JP2764591B2 - 薄膜ｅｌ素子とその製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子とその製造方法Info
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- JP2764591B2 JP2764591B2 JP63316300A JP31630088A JP2764591B2 JP 2764591 B2 JP2764591 B2 JP 2764591B2 JP 63316300 A JP63316300 A JP 63316300A JP 31630088 A JP31630088 A JP 31630088A JP 2764591 B2 JP2764591 B2 JP 2764591B2
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
- H05B33/28—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode of translucent electrodes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ディスプレイに使用される薄膜EL素子とそ
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
マトリクス駆動させる場合の従来の薄膜EL素子の断面
を第５図に示す。
を第５図に示す。
この薄膜EL素子は透光性基板１の面に透明電極２を設
けると共に、この基板１の面上に第１絶縁膜３、発光層
４、第２絶縁膜５及び金属背面電極６をこの順序に形成
したものである。
けると共に、この基板１の面上に第１絶縁膜３、発光層
４、第２絶縁膜５及び金属背面電極６をこの順序に形成
したものである。
上記のように構成された薄膜EL素子は、金属背面電極
６と透明電極２の間に発光しきい電圧以上の電圧が印加
される時に発光する。この時、透明電極２のエッジ部７
に電界が集中し、そこから絶縁破壊が生じて、その部分
では表示が不能になるという不具合が生じていた。
６と透明電極２の間に発光しきい電圧以上の電圧が印加
される時に発光する。この時、透明電極２のエッジ部７
に電界が集中し、そこから絶縁破壊が生じて、その部分
では表示が不能になるという不具合が生じていた。
これに対して、特開昭58−102975号公報及び特開昭61
−151996号公報に示されたように、上記絶縁性の透明基
板上に電極となる通電体層を形成した後、これの上に所
定パターンのホトレジスト膜を形成し、このパターニン
グしたホトレジスト膜をマスクとして通電体層をエッチ
ングして所定パターンの電極を形成し、その後、ホトレ
ジスト膜面を含む基板上面に絶縁膜を被覆形成し、次い
でホトレジスト膜を除去することによりレジスト膜上の
絶縁膜も除去してパターニングされた電極間に絶縁膜を
埋設するようにしたものがある。
−151996号公報に示されたように、上記絶縁性の透明基
板上に電極となる通電体層を形成した後、これの上に所
定パターンのホトレジスト膜を形成し、このパターニン
グしたホトレジスト膜をマスクとして通電体層をエッチ
ングして所定パターンの電極を形成し、その後、ホトレ
ジスト膜面を含む基板上面に絶縁膜を被覆形成し、次い
でホトレジスト膜を除去することによりレジスト膜上の
絶縁膜も除去してパターニングされた電極間に絶縁膜を
埋設するようにしたものがある。
しかしながら、この従来の技術のものは、透光性基板
上の透明電極が、透明で平坦な絶縁膜中に形成されてい
るが、パターニングされた透明電極は板状の電極板をあ
たかも打ち抜き状にパターニング成形されたものがその
ままの形状で絶縁膜中に存在するので、この各パターニ
ングされた透明電極のそれぞれには上記従来の技術で説
明したエッジ部が存在することになり、この部分での電
界集中をなくすことができなかった。
上の透明電極が、透明で平坦な絶縁膜中に形成されてい
るが、パターニングされた透明電極は板状の電極板をあ
たかも打ち抜き状にパターニング成形されたものがその
ままの形状で絶縁膜中に存在するので、この各パターニ
ングされた透明電極のそれぞれには上記従来の技術で説
明したエッジ部が存在することになり、この部分での電
界集中をなくすことができなかった。
本発明は上記の事情に鑑みなされたものであって、そ
の第１の目的とするところは、従来の透明電極のエッジ
部のような電界が集中する部分がなくなって、絶縁破壊
による表示不能部分の発生のない薄膜EL素子を提供する
ことにある。
の第１の目的とするところは、従来の透明電極のエッジ
部のような電界が集中する部分がなくなって、絶縁破壊
による表示不能部分の発生のない薄膜EL素子を提供する
ことにある。
また、本発明の第２の目的とするところは透明電極を
絶縁性金属酸化物膜中に形成し、且つ他の部分は絶縁体
である平坦な透明電極層を形成することが可能な薄膜EL
素子の製造方法を提供することにある。
絶縁性金属酸化物膜中に形成し、且つ他の部分は絶縁体
である平坦な透明電極層を形成することが可能な薄膜EL
素子の製造方法を提供することにある。
上記の第１の目的を達成するために本発明に係る薄膜
EL素子は、二重絶縁構造を有してマトリクス駆動させる
薄膜EL素子において、絶縁性の透光性基板に絶縁性金属
酸化物膜を形成し、この膜面に選択面に金属層を形成
し、これら金属層を絶縁性金属酸化物膜中に拡散させ
て、透明電極を、透明で平坦な絶縁膜中に形成した構成
となっている。
EL素子は、二重絶縁構造を有してマトリクス駆動させる
薄膜EL素子において、絶縁性の透光性基板に絶縁性金属
酸化物膜を形成し、この膜面に選択面に金属層を形成
し、これら金属層を絶縁性金属酸化物膜中に拡散させ
て、透明電極を、透明で平坦な絶縁膜中に形成した構成
となっている。
また、上記した第２の目的を達成するために本発明
は、二重絶縁構造を有してマトリクス駆動させる薄膜EL
素子の製造方法において、絶縁性の透光性基板に絶縁性
金属酸化物膜を形成し、この膜面に選択的に金属層を形
成し、これら金属層を絶縁性金属酸化物膜中に拡散させ
て透明電極を形成するようにした。
は、二重絶縁構造を有してマトリクス駆動させる薄膜EL
素子の製造方法において、絶縁性の透光性基板に絶縁性
金属酸化物膜を形成し、この膜面に選択的に金属層を形
成し、これら金属層を絶縁性金属酸化物膜中に拡散させ
て透明電極を形成するようにした。
以下、本発明の実施例を第１図乃至第４図に基づいて
説明する。
説明する。
本発明に係る薄膜EL素子の製造は、まず第１図に示す
ように絶縁性の透光性基板10に絶縁性金属酸化物膜11例
えばZnOをスパッタ法あるいは電子ビーム蒸着法等で形
成する。
ように絶縁性の透光性基板10に絶縁性金属酸化物膜11例
えばZnOをスパッタ法あるいは電子ビーム蒸着法等で形
成する。
そして、第２図に示すように、電極になる部分にのみ
マスクを使ってAl等の金属を蒸着して金属層12を形成す
る。
マスクを使ってAl等の金属を蒸着して金属層12を形成す
る。
このように金属層12を選択的に形成する工程は、先ず
金属を全面に蒸着し、これをフォトリソグラフィーによ
ってパターニングしても良いし、パターニングしたフォ
トレジスト上に金属を蒸着し、その後、レジストを剥離
するリフトオフ法によって行っても良い。
金属を全面に蒸着し、これをフォトリソグラフィーによ
ってパターニングしても良いし、パターニングしたフォ
トレジスト上に金属を蒸着し、その後、レジストを剥離
するリフトオフ法によって行っても良い。
次に第３図に示すように、上記の透光性基板10を真空
中で熱処理（アニール）して、前記金属層12の金属を絶
縁性金属酸化物膜11の中に拡散させて、透明電極13を形
成する。
中で熱処理（アニール）して、前記金属層12の金属を絶
縁性金属酸化物膜11の中に拡散させて、透明電極13を形
成する。
次に、第４図に示すように、絶縁性金属酸化物膜11と
透明電極13とより成る透明電極層14の上に、第１絶縁膜
15、発光層16、第２絶縁膜17及び背面金属電極18を、こ
の順序に形成して薄膜EL素子を製造する。
透明電極13とより成る透明電極層14の上に、第１絶縁膜
15、発光層16、第２絶縁膜17及び背面金属電極18を、こ
の順序に形成して薄膜EL素子を製造する。
上記透明電極13の形成において、金属酸化物であるZn
Oはバンドキャップが約3.2eVで比抵抗が108〜1011Ωcm
の絶縁体であるが、これにAlをドープ（添加）すると比
抵抗は〜10-4Ωcmに下がり、ITOと同程度の透明導伝体
になることが知られている。
Oはバンドキャップが約3.2eVで比抵抗が108〜1011Ωcm
の絶縁体であるが、これにAlをドープ（添加）すると比
抵抗は〜10-4Ωcmに下がり、ITOと同程度の透明導伝体
になることが知られている。
したがって、上記した薄膜EL素子の製造工程によっ
て、透明電極13の部分のみが電導性を保ち、他の部分は
絶縁体である平坦（フラット）な透明電極層14ができ
る。
て、透明電極13の部分のみが電導性を保ち、他の部分は
絶縁体である平坦（フラット）な透明電極層14ができ
る。
このために、従来の透明電極２のエッジ部７のような
電界が集中する部分がなくなって、絶縁破壊による表示
不能部分がなくなる。
電界が集中する部分がなくなって、絶縁破壊による表示
不能部分がなくなる。
実施例１ 50×50mm2のガラス基板上にZnOをrfマグネトロンスパ
ッタ法で2000Å成膜し（この時のガラス基板温度は500
℃）、その上に幅1mm、長さ50mmの長方形の穴が1.8mm間
隔で16本穿いているメタルマスクを用い、電子ビーム蒸
着法でAlを100Å程度蒸着した。
ッタ法で2000Å成膜し（この時のガラス基板温度は500
℃）、その上に幅1mm、長さ50mmの長方形の穴が1.8mm間
隔で16本穿いているメタルマスクを用い、電子ビーム蒸
着法でAlを100Å程度蒸着した。
次に、これに500℃、30分の真空中での熱処理を行っ
た。
た。
この上にrfマグネトロンスパッタ法で第１絶縁膜とし
てTa2O5を5000Å、次に発光層としてZns:Mn（Mnは0.5at
％）を6000Å形成した。
てTa2O5を5000Å、次に発光層としてZns:Mn（Mnは0.5at
％）を6000Å形成した。
第２絶縁膜は第１絶縁膜と同様であり、最後に金属背
面電極としてAlを、幅1mm、長さ50mmの長方形の穴が1.8
mm間隔で16本穿いているメタルマスクを用い、このメタ
ルマスクを上記したAl蒸着の場合のメタルマスクとは直
交する位置にして、電子ビーム蒸着法で3000Å形成し
た。
面電極としてAlを、幅1mm、長さ50mmの長方形の穴が1.8
mm間隔で16本穿いているメタルマスクを用い、このメタ
ルマスクを上記したAl蒸着の場合のメタルマスクとは直
交する位置にして、電子ビーム蒸着法で3000Å形成し
た。
以上詳述したように、本発明に係る薄膜EL素子は、二
重絶縁構造を有してマトリクス駆動させる薄膜EL素子に
おいて、絶縁性の透光性基板に絶縁性金属酸化物膜を形
成し、この膜面に選択的に金属層を形成し、これら金属
層を絶縁性金属酸化物膜中に拡散させて、透明電極を、
透明で平坦な絶縁膜中に形成するようにしたことを特徴
とするものである。
重絶縁構造を有してマトリクス駆動させる薄膜EL素子に
おいて、絶縁性の透光性基板に絶縁性金属酸化物膜を形
成し、この膜面に選択的に金属層を形成し、これら金属
層を絶縁性金属酸化物膜中に拡散させて、透明電極を、
透明で平坦な絶縁膜中に形成するようにしたことを特徴
とするものである。
したがって、透明電極が透明で平坦な絶縁膜中に形成
されると共に、この透明電極が絶縁性金属酸化物膜中に
拡散された状態で形成されているので、従来の透明電極
のエッジ部のような電界が集中する部分がなくなって、
絶縁破壊による表示不能部分の発生がなくなる。
されると共に、この透明電極が絶縁性金属酸化物膜中に
拡散された状態で形成されているので、従来の透明電極
のエッジ部のような電界が集中する部分がなくなって、
絶縁破壊による表示不能部分の発生がなくなる。
また、本発明に係る薄膜EL素子の製造方法は、二重絶
縁構造を有してマトリクス駆動させる薄膜EL素子の製造
方法において、絶縁性の透光性基板に絶縁性金属酸化物
膜を形成し、この膜面に選択的に金属層を形成し、これ
ら金属層を絶縁性金属酸化物膜中に拡散させて透明電極
を形成するようにしたことを特徴とするものである。
縁構造を有してマトリクス駆動させる薄膜EL素子の製造
方法において、絶縁性の透光性基板に絶縁性金属酸化物
膜を形成し、この膜面に選択的に金属層を形成し、これ
ら金属層を絶縁性金属酸化物膜中に拡散させて透明電極
を形成するようにしたことを特徴とするものである。
したがって、透明電極を、絶縁性金属酸化物膜中に形
成し、且つ他の部分は絶縁体である平坦な透明電極層を
形成することができる。
成し、且つ他の部分は絶縁体である平坦な透明電極層を
形成することができる。
第１図は絶縁性金属酸化物膜形成の説明図、第２図は金
属層の選択形成の説明図、第３図は金属の拡散の説明
図、第４図は本発明に係る薄膜EL素子の断面図、第５図
は従来の薄膜EL素子の断面図である。 10は透光性基板、11は絶縁性金属酸化物膜、12は金属
層、13は透明電極、14は透明電極層、15は第１絶縁膜、
16は発光層、17は第２絶縁膜、18は背面金属電極。
属層の選択形成の説明図、第３図は金属の拡散の説明
図、第４図は本発明に係る薄膜EL素子の断面図、第５図
は従来の薄膜EL素子の断面図である。 10は透光性基板、11は絶縁性金属酸化物膜、12は金属
層、13は透明電極、14は透明電極層、15は第１絶縁膜、
16は発光層、17は第２絶縁膜、18は背面金属電極。
Claims (4)
- 【請求項１】二重絶縁構造を有してマトリクス駆動させ
る薄膜EL素子において、絶縁性の透光性基板に絶縁性金
属酸化物膜を形成し、この膜面に選択的に金属層を形成
し、これら金属層を絶縁性金属酸化物膜中に拡散させ
て、透明電極を、透明で平坦な絶縁膜中に形成したこと
を特徴とする薄膜EL素子。 - 【請求項２】二重絶縁構造を有してマトリクス駆動させ
る薄膜EL素子の構造方法において、絶縁性の透光性基板
に絶縁性金属酸化物膜を形成し、この膜面に選択的に金
属層を形成し、これら金属層を絶縁性金属酸化物膜中に
拡散させて透明電極を形成するようにしたことを特徴と
する薄膜EL素子の製造方法。 - 【請求項３】絶縁性金属酸化物膜がZnOであることを特
徴とする請求項（２）記載の薄膜EL素子の製造方法。 - 【請求項４】金属層がAlであることを特徴とする請求項
（２）記載の薄膜EL素子の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63316300A JP2764591B2 (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | 薄膜ｅｌ素子とその製造方法 |
| EP19900900991 EP0450077A4 (en) | 1988-12-16 | 1989-12-15 | Thin-film electroluminescent element and method of manufacturing the same |
| KR1019900701718A KR910700596A (ko) | 1988-12-16 | 1989-12-15 | 박막 el소자와 그 제조방법 |
| PCT/JP1989/001266 WO1990007254A1 (en) | 1988-12-16 | 1989-12-15 | Thin-film electroluminescent element and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63316300A JP2764591B2 (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | 薄膜ｅｌ素子とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02162684A JPH02162684A (ja) | 1990-06-22 |
| JP2764591B2 true JP2764591B2 (ja) | 1998-06-11 |
Family
ID=18075587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63316300A Expired - Lifetime JP2764591B2 (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | 薄膜ｅｌ素子とその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0450077A4 (ja) |
| JP (1) | JP2764591B2 (ja) |
| KR (1) | KR910700596A (ja) |
| WO (1) | WO1990007254A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6208074B1 (en) * | 1996-04-03 | 2001-03-27 | Dpr-Ecublens | Double-sided electroluminescent device |
| CN1802879A (zh) * | 2003-07-07 | 2006-07-12 | 先锋株式会社 | 有机电致发光显示板及其制造方法 |
| KR100857472B1 (ko) * | 2007-05-29 | 2008-09-08 | 한국전자통신연구원 | 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IL38468A (en) * | 1971-02-02 | 1974-11-29 | Hughes Aircraft Co | Electrical resistance device and its production |
| DE3138960A1 (de) * | 1981-09-30 | 1983-04-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur erzeugung elektrisch leitender schichten |
| JPS58102975A (ja) * | 1981-12-16 | 1983-06-18 | 富士通株式会社 | 表示パネル用電極基板の製造方法 |
| JPS61131396A (ja) * | 1984-11-29 | 1986-06-19 | ホ−ヤ株式会社 | 電極用基板の製造方法 |
| JPS61151996A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-10 | 株式会社日立製作所 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法 |
| JPS61146894U (ja) * | 1985-03-04 | 1986-09-10 | ||
| JPS6353892A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-08 | クラリオン株式会社 | 電場発光素子 |
-
1988
- 1988-12-16 JP JP63316300A patent/JP2764591B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-12-15 WO PCT/JP1989/001266 patent/WO1990007254A1/ja not_active Application Discontinuation
- 1989-12-15 KR KR1019900701718A patent/KR910700596A/ko not_active Application Discontinuation
- 1989-12-15 EP EP19900900991 patent/EP0450077A4/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0450077A4 (en) | 1992-01-15 |
| EP0450077A1 (en) | 1991-10-09 |
| KR910700596A (ko) | 1991-03-15 |
| WO1990007254A1 (en) | 1990-06-28 |
| JPH02162684A (ja) | 1990-06-22 |
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