JP2774006B2 - 半導体受光装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体受光装置及びその製造方法Info
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- JP2774006B2 JP2774006B2 JP3359799A JP35979991A JP2774006B2 JP 2774006 B2 JP2774006 B2 JP 2774006B2 JP 3359799 A JP3359799 A JP 3359799A JP 35979991 A JP35979991 A JP 35979991A JP 2774006 B2 JP2774006 B2 JP 2774006B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体受光装置及び
その製造方法に関し、特に受光部以外に入射した光を前
面に反射しないように、有害反射光線を防止する遮光マ
スクを備えた半導体受光装置に関するものである。
その製造方法に関し、特に受光部以外に入射した光を前
面に反射しないように、有害反射光線を防止する遮光マ
スクを備えた半導体受光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図７は従来の半導体受光装置の構造断面
図である。図において、１はｎ−ＩｎＰ基板、２はｎ-
−ＩｎＰバッファ層、３はｎ- −ＩｎＧａＡｓ光吸収
層、４はｎ- −ＩｎＰ窓層で、ｎ−ＩｎＰ基板１上に順
次形成されている。５は選択拡散などにより形成された
ｐ+ −ＩｎＧａＡｓ光吸収層、６はｐ+ −ＩｎＰ窓層、
７はｐ+ −ＩｎＰ窓層６の一部に開口部を有し、ｎ- −
ＩｎＰ窓層４とｐ+ −ＩｎＰ窓層６上に形成された誘電
体膜、例えばＳｉＮ膜、８はｐ+ −ＩｎＰ窓層６の一部
に接しているｐ電極、９はＩｎＰ基板１側に形成された
ｎ電極、１０は受光部以外へ入射する光を遮光し、ｐ電
極８に対し絶縁された遮光マスク用の金属層である。ま
た、２０は受光部以外に入射した光の経路を示す矢印で
ある。
図である。図において、１はｎ−ＩｎＰ基板、２はｎ-
−ＩｎＰバッファ層、３はｎ- −ＩｎＧａＡｓ光吸収
層、４はｎ- −ＩｎＰ窓層で、ｎ−ＩｎＰ基板１上に順
次形成されている。５は選択拡散などにより形成された
ｐ+ −ＩｎＧａＡｓ光吸収層、６はｐ+ −ＩｎＰ窓層、
７はｐ+ −ＩｎＰ窓層６の一部に開口部を有し、ｎ- −
ＩｎＰ窓層４とｐ+ −ＩｎＰ窓層６上に形成された誘電
体膜、例えばＳｉＮ膜、８はｐ+ −ＩｎＰ窓層６の一部
に接しているｐ電極、９はＩｎＰ基板１側に形成された
ｎ電極、１０は受光部以外へ入射する光を遮光し、ｐ電
極８に対し絶縁された遮光マスク用の金属層である。ま
た、２０は受光部以外に入射した光の経路を示す矢印で
ある。
【０００３】次に動作について説明する。ｐ電極８とｎ
電極９間に逆バイアスを印加した場合、ＩｎＧａＡｓ光
吸収層３中に空乏層が広がる。この時、ＩｎＧａＡｓの
バンドギャップ波長より短い波長の光が矢印２１の経路
で入射した場合、ＩｎＧａＡｓ光吸収層３で光は吸収さ
れ、キャリアを発生させる。このキャリアは逆バイアス
により広がった空乏層内を分離・ドリフトすることによ
り光電流として電極から取り出される。この場合、受光
部以外に入射した光２０は受光素子の周波数特性劣化の
原因となる。これらの光を遮断するため、ｐ電極８に対
し絶縁された遮光マスク用金属層１０を有していた。
電極９間に逆バイアスを印加した場合、ＩｎＧａＡｓ光
吸収層３中に空乏層が広がる。この時、ＩｎＧａＡｓの
バンドギャップ波長より短い波長の光が矢印２１の経路
で入射した場合、ＩｎＧａＡｓ光吸収層３で光は吸収さ
れ、キャリアを発生させる。このキャリアは逆バイアス
により広がった空乏層内を分離・ドリフトすることによ
り光電流として電極から取り出される。この場合、受光
部以外に入射した光２０は受光素子の周波数特性劣化の
原因となる。これらの光を遮断するため、ｐ電極８に対
し絶縁された遮光マスク用金属層１０を有していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体受光装置
は以上のように構成されているので、受光部以外に入射
した光は遮光マスク用金属層により反射される。この
時、反射された光が、レーザまたはファイバに戻ってし
まい、光信号のノイズの原因となるという問題点があっ
た。
は以上のように構成されているので、受光部以外に入射
した光は遮光マスク用金属層により反射される。この
時、反射された光が、レーザまたはファイバに戻ってし
まい、光信号のノイズの原因となるという問題点があっ
た。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、周波数特性劣化を防止し、同時
にマスクによる反射光による光ノイズを防止することの
できる半導体受光装置及びその製造方法を得ることを目
的とする。
ためになされたもので、周波数特性劣化を防止し、同時
にマスクによる反射光による光ノイズを防止することの
できる半導体受光装置及びその製造方法を得ることを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体受
光装置およびその製造方法は、第１導電型基板上に第１
導電型バッファ層，光吸収層，窓層を順次形成し、前記
光吸収層と窓層の一部を選択的に第２導電型に反転し、
前記第１導電型窓層，光吸収層，バッファ層を、前記窓
層の第２導電型領域の表面をその上底とし、基板表面を
その下底とするような台形状にエッチングし、前記エッ
チングによりできた斜面上に、前記窓層の第２導電型領
域の一部を覆うように開口部を有する誘電体膜を形成
し、前記誘電体膜上に、前記窓層の第２導電型領域の一
部に接するように電極を形成し、前記誘電体膜上に、前
記電極に対して絶縁された、遮光用マスク層を形成する
ようにしたものである。
光装置およびその製造方法は、第１導電型基板上に第１
導電型バッファ層，光吸収層，窓層を順次形成し、前記
光吸収層と窓層の一部を選択的に第２導電型に反転し、
前記第１導電型窓層，光吸収層，バッファ層を、前記窓
層の第２導電型領域の表面をその上底とし、基板表面を
その下底とするような台形状にエッチングし、前記エッ
チングによりできた斜面上に、前記窓層の第２導電型領
域の一部を覆うように開口部を有する誘電体膜を形成
し、前記誘電体膜上に、前記窓層の第２導電型領域の一
部に接するように電極を形成し、前記誘電体膜上に、前
記電極に対して絶縁された、遮光用マスク層を形成する
ようにしたものである。
【０００７】また、この発明に係る半導体受光装置およ
びその製造方法は、第１導電型基板上に第１導電型バッ
ファ層，光吸収層，窓層を順次形成し、前記光吸収層と
窓層の一部を選択的に第２導電型に反転し、前記第１導
電型窓層及び窓層の第２導電型領域の一部を覆うよう
に、開口部を有する誘電体膜を形成し、前記誘電体膜上
に、前記窓層の第２導電型領域の一部に接するように電
極を形成し、前記誘電体膜上に、前記電極に対して絶縁
され、金属粒子を含有する感光性樹脂よりなる遮光用マ
スク層を形成するようにしたものである。
びその製造方法は、第１導電型基板上に第１導電型バッ
ファ層，光吸収層，窓層を順次形成し、前記光吸収層と
窓層の一部を選択的に第２導電型に反転し、前記第１導
電型窓層及び窓層の第２導電型領域の一部を覆うよう
に、開口部を有する誘電体膜を形成し、前記誘電体膜上
に、前記窓層の第２導電型領域の一部に接するように電
極を形成し、前記誘電体膜上に、前記電極に対して絶縁
され、金属粒子を含有する感光性樹脂よりなる遮光用マ
スク層を形成するようにしたものである。
【０００８】この発明に係る半導体受光装置の製造方法
は、第１導電型基板上に第１導電型バッファ層，光吸収
層，窓層を順次形成し、前記光吸収層と窓層の一部を選
択的に第２導電型に反転し、前記第１導電型窓層及び窓
層の第２導電型領域の一部を覆うように、開口部を有す
る誘電体膜を形成し、前記誘電体膜上に前記窓層の第２
導電型領域の一部に接するように電極を形成し、前記誘
電体膜上に前記電極に対して絶縁され、その表面に凹凸
を有する遮光用マスク層を形成するようにしたものであ
る。
は、第１導電型基板上に第１導電型バッファ層，光吸収
層，窓層を順次形成し、前記光吸収層と窓層の一部を選
択的に第２導電型に反転し、前記第１導電型窓層及び窓
層の第２導電型領域の一部を覆うように、開口部を有す
る誘電体膜を形成し、前記誘電体膜上に前記窓層の第２
導電型領域の一部に接するように電極を形成し、前記誘
電体膜上に前記電極に対して絶縁され、その表面に凹凸
を有する遮光用マスク層を形成するようにしたものであ
る。
【０００９】また、この発明に係る半導体受光装置の製
造方法は、第１導電型基板上に第１導電型バッファ層，
光吸収層，窓層を順次形成し、前記光吸収層と窓層の一
部を選択的に第２導電型に反転し、前記第１導電型窓層
及び窓層の第２導電型領域の一部を覆うように、開口部
を有する誘電体膜を形成し、前記誘電体膜上に、前記窓
層の第２導電型領域の一部に接するように電極を形成
し、前記誘電体膜上に、前記電極に対して絶縁され、不
均一な自己酸化膜を形成しやすい金属の単体またはその
合金よりなる遮光用マスク層を形成し、前記遮光用マス
ク層の表面に不均一な自己酸化膜を形成し、エッチング
することにより、その表面を凹凸にするようにしたもの
である。
造方法は、第１導電型基板上に第１導電型バッファ層，
光吸収層，窓層を順次形成し、前記光吸収層と窓層の一
部を選択的に第２導電型に反転し、前記第１導電型窓層
及び窓層の第２導電型領域の一部を覆うように、開口部
を有する誘電体膜を形成し、前記誘電体膜上に、前記窓
層の第２導電型領域の一部に接するように電極を形成
し、前記誘電体膜上に、前記電極に対して絶縁され、不
均一な自己酸化膜を形成しやすい金属の単体またはその
合金よりなる遮光用マスク層を形成し、前記遮光用マス
ク層の表面に不均一な自己酸化膜を形成し、エッチング
することにより、その表面を凹凸にするようにしたもの
である。
【００１０】また、この発明に係る半導体受光装置の製
造方法は、第１導電型基板上に第１導電型バッファ層，
光吸収層，窓層を順次形成し、前記光吸収層と窓層の一
部を選択的に第２導電型に反転し、前記第１導電型窓
層、及び窓層の第２導電型領域の一部を覆うように、開
口部を有する誘電体膜を形成し、前記誘電体膜上に、前
記窓層の第２導電型領域の一部に接するように電極を形
成し、前記誘電体膜上に、前記電極に対して絶縁され、
エッチャントの異なる異種金属の合金よりなる遮光用マ
スク層を形成し、前記遮光用マスク層を、１種類の金属
のみをエッチングすることのできるエッチャントを用い
てエッチングし、表面を凹凸にするようにしたものであ
る。
造方法は、第１導電型基板上に第１導電型バッファ層，
光吸収層，窓層を順次形成し、前記光吸収層と窓層の一
部を選択的に第２導電型に反転し、前記第１導電型窓
層、及び窓層の第２導電型領域の一部を覆うように、開
口部を有する誘電体膜を形成し、前記誘電体膜上に、前
記窓層の第２導電型領域の一部に接するように電極を形
成し、前記誘電体膜上に、前記電極に対して絶縁され、
エッチャントの異なる異種金属の合金よりなる遮光用マ
スク層を形成し、前記遮光用マスク層を、１種類の金属
のみをエッチングすることのできるエッチャントを用い
てエッチングし、表面を凹凸にするようにしたものであ
る。
【００１１】また、この発明に係る半導体受光装置の製
造方法は、第１導電型基板上に第１導電型バッファ層，
光吸収層，窓層を順次形成し、前記光吸収層と窓層の一
部を選択的に第２導電型に反転し、前記第１導電型窓層
及び窓層の第２導電型領域の一部を覆うように、開口部
を有する誘電体膜を形成し、前記誘電体膜上に、前記窓
層の第２導電型領域の一部に接するように電極を形成
し、前記誘電体膜面の雰囲気の気圧を減圧し、酸素を添
加して昇圧し、金を蒸着して、前記誘電体膜上に、前記
電極に対して絶縁された、微粒子状態の金である金−ブ
ラックよりなる遮光用マスク層を形成するようにしたも
のである。
造方法は、第１導電型基板上に第１導電型バッファ層，
光吸収層，窓層を順次形成し、前記光吸収層と窓層の一
部を選択的に第２導電型に反転し、前記第１導電型窓層
及び窓層の第２導電型領域の一部を覆うように、開口部
を有する誘電体膜を形成し、前記誘電体膜上に、前記窓
層の第２導電型領域の一部に接するように電極を形成
し、前記誘電体膜面の雰囲気の気圧を減圧し、酸素を添
加して昇圧し、金を蒸着して、前記誘電体膜上に、前記
電極に対して絶縁された、微粒子状態の金である金−ブ
ラックよりなる遮光用マスク層を形成するようにしたも
のである。
【００１２】
【作用】この発明に係る半導体受光装置およびその製造
方法においては、第１導電型基板上に第１導電型バッフ
ァ層，光吸収層，窓層を順次形成し、前記光吸収層と窓
層の一部を選択的に第２導電型に反転し、前記第１導電
型窓層，光吸収層，バッファ層を、前記窓層の第２導電
型領域の表面をその上底とし、基板表面をその下底とす
るような台形状にエッチングし、前記エッチングにより
できた斜面上に、前記窓層の第２導電型領域の一部を覆
うように開口部を有する誘電体膜を形成し、前記誘電体
膜上に、前記窓層の第２導電型領域の一部に接するよう
に電極を形成し、前記誘電体膜上に、前記電極に対して
絶縁された、遮光用マスク層を形成するようにしたの
で、受光部以外に入射した入射光はエッチングされた斜
面上の遮光用マスク層で反射されることにより、レーザ
またはファイバへの戻り光を防止でき、光信号へのノイ
ズを防止することができる。
方法においては、第１導電型基板上に第１導電型バッフ
ァ層，光吸収層，窓層を順次形成し、前記光吸収層と窓
層の一部を選択的に第２導電型に反転し、前記第１導電
型窓層，光吸収層，バッファ層を、前記窓層の第２導電
型領域の表面をその上底とし、基板表面をその下底とす
るような台形状にエッチングし、前記エッチングにより
できた斜面上に、前記窓層の第２導電型領域の一部を覆
うように開口部を有する誘電体膜を形成し、前記誘電体
膜上に、前記窓層の第２導電型領域の一部に接するよう
に電極を形成し、前記誘電体膜上に、前記電極に対して
絶縁された、遮光用マスク層を形成するようにしたの
で、受光部以外に入射した入射光はエッチングされた斜
面上の遮光用マスク層で反射されることにより、レーザ
またはファイバへの戻り光を防止でき、光信号へのノイ
ズを防止することができる。
【００１３】また、この発明に係る半導体受光装置およ
びその製造方法においては、第１導電型基板上に第１導
電型バッファ層，光吸収層，窓層を順次形成し、前記光
吸収層と窓層の一部を選択的に第２導電型に反転し、前
記第１導電型窓層、及び窓層の第２導電型領域の一部を
覆うように、開口部を有する誘電体膜を形成し、前記誘
電体膜上に、前記窓層の第２導電型領域の一部に接する
ように電極を形成し、前記誘電体膜上に、前記電極に対
して絶縁され、金属粒子を含有する感光性樹脂よりなる
遮光用マスク層を形成するようにしたので、受光部以外
に入射した入射光を上記金属粒子により乱反射すること
により、レーザまたはファイバへの戻り光を防止でき、
光信号へのノイズを防止することができる。
びその製造方法においては、第１導電型基板上に第１導
電型バッファ層，光吸収層，窓層を順次形成し、前記光
吸収層と窓層の一部を選択的に第２導電型に反転し、前
記第１導電型窓層、及び窓層の第２導電型領域の一部を
覆うように、開口部を有する誘電体膜を形成し、前記誘
電体膜上に、前記窓層の第２導電型領域の一部に接する
ように電極を形成し、前記誘電体膜上に、前記電極に対
して絶縁され、金属粒子を含有する感光性樹脂よりなる
遮光用マスク層を形成するようにしたので、受光部以外
に入射した入射光を上記金属粒子により乱反射すること
により、レーザまたはファイバへの戻り光を防止でき、
光信号へのノイズを防止することができる。
【００１４】また、この発明に係る半導体受光装置の製
造方法においては、第１導電型基板上に第１導電型バッ
ファ層，光吸収層，窓層を順次形成し、前記光吸収層と
窓層の一部を選択的に第２導電型に反転し、前記第１導
電型窓層及び窓層の第２導電型領域の一部を覆うよう
に、開口部を有する誘電体膜を形成し、前記誘電体膜上
に、前記窓層の第２導電型領域の一部に接するように電
極を形成し、前記誘電体膜上に前記電極に対して絶縁さ
れ、その表面に凹凸を有する遮光用マスク層を形成する
ようにしたので、受光部以外への入射光を凹凸を有する
遮光マスクにて乱反射することにより、レーザまたはフ
ァイバへの戻り光を防止でき、光信号へのノイズを防止
することができる。
造方法においては、第１導電型基板上に第１導電型バッ
ファ層，光吸収層，窓層を順次形成し、前記光吸収層と
窓層の一部を選択的に第２導電型に反転し、前記第１導
電型窓層及び窓層の第２導電型領域の一部を覆うよう
に、開口部を有する誘電体膜を形成し、前記誘電体膜上
に、前記窓層の第２導電型領域の一部に接するように電
極を形成し、前記誘電体膜上に前記電極に対して絶縁さ
れ、その表面に凹凸を有する遮光用マスク層を形成する
ようにしたので、受光部以外への入射光を凹凸を有する
遮光マスクにて乱反射することにより、レーザまたはフ
ァイバへの戻り光を防止でき、光信号へのノイズを防止
することができる。
【００１５】
【実施例】以下この発明の一実施例を図について説明す
る。図１は本発明の第１の実施例による半導体受光装置
を示す図である。図において、３０は表面に凹凸を有す
る遮光マスク用の金属層であり、従来例と同一符号は同
一のものを示す。
る。図１は本発明の第１の実施例による半導体受光装置
を示す図である。図において、３０は表面に凹凸を有す
る遮光マスク用の金属層であり、従来例と同一符号は同
一のものを示す。
【００１６】次に製造方法を説明する。ｎ−ＩｎＰ基板
１上にｎ−ＩｎＰバッファ層２，ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸
収層３，ｎ−ＩｎＰ窓層４を順次形成し、光吸収層３と
窓層４の一部を選択的にｐ型に反転し、ｐ+ −ＩｎＰ窓
層６，ｐ+ −ＩｎＧａＡｓ光吸収層５を形成する。窓層
４及びｐ+ −ＩｎＰ窓層６の一部を覆うように開口部を
有する誘電体膜７を形成し、誘電体膜７上にｐ+ −Ｉｎ
Ｐ窓層６の一部に接する電極８を形成し、誘電体膜７上
に電極８に対して絶縁され、その表面に凹凸を有する遮
光用マスク層３０を形成する。
１上にｎ−ＩｎＰバッファ層２，ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸
収層３，ｎ−ＩｎＰ窓層４を順次形成し、光吸収層３と
窓層４の一部を選択的にｐ型に反転し、ｐ+ −ＩｎＰ窓
層６，ｐ+ −ＩｎＧａＡｓ光吸収層５を形成する。窓層
４及びｐ+ −ＩｎＰ窓層６の一部を覆うように開口部を
有する誘電体膜７を形成し、誘電体膜７上にｐ+ −Ｉｎ
Ｐ窓層６の一部に接する電極８を形成し、誘電体膜７上
に電極８に対して絶縁され、その表面に凹凸を有する遮
光用マスク層３０を形成する。
【００１７】次に動作について説明する。ｐ電極８とｎ
電極９間に逆バイアスを印加した場合、ＩｎＧａＡｓ光
吸収層３中に空乏層が広がる。この時、ＩｎＧａＡｓの
バンドギャップ波長より短い波長の光が矢印２１の経路
で入射した場合、ＩｎＧａＡｓ光吸収層３で光は吸収さ
れ、キャリアを発生させる。このキャリアは逆バイアス
により広がった空乏層内を分離・ドリフトすることによ
り、光電流として電極から取り出される。
電極９間に逆バイアスを印加した場合、ＩｎＧａＡｓ光
吸収層３中に空乏層が広がる。この時、ＩｎＧａＡｓの
バンドギャップ波長より短い波長の光が矢印２１の経路
で入射した場合、ＩｎＧａＡｓ光吸収層３で光は吸収さ
れ、キャリアを発生させる。このキャリアは逆バイアス
により広がった空乏層内を分離・ドリフトすることによ
り、光電流として電極から取り出される。
【００１８】このような本実施例では、受光部以外に入
射した光２０は表面に凹凸を有する遮光マスク用金属３
０にて乱反射される。このため、入射光の光源であるレ
ーザやファイバへの戻り光を防止でき、それらへの光信
号ノイズの侵入を防止することができる。
射した光２０は表面に凹凸を有する遮光マスク用金属３
０にて乱反射される。このため、入射光の光源であるレ
ーザやファイバへの戻り光を防止でき、それらへの光信
号ノイズの侵入を防止することができる。
【００１９】図２は本発明の第２の実施例による半導体
受光装置を示す図である。図において、３１はＳｉＮ上
に形成され、ｐ電極８に対し絶縁された、Ｃｒを有する
遮光マスク用の金属層であり、従来例と同一符号は同一
のものを示す。
受光装置を示す図である。図において、３１はＳｉＮ上
に形成され、ｐ電極８に対し絶縁された、Ｃｒを有する
遮光マスク用の金属層であり、従来例と同一符号は同一
のものを示す。
【００２０】次に製造方法を説明する。ｎ−ＩｎＰ基板
１上にｎ−ＩｎＰバッファ層２，ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸
収層３，ｎ−ＩｎＰ窓層４を順次形成し、光吸収層３と
窓層４の一部を選択的にｐ型に反転し、ｐ+ −ＩｎＰ窓
層６，ｐ+ −ＩｎＧａＡｓ光吸収層５を形成する。窓層
４及びｐ+ −ＩｎＰ窓層６の一部を覆うように開口部を
有する誘電体膜７を形成し、誘電体膜７上にｐ+ −Ｉｎ
Ｐ窓層６の一部に接する電極８を形成し、誘電体膜７上
に電極８に対して絶縁され、Ｃｒを有する遮光用マスク
層３１を形成する。Ｃｒを有する遮光マスク用の金属層
３１は、該金属を熱処理等によりＣｒ金属表面に不均一
な自己酸化膜を形成した後、イオンミリング等によりエ
ッチングを行い、酸化膜が金属膜のように均一にエッチ
ングされないことを利用して、表面に凹凸を形成するよ
うにしたものである。
１上にｎ−ＩｎＰバッファ層２，ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸
収層３，ｎ−ＩｎＰ窓層４を順次形成し、光吸収層３と
窓層４の一部を選択的にｐ型に反転し、ｐ+ −ＩｎＰ窓
層６，ｐ+ −ＩｎＧａＡｓ光吸収層５を形成する。窓層
４及びｐ+ −ＩｎＰ窓層６の一部を覆うように開口部を
有する誘電体膜７を形成し、誘電体膜７上にｐ+ −Ｉｎ
Ｐ窓層６の一部に接する電極８を形成し、誘電体膜７上
に電極８に対して絶縁され、Ｃｒを有する遮光用マスク
層３１を形成する。Ｃｒを有する遮光マスク用の金属層
３１は、該金属を熱処理等によりＣｒ金属表面に不均一
な自己酸化膜を形成した後、イオンミリング等によりエ
ッチングを行い、酸化膜が金属膜のように均一にエッチ
ングされないことを利用して、表面に凹凸を形成するよ
うにしたものである。
【００２１】次に動作について説明する。ｐ電極８とｎ
電極９間に逆バイアスを印加した場合、ＩｎＧａＡｓ光
吸収層３中に空乏層が広がる。この時、ＩｎＧａＡｓの
バンドギャップ波長より短い波長の光が矢印２１の経路
で入射した場合、ＩｎＧａＡｓ光吸収層３で光は吸収さ
れ、キャリアを発生させる。このキャリアは逆バイアス
により広がった空乏層内を分離・ドリフトすることによ
り、光電流として電極から取り出される。
電極９間に逆バイアスを印加した場合、ＩｎＧａＡｓ光
吸収層３中に空乏層が広がる。この時、ＩｎＧａＡｓの
バンドギャップ波長より短い波長の光が矢印２１の経路
で入射した場合、ＩｎＧａＡｓ光吸収層３で光は吸収さ
れ、キャリアを発生させる。このキャリアは逆バイアス
により広がった空乏層内を分離・ドリフトすることによ
り、光電流として電極から取り出される。
【００２２】このような本実施例では、受光部以外に入
射した光２０は表面に凹凸を有する遮光マスク用金属３
１にて乱反射される。このため、入射光の光源であるレ
ーザやファイバへの戻り光を防止でき、それらへの光信
号ノイズの侵入を防止することができる。
射した光２０は表面に凹凸を有する遮光マスク用金属３
１にて乱反射される。このため、入射光の光源であるレ
ーザやファイバへの戻り光を防止でき、それらへの光信
号ノイズの侵入を防止することができる。
【００２３】なお、本実施例では、Ｃｒを有する金属層
としたが、不均一な自己酸化膜を形成しやすい金属であ
れば、Ａｌ，Ｔｉを有する金属層でもよく、単体であっ
ても、合金であっても同様の効果を奏する。
としたが、不均一な自己酸化膜を形成しやすい金属であ
れば、Ａｌ，Ｔｉを有する金属層でもよく、単体であっ
ても、合金であっても同様の効果を奏する。
【００２４】図３は本発明の第３の実施例による半導体
受光装置を示す図である。図において、３２はＳｉＮ上
に形成されたＡｕ−Ｇｅの合金層を用いた遮光マスクで
あり、従来例と同一符号は同一のものを示す。
受光装置を示す図である。図において、３２はＳｉＮ上
に形成されたＡｕ−Ｇｅの合金層を用いた遮光マスクで
あり、従来例と同一符号は同一のものを示す。
【００２５】次に製造方法を説明する。ｎ−ＩｎＰ基板
１上にｎ−ＩｎＰバッファ層２，ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸
収層３，ｎ−ＩｎＰ窓層４を順次形成し、光吸収層３と
窓層４の一部を選択的にｐ型に反転し、ｐ+ −ＩｎＰ窓
層６，ｐ+ −ＩｎＧａＡｓ光吸収層５を形成する。窓層
４及びｐ+ −ＩｎＰ窓層６の一部を覆うように開口部を
有する誘電体膜７を形成し、誘電体膜７上にｐ+ −Ｉｎ
Ｐ窓層６の一部に接する電極８を形成し、誘電体膜７上
に電極８に対して絶縁され、Ａｕ−Ｇｅの合金層を用い
た遮光マスク層３２を形成する。遮光用Ａｕ−Ｇｅの合
金層３２は、該金属を、ＡｕとＧｅではエッチャントが
異なるため、エッチングが同時には進行しないことを利
用して、Ｇｅのみエッチングすることにより、表面に凹
凸を形成するようにしたものである。
１上にｎ−ＩｎＰバッファ層２，ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸
収層３，ｎ−ＩｎＰ窓層４を順次形成し、光吸収層３と
窓層４の一部を選択的にｐ型に反転し、ｐ+ −ＩｎＰ窓
層６，ｐ+ −ＩｎＧａＡｓ光吸収層５を形成する。窓層
４及びｐ+ −ＩｎＰ窓層６の一部を覆うように開口部を
有する誘電体膜７を形成し、誘電体膜７上にｐ+ −Ｉｎ
Ｐ窓層６の一部に接する電極８を形成し、誘電体膜７上
に電極８に対して絶縁され、Ａｕ−Ｇｅの合金層を用い
た遮光マスク層３２を形成する。遮光用Ａｕ−Ｇｅの合
金層３２は、該金属を、ＡｕとＧｅではエッチャントが
異なるため、エッチングが同時には進行しないことを利
用して、Ｇｅのみエッチングすることにより、表面に凹
凸を形成するようにしたものである。
【００２６】次に動作について説明する。ｐ電極８とｎ
電極９間に逆バイアスを印加した場合、ＩｎＧａＡｓ光
吸収層３中に空乏層が広がる。この時、ＩｎＧａＡｓの
バンドギャップ波長より短い波長の光が矢印２１の経路
で入射した場合、ＩｎＧａＡｓ光吸収層３で光は吸収さ
れ、キャリアを発生させる。このキャリアは逆バイアス
により広がった空乏層内を分離・ドリフトすることによ
り、光電流として電極から取り出される。
電極９間に逆バイアスを印加した場合、ＩｎＧａＡｓ光
吸収層３中に空乏層が広がる。この時、ＩｎＧａＡｓの
バンドギャップ波長より短い波長の光が矢印２１の経路
で入射した場合、ＩｎＧａＡｓ光吸収層３で光は吸収さ
れ、キャリアを発生させる。このキャリアは逆バイアス
により広がった空乏層内を分離・ドリフトすることによ
り、光電流として電極から取り出される。
【００２７】このような本実施例では、受光部以外に入
射した光２０は表面に凹凸を有する遮光マスク用金属３
２にて乱反射される。このため、入射光の光源であるレ
ーザやファイバへの戻り光を防止でき、それらへの光信
号ノイズを防止することができる。
射した光２０は表面に凹凸を有する遮光マスク用金属３
２にて乱反射される。このため、入射光の光源であるレ
ーザやファイバへの戻り光を防止でき、それらへの光信
号ノイズを防止することができる。
【００２８】なお、本実施例ではＡｕ−Ｇｅの合金層を
遮光用マスク層としたが、エッチャントの異なる異種金
属の合金であれば、これを用いることができ、同様の効
果を奏する。
遮光用マスク層としたが、エッチャントの異なる異種金
属の合金であれば、これを用いることができ、同様の効
果を奏する。
【００２９】図４は本発明の第４の実施例による半導体
受光装置を示す図である。図において、３３はＳｉＮ上
に後述する方法により形成された金層であり、従来例と
同一符号は同一のものを示す。
受光装置を示す図である。図において、３３はＳｉＮ上
に後述する方法により形成された金層であり、従来例と
同一符号は同一のものを示す。
【００３０】次に製造方法を説明する。ｎ−ＩｎＰ基板
１上にｎ−ＩｎＰバッファ層２，ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸
収層３，ｎ−ＩｎＰ窓層４を順次形成し、光吸収層３と
窓層４の一部を選択的にｐ型に反転し、ｐ+ −ＩｎＰ窓
層６，ｐ+ −ＩｎＧａＡｓ光吸収層５を形成する。窓層
４及びｐ+ −ＩｎＰ窓層６の一部を覆うように開口部を
有する誘電体膜７を形成し、誘電体膜７上にｐ+ −Ｉｎ
Ｐ窓層６の一部に接する電極８を形成し、誘電体膜７上
に電極８に対して絶縁され、金層を用いた遮光マスク層
３３を形成する。金層３３は、１０-6Ｔｏｒｒ以下まで
真空度を上げた後、酸素を１０-4Ｔｏｒｒ以上まで添加
し、金を真空蒸着すれば形成できる。このようにして形
成された金層の表面は凹凸になることがわかっている。
１上にｎ−ＩｎＰバッファ層２，ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸
収層３，ｎ−ＩｎＰ窓層４を順次形成し、光吸収層３と
窓層４の一部を選択的にｐ型に反転し、ｐ+ −ＩｎＰ窓
層６，ｐ+ −ＩｎＧａＡｓ光吸収層５を形成する。窓層
４及びｐ+ −ＩｎＰ窓層６の一部を覆うように開口部を
有する誘電体膜７を形成し、誘電体膜７上にｐ+ −Ｉｎ
Ｐ窓層６の一部に接する電極８を形成し、誘電体膜７上
に電極８に対して絶縁され、金層を用いた遮光マスク層
３３を形成する。金層３３は、１０-6Ｔｏｒｒ以下まで
真空度を上げた後、酸素を１０-4Ｔｏｒｒ以上まで添加
し、金を真空蒸着すれば形成できる。このようにして形
成された金層の表面は凹凸になることがわかっている。
【００３１】次に動作について説明する。ｐ電極８とｎ
電極９間に逆バイアスを印加した場合、ＩｎＧａＡｓ光
吸収層３中に空乏層が広がる。この時、ＩｎＧａＡｓの
バンドギャップ波長より短い波長の光が矢印２１の経路
で入射した場合、ＩｎＧａＡｓ光吸収層３で光は吸収さ
れ、キャリアを発生させる。このキャリアは逆バイアス
により広がった空乏層内を分離・ドリフトすることによ
り、光電流として電極から取り出される。
電極９間に逆バイアスを印加した場合、ＩｎＧａＡｓ光
吸収層３中に空乏層が広がる。この時、ＩｎＧａＡｓの
バンドギャップ波長より短い波長の光が矢印２１の経路
で入射した場合、ＩｎＧａＡｓ光吸収層３で光は吸収さ
れ、キャリアを発生させる。このキャリアは逆バイアス
により広がった空乏層内を分離・ドリフトすることによ
り、光電流として電極から取り出される。
【００３２】このような本実施例では、受光部以外に入
射した光２０は、表面に凹凸を有する遮光マスク用金層
３３にて乱反射される。このため、入射光の光源である
レーザやファイバへの戻り光を防止でき、それらへの光
信号ノイズを防止することができる。
射した光２０は、表面に凹凸を有する遮光マスク用金層
３３にて乱反射される。このため、入射光の光源である
レーザやファイバへの戻り光を防止でき、それらへの光
信号ノイズを防止することができる。
【００３３】図５は本発明の第５の実施例による半導体
受光装置を示す図である。図において、従来例と同一符
号は同一のものを示す。
受光装置を示す図である。図において、従来例と同一符
号は同一のものを示す。
【００３４】次に製造方法を説明する。ｎ−ＩｎＰ基板
１上にｎ−ＩｎＰバッファ層２，ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸
収層３，ｎ−ＩｎＰ窓層４を順次形成し、光吸収層３と
窓層４の一部を選択的にｐ型に反転し、ｐ+ −ＩｎＰ窓
層６，ｐ+ −ＩｎＧａＡｓ光吸収層５を形成する。窓層
４及びｐ+ −ＩｎＰ窓層６の一部を覆うように開口部を
有する誘電体膜７を形成する。ＩｎＰ窓層４，ＩｎＧａ
Ａｓ光吸収層３及びＩｎＰバッファ層２を、ｐ+ −Ｉｎ
Ｐ窓層の表面を上底、基板１表面を下底とする台形状に
なるようにエッチングし、斜面３６が形成する。その斜
面３６の上面には誘電体膜７を形成し、誘電体膜７上に
ｐ+ −ＩｎＰ窓層６の一部に接する電極８を形成し、誘
電体膜７上に電極８に対して絶縁された遮光用マスク層
３６を形成する。
１上にｎ−ＩｎＰバッファ層２，ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸
収層３，ｎ−ＩｎＰ窓層４を順次形成し、光吸収層３と
窓層４の一部を選択的にｐ型に反転し、ｐ+ −ＩｎＰ窓
層６，ｐ+ −ＩｎＧａＡｓ光吸収層５を形成する。窓層
４及びｐ+ −ＩｎＰ窓層６の一部を覆うように開口部を
有する誘電体膜７を形成する。ＩｎＰ窓層４，ＩｎＧａ
Ａｓ光吸収層３及びＩｎＰバッファ層２を、ｐ+ −Ｉｎ
Ｐ窓層の表面を上底、基板１表面を下底とする台形状に
なるようにエッチングし、斜面３６が形成する。その斜
面３６の上面には誘電体膜７を形成し、誘電体膜７上に
ｐ+ −ＩｎＰ窓層６の一部に接する電極８を形成し、誘
電体膜７上に電極８に対して絶縁された遮光用マスク層
３６を形成する。
【００３５】次に動作について説明する。ｐ電極８とｎ
電極９間に逆バイアスを印加した場合、ＩｎＧａＡｓ光
吸収層３中に空乏層が広がる。この時、ＩｎＧａＡｓの
バンドギャップ波長より短い波長の光が矢印２１の経路
で入射した場合、ＩｎＧａＡｓ光吸収層３で光は吸収さ
れ、キャリアを発生させる。このキャリアは逆バイアス
により広がった空乏層内を分離・ドリフトすることによ
り、光電流として電極から取り出される。
電極９間に逆バイアスを印加した場合、ＩｎＧａＡｓ光
吸収層３中に空乏層が広がる。この時、ＩｎＧａＡｓの
バンドギャップ波長より短い波長の光が矢印２１の経路
で入射した場合、ＩｎＧａＡｓ光吸収層３で光は吸収さ
れ、キャリアを発生させる。このキャリアは逆バイアス
により広がった空乏層内を分離・ドリフトすることによ
り、光電流として電極から取り出される。
【００３６】このような本実施例では、受光部以外に入
射した光２０は斜面からなるマスク面１１にて反射され
る。これにより、入射光の光源であるレーザやファイバ
への戻り光を防止でき、それらへの光信号ノイズを防止
することができる。
射した光２０は斜面からなるマスク面１１にて反射され
る。これにより、入射光の光源であるレーザやファイバ
への戻り光を防止でき、それらへの光信号ノイズを防止
することができる。
【００３７】図６は本発明の第６の実施例による半導体
受光装置を示す図である。図において、３５は受光部以
外への入射光を乱反射させるための金属粒子、３４はＳ
ｉＮ上に形成されている金属粒子３５を含有している感
光性樹脂よりなる遮光用マスク層であり、従来例と同一
符号は同一のものを示す。
受光装置を示す図である。図において、３５は受光部以
外への入射光を乱反射させるための金属粒子、３４はＳ
ｉＮ上に形成されている金属粒子３５を含有している感
光性樹脂よりなる遮光用マスク層であり、従来例と同一
符号は同一のものを示す。
【００３８】次に製造方法を説明する。ｎ−ＩｎＰ基板
１上にｎ−ＩｎＰバッファ層２，ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸
収層３，ｎ−ＩｎＰ窓層４を順次形成し、光吸収層３と
窓層４の一部を選択的にｐ型に反転し、ｐ+ −ＩｎＰ窓
層６，ｐ+ −ＩｎＧａＡｓ光吸収層５を形成する。窓層
４及びｐ+ −ＩｎＰ窓層６の一部を覆うように開口部を
有する誘電体膜７を形成し、誘電体膜７上にｐ+ −Ｉｎ
Ｐ窓層６の一部に接する電極８を形成し、誘電体膜７上
に電極８に対して絶縁され、金属粒子３５を含有してい
る感光性樹脂よりなる遮光マスク層３４を形成する。
１上にｎ−ＩｎＰバッファ層２，ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸
収層３，ｎ−ＩｎＰ窓層４を順次形成し、光吸収層３と
窓層４の一部を選択的にｐ型に反転し、ｐ+ −ＩｎＰ窓
層６，ｐ+ −ＩｎＧａＡｓ光吸収層５を形成する。窓層
４及びｐ+ −ＩｎＰ窓層６の一部を覆うように開口部を
有する誘電体膜７を形成し、誘電体膜７上にｐ+ −Ｉｎ
Ｐ窓層６の一部に接する電極８を形成し、誘電体膜７上
に電極８に対して絶縁され、金属粒子３５を含有してい
る感光性樹脂よりなる遮光マスク層３４を形成する。
【００３９】次に動作について説明する。ｐ電極８とｎ
電極９間に逆バイアスを印加した場合、ＩｎＧａＡｓ光
吸収層３中に空乏層が広がる。この時、ＩｎＧａＡｓの
バンドギャップ波長より短い波長の光が矢印２１の経路
で入射した場合、ＩｎＧａＡｓ光吸収層３で光は吸収さ
れ、キャリアを発生させる。このキャリアは逆バイアス
により広がった空乏層内を分離・ドリフトすることによ
り、光電流として電極から取り出される。
電極９間に逆バイアスを印加した場合、ＩｎＧａＡｓ光
吸収層３中に空乏層が広がる。この時、ＩｎＧａＡｓの
バンドギャップ波長より短い波長の光が矢印２１の経路
で入射した場合、ＩｎＧａＡｓ光吸収層３で光は吸収さ
れ、キャリアを発生させる。このキャリアは逆バイアス
により広がった空乏層内を分離・ドリフトすることによ
り、光電流として電極から取り出される。
【００４０】このような本実施例では、受光部以外に入
射した光２０は感光性樹脂内に含有された金属粒子３５
により乱反射される。これにより、入射光の光源である
レーザやファイバへの戻り光を防止でき、それらへの光
信号ノイズを防止することができる。
射した光２０は感光性樹脂内に含有された金属粒子３５
により乱反射される。これにより、入射光の光源である
レーザやファイバへの戻り光を防止でき、それらへの光
信号ノイズを防止することができる。
【００４１】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る半導体受
光装置およびその製造方法によれば、第１導電型基板上
に第１導電型バッファ層，光吸収層，窓層を順次形成
し、前記光吸収層と窓層の一部を選択的に第２導電型に
反転し、前記第１導電型窓層，光吸収層，バッファ層
を、前記窓層の第２導電型領域の表面をその上底とし、
基板表面をその下底とするような台形状にエッチング
し、前記エッチングによりできた斜面上に、前記窓層の
第２導電型領域の一部を覆うように開口部を有する誘電
体膜を形成し、前記誘電体膜上に、前記窓層の第２導電
型領域の一部に接するように電極を形成し、前記誘電体
膜上に、前記電極に対して絶縁された、遮光用マスク層
を形成するようにしたので、受光部以外に入射した入射
光はエッチングされた斜面上の遮光用マスク層で反射さ
れることにより、レーザまたはファイバへの戻り光を防
止でき、光信号へのノイズを防止することができる効果
がある。
光装置およびその製造方法によれば、第１導電型基板上
に第１導電型バッファ層，光吸収層，窓層を順次形成
し、前記光吸収層と窓層の一部を選択的に第２導電型に
反転し、前記第１導電型窓層，光吸収層，バッファ層
を、前記窓層の第２導電型領域の表面をその上底とし、
基板表面をその下底とするような台形状にエッチング
し、前記エッチングによりできた斜面上に、前記窓層の
第２導電型領域の一部を覆うように開口部を有する誘電
体膜を形成し、前記誘電体膜上に、前記窓層の第２導電
型領域の一部に接するように電極を形成し、前記誘電体
膜上に、前記電極に対して絶縁された、遮光用マスク層
を形成するようにしたので、受光部以外に入射した入射
光はエッチングされた斜面上の遮光用マスク層で反射さ
れることにより、レーザまたはファイバへの戻り光を防
止でき、光信号へのノイズを防止することができる効果
がある。
【００４２】また、この発明に係る半導体受光装置およ
びその製造方法によれば、第１導電型基板上に第１導電
型バッファ層，光吸収層，窓層を順次形成し、前記光吸
収層と窓層の一部を選択的に第２導電型に反転し、前記
第１導電型窓層、及び窓層の第２導電型領域の一部を覆
うように、開口部を有する誘電体膜を形成し、前記誘電
体膜上に、前記窓層の第２導電型領域の一部に接するよ
うに電極を形成し、前記誘電体膜上に、前記電極に対し
て絶縁され、金属粒子を含有する感光性樹脂よりなる遮
光用マスク層を形成するようにしたので、上記と同様、
受光部以外に入射した入射光を上記金属粒子により乱反
射することにより、レーザまたはファイバへの戻り光を
防止でき、光信号へのノイズを防止することができる効
果がある。
びその製造方法によれば、第１導電型基板上に第１導電
型バッファ層，光吸収層，窓層を順次形成し、前記光吸
収層と窓層の一部を選択的に第２導電型に反転し、前記
第１導電型窓層、及び窓層の第２導電型領域の一部を覆
うように、開口部を有する誘電体膜を形成し、前記誘電
体膜上に、前記窓層の第２導電型領域の一部に接するよ
うに電極を形成し、前記誘電体膜上に、前記電極に対し
て絶縁され、金属粒子を含有する感光性樹脂よりなる遮
光用マスク層を形成するようにしたので、上記と同様、
受光部以外に入射した入射光を上記金属粒子により乱反
射することにより、レーザまたはファイバへの戻り光を
防止でき、光信号へのノイズを防止することができる効
果がある。
【００４３】また、この発明に係る半導体受光装置の製
造方法によれば、第１導電型基板上に第１導電型バッフ
ァ層，光吸収層，窓層を順次形成し、前記光吸収層と窓
層の一部を選択的に第２導電型に反転し、前記第１導電
型窓層及び窓層の第２導電型領域の一部を覆うように、
開口部を有する誘電体膜を形成し、前記誘電体膜上に前
記窓層の第２導電型領域の一部に接するように電極を形
成し、前記誘電体膜上に、前記電極に対して絶縁され、
その表面に凹凸を有する遮光用マスク層を形成するよう
にしたので、受光部以外に入射した入射光を凹凸を有す
る遮光マスクにて乱反射することにより、レーザまたは
ファイバへの戻り光を防止でき、光信号へのノイズを防
止することができる半導体受光装置を安定して製造する
ことが可能となる。
造方法によれば、第１導電型基板上に第１導電型バッフ
ァ層，光吸収層，窓層を順次形成し、前記光吸収層と窓
層の一部を選択的に第２導電型に反転し、前記第１導電
型窓層及び窓層の第２導電型領域の一部を覆うように、
開口部を有する誘電体膜を形成し、前記誘電体膜上に前
記窓層の第２導電型領域の一部に接するように電極を形
成し、前記誘電体膜上に、前記電極に対して絶縁され、
その表面に凹凸を有する遮光用マスク層を形成するよう
にしたので、受光部以外に入射した入射光を凹凸を有す
る遮光マスクにて乱反射することにより、レーザまたは
ファイバへの戻り光を防止でき、光信号へのノイズを防
止することができる半導体受光装置を安定して製造する
ことが可能となる。
【図１】この発明の第１の実施例による半導体受光装置
及びその製造方法を示す断面図。
及びその製造方法を示す断面図。
【図２】この発明の第２の実施例による半導体受光装置
及びその製造方法を示す断面図。
及びその製造方法を示す断面図。
【図３】この発明の第３の実施例による半導体受光装置
及びその製造方法を示す断面図。
及びその製造方法を示す断面図。
【図４】この発明の第４の実施例による半導体受光装置
及びその製造方法を示す断面図。
及びその製造方法を示す断面図。
【図５】この発明の第５の実施例による半導体受光装置
及びその製造方法を示す断面図。
及びその製造方法を示す断面図。
【図６】この発明の第６の実施例による半導体受光装置
及びその製造方法を示す断面図。
及びその製造方法を示す断面図。
【図７】従来例を示す断面図。
１ ｎ−ＩｎＰ基板 ２ ｎ−ＩｎＰバッファ層 ３ ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層 ４ ｎ−ＩｎＰ窓層 ５ ｐ+ −ＩｎＧａＡｓ光吸収層 ６ ｐ+ −ＩｎＰ窓層 ７ ＳｉＮ膜 ８ ｐ電極 ９ ｎ電極 １０ 遮光マスク用金属 １１ 遮光マスク用金属 ２０ 受光部以外への入射光の経路 ２１ 受光部への入射光の経路 ３０ 表面に凹凸を有する遮光マスク用金属 ３１ Ｃｒ遮光マスク用金属 ３２ Ａｕ−Ｇｅ遮光マスク用金属 ３３ Ａｕ遮光マスク用金属 ３４ 感光性樹脂 ３５ 金属粒子 ３６ 主面に対し斜めにエッチングされた結晶面
Claims (6)
- 【請求項１】 第１導電型基板上に、第１導電型バッフ
ァ層，光吸収層，窓層を有し、さらに該窓層と光吸収層
の一部を選択的に第２導電型に反転されてなる領域を有
する半導体受光装置において、 上記第１導電型の窓層，光吸収層，バッファ層を、上記
窓層の第２導電型領域の表面をその上底とし、基板表面
をその下底とするような台形状にエッチングして、該エ
ッチングによりできた受光面と平行とならない面上に、
前記窓層の第２導電型領域の一部を覆うように形成され
た、開口部を有する誘電体膜と、 上記誘電体膜上に形成され、上記窓層の第２導電型領域
の一部に接する電極と、 上記誘電体膜上に形成され、上記電極に対して絶縁され
た遮光用マスク層とを備えたことを特徴とする半導体受
光装置。 - 【請求項２】 第１導電型基板上に、第１導電型バッフ
ァ層，光吸収層，窓層を有し、さらに該窓層と光吸収層
の一部を選択的に第２導電型に反転されてなる領域を有
する半導体受光装置において、 上記第１導電型窓層及び窓層の第２導電型領域の一部を
覆うように形成された、開口部を有する誘電体膜と、 上記誘電体膜上に形成され、上記窓層の第２導電型領域
の一部に接する電極と、 上記誘電体膜上に形成され、上記電極に対して絶縁され
た、金属粒子を含有する感光性樹脂よりなる遮光用マス
ク層とを備えたことを特徴とする半導体受光装置。 - 【請求項３】 第１導電型基板上に、第１導電型バッフ
ァ層，光吸収層，窓層を有し、さらに該窓層と光吸収層
の一部を選択的に第２導電型に反転されてなる領域を有
する半導体受光装置を製造する方法において、 上記第１導電型窓層及び窓層の第２導電型領域の一部を
覆うように、開口部を有する誘電体膜を形成する工程
と、 上記誘電体膜上に、上記窓層の第２導電型領域の一部に
接するように電極を形成する工程と、 上記誘電体膜上に、上記電極に対して絶縁され、不均一
な自己酸化膜を形成しやすい金属の単体またはその合金
よりなる遮光用マスク層を形成する工程と、 上記遮光用マスク層の表面に不均一な自己酸化膜を形成
し、エッチングすることにより、その表面を凹凸にする
工程とを含むことを特徴とする半導体受光装置の製造方
法。 - 【請求項４】 第１導電型基板上に、第１導電型バッフ
ァ層，光吸収層，窓層を有し、さらに該窓層と光吸収層
の一部を選択的に第２導電型に反転されてなる領域を有
する半導体受光装置を製造する方法において、 上記第１導電型窓層及び窓層の第２導電型領域の一部を
覆うように、開口部を有する誘電体膜を形成する工程
と、 上記誘電体膜上に、上記窓層の第２導電型領域の一部に
接するように電極を形成する工程と、 上記誘電体膜上に、上記電極に対して絶縁され、エッチ
ャントの異なる異種金属の合金よりなる遮光用マスク層
を形成する工程と、 上記遮光用マスク層を、１種類の金属のみをエッチング
することのできるエッチャントを用いて、エッチングし
表面を凹凸にする工程とを含むことを特徴とする半導体
受光装置の製造方法。 - 【請求項５】 第１導電型基板上に、第１導電型バッフ
ァ層，光吸収層，窓層を有し、さらに該窓層と光吸収層
の一部を選択的に第２導電型に反転されてなる領域を有
する半導体受光装置を製造する方法において、 上記第１導電型窓層，光吸収層，バッファ層を、上記窓
層の第２導電型領域の表面をその上底とし、基板表面を
その下底とするような台形状にエッチングする工程と、 上記エッチングして、該エッチングによりできた受光面
と平行とならない斜面上に、上記窓層の第２導電型領域
の一部を覆うように開口部を有する誘電体膜を形成する
工程と、 上記誘電体膜上に、上記窓層の第２導電型領域の一部に
接するように電極を形成する工程と、上記誘電体膜上に、上記電極に対して絶縁された、遮光
用マスク層を形成する 工程と を含むことを特徴とする半
導体受光装置の製造方法。 - 【請求項６】 第１導電型基板上に、第１導電型バッフ
ァ層，光吸収層，窓層と、該窓層と光吸収層の一部を選
択的に第２導電型に反転されてなる領域を有する半導体
受光装置を製造する方法において、 上記第１導電型窓層及び窓層の第２導電型領域の一部を
覆うように、開口部を有する誘電体膜を形成する工程
と、 上記誘電体膜上に、上記窓層の第２導電型領域の一部に
接するように電極を形成する工程と、 上記誘電体膜上に、上記電極に対して絶縁され、金属粒
子を含有する感光性樹脂よりなる遮光用マスク層を形成
する工程とを含むことを特徴とする半導体受光装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP3359799A JP2774006B2 (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 半導体受光装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP3359799A JP2774006B2 (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 半導体受光装置及びその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JPH05175539A JPH05175539A (ja) | 1993-07-13 |
| JP2774006B2 true JP2774006B2 (ja) | 1998-07-09 |
Family
ID=18466351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3359799A Expired - Lifetime JP2774006B2 (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 半導体受光装置及びその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2774006B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019203070A1 (ja) | 2018-04-18 | 2019-10-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 受光素子、及び、受光素子の製造方法 |
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-
1991
- 1991-12-25 JP JP3359799A patent/JP2774006B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019203070A1 (ja) | 2018-04-18 | 2019-10-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 受光素子、及び、受光素子の製造方法 |
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