JPS605526A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS605526A JPS605526A JP11284683A JP11284683A JPS605526A JP S605526 A JPS605526 A JP S605526A JP 11284683 A JP11284683 A JP 11284683A JP 11284683 A JP11284683 A JP 11284683A JP S605526 A JPS605526 A JP S605526A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は半導体装置の製造方法Ｖこ門するものである。
半導体装置において段差部の上部と底部にある一定の寸
法を有する穴を同時に写真蝕刻工程においてあける場合
上部の穴が大きくあいだり、底部の穴があかないことが
あった。段差が太き《なると、この現象は顕著に出て来
る。従来法全第１図（ａ１〜（ｃｌに示す。素子形成領
域にゲート酸化膜として絶縁性を有する熱酸化膜（３１
’ｔ２００Ａ程度形成した後、ゲート電極として、ポリ
シリコン＋４１ ｆｆｉ４０００Ａ程度デポジションし
、反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）によりポリシリコ
ン（４）と熱酸化膜（３）を同時にエツチングする条件
でポリシリコン（４）と、熱酸化膜（３）をエツチング
する。次にゲート電極部テアルポリシリコン（４）ヲマ
スクにイオン注入を行ない、拡散層部（２）全形成する
。さらに層間の絶縁のための絶縁性の被膜（ Ｃ ＶＤ
Ｓ ｉ ０２ （５１ ）を積層した後、フォトレジ
スト（６）全豹１．０μｍｉ布し、−写真蝕刻工程によ
り、レジストに開口部を設ける。
法を有する穴を同時に写真蝕刻工程においてあける場合
上部の穴が大きくあいだり、底部の穴があかないことが
あった。段差が太き《なると、この現象は顕著に出て来
る。従来法全第１図（ａ１〜（ｃｌに示す。素子形成領
域にゲート酸化膜として絶縁性を有する熱酸化膜（３１
’ｔ２００Ａ程度形成した後、ゲート電極として、ポリ
シリコン＋４１ ｆｆｉ４０００Ａ程度デポジションし
、反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）によりポリシリコ
ン（４）と熱酸化膜（３）を同時にエツチングする条件
でポリシリコン（４）と、熱酸化膜（３）をエツチング
する。次にゲート電極部テアルポリシリコン（４）ヲマ
スクにイオン注入を行ない、拡散層部（２）全形成する
。さらに層間の絶縁のための絶縁性の被膜（ Ｃ ＶＤ
Ｓ ｉ ０２ （５１ ）を積層した後、フォトレジ
スト（６）全豹１．０μｍｉ布し、−写真蝕刻工程によ
り、レジストに開口部を設ける。
この時拡散層（２）とゲート電極（４）上のレジストの
膜厚には膜厚差が生じる。
膜厚には膜厚差が生じる。
このレジストの膜厚差により同じ露光量で露光した場合
、拡散層（２）上ではレジストが厚いので光の吸収が起
こり露光が不光分となる。
、拡散層（２）上ではレジストが厚いので光の吸収が起
こり露光が不光分となる。
従って拡散層（２）のコンタクトホールは第１図（ｂｌ
に示す様に小さくなシコンタクト抵抗が太き（なる。一
方、露光全オーバーにすると、段差部の上部（ここでは
、ゲート電極（３）上部）では、コンタクトホールの寸
法が大きくなり、このレジスト（６）をマスクに絶縁膜
であるＣＶＤ−Ｓ ｉ Ｏ，（５１をエツチングした場
合、第１図（Ｃ１に示すようにアルミ（７）で配線を行
々うとゲート電極（３）部と、拡散層（２）部がショー
トして、トランジスタの不良が生じ、パターニングの時
の合せずれを考慮すればさらに不良トランジスタの発生
する確立が高（なるという問題があった。
に示す様に小さくなシコンタクト抵抗が太き（なる。一
方、露光全オーバーにすると、段差部の上部（ここでは
、ゲート電極（３）上部）では、コンタクトホールの寸
法が大きくなり、このレジスト（６）をマスクに絶縁膜
であるＣＶＤ−Ｓ ｉ Ｏ，（５１をエツチングした場
合、第１図（Ｃ１に示すようにアルミ（７）で配線を行
々うとゲート電極（３）部と、拡散層（２）部がショー
トして、トランジスタの不良が生じ、パターニングの時
の合せずれを考慮すればさらに不良トランジスタの発生
する確立が高（なるという問題があった。
本発明の目的は段差部の上部と底部にパターン変換差な
（コンタクトポールを形成する４■ができる半導体装置
の製造方法を提供することにある。
（コンタクトポールを形成する４■ができる半導体装置
の製造方法を提供することにある。
本発明は断差額の底部に光を反射する物質膜を張りつけ
、或いは上部に光吸収層′ｆｆ：設けてから絶縁膜で被
接しレジストを塗布する様にしたものである。
、或いは上部に光吸収層′ｆｆ：設けてから絶縁膜で被
接しレジストを塗布する様にしたものである。
本発明を行う事によ、！ｌｌｌ断差部の上部と底部にパ
ターン変換差なく微細なコンタクトホールを開けること
が出来るようＫなる。従って素子とコンタクトホールと
の合せのマージンが大きくとれ、歩留りが向上する。
ターン変換差なく微細なコンタクトホールを開けること
が出来るようＫなる。従って素子とコンタクトホールと
の合せのマージンが大きくとれ、歩留りが向上する。
例えば従来法のようにゲート電極ハ１ｓと拡散層部がア
ルミ配線によってショートすることがな（、不良トラン
ジストの発生をおさえることが出来るようになる。同時
に本発明によれば、所２ｃの低いコンタクト抵抗が得ら
れるので高與１作速度の集積回路を得る事ができる。
ルミ配線によってショートすることがな（、不良トラン
ジストの発生をおさえることが出来るようになる。同時
に本発明によれば、所２ｃの低いコンタクト抵抗が得ら
れるので高與１作速度の集積回路を得る事ができる。
本発明の１実施例について、第２図（ａ）〜（ｇｌを用
いて、詳１１ｖｃ説明する。
いて、詳１１ｖｃ説明する。
１６りえば比抵抗５〜１ｏΩ−ｃｍ程度のＰ’（１００
）、ＳｉＲ，、！６板（１１） ｋ用意し、酸化１例え
ば１０００℃、ｄｒｙ Ｏｐで２０分行ないゲート酸化
膜（１３） ’ｋ ２００Ａ ａｌＩｓ ｒ現ノｔｇ成
する。次にゲーｈ ｉη）＠とじてポリシリコン（１４
）全４０００λ程度デボし導電性をもたせるため不純・
吻列えばリンを拡散ま７とはイオン注入する。次に写”
’Ｆ Ｒｉｂ刻、弁により、ゲート′間極部となる所Ｖ
ｃレシストヲ設置直しこのフォトレジスト全マスクにＲ
ＩＥ（リアクティブイオンエツチング）を用いて前記ポ
リシリコン（１４）とゲート酸化膜（１３）をエツチン
グし、フォトレジストを除去する。次にポリシリコンケ
マスクにイオン注入、例えば加速山゛圧（う０Ｋｅｖ、
ドースｉｆｉ ５ Ｘ １０ ”７ｃｍ２を行い、拡散
層（第１のツノで一体１ｉ＝４１２ ） ｉ形成する。
）、ＳｉＲ，、！６板（１１） ｋ用意し、酸化１例え
ば１０００℃、ｄｒｙ Ｏｐで２０分行ないゲート酸化
膜（１３） ’ｋ ２００Ａ ａｌＩｓ ｒ現ノｔｇ成
する。次にゲーｈ ｉη）＠とじてポリシリコン（１４
）全４０００λ程度デボし導電性をもたせるため不純・
吻列えばリンを拡散ま７とはイオン注入する。次に写”
’Ｆ Ｒｉｂ刻、弁により、ゲート′間極部となる所Ｖ
ｃレシストヲ設置直しこのフォトレジスト全マスクにＲ
ＩＥ（リアクティブイオンエツチング）を用いて前記ポ
リシリコン（１４）とゲート酸化膜（１３）をエツチン
グし、フォトレジストを除去する。次にポリシリコンケ
マスクにイオン注入、例えば加速山゛圧（う０Ｋｅｖ、
ドースｉｆｉ ５ Ｘ １０ ”７ｃｍ２を行い、拡散
層（第１のツノで一体１ｉ＝４１２ ） ｉ形成する。
次に１１化、例えば８５０°ＣＷｅ ｔ Ｏ２、２行な
い、熱酸化膜（１５）を形成する。この時、ポリシリコ
ン（１４）には、不純物が入っているため 、Ｔ、９化
レートが拡散層部（１２）よフも３倍ぐらい速いので、
熱酸化膜も３倍ぐらい厚く形成される。この状態を第２
＋９ （ｂ）に示す。
い、熱酸化膜（１５）を形成する。この時、ポリシリコ
ン（１４）には、不純物が入っているため 、Ｔ、９化
レートが拡散層部（１２）よフも３倍ぐらい速いので、
熱酸化膜も３倍ぐらい厚く形成される。この状態を第２
＋９ （ｂ）に示す。
次に、拡散層（１２）上部のみの熱酸化膜（１５） Ｔ
ｈエツチングする。これを例えばフッ化アンモニウムで
行い拡散層部（１２）のＳｉのみＡｉ出させ、ポリシリ
コン（ゲート部） （１４）上には熱酸化膜（１５）
’ｌｒ残置する。この状態で光全反射する膜として例え
ばｐｔを張９つけた後、シリサイド化全例えは５５０”
ＣＦ Ｇ中に行ない、Ｐｔ−シリサイド（１６）全形成
する。
ｈエツチングする。これを例えばフッ化アンモニウムで
行い拡散層部（１２）のＳｉのみＡｉ出させ、ポリシリ
コン（ゲート部） （１４）上には熱酸化膜（１５）
’ｌｒ残置する。この状態で光全反射する膜として例え
ばｐｔを張９つけた後、シリサイド化全例えは５５０”
ＣＦ Ｇ中に行ない、Ｐｔ−シリサイド（１６）全形成
する。
次にコンタクトのだめの絶縁膜例えばＣＶＤ５ｉＱ。
（１７）ｋ６０００Ａ程度デボする。次にレジスト（１
８）を１μｍ程度塗布した後、写真蝕刻法により、コン
タクトホールをパターニングする。ここでゲー ト（１
４）上部と、拡散層（１２）上部のレジストの膜厚差は
、約０．４μｍであるが拡散層（１２）部に光を反射す
る膜（１６）’を形成しているだめ露光する際に光が反
射され、コンタクトホールが開きやす（なシ、ゲート（
第２の導体層）上部と拡散層（１２）上部のコンタクト
ホールの寸法はほぼ同等となる。
８）を１μｍ程度塗布した後、写真蝕刻法により、コン
タクトホールをパターニングする。ここでゲー ト（１
４）上部と、拡散層（１２）上部のレジストの膜厚差は
、約０．４μｍであるが拡散層（１２）部に光を反射す
る膜（１６）’を形成しているだめ露光する際に光が反
射され、コンタクトホールが開きやす（なシ、ゲート（
第２の導体層）上部と拡散層（１２）上部のコンタクト
ホールの寸法はほぼ同等となる。
次にＲＩＥ’５用いてレジストｆマスクに絶縁膜ＣＶＤ
−８ｉｏ２（１７）全エツチングしコンタクトホールを
開孔する。次にアルミ（１９）ｅデボした後エツチング
しｍ ２ ｌヌ１（ｇ）のような（Ｍａｋ得る。この方
法全円いると段差部の上部（ゲート上部）と底部供故層
士部）のコンタクトホールは、はぼ同等の寸法をイ１）
ることが出来る。
−８ｉｏ２（１７）全エツチングしコンタクトホールを
開孔する。次にアルミ（１９）ｅデボした後エツチング
しｍ ２ ｌヌ１（ｇ）のような（Ｍａｋ得る。この方
法全円いると段差部の上部（ゲート上部）と底部供故層
士部）のコンタクトホールは、はぼ同等の寸法をイ１）
ることが出来る。
上記方法では、Ｐｔを拡散層（１２）部にはりっけたが
これは光全反射するものであればよ（例えばｍ ３１；
イＩ ｆａｌｆｂｌに多層配線の断面（ｔζ造の一実施
例を示す。８１基板（：３１）＆？１μｍ厚の第１の導
体層例えばアルミ（３２）全選択的に形成した後絶縁膜
例えばＣＶ Ｄ Ｓ Ｉ ０２ （３３） ｉ？ 形成
スル。次ＶＣＣＶＤ −８ｉＯ。
これは光全反射するものであればよ（例えばｍ ３１；
イＩ ｆａｌｆｂｌに多層配線の断面（ｔζ造の一実施
例を示す。８１基板（：３１）＆？１μｍ厚の第１の導
体層例えばアルミ（３２）全選択的に形成した後絶縁膜
例えばＣＶ Ｄ Ｓ Ｉ ０２ （３３） ｉ？ 形成
スル。次ＶＣＣＶＤ −８ｉＯ。
（３３）ヒに第２の導体層、例えばアルミ（３４）全１
μｍ厚に形成する。
μｍ厚に形成する。
さらＶ（第２のアルミ（３４）上に光を吸収しＣＶＤ−
８１０２とべ択一にエツチング出来る膜例えば５００〜
２０００ Ａ厚のＭ ｏ Ｓ １（３５） ｋ ｉ’を
成したｉｆ、 ＋ＡＯ８１（３５）を酸素プラズマで酸
化してＭｏ５ｉｋ黒化させる。
８１０２とべ択一にエツチング出来る膜例えば５００〜
２０００ Ａ厚のＭ ｏ Ｓ １（３５） ｋ ｉ’を
成したｉｆ、 ＋ＡＯ８１（３５）を酸素プラズマで酸
化してＭｏ５ｉｋ黒化させる。
その後両者’１ＲＩＥを用いてエツチングする。その後
絶縁膜例えばＣＶＤ−３ｉｎ２（３６）ｉデポした後フ
ォトレジスト（３７）を塗布し例えば第１のアルミ（３
２）と第２のアルミ（３４）の接続箇所′ｆｆ：露光し
、現像して露光部のフォトレジスト（３７）を除去する
。
絶縁膜例えばＣＶＤ−３ｉｎ２（３６）ｉデポした後フ
ォトレジスト（３７）を塗布し例えば第１のアルミ（３
２）と第２のアルミ（３４）の接続箇所′ｆｆ：露光し
、現像して露光部のフォトレジスト（３７）を除去する
。
この時第２の導体層（３４）では黒化したｉｖ■ｏ Ｓ
１（３５）が形成されているため光の吸収が生じ１．
ｒｇ ｊＹ：、 全行なっても第１のアルミ（３２）と
第２のアルミ（３４）上には穴の寸法がほぼ同ζ序なフ
ォトレジスト（３７，）が開孔される。
１（３５）が形成されているため光の吸収が生じ１．
ｒｇ ｊＹ：、 全行なっても第１のアルミ（３２）と
第２のアルミ（３４）上には穴の寸法がほぼ同ζ序なフ
ォトレジスト（３７，）が開孔される。
次いで第３図（Ｉ））に示すようにフォトレジスト（３
７）をマスクに第１の絶縁膜（３３）と第２の絶縁膜（
３６）のエツチングを例えば、ＣＦ２ガスとＥ（、ガス
を用いたＨＩＥで行い ｒｇ ３の導体例えばアルミ（
３８）を形成し第１の４体と第２の導体ケ結１ｊ（ｉｉ
する。
７）をマスクに第１の絶縁膜（３３）と第２の絶縁膜（
３６）のエツチングを例えば、ＣＦ２ガスとＥ（、ガス
を用いたＨＩＥで行い ｒｇ ３の導体例えばアルミ（
３８）を形成し第１の４体と第２の導体ケ結１ｊ（ｉｉ
する。
この実施列においても先の実施ｆ９１Ｊと同等の効果を
有する。そして先の実施例においては均一な露光量が得
られる一方で反射面が粗面であったりすると所定の大き
さのコンタクトホールが形成できるものの僅かにパター
ンはけが生ずるという曲順があるが、反射の増大を図る
のではな（ブＣ吸収体を用いるこの実り１′！ｉ例ＶＣ
よ２１．ばこの様な問題はない。
有する。そして先の実施例においては均一な露光量が得
られる一方で反射面が粗面であったりすると所定の大き
さのコンタクトホールが形成できるものの僅かにパター
ンはけが生ずるという曲順があるが、反射の増大を図る
のではな（ブＣ吸収体を用いるこの実り１′！ｉ例ＶＣ
よ２１．ばこの様な問題はない。
上記実碕例ではプラズマ酸化したＭ、ｏｓｊｉ用いたが
カーボン層や不純物４ニドープした多結晶８１を用いて
も艮い。
カーボン層や不純物４ニドープした多結晶８１を用いて
も艮い。
尚、第３１凶においてＳｉ基板（３１）との間に絶縁＋
１＜：、ｔが形成さイ１．ていても良い。又、第３図の
実施例では、所謂多層！配）１り構造の、用台について
示したが、金＋、Ｉｉゲートの１〜ｑｏｓ型トランジス
タに適用しても良い。例えは、半導体基板上にゲート絶
縁膜？介してｉＶ ｏゲート、その上にドーピングによ
り導電１；、１；化し／こ多結晶シリコン層ケ１役け、
これ全マスクにンース、ドレイン拡散１・、物音形成し
、次いで絶縁ＪＩＧ！でネｊ・ν・夏し、史にフォトレ
ジストら莫金塗亜して露光し、１糸は上記’Ａ ３ ｌ
’；４の１＆ｌｉ ｖｃ従いンース、ドレイン、／ｙ’
−トに夫々達するコンタクトホールを設ける様にすイｔ
ばよい。
１＜：、ｔが形成さイ１．ていても良い。又、第３図の
実施例では、所謂多層！配）１り構造の、用台について
示したが、金＋、Ｉｉゲートの１〜ｑｏｓ型トランジス
タに適用しても良い。例えは、半導体基板上にゲート絶
縁膜？介してｉＶ ｏゲート、その上にドーピングによ
り導電１；、１；化し／こ多結晶シリコン層ケ１役け、
これ全マスクにンース、ドレイン拡散１・、物音形成し
、次いで絶縁ＪＩＧ！でネｊ・ν・夏し、史にフォトレ
ジストら莫金塗亜して露光し、１糸は上記’Ａ ３ ｌ
’；４の１＆ｌｉ ｖｃ従いンース、ドレイン、／ｙ’
−トに夫々達するコンタクトホールを設ける様にすイｔ
ばよい。
尚、以上の実！・１４例では光露光全例にとったが、電
子ビームやイオンビーム或いはＸ線等の放射線を用いた
露光でもよ（、その場合フォトレジストも夫々に感光す
るＰＭＭＡ 、 ＰｐＨＡ Ｈ、ＥＢＩ尤−９等の材料
を用いればよく、本発明はこれらを含むものである。
子ビームやイオンビーム或いはＸ線等の放射線を用いた
露光でもよ（、その場合フォトレジストも夫々に感光す
るＰＭＭＡ 、 ＰｐＨＡ Ｈ、ＥＢＩ尤−９等の材料
を用いればよく、本発明はこれらを含むものである。
第１図（ａｌ〜ｆｃｌは従来の方法で出来るコンタクト
ホールと、その問題点全説明する断面図、第２図（ａｌ
〜（ｇｌは本発明の一実施例の」°／向ｋ ｊ−＞ｊ’
、明する１析面図、第３図ｆａｔ （ｂｌは多層配線の
実ｈ”１１１例全説明する断面図である。 図において、 １．１１．３１・・・＋３１基板、２，１２・・・拡赦
啼部３．１３・・・ゲート峻化１１ζ’ｒ、４．１４・
・・ポリシリコン（ゲート部入５ ｐ ｌ ７ Ｈ３３
、ｒ（５・−・ＩＱ縁片ｐ−（ｔｒｖＤｓｉｏ、）、６
，１８，３．７・・・フォトレジスト、Ｊ５・・・熱酸
化膜、１６・・・ｐｔシリサイド、７，１９，３２゜３
４ 、３８ ”’Ａｅ 、３５ ””ｖｌｏｓ ｉ０代
理人弁理士 則 近 ’ｒＱ５ 佑（他１名）第 １
図 １ ｔＣ） 第２図 Ｓ 第２図 （α） １／＝ノ
ホールと、その問題点全説明する断面図、第２図（ａｌ
〜（ｇｌは本発明の一実施例の」°／向ｋ ｊ−＞ｊ’
、明する１析面図、第３図ｆａｔ （ｂｌは多層配線の
実ｈ”１１１例全説明する断面図である。 図において、 １．１１．３１・・・＋３１基板、２，１２・・・拡赦
啼部３．１３・・・ゲート峻化１１ζ’ｒ、４．１４・
・・ポリシリコン（ゲート部入５ ｐ ｌ ７ Ｈ３３
、ｒ（５・−・ＩＱ縁片ｐ−（ｔｒｖＤｓｉｏ、）、６
，１８，３．７・・・フォトレジスト、Ｊ５・・・熱酸
化膜、１６・・・ｐｔシリサイド、７，１９，３２゜３
４ 、３８ ”’Ａｅ 、３５ ””ｖｌｏｓ ｉ０代
理人弁理士 則 近 ’ｒＱ５ 佑（他１名）第 １
図 １ ｔＣ） 第２図 Ｓ 第２図 （α） １／＝ノ
Claims (2)
- （１）基板に第１の導体層とこの第１の導体層より表面
の高さが高い第２の導体層を形成する工程と、この表面
を絶縁膜で被覆し更にフォトレジスト膜を塗布する工程
と、このフォトレジスト膜を露光してレジストマスクを
形成し、こｎをマスクにして前記第１．第２の導体層上
の絶縁膜に夫々コンタクトホールを形成する工程と全備
えた半導体装１：１の製造方法において、前記第１及び
第２の導体層の少な（とも一方の表面に、第２の導体層
より第１の導体層上Ｑておける反射を大きくする物質層
を設け、しかる後前記絶縁膜被覆を行なう様にした事を
特徴とする半導体装置の製造方法。 - （２）第２の導体層は金属層であり、その表面に露光時
の放射線に対する吸収層を設けた事を特徴とする特許 の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11284683A JPS605526A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11284683A JPS605526A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS605526A true JPS605526A (ja) | 1985-01-12 |
Family
ID=14596990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11284683A Pending JPS605526A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS605526A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102013006347A1 (de) | 2013-04-12 | 2014-10-16 | Clariant International Ltd. | Lösemittelhaltige Pasten |
| DE102018116113A1 (de) | 2018-07-03 | 2020-01-09 | Völpker Spezialprodukte GmbH | Neue Naturwachsoxidate auf Basis von Reiskleiewachs und Sonnenblumenwachs und Verfahren zu deren Herstellung |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5769735A (en) * | 1980-10-20 | 1982-04-28 | Sanyo Electric Co Ltd | Forming method for contact |
-
1983
- 1983-06-24 JP JP11284683A patent/JPS605526A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5769735A (en) * | 1980-10-20 | 1982-04-28 | Sanyo Electric Co Ltd | Forming method for contact |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102013006347A1 (de) | 2013-04-12 | 2014-10-16 | Clariant International Ltd. | Lösemittelhaltige Pasten |
| DE102018116113A1 (de) | 2018-07-03 | 2020-01-09 | Völpker Spezialprodukte GmbH | Neue Naturwachsoxidate auf Basis von Reiskleiewachs und Sonnenblumenwachs und Verfahren zu deren Herstellung |
| DE102018116113B4 (de) | 2018-07-03 | 2021-10-28 | Völpker Spezialprodukte GmbH | Neue Naturwachsoxidate auf Basis von Reiskleiewachs und Sonnenblumenwachs und Verfahren zu deren Herstellung |
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