JPS6320878A - ホトダイオ−ドの製造方法 - Google Patents
ホトダイオ−ドの製造方法Info
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- JPS6320878A JPS6320878A JP61166182A JP16618286A JPS6320878A JP S6320878 A JPS6320878 A JP S6320878A JP 61166182 A JP61166182 A JP 61166182A JP 16618286 A JP16618286 A JP 16618286A JP S6320878 A JPS6320878 A JP S6320878A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ホトダイオードの製造方法に関するもので
ある。
ある。
第２図は従来のＩｎＧａＡｓプレーナ型ホトダイオード
の拡大断面図である。この図で、１はＩｎＰからなる基
板、２はＩ ｎＧ ａＡ ｓからなる第１の化合物半導
体層、３はＩｔ＋Ｐ からなる第２の化合物半導体層、
４は絶縁膜であるＳｉ３Ｎ４膜、５は表面電極、６は拡
散によって得られたＺｎドーピング領域、７は受光面部
、８は裏面電極である。なお、前記表面電極５と裏面電
極８はそれぞれリード端子（図示せず）を介して外部回
路に接合されるようになっている。
の拡大断面図である。この図で、１はＩｎＰからなる基
板、２はＩ ｎＧ ａＡ ｓからなる第１の化合物半導
体層、３はＩｔ＋Ｐ からなる第２の化合物半導体層、
４は絶縁膜であるＳｉ３Ｎ４膜、５は表面電極、６は拡
散によって得られたＺｎドーピング領域、７は受光面部
、８は裏面電極である。なお、前記表面電極５と裏面電
極８はそれぞれリード端子（図示せず）を介して外部回
路に接合されるようになっている。
従来のプレーナ型ホｉ・ダイオードは上記のように構成
されており、受光面部７は化合物半導体であるＩｎＧａ
Ａｓのバンドギャップ０．７５ｅＶ以上の量子エネルギ
ーをすする波長の光を照射すると、その光電効果によっ
てリード端子（図示せず）を介して外部ｌ！ｌｌ路に光
電流が流れろ。
されており、受光面部７は化合物半導体であるＩｎＧａ
Ａｓのバンドギャップ０．７５ｅＶ以上の量子エネルギ
ーをすする波長の光を照射すると、その光電効果によっ
てリード端子（図示せず）を介して外部ｌ！ｌｌ路に光
電流が流れろ。
−Ｓにホトダイオードは、逆バイアスを印加した状態で
使用するようになっており、上述したように受光面部７
に光を照射しな（でも外部回路には「暗電流」が流れろ
。この「暗電流」が大きい場合には、ホトダイオードの
ノイズが大きくなる。
使用するようになっており、上述したように受光面部７
に光を照射しな（でも外部回路には「暗電流」が流れろ
。この「暗電流」が大きい場合には、ホトダイオードの
ノイズが大きくなる。
従来、かかるホ１−ダイオードを製造する工程において
、Ｚ ｎ 拡散を行う時、Ｓ＋ １Ｎ ４膜４をマスク
として１史用ずろ。ここでＺｎ１ｔ散を行う際、高：品
で行うため、ＩｎＰ からなる第２の化合物半導体層３
中のＰが飛び出て表面が荒れることを防止するために、
Ｉ）Ｗ囲気中で行う。
、Ｚ ｎ 拡散を行う時、Ｓ＋ １Ｎ ４膜４をマスク
として１史用ずろ。ここでＺｎ１ｔ散を行う際、高：品
で行うため、ＩｎＰ からなる第２の化合物半導体層３
中のＰが飛び出て表面が荒れることを防止するために、
Ｉ）Ｗ囲気中で行う。
次に、このマスクを：よがし、再びＳｉ３Ｎ４膜４をバ
ソンベーション膜として形成させる。
ソンベーション膜として形成させる。
上記のように従来の工程においては、Ｚｎ拡散を行う際
、高温中で行うので、ＩｎＰ からなる第２の化合物半
導体層３の表面からＰが飛び出す。
、高温中で行うので、ＩｎＰ からなる第２の化合物半
導体層３の表面からＰが飛び出す。
このＰの飛び出しを防ぐため、Ｐ雰囲気中で拡散を行う
が、５ｉ３Ｎ４１漠４のＩｎＰには効果がなく、表面が
荒れろ。そして、拡散マスクとしての５ｉｎＮ４膜４を
除去後、再度５ｉ３Ｎ４ｖ４を形成させても、表面の荒
れのため界面リーク電流が増丸、その結果、暗電流が増
加しホトダイオードの特性を悪くするという問題点があ
った。
が、５ｉ３Ｎ４１漠４のＩｎＰには効果がなく、表面が
荒れろ。そして、拡散マスクとしての５ｉｎＮ４膜４を
除去後、再度５ｉ３Ｎ４ｖ４を形成させても、表面の荒
れのため界面リーク電流が増丸、その結果、暗電流が増
加しホトダイオードの特性を悪くするという問題点があ
った。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、ＩｎＰ からなる第２の化合物半導体層
表面の荒れを防ぎ、界面リーク電流を低減させろことが
でき、その結果、＋Ｉ？ｆ電流を低減でき、特性を向上
させることができろホトダイオードの製造方法を得ろこ
とを目的とする。
れたもので、ＩｎＰ からなる第２の化合物半導体層
表面の荒れを防ぎ、界面リーク電流を低減させろことが
でき、その結果、＋Ｉ？ｆ電流を低減でき、特性を向上
させることができろホトダイオードの製造方法を得ろこ
とを目的とする。
この発明に係ろホトダイオードの製造方法は、第２の化
合物半導体層の上に第３の化合物半導体層を形成させ、
その上から不純物拡散を行い、その後、第３の化合物半
導体層を取り除き、露出した平坦な第２の化合物半導体
層の表面にパッシベーション膜としてＳｉ３Ｎ４膜を形
成するものである。
合物半導体層の上に第３の化合物半導体層を形成させ、
その上から不純物拡散を行い、その後、第３の化合物半
導体層を取り除き、露出した平坦な第２の化合物半導体
層の表面にパッシベーション膜としてＳｉ３Ｎ４膜を形
成するものである。
この発明においては、第３の化り物事導体層を介して不
純物拡散全行うことから、第２の化合物半導体層表面の
荒れが防止され、表１ｍの漏れ電流を減らし、暗電流が
低減する。
純物拡散全行うことから、第２の化合物半導体層表面の
荒れが防止され、表１ｍの漏れ電流を減らし、暗電流が
低減する。
第１図（８１，（ｂ）はこの発明の一実施例であるホト
ダイオードの製造工程の一部を示す断面図である。第１
図（ａ）で、９ば前記ＩｎＰ からなる第２の化合物半
導体層３上に形成したＩ ｎＧ ａＡ ｓからなる第３
の化合物半導体層であり、その他は第２図と同じもので
ある。
ダイオードの製造工程の一部を示す断面図である。第１
図（ａ）で、９ば前記ＩｎＰ からなる第２の化合物半
導体層３上に形成したＩ ｎＧ ａＡ ｓからなる第３
の化合物半導体層であり、その他は第２図と同じもので
ある。
次に、この発明の製造二Ｅ程について説明する。
まず、第１図（ａ）に示すように、ＩｎＰ からなる基
板１上にＩ ｎＧ ａＡ ｓからなる第１の化合物半導
体層２を形成する。次に、第１の化合物半導体層２上に
ＩｎＰ からなろ第２の化合物半導体層３を形成し、そ
の上にＩｎＧａＡｓからなる第３の化合物半導体層９を
形成した後、Ｓｉ３Ｎ４膜４を形成し、このＳ ｉ３Ｎ
４膜４をマスクとして第３の化合物半導体Ｊｐ７９の
上から不純物、例えばＺｎ拡散を行う１１次に、第１図
（ｂ）に示すように、 Ｓ ｉ３Ｎ ４１■り４および
第３の化合物半導体層９を除去した後に、再びＳ ｉ３
Ｎ 、膜４を形成する。その後、図示はしないが、表面
電極および裏面電極が形成され、ホトダイオードが形成
されろ。
板１上にＩ ｎＧ ａＡ ｓからなる第１の化合物半導
体層２を形成する。次に、第１の化合物半導体層２上に
ＩｎＰ からなろ第２の化合物半導体層３を形成し、そ
の上にＩｎＧａＡｓからなる第３の化合物半導体層９を
形成した後、Ｓｉ３Ｎ４膜４を形成し、このＳ ｉ３Ｎ
４膜４をマスクとして第３の化合物半導体Ｊｐ７９の
上から不純物、例えばＺｎ拡散を行う１１次に、第１図
（ｂ）に示すように、 Ｓ ｉ３Ｎ ４１■り４および
第３の化合物半導体層９を除去した後に、再びＳ ｉ３
Ｎ 、膜４を形成する。その後、図示はしないが、表面
電極および裏面電極が形成され、ホトダイオードが形成
されろ。
上記のような工程によって得られたホ１−ダイオードは
、ＩｎＧａＡｓからなる第３の化合物半導体層９によっ
て、ＩｎＰ からなる第２の化合物半導体層３表面が保
護されろため、第２の化合物半導体層３表面が荒れるこ
となく、表面漏れ電流が低減し、その結果、ホトダイオ
ードの特徴の１つである暗ｔｒｉ流が低減することとな
る。
、ＩｎＧａＡｓからなる第３の化合物半導体層９によっ
て、ＩｎＰ からなる第２の化合物半導体層３表面が保
護されろため、第２の化合物半導体層３表面が荒れるこ
となく、表面漏れ電流が低減し、その結果、ホトダイオ
ードの特徴の１つである暗ｔｒｉ流が低減することとな
る。
なお、上記実施例ではＩｎＰ からなる基板１上に、受
光層として第３の化合物半導体層９をＩｎＧａＡｓによ
って形成させたホトダイオードについて述べたが、他の
基板を用い、第３の化合物半導体層９として他の化合物
半導体層を用いたホトダイオードの製造方法にも適用で
きろ。
光層として第３の化合物半導体層９をＩｎＧａＡｓによ
って形成させたホトダイオードについて述べたが、他の
基板を用い、第３の化合物半導体層９として他の化合物
半導体層を用いたホトダイオードの製造方法にも適用で
きろ。
以上説明したようにこの発明は、第３の化合物半導体層
を介して不純物拡散を行うようにしたので、第２の化合
物半導体層表面の荒れが防止でき、したがって、「暗電
流」が低減することになり、特性の向上したホトダイオ
ードが得られろ利点がある。またこのホトダイオードを
ンス子ムの一部として受光装置に使用すると、雑音の小
さいものが得られる等の効果がある。
を介して不純物拡散を行うようにしたので、第２の化合
物半導体層表面の荒れが防止でき、したがって、「暗電
流」が低減することになり、特性の向上したホトダイオ
ードが得られろ利点がある。またこのホトダイオードを
ンス子ムの一部として受光装置に使用すると、雑音の小
さいものが得られる等の効果がある。
第１図（ａ）、（ｂ）は乙の発明の一実施例であるホト
ダイオードの製造工程の一部を示す断面図、第２図は従
来のホトダイオードの構造を示す断面図である。 図において、１は基板、２は第１の化合物半導体層、３
は第２の化合物半導体層、４はＳ ｉｌＮ ４膜、６は
Ｚｎドーピング領域、７は受光面部、９は第３の化合物
半導体層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 手続補正音（自発） 昭和 年 月 日
ダイオードの製造工程の一部を示す断面図、第２図は従
来のホトダイオードの構造を示す断面図である。 図において、１は基板、２は第１の化合物半導体層、３
は第２の化合物半導体層、４はＳ ｉｌＮ ４膜、６は
Ｚｎドーピング領域、７は受光面部、９は第３の化合物
半導体層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 手続補正音（自発） 昭和 年 月 日
Claims (1)
- 基板上に第１の化合物半導体層を形成し、この第１の化
合物半導体層上に第２の化合物半導体層を形成し、さら
にこの第２の化合物半導体層上に第３の化合物半導体層
を形成し、この第３の化合物半導体層上にＳｉ＿３Ｎ＿
４膜を形成し、このＳｉ＿３Ｎ＿４膜に開口部を設け、
その開口部より不純物を前記第１の化合物半導体層に到
達するまでに拡散した後、前記第３の化合物半導体層お
よびＳｉ＿３Ｎ＿４膜を除去し、しかる後、Ｓｉ＿３Ｎ
＿４膜を前記第２の化合物半導体層上に形成することを
特徴とするホトダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61166182A JPS6320878A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | ホトダイオ−ドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61166182A JPS6320878A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | ホトダイオ−ドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6320878A true JPS6320878A (ja) | 1988-01-28 |
Family
ID=15826594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61166182A Pending JPS6320878A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | ホトダイオ−ドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6320878A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5122478A (en) * | 1990-04-18 | 1992-06-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Impurity diffusion method |
| JPH05234927A (ja) * | 1992-02-20 | 1993-09-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体デバイスの固相拡散による拡散領域の形成方法 |
| WO2004023544A1 (ja) * | 2002-09-05 | 2004-03-18 | Sony Corporation | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-07-14 JP JP61166182A patent/JPS6320878A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5122478A (en) * | 1990-04-18 | 1992-06-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Impurity diffusion method |
| JPH05234927A (ja) * | 1992-02-20 | 1993-09-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体デバイスの固相拡散による拡散領域の形成方法 |
| WO2004023544A1 (ja) * | 2002-09-05 | 2004-03-18 | Sony Corporation | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| US7109100B2 (en) | 2002-09-05 | 2006-09-19 | Sony Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
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