０，）等が下記する一部の構成（２５，７０）等を除いて図１に示す第１の実施の形態に係る基本的構成（１１，１２，２０）等と同様に構築されているが、酸化促進手段はめっき液内のアノード表面（または、アノード近傍）２０Ｌ，２０Ｒに向けた空気流によりめっき液Ｑを撹拌させることでめっき液Ｑを介してアノード（または、その近傍）２０Ｌ，２０Ｒに酸素を強制供給可能に形成された空気吐出手段４０から構成されている。
【００７０】
また、アノード室２５Ｌ，２５Ｒの導入および酸化促進手段の構造が空気吐出構造（４０）である観点から、カソード液撹拌手段（液撹拌手段７０）を設け、めっき槽１１内の全体的な液撹拌を強化することで、従来スルーホールめっき処理の場合と同様に基板１００の表面の活性化をも促す。
【００７１】
この液撹拌手段７０は、浸漬された基板１００の下方に配設された左右一対の液噴出管７１Ｌ，７１Ｒと、供給配管系（液供給管７３、分岐管７３Ｌ，７３Ｒ）と、液供給ポンプ７４と、このポンプ７４をオーバーフロー槽１２に接続する液吸込管７５とから形成されている。オーバーフロー槽１２の導入は、第１の実施の形態に係る装置１０の場合と同様な作用・効果を期待するものである。
【００７２】
各液噴出管７１Ｌ，７１Ｒは、めっき槽１１の前後方向（図２の紙面垂直方向）に伸び、長手方向に一定の距離だけ離隔された複数の液噴出口（噴流用ノズル）７２が設けられている。したがって、基板１００の両側にカソード液流Ｆｑｃを生成することができる。
【００７３】
さて、各アノード２０Ｌ，２０Ｒ自体は、第１の実施の形態に係る構造と同じ構造とされているが、図２に示すアノード室２５Ｌ，２５Ｒ内に収容されている。各アノード室２５Ｌ，２５Ｒは、全体的には密閉型であるが、カソード（１００）側に向かう面のみが布製仕切膜２６で覆われアノード（２０Ｌ，２０Ｒ）側とカソード（１００）側とを隔離し、アノード２０Ｌ，２０Ｒからスライムの形で溶出した不純物がめっき槽１１内に侵入してしまうことを阻止可能に形成されている。
【００７４】
ここにおいて、空気吐出手段４０は、各アノード室２５Ｌ，２５Ｒ内でかつめっき槽１１の前後方向（紙面垂直方向）に伸びる左右一対の空気吐出管４１Ｌ，４１Ｒと、空気供給ユニット４４と、各空気吐出管４１Ｌ，４１Ｒに槽（１１）外の空気供給ユニット４４からの加圧空気を供給する配管系（空気供給管４３、分岐管４３Ｌ，４３Ｒ）とから形成されている。
【００７５】
各アノード室２５Ｌ，２５Ｒ内の下方に配置された前後方向に伸びる各空気吐出管４１Ｌ，４１Ｒには、前後方向に一定の距離だけ離隔された複数の空気吐出孔４２が設けられている。つまり、斜め下向きの各空気吐出孔４２は各アノード２０Ｌ，２０Ｒの左右方向両側に空気流Ｆａを生成し、各アノード（および、その近傍）２０Ｌ，２０Ｒに酸素を強制供給することができる。空気流が気泡流になるように形成してあるので、酸素溶解作用を一段と高められる。
【００７６】
空気吐出手段４０全体としては有効アノード面積１ｍ^２当たり１０〜５００Ｌ／ｍｉｎの範囲内で選択された空気量を供給できるように形成するのが好ましい。
【００７７】
かかる第２の実施の形態に係るビアフィリングめっき装置１０では、停止中（非めっき処理中）に、酸化促進手段（４０）つまり空気供給ユニット４４を連続（または、間歇的）に働かせてアノード室２５Ｌ，２５Ｒ内でアノード２０Ｌ，２０Ｒに向かう空気（気泡）流Ｆａを生成させて液撹拌しつつ、アノード近傍に酸素を強制的に供給し、アノード表面に生成される１価の銅（Ｃｕ^＋）を２価の銅（Ｃｕ^＋＋）に酸化促進して除去する。これにより、添加剤であるブライトナーの変質を防止することできる。
【００７８】
よって、第２の実施の形態に係る装置１０（４０等）によれば、第１の実施の形態に係る装置の場合と同様に、還元反応により変質したブライトナーによる著しく強い電析促進効果を抑制することができるから、その後に給電して再開するめっき処理中のフィリング性を大幅に安定化できる。
【００７９】
しかも、酸化促進手段（４０）が、密閉型のアノード室２５Ｌ，２５Ｒ内での空気流Ｆａによりめっき液Ｑを撹拌させることで、撹拌めっき液を介して酸素を間接的（部分的には空気中の酸素を直接）に強制供給可能な空気吐出手段４０から構成されているので、第１の実施の形態に係る装置の場合と同様な作用・効果を奏することができることに加え、さらに第１の実施の形態に係る装置の場合と比較してめっき液Ｑ中への酸素溶解効果を大幅に向上させることができる。
【００８０】
なお、アノード室２５Ｌ，２５Ｒを設けない場合も、適応できかつ同様に実行することができる。これに関しては、第４の実施の形態として、説明する。
【００８１】
（第３の実施の形態）
この第３の実施の形態では、図３に示す如く、基本的構成（１１，１２，２０，２５，７０）等が図２に示す第２の実施の形態に係る基本的構成（１１，１２，２０，２５，７０）等と同様であるが、酸化促進手段を、アノード室２５Ｌ，２５Ｒ内の古いめっき液Ｑを吸引しつつ布製仕切膜２６を通してめっき槽（１１）内からアノード室２５Ｌ，２５Ｒ内のアノードに向うめっき液Ｑの流れ込みを生成して新鮮なめっき液Ｑを補給しつつ、この補給めっき液Ｑを介してアノード２０Ｌ，２０Ｒ（およびアノード近傍）に酸素を強制供給可能な液吸引手段５０から構成してある。
【００８２】
液吸引手段５０は、各アノード室２５Ｌ，２５Ｒ内でかつめっき槽１１の前後方向（紙面垂直方向）に伸びる左右一対の液吸引管５１Ｌ，５１Ｒと、液戻しポンプ５４と、各液吸引管５１Ｌ，５１Ｒで吸込んだ古いめっき液Ｑを液戻しポンプ５４に導入する導入配管系（分岐管５３Ｌ，５３Ｒ、液導入管５３）と、液戻しポンプ５４からめっき槽１１へめっき液を戻すための液戻し供給管５５とから形成されている。液戻しポンプ５４から液戻しは、オーバーフロー槽１２に戻すように形成してもよい。
【００８３】
各アノード室２５Ｌ，２５Ｒ内の下方に配置された各液吸引管５１Ｌ，５１Ｒには、前後方向に一定の距離だけ離隔された複数の液吸引口５２が設けられている。つまり、各液吸引口５２は各アノード室２５Ｌ，２５Ｒ内のめっき液Ｑを吸引みつつ下向き液流Ｆｑｄを誘起する。
【００８４】
したがって、めっき槽１１から布製仕切膜２６を通してアノード室２５Ｌ，２５Ｒ内に流れ込む新鮮なめっき液Ｑを各アノード（その近傍、表面）２０Ｌ，２０Ｒに補給することができるから、各アノード（その近傍、表面）２０Ｌ，２０Ｒに酸素を強制供給することができるわけである。
【００８５】
液吸引手段５０全体としては、有効アノード面積１ｍ^２当たり１０〜５００Ｌ／ｍｉｎの範囲内で選択されためっき液量を供給できるように形成するのが好ましい。
【００８６】
かかる第３の実施の形態に係るビアフィリングめっき装置１０では、停止中（非めっき処理中）に、酸化促進手段（５０）つまり液吸引手段５０を連続（または、間歇的）に働かせてめっき槽１１内から布製仕切膜２６を通してアノード室２５Ｌ，２５Ｒ内に流れ込み方式によりめっき液Ｑを補給しかつアノード室２５Ｌ，２５Ｒ内から吸引排出しつつ、補給めっき液を介して間接的にアノード（その近傍）２０Ｌ，２０Ｒに酸素を強制供給することができる。
【００８７】
つまり、補給されためっき液Ｑに溶存する酸素を利用して酸化促進させることができるから、アノード表面に生成される１価の銅（Ｃｕ^＋）を２価の銅（Ｃｕ^＋＋）に酸化促進して除去することができる。これにより、添加剤であるブライトナーの変質を防止することできる。
【００８８】
よって、この第３の実施の形態に係る装置によれば、第１（第２）の実施の形態に係る装置の場合と同様に還元反応により変質したブライトナーによる著しく強い電析促進効果を抑制することができるから、その後に給電して行う再開めっき処理中のフィリング性を大幅に安定化できる。
【００８９】
しかも、酸化促進手段（５０）が、密閉型のアノード室２５Ｌ，２５Ｒ内での下向き流れ込みによる吸引液流Ｆｑｄでめっき液Ｑを撹拌させて酸素供給する液吸引手段５０から構成されているので、第２の実施の形態に係る装置の場合と同様な作用・効果を奏することができることに加え、さらに第２の実施の形態に係る装置の場合と比較してアノード２０Ｌ，２０Ｒからスライムの形で溶出した不純物のめっき槽１１内への侵入をより確実に阻止することができる。
【００９０】
（第４の実施の形態）
この第４の実施の形態は、図４に示す如く、基本的構成（１１，１２，２０）等が図１に示す第１の実施の形態に係る基本的構成（１１，１２，２０）等と同様（アノード室無）とされかつ酸化促進手段が図２に示す第２の実施の形態に係る構造（４０）と同様な構造（４０）とされている。
【００９１】
つまり、めっき液Ｑ内のアノード（その近傍）２０Ｌ，２０Ｒに空気流を発生してめっき液Ｑを撹拌させ、この撹拌めっき液を介して酸素をアノード（その近傍）２０Ｌ，２０Ｒに強制供給可能に形成されている。
【００９２】
なお、付加的構成としてのカソード液撹拌手段は、空気吐出手段８０から構成してある。図２（図３）に示された第２（第３）の実施の形態の装置に係る液撹拌手段７０とは異なる。
【００９３】
すなわち、空気吐出手段８０は、図４に示すように、浸漬される基板１００の下方に配設されかつめっき槽１１の前後方向（紙面に垂直方向）に伸びる左右一対の空気吐出管８１Ｌ，８１Ｒと、槽外に配置された空気供給ユニット８４と、空気供給ユニット８４からの加圧空気を各空気吐出管８１Ｌ，８１Ｒに供給する配管系（空気供給管８３、分岐管８３Ｌ，８３Ｒ）とから形成されている。
【００９４】
各空気吐出管８１Ｌ，８１Ｒには、前後方向に一定の距離だけ離隔された複数の空気吐出孔８２が設けられている。つまり、各空気吐出孔８２は基板１００の左右方向両側に空気（気泡）流Ｆａｃを生成し、その表面のめっき液Ｑを撹拌することができる。
【００９５】
かくして、この第４の実施の形態に係る装置１０では、第２の実施の形態に係る装置の場合と同様に、還元反応により変質したブライトナーによる著しく強い電析促進効果を抑制することができるから、その後に給電して再開するめっき処理中のフィリング性を大幅に安定化できるとともに、各アノード室２５Ｌ，２５Ｒ内でレイアウトされる第２の実施の形態の装置の場合に比較して各アノード２０Ｌ，２０Ｒに対する各空気吐出管４１Ｌ，４１Ｒの取付位置、噴気方向等々の選択範囲が広いから、めっき液Ｑ中への酸素溶解効果を一段と大幅に向上できるように構築し易い。
【００９６】
なお、以上の各実施の形態では、酸化促進手段［３１（３２）、４１（４２）、５１（５２）等］はアノード２０Ｌ，２０Ｒに対して離隔配置した場合を例示したが、酸化促進手段［３０…３１（３２）、４０…４１（４２）、５０…５１（５２）等］はアノード（ケース内）２０Ｌ，２０Ｒに組込んでおく構造としてもよい。
【００９７】
また、酸化促進手段［３１（３２）、４１（４２）、５１（５２）等］とアノード（ケース内）２０Ｌ，２０Ｒとの一方または双方をめっき液Ｑ中で相対移動（例えば、相対上下動や相対揺動）させるように構築してもよい。
【００９８】
さらに、酸化促進手段がめっき液Ｑの噴出・吸引または空気吐出による構造とされていたが、酸化促進手段はアノード（近傍）における液撹拌効率を高めればよいこと、究極的には僅かな酸素濃度（例えば、５．８〜６．９ｍｇ／Ｌ）であってもアノード表面に酸素を強制供給することができればよいことからすれば、上記場合に限らず機械的撹拌構造（例えば、プロペラ回転構造等）で酸化促進手段を構成してもよい。なお、酸素を直接強制供給する方式を排除するものでもよい。
【００９９】
以下に、各実施の形態に係る装置１０を用いての実施例を対応する比較例とともに説明する。
【０１００】
（実施例１）
この実施例１の実行条件１〜６は、表２に示す通りである。表２には比較例１の条件も記載してある。
【表２】

【０１０１】
装置としては、図１に示す第１の実施の形態に係る装置１０と同じ構造［条件５に係る含リン銅ボールからなる銅系アノード２０は直接設置され、アノード室２５は設けられていない。条件４に係るカソード液撹拌手段（７０）は無しで、オーバーフロー槽１２および条件６に係る液噴流手段３０が設けられている。］の装置１０を採用した。
【０１０２】
条件１に係るめっき槽１１内には、１４００Ｌのめっき液Ｑを浴建てした。また、条件２に係るめっき液Ｑの組成は、硫酸銅２００ｇ／Ｌ、硫酸５０ｇ／Ｌ、塩素イオン５０ｍｇ／Ｌで、これに添加剤［ポリマー：ＰＴＨ−ルチナα−Ｍ（奥野製薬工業株式会社製）４．５ｍＬ／Ｌ、ブライトナー：ＰＴＨ−ルチナα−２（奥野製薬工業株式会社製）１ｍＬ／Ｌ、レべラー：ＰＴＨ−ルチナα−３（奥野製薬工業株式会社製）３ｍＬ／Ｌ］を加えたものである。
【０１０３】
そして、浴（めっき液）温度を２３℃で２４時間放置した。この放置中に、アノード２０Ｌ，２０Ｒから５０ｍｍ離れた各液噴出口３２からアノード２０Ｌ，２０Ｒに向けて液噴射し続けた。全体的に１００Ｌ／ｍｉｎの液噴射による液撹拌を行った。
【０１０４】
２４時間放置後に条件３に係るブラインドビアホール（樹脂厚３０μｍ、穴径７０μｍ）を有する基板（カソード）１００をめっき槽１１内に浸漬し、条件７の処理条件（浴温：２３℃、電流密度：１．０Ａ／ｄｍ^２、処理時間：９０ｍｉｎ）でめっき処理を施した。この実施例１によれば、２４時間放置後にめっき処理された基板１００のフィリング率（測定値）は、放置前に測定した値（９７％）と同じ９７％であった。
【０１０５】
比較例１は、条件１〜５、７までを実施例１の場合の条件（１〜５、７）と同じとしたが、条件６に係るアノード側の酸化促進手段（液噴流手段３０）は当然に設けず（具体的には、図４の液噴流手段３０を停止させる。）、めっき液Ｑを静止させたままの状態で２４時間放置とした。この比較例１におけるフィリング率（測定値）は、放置前に測定した値（９７％）に対して大幅に低下した３２％であった。
【０１０６】
（実施例２および実施例３）
この実施例２および実施例３の各実行条件１〜６は、表３に示す通りである。表３には比較例２の条件も記載してある。
【０１０７】
【表３】

【０１０８】
実施例２に係る装置としては、図２に示す第２の実施の形態に係る装置１０と同じ構造［条件５に係る含リン銅ボールからなるアノード２０はアノード室２５内に設置される。条件４に係るカソード液撹拌手段（７０）が設けられている。オーバーフロー槽１２および条件６に係る空気吐出手段４０を設けた。］の装置１０を採用した。
【０１０９】
また、実施例３に係る装置としては、図３に示す第３の実施の形態に係る装置１０と同じ構造とした。換言すれば、実施例２の装置の場合（４０）とは、酸化促進手段の構造が異なる。この実施例３では、酸化促進手段を液吸引手段５０から構成してある。
【０１１０】
比較例２は、条件４に係るカソード液撹拌手段（７０）を設けている点を除き、比較例１の場合と同じである。
【０１１１】
ここに、条件１，２，３，７に関しては、実施例２，実施例３および比較例２ともに実施例１（比較例１）の場合と同じとした。なお、条件４に関しては、実施例２，実施例３および比較例２ともに２００Ｌ／ｍｉｎでのカソード液撹拌を続けた。
【０１１２】
そして、浴（めっき液）温度を２３℃でかつめっき液Ｑを静止させたままの状態で２４時間放置した。この放置中に、実施例２の場合はアノード２０Ｌ，２０Ｒに向けて空気吐出し続けた。全体的に８０Ｌ／ｍｉｎの空気吐出による液撹拌を行った。実施例３の場合はアノード室２５Ｌ，２５Ｒ内からめっき液を吸引・補給し続けた。全体的に５０Ｌ／ｍｉｎの液吸引による液撹拌を行った。
【０１１３】
比較例２の場合はアノード室２５Ｌ，２５Ｒ内での酸化促進は行わない。酸化促進手段（４０および５０）を設けていないからである［具体的には、酸化促進手段（４０または５０）を停止させた］。
【０１１４】
かくして、実施例２による２４時間放置後のめっき処理後のフィリング率（測定値）は放置前に測定した値（９７％）と同じ９７％であった。また、実施例３の場合は放置前に測定した値（９６％）よりも高い９７％であった。つまり、酸化促進手段（空気吐出撹拌方式でも液吸引撹拌方式でも）を２４時間連続運転すると、放置前に存在していた若干の差（１％）を解消した最高的な９７％となる。
【０１１５】
しかし、比較例２におけるフィリング率（測定値）は、放置前に測定した値（９６％）に対して大幅に低下した３５％であった。したがって、フィリング性を安定化に関しては、大量（２００Ｌ／ｍｉｎ）による液撹拌でも、従来例（スルーホールめっき処理）の場合と同じカソード側の液撹拌である限りにおいて、その改善性が認められないことが明白である。
【０１１６】
（実施例４）
この実施例４の各実行条件１〜６は、表４に示す通りである。表４には比較例３および比較例４の条件も記載してある。
【表４】

【０１１７】
実施例４に係る装置としては、図４に示す第４の実施の形態に係る装置１０と同様な構造［条件５に係るアノード室２５は無で、条件４に係るカソード液撹拌手段（８０）は有で、オーバーフロー槽１２は設けられている。］の装置１０を採用した。なお、この実施例４および比較例４の実行に際しては、カソード液撹拌手段（空気吐出手段８０）は停止した。
【０１１８】
実施例４に係る酸化促進手段は、第１の実施の形態に係る液噴流手段３０とは異なる。つまり、図２に示す第２の実施の形態に係る装置（４０）の場合と同様な図４に示す空気吐出手段４０からなる。なお、条件１に係るめっき槽１１は小型で浴建て量（めっき液量）は、１．５Ｌである。
【０１１９】
そして、比較例３に係る装置としては、図５に示す従来例に係る装置１０Ｐと同じ構造とした。具体的には、図４に示す装置１０のカソード液撹拌手段（空気吐出手段８０）を運転して条件４を満たし、酸化促進手段（空気吐出手段４０）を停止させて条件６を満たした。
【０１２０】
また、比較例４に係る装置としては、図４に示す装置１０のカソード液撹拌手段（空気吐出手段８０）および酸化促進手段（空気吐出手段４０）を双方とも停止させて条件４，６を満たした。
【０１２１】
条件２，３，５，７に関しては、実施例４，比較例３および比較例４ともに実施例２（比較例２）の場合と同じとした。
【０１２２】
浴（めっき液）温度を２３℃で２４時間放置した。この放置中に、実施例４の場合はアノード２０Ｌ，２０Ｒに向けて空気を吐出供給し続けた。全体的に０．３Ｌ／ｍｉｎの空気吐出による液撹拌を行った。比較例３の場合はカソード（１００）に空気を吐出供給し続け、全体的に０．３Ｌ／ｍｉｎの空気吐出による液撹拌を行った。
【０１２３】
かくして、実施例４によれば、２４時間放置後にめっき処理された基板１００についてのフィリング率（測定値）は９７％であった。また、比較例３でのフィリング率（測定値）は７８％であった。さらに、比較例４でのフィリング率（測定値）は３０％であった。
【０１２４】
すなわち、幅狭で小型の装置１０では、カソード液撹拌をする（比較例３）と、静止状態で放置した場合（比較例４）の大幅な低下（３０％）は防止できる。つまり、若干のアノード２０Ｌ，２０Ｒへの液撹拌作用が認め得る。しかしながら、専用の酸化促進手段（３０または４０）を設け酸素を強制供給しない限りにおいて、めっき槽１１（浴建て量）が小型（少量）であったとしても、製品合格と認定される値（例えば、９７％以上）を安定維持することはできない。
【０１２５】
（実施例５）
実施例５の装置を含む各実行条件１〜７は、表５に示す通り、実施例２の場合と同様とした。そして、５日間に渡り、連続的な１２時間めっき処理と１２時間放置状態とを繰り返した。なお、放置状態中は、基板１００をめっき液Ｑから引き抜いておいた。５日経過後のフィリング率（測定値）は、繰り返し前の測定値９７％であった。
【０１２６】
【表５】

【０１２７】
【発明の効果】
請求項１の発明によれば、非めっき処理中に酸素を強制供給してアノード表面に生成される１価の銅を酸化除去させてからめっき処理を行わせることを特徴とするビアフィリングめっき方法であるから、還元反応により変質したブライトナーによる著しく強い電析促進効果を抑制することができ、めっき処理中のフィリング性を大幅に安定化できる。
【０１２８】
また、請求項２の発明によれば、非めっき処理中に酸化促進手段を働かせてアノード表面に生成される１価の銅を２価の銅に酸化促進して除去可能に形成されたビアフィリングめっき装置であるから、請求項１の発明の場合と同様にめっき処理中のフィリング性を大幅に安定化できるとともに、酸化促進手段を簡単な構造（例えば、空気吐出）で構築することができるからコスト面からも具現化が容易である。また、ブラインドビアホールを金属銅で充填（埋込）させるビアフィリングめっき処理を継続的に行えるので、一段の高密度化の要求に応えることができる。
【０１２９】
また、請求項３の発明によれば、酸化促進手段がアノード表面に向けた液噴流によりめっき液を撹拌させて酸素を強制供給する構造であるから、請求項２の発明の場合と同様な効果を奏することができることに加え、さらに装置コストの一段の低減ができる。
【０１３０】
さらに、請求項４の発明によれば、酸化促進手段がアノード表面に向けた空気流によりめっき液を撹拌させて酸素を強制供給する構造であるから、請求項２の発明の場合と同様な効果を奏することができることに加え、さらに請求項３の発明と比較して酸素溶解効果を大幅に向上できる。
【０１３１】
さらに、請求項５の発明によれば、酸化促進手段がアノード室内のめっき液を吸引しつつ布製仕切膜を通してめっき槽内からアノード室内にめっき液を補給しつつ酸素を強制供給する構造であるから、請求項２の発明の場合と同様な効果を奏することができることに加え、さらに請求項３の発明に係る液噴射等に比較して、アノードからスライムの形で溶出した不純物のめっき槽内への侵入阻止効果を一段と確実に担保することができる。
【０１３２】
さらにまた、請求項６の発明によれば、酸化促進手段がめっき処理中においても酸化促進可能に形成されているので、継続めっき処理中におけるフィリング性の安定化を一段と向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るビアフィリングめっき装置を説明するための図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係るビアフィリングめっき装置を説明するための図である。
【図３】本発明の第３の実施形態に係るビアフィリングめっき装置を説明するための図である。
【図４】本発明の第４の実施形態に係るビアフィリングめっき装置を説明するための図である。
【図５】従来例１（空気吐出手段を設けたビアフィリングめっき装置）を説明するための図である。
【図６】従来例２（液撹拌手段を設けたビアフィリングめっき装置）を説明するための図である。
【図７】ブラインドビアホールとフィリング率の算定根拠とを説明するための図である。
【図８】Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）により解析結果を説明するための図である。
【図９】還元反応による分子構造を説明するための図である。
【符号の説明】
１０ めっき装置
１１ めっき槽
１２ オーバーフロー槽
２０ アノード
２５ アノード室
２６ 布製仕切膜
３０ 液噴流手段（酸化促進手段）
３１ 液噴出管
３２ 液噴出口
４０ 空気吐出手段（酸化促進手段）
４１ 空気吐出管
４２ 空気吐出孔
５０ 液吸引手段（酸化促進手段）
５１ 液吸引管
５２ 液吸引口
７０ 液撹拌手段（カソード液撹拌手段）
７１ 液噴出管
７２ 液噴出口
８０ 空気吐出手段（カソード液撹拌手段）
８１ 空気吐出管
８２ 空気吐出孔
１００ 基板（カソード）
１０５ ブラインドビアホール
１１０ 銅皮膜
１２０ 充填金属銅
２００ 制御盤
Ｑ めっき液

Claims (6)

1. 硫酸銅めっき液内において基板からなるカソードと銅系のアノードとの間に給電しつつめっき処理を行い該基板に設けられたブラインドビアホール内に金属銅を充填させるビアフィリングめっき方法であって、
   非給電状態である非めっき処理中に前記アノードに向けて酸素を強制供給しアノード表面に生成される１価の銅を積極的に酸化除去させ、かつ該酸化除去の実行状態または該酸化除去の停止状態で前記めっき処理を実行させることを特徴とするビアフィリングめっき方法。
2. 硫酸銅めっき液内において基板からなるカソードと銅系のアノードとの間に給電しつつ該基板に設けられたブラインドビアホール内に金属銅を充填させるビアフィリングめっきを行えるように形成されたビアフィリングめっき装置において、
   前記アノードに向けて酸素を強制供給してアノード表面に生成される１価の銅を２価の銅に酸化促進可能に形成された酸化促進手段を設け、
   非給電状態である非めっき処理中に酸化促進手段を働かせてアノード表面に生成される１価の銅を積極的に２価の銅に酸化促進しつつ除去可能に形成された、ビアフィリングめっき装置。
3. 前記酸化促進手段が、めっき液内の前記アノード表面に向けた液噴流によりめっき液を撹拌させることで当該撹拌めっき液を介して酸素を強制供給可能に形成されている、請求項２記載のビアフィリングめっき装置。
4. 前記酸化促進手段が、めっき液内での前記アノード表面に向けた空気流によりめっき液を撹拌させることで当該撹拌めっき液を介して酸素を強制供給可能に形成されている、請求項２記載のビアフィリングめっき装置。
5. 前記アノードが前記カソード側と布製仕切膜で隔離されたアノード室内に設けられ、前記酸化促進手段が該アノード室内のめっき液を吸引しつつ該布製仕切膜を通してめっき槽内からアノード室内のアノードに向うめっき液の流れ込みを生成してめっき液を補給しつつ当該補給めっき液を介して酸素を強制供給可能に形成されている、請求項２記載のビアフィリングめっき装置。
6. 前記酸化促進手段がめっき処理中においても酸化促進可能に形成されている、請求項２から請求項５までのいずれかに１項に記載されたビアフィリングめっき装置。

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