JP2760812B2 - 光再生装置及び光再生方法 - Google Patents
光再生装置及び光再生方法Info
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- G11B7/0079—Zoned data area, e.g. having different data structures or formats for the user data within data layer, Zone Constant Linear Velocity [ZCLV], Zone Constant Angular Velocity [ZCAV], carriers with RAM and ROM areas
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光デイスクフアイルなどの光学的情報記憶装
置に関するものである。
置に関するものである。
光デイスクを利用した情報システムはコンパクトデイ
スク（CD），ビデオデイスク、およびCD−ROM,CDVなど
の再生専用型と、ユーザが必要に応じて情報の書きこみ
ができる記録再生型光デイスクフアイルシステムが実用
化されている。
スク（CD），ビデオデイスク、およびCD−ROM,CDVなど
の再生専用型と、ユーザが必要に応じて情報の書きこみ
ができる記録再生型光デイスクフアイルシステムが実用
化されている。
従来、このような光デイスクの利用法としてはCD,ビ
デオデイスク,CD−ORMなどの再生専用型光デイスクでは
比較的安価に大量生産されたレプリカデイスクを介して
供給される情報をユーザは再生のみを行なつて利用す
る、いわゆるROM（Read Only Memory）的な利用法と、
一方、光デイスクフアイルのように、ユーザが何も情報
の書かれていない光デイスク盤を購入し、そこに比較的
大量の任意の情報を記録し、必要に応じて再生や追加書
きこみ、書きかえを行なう、いわゆるRAM（Randam Aoce
ss Memory）的な利用法の２つの利用法がほとんどであ
つた。
デオデイスク,CD−ORMなどの再生専用型光デイスクでは
比較的安価に大量生産されたレプリカデイスクを介して
供給される情報をユーザは再生のみを行なつて利用す
る、いわゆるROM（Read Only Memory）的な利用法と、
一方、光デイスクフアイルのように、ユーザが何も情報
の書かれていない光デイスク盤を購入し、そこに比較的
大量の任意の情報を記録し、必要に応じて再生や追加書
きこみ、書きかえを行なう、いわゆるRAM（Randam Aoce
ss Memory）的な利用法の２つの利用法がほとんどであ
つた。
しかし、今後の情報化社会では、特に、個人的な光デ
イスクの利用法として、ROM的利用法とRAM的利用法を組
合わせた利用法が重要になると考えられる。ROM/RAM併
用の利用法とは、CDのように多重に作製されて供給され
る情報を個人的に加工（書きこみ、抜き出しなど）を行
なつてパーソナライズ（personalize）して利用すると
ともに、その個人的な加工後の情報も同一の記憶媒体
（デイスク）に書きこむことによつて１つの個人的な情
報作品とする利用法である。
イスクの利用法として、ROM的利用法とRAM的利用法を組
合わせた利用法が重要になると考えられる。ROM/RAM併
用の利用法とは、CDのように多重に作製されて供給され
る情報を個人的に加工（書きこみ、抜き出しなど）を行
なつてパーソナライズ（personalize）して利用すると
ともに、その個人的な加工後の情報も同一の記憶媒体
（デイスク）に書きこむことによつて１つの個人的な情
報作品とする利用法である。
より具体的には、例えば、英和辞書などの語学辞書が
ROM情報として、収録されたデイスクを供給し、ユーザ
は、そのデイスクを再生して、自分の必要な単語のみを
抜き出して、個人的な単語帳を作成する。その単語帳も
同一のデイスク上に書きこむことにより、単語帳つき英
和辞典として利用するなどの利用法が考えられる。
ROM情報として、収録されたデイスクを供給し、ユーザ
は、そのデイスクを再生して、自分の必要な単語のみを
抜き出して、個人的な単語帳を作成する。その単語帳も
同一のデイスク上に書きこむことにより、単語帳つき英
和辞典として利用するなどの利用法が考えられる。
このような利用法を行なうための方式として、従来、
第２図に示すように光デイスク１を半径で領域Ａと領域
Ｂに分け、例えばＡの領域に供給されるROM情報が凹凸
ピツト（位相構造）で記録されているROM領域、そして
領域Ｂをユーザの書きこみ領域とする方法および、面上
に上記のような領域A,Bを複数設ける方法が知られてい
る（日経エレクトロニクス1988.3.21（no.443）（pp88
−89）），特開昭61−280048。また、他にも片面をROM
領域、もう片面をRAM領域とするデイスクも考案されて
いる。
第２図に示すように光デイスク１を半径で領域Ａと領域
Ｂに分け、例えばＡの領域に供給されるROM情報が凹凸
ピツト（位相構造）で記録されているROM領域、そして
領域Ｂをユーザの書きこみ領域とする方法および、面上
に上記のような領域A,Bを複数設ける方法が知られてい
る（日経エレクトロニクス1988.3.21（no.443）（pp88
−89）），特開昭61−280048。また、他にも片面をROM
領域、もう片面をRAM領域とするデイスクも考案されて
いる。
これらの方式は供給されるROM情報とユーザが書きこ
むRAM情報を同一の媒体上に置くことができるため、単
一のデイスクドライブ装置でROM情報の再生とRAM情報の
記録再生ができ、前述のROM/RAM併用の利用に適してい
る。しかし、ROM/RAM併用利用においては、RAM領域にユ
ーザが記録する情報はROM領域のいずれかの情報と対応
や関連があることが多く、ROM領域とRAM領域が第２図の
ように空間的に離れていると利用法によつては光ヘツド
が双方の領域間を頻繁に往復する場合が生じ、その移動
時間が無視できないことが考えられる。また、別の用途
においては、ROM領域の情報とRAM領域の情報を時間的に
同期させて同時に再生したい場合も考えられる。この場
合にも２つの領域が空間的に離れていると、２つの光学
ヘツドが必要となり、また２つの光学ヘツド間の同期化
も複雑化することが予想される。さらに、とくに個人的
（プライベート）な利用を考えると、より小さなデイス
クに大量の記憶容量がある方が望ましい。
むRAM情報を同一の媒体上に置くことができるため、単
一のデイスクドライブ装置でROM情報の再生とRAM情報の
記録再生ができ、前述のROM/RAM併用の利用に適してい
る。しかし、ROM/RAM併用利用においては、RAM領域にユ
ーザが記録する情報はROM領域のいずれかの情報と対応
や関連があることが多く、ROM領域とRAM領域が第２図の
ように空間的に離れていると利用法によつては光ヘツド
が双方の領域間を頻繁に往復する場合が生じ、その移動
時間が無視できないことが考えられる。また、別の用途
においては、ROM領域の情報とRAM領域の情報を時間的に
同期させて同時に再生したい場合も考えられる。この場
合にも２つの領域が空間的に離れていると、２つの光学
ヘツドが必要となり、また２つの光学ヘツド間の同期化
も複雑化することが予想される。さらに、とくに個人的
（プライベート）な利用を考えると、より小さなデイス
クに大量の記憶容量がある方が望ましい。
本発明の目的は以上の様な必要性にかんがみ、供給さ
れるROM情報とユーザが書きこむRAM情報を空間的に同一
の領域に多重して記憶させることにより、同一の領域を
最大２倍程度の記憶容量として使用でき、更に１スポツ
トでROM情報とRAM情報を同時に再生することのできる光
デイスクフアイルシステムを供給することにある。
れるROM情報とユーザが書きこむRAM情報を空間的に同一
の領域に多重して記憶させることにより、同一の領域を
最大２倍程度の記憶容量として使用でき、更に１スポツ
トでROM情報とRAM情報を同時に再生することのできる光
デイスクフアイルシステムを供給することにある。
上記目的は、ROM領域上に多重されるユーザのRAM情報
の信号再生メカニズムをROM情報の信号再生メカニズム
と異なる方式とすることにより可能となる。
の信号再生メカニズムをROM情報の信号再生メカニズム
と異なる方式とすることにより可能となる。
具体的には、例えば、コンパクトデイスクやビデオデ
イスクなどと同様に1/4波長深さの凹凸ピツトでROM信号
が形成されている光透過性のあるデイスク基板の反射膜
兼記録膜を光磁気デイスク用の光磁気記録膜とする。こ
のような構造のデイスクを用いて、ユーザが記録するRA
M情報は光磁気記録で上記記録膜上に書きこむ。
イスクなどと同様に1/4波長深さの凹凸ピツトでROM信号
が形成されている光透過性のあるデイスク基板の反射膜
兼記録膜を光磁気デイスク用の光磁気記録膜とする。こ
のような構造のデイスクを用いて、ユーザが記録するRA
M情報は光磁気記録で上記記録膜上に書きこむ。
再生はROM情報についてはCDプレーヤなどと同様に反
射総光量の変化として再生し、一方、RAM情報は、一般
に光磁気デイスクの信号再生と同様に、カー効果による
光磁気記録膜面からの反射光の偏光面のカー回転角を検
出することにより、１スポツトで同時に行なうのであ
る。
射総光量の変化として再生し、一方、RAM情報は、一般
に光磁気デイスクの信号再生と同様に、カー効果による
光磁気記録膜面からの反射光の偏光面のカー回転角を検
出することにより、１スポツトで同時に行なうのであ
る。
この方式においてROM再生信号とRAM再生信号の再生メ
カニズムは異なるものであり、基本的には両者は独立の
ものであるから、同一領域にROM情報とRAM情報を多重さ
せ、これらを同時に再生することが可能となるのであ
る。
カニズムは異なるものであり、基本的には両者は独立の
ものであるから、同一領域にROM情報とRAM情報を多重さ
せ、これらを同時に再生することが可能となるのであ
る。
また、本方式においては、ユーザが書きこむRAM情報
は光磁気記録であるため、何度でも記録消去可能であ
り、またROM情報は、通常の使用において破壊される心
配がないという特徴も有するため、ユーザはデイスク上
で自由に書きこみデータの更新ができるという自由度が
ある。
は光磁気記録であるため、何度でも記録消去可能であ
り、またROM情報は、通常の使用において破壊される心
配がないという特徴も有するため、ユーザはデイスク上
で自由に書きこみデータの更新ができるという自由度が
ある。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。本
実施例はROM情報はデイスク基板上に1/4波長深さによる
位相構造ピツトとして形成されており、ユーザが個々に
追記するRAM情報は上記デイスク基盤上に蒸着される光
磁気記録膜上に記録するものである。
実施例はROM情報はデイスク基板上に1/4波長深さによる
位相構造ピツトとして形成されており、ユーザが個々に
追記するRAM情報は上記デイスク基盤上に蒸着される光
磁気記録膜上に記録するものである。
第１図（ａ）は本実施例で用いるデイスクの全体図を
示すもので符号Ｃで示される情報エリア全面をROM情報
とユーザのRAM情報が多重して書かれるエリアとしてい
る。ROM情報は予め位相構造ピツト列として書かれ、こ
れらのピツト列が情報トラツク２を形成している。トラ
ツク間隔は例えば1.6μｍ程度である。第１図（ｂ）は
第１図（ａ）のデイスク１のトラツクに沿つた方向の断
面構造を示す図である。デイスクは透明なプラスチツク
またはガラスからなる基板３とカー効果を有する光磁気
記録膜４で構成される。ROM情報はピツト列５として、
ピツトの長さ、ピツト間隔などに情報が変調されて基板
上に凹凸ピツトとして予め記録されている。なお、この
凹凸ピツトは放射成形法（インジエクシヨンや2P（Phot
o Polymer）法、およびガラスエツジング法などで作成
する。情報記録再生のための光は第１図（ｂ）の上方か
ら入射し、透明な基板層３を透過し、基板３と記録膜４
の境界面６に直径1.6μｍ程度の微小な光スポツトを形
成する。入射光は記録膜４で反射するがその際、ピツト
の有無によつて生じる往復2dの光路差により入射光と反
射光が干渉して反射光量が変化する。したがつて反射光
量の変化をピツトの有無、すなわちROM情報に対応させ
る。ピツト深さｄは再生光源の波長の1/4波長に相当す
る光学的光路長が信号再生上最良であり、再生波長を80
0nm、デイスク基板３の屈折率を1.5とすると約130nm程
度である。
示すもので符号Ｃで示される情報エリア全面をROM情報
とユーザのRAM情報が多重して書かれるエリアとしてい
る。ROM情報は予め位相構造ピツト列として書かれ、こ
れらのピツト列が情報トラツク２を形成している。トラ
ツク間隔は例えば1.6μｍ程度である。第１図（ｂ）は
第１図（ａ）のデイスク１のトラツクに沿つた方向の断
面構造を示す図である。デイスクは透明なプラスチツク
またはガラスからなる基板３とカー効果を有する光磁気
記録膜４で構成される。ROM情報はピツト列５として、
ピツトの長さ、ピツト間隔などに情報が変調されて基板
上に凹凸ピツトとして予め記録されている。なお、この
凹凸ピツトは放射成形法（インジエクシヨンや2P（Phot
o Polymer）法、およびガラスエツジング法などで作成
する。情報記録再生のための光は第１図（ｂ）の上方か
ら入射し、透明な基板層３を透過し、基板３と記録膜４
の境界面６に直径1.6μｍ程度の微小な光スポツトを形
成する。入射光は記録膜４で反射するがその際、ピツト
の有無によつて生じる往復2dの光路差により入射光と反
射光が干渉して反射光量が変化する。したがつて反射光
量の変化をピツトの有無、すなわちROM情報に対応させ
る。ピツト深さｄは再生光源の波長の1/4波長に相当す
る光学的光路長が信号再生上最良であり、再生波長を80
0nm、デイスク基板３の屈折率を1.5とすると約130nm程
度である。
一方、光磁気記録膜４はFe,Tb,Coなどの元素からなる
膜であり、入射光が形成する光スポツトによつて一定以
上の温度（キユリー温度（100〜200℃程度））以上まで
温度が上昇すると内部の磁界（保磁力）が消失する。こ
のとき、外部から膜面に対して垂直の向きに磁界を与え
ながら冷却すると、膜面内にその磁界の向きが保持され
る。したがつて光スポツトによつて膜面の温度を上げな
がら情報に対応させて外部磁界の方向（上向き／下向
き）を変化させることにより、光磁気記録膜内に情報を
記録できる。これが磁界変調型光磁気記録とよばれる方
式である。光磁気記録信号の再生は光磁気記録膜のもつ
カー効果を用いて行なわれる。カー効果とは前述のよう
に情報に対応したの磁界を保持した光磁気記録膜上に、
記録膜の温度上昇を招かない程度の弱い強度の直線偏光
光を当てると、その反射光の偏光面がわずかに回転する
現象であり、記録膜が保持している磁界の向きが逆向き
ならば、偏光面の回転方向も逆向きとなる。したがつて
光磁気記録膜上の情報は反射光の偏光面の回転を検出す
ることにより再生できる。偏光面の回転検出は後述する
光学系を用いて行なうことができる。以上がユーザが記
録するRAM情報の記録再生原理の概要である。
膜であり、入射光が形成する光スポツトによつて一定以
上の温度（キユリー温度（100〜200℃程度））以上まで
温度が上昇すると内部の磁界（保磁力）が消失する。こ
のとき、外部から膜面に対して垂直の向きに磁界を与え
ながら冷却すると、膜面内にその磁界の向きが保持され
る。したがつて光スポツトによつて膜面の温度を上げな
がら情報に対応させて外部磁界の方向（上向き／下向
き）を変化させることにより、光磁気記録膜内に情報を
記録できる。これが磁界変調型光磁気記録とよばれる方
式である。光磁気記録信号の再生は光磁気記録膜のもつ
カー効果を用いて行なわれる。カー効果とは前述のよう
に情報に対応したの磁界を保持した光磁気記録膜上に、
記録膜の温度上昇を招かない程度の弱い強度の直線偏光
光を当てると、その反射光の偏光面がわずかに回転する
現象であり、記録膜が保持している磁界の向きが逆向き
ならば、偏光面の回転方向も逆向きとなる。したがつて
光磁気記録膜上の情報は反射光の偏光面の回転を検出す
ることにより再生できる。偏光面の回転検出は後述する
光学系を用いて行なうことができる。以上がユーザが記
録するRAM情報の記録再生原理の概要である。
上述のようにROM情報は反射光の強度変化、RAM情報は
デイスクからの反射光の偏光面の回転に情報が含まれる
が、２つの情報は基本的には独立である。また光磁気記
録によるRAM情報は消去、書きかえが可能である。以上
の性質を生かしてROM情報とRAM情報をデイスクの同一エ
リアに重ねて記録再生するのが、本発明本実施例の概要
である。
デイスクからの反射光の偏光面の回転に情報が含まれる
が、２つの情報は基本的には独立である。また光磁気記
録によるRAM情報は消去、書きかえが可能である。以上
の性質を生かしてROM情報とRAM情報をデイスクの同一エ
リアに重ねて記録再生するのが、本発明本実施例の概要
である。
第３図（ａ）は本実施例の記録再生装置を示す図であ
る。装置は半導体レーザ13,レンズ14,16,20,偏光プリズ
ム15,19,1/2波長板18,光検出器21,加算増幅器22,差動増
幅器23,半導体レーザ駆動回路24,磁気ヘツド変調回路2
5,磁気ヘツド26,モータ12、などからなる磁界変調方式
光デイスク記録再生系と前述のROM/RAM多重光デイスク1
1などから構成される。
る。装置は半導体レーザ13,レンズ14,16,20,偏光プリズ
ム15,19,1/2波長板18,光検出器21,加算増幅器22,差動増
幅器23,半導体レーザ駆動回路24,磁気ヘツド変調回路2
5,磁気ヘツド26,モータ12、などからなる磁界変調方式
光デイスク記録再生系と前述のROM/RAM多重光デイスク1
1などから構成される。
第３図（ａ）の装置を用いてRAMデータの記録を行な
う際の動作を第３図（ｂ）のタイミングチヤートを用い
て説明する。デイスク面11にはROM情報として第３図
（ｂ）最上段に示すような位相構造ピツト列が予め形成
されているものとする。半導体レーザ13から射出された
レーザ光（紙面に対して平行に直線偏光しているものと
する）はレンズ14によつてコリメートされ偏光プリズム
15を経てレンズ16によつてデイスク11の光磁気記録膜上
に光スポツト17を形成する。RAM情報（MO信号）を記録
する際には、光スポツトが照射された光磁気記録膜の領
域（ドメイン）の磁性が消失する温度（キユリー温度）
以上となるような駆動電流（直流）S24を半導体レーザ
駆動回路24により与える。同時にユーザが書きこむべき
RAM情報は磁気ヘツド変調回路25によりS25（第３図
（ｂ））のような電流波形に変調され磁気ヘツド26を駆
動する。磁気ヘツド26が極性が交互にいれかわる変調電
流S25で駆動されると変調に同期してデイスク11に対し
て垂直で方向の交互に反転する磁界が得られる。記録膜
面上に印加される磁界が当たる領域の広さが、光スポツ
ト17よりも十分に大きければ、光スポツトの照射されて
一旦キユリー温度以上まで温度上昇した領域はデイスク
11の回転に伴なつて移動して温度がキユリー温度以下ま
で下がる際、磁気ヘツドによつて印加されている磁界の
方向が保持され、光磁気信号ドメイン６が第３図（ｂ）
のように形成される。なお、この時半導体レーザは直流
駆動されているので、光磁気記録膜上に位相構造ピツト
列５として形成されているROM情報は、デイスクからの
反射光量S22の変化として検出することができる。具体
的にはデイスクからの反射光は再度レンズ16を通過した
後、約25％が反射し、1/2波長板を経て偏光プリズム19
で２方向に分離された後、２つのレンズ20によつて収束
されて２つの光検出器21で光電変換され、電気信号S21
a,S21bとなる。ここでROM情報信号はS21aとS21bの和信
号S22を加算増幅器22で得たものとする。したがつてROM
情報信号の再生とRAM情報信号の記録を１スポツトで同
時に行なうことができる。
う際の動作を第３図（ｂ）のタイミングチヤートを用い
て説明する。デイスク面11にはROM情報として第３図
（ｂ）最上段に示すような位相構造ピツト列が予め形成
されているものとする。半導体レーザ13から射出された
レーザ光（紙面に対して平行に直線偏光しているものと
する）はレンズ14によつてコリメートされ偏光プリズム
15を経てレンズ16によつてデイスク11の光磁気記録膜上
に光スポツト17を形成する。RAM情報（MO信号）を記録
する際には、光スポツトが照射された光磁気記録膜の領
域（ドメイン）の磁性が消失する温度（キユリー温度）
以上となるような駆動電流（直流）S24を半導体レーザ
駆動回路24により与える。同時にユーザが書きこむべき
RAM情報は磁気ヘツド変調回路25によりS25（第３図
（ｂ））のような電流波形に変調され磁気ヘツド26を駆
動する。磁気ヘツド26が極性が交互にいれかわる変調電
流S25で駆動されると変調に同期してデイスク11に対し
て垂直で方向の交互に反転する磁界が得られる。記録膜
面上に印加される磁界が当たる領域の広さが、光スポツ
ト17よりも十分に大きければ、光スポツトの照射されて
一旦キユリー温度以上まで温度上昇した領域はデイスク
11の回転に伴なつて移動して温度がキユリー温度以下ま
で下がる際、磁気ヘツドによつて印加されている磁界の
方向が保持され、光磁気信号ドメイン６が第３図（ｂ）
のように形成される。なお、この時半導体レーザは直流
駆動されているので、光磁気記録膜上に位相構造ピツト
列５として形成されているROM情報は、デイスクからの
反射光量S22の変化として検出することができる。具体
的にはデイスクからの反射光は再度レンズ16を通過した
後、約25％が反射し、1/2波長板を経て偏光プリズム19
で２方向に分離された後、２つのレンズ20によつて収束
されて２つの光検出器21で光電変換され、電気信号S21
a,S21bとなる。ここでROM情報信号はS21aとS21bの和信
号S22を加算増幅器22で得たものとする。したがつてROM
情報信号の再生とRAM情報信号の記録を１スポツトで同
時に行なうことができる。
次にROM情報とRAM情報の同時再生について第３図
（ａ）と第３図（ｃ）を用いて説明する。第３図（ｃ）
の上方に描かれた２本のピツト列は前述のRAM情報の記
録過程で記録された光磁気信号ドメイン６と予め位相構
造で形成されているピツト列５を示す。位置的にはピツ
ト列５と光磁気信号ドメイン６は同一場所に重なつてい
る。ROM情報の再生原理は第３図（ｂ）と同じであるが
違いはレーザ駆動電流S24を第３図（ｂ）の場合より低
くし、記録膜の温度がキユリー温度以上上がらないよう
にする。したがつてROM再生信号としてはS22のように信
号が得られる。一方、RAM情報は一般の光磁気デイスク
の方法で得られる。第３図（ｃ）の斜線を施した光磁気
信号ドメインとその周辺領域では記録膜の保持している
磁界方向が互いに反射であるが、このトラツク27上に直
線偏光したスポツト17が照射され、記録膜上で反射する
と、カー効果とよばれる現象によつて偏光面がわずかに
回転する。半導体レーザ13から射出される光の偏光面が
紙面に対して平行であるとすると、デイスクからの反射
光の偏光面はわずか（一般に１゜以下）に回転するた
め、紙面に対して垂直な偏光成分を有することになる。
このＳ偏光成分の変化がRAM情報に対応する。偏光プリ
ズム15は紙面に対して垂直な偏光成分（Ｓ偏光成分：情
報成分）はほぼ100％反射させ、平行な成分（Ｐ偏光成
分：非情報成分）は70％程度透過する特性のものを用い
ると、偏光プリズム15により、1/2波長板18の方向へ導
かれるＳ偏光成分（情報成分）の割合がデイスク反射時
よりも大きくなる。偏光プリズム15からの光束の偏光面
を1/2波長板18によつて45゜回転させ偏光プリズム19に
よつて２つの光束に分離させ、２つの光検出器21へ導
く。このとき、偏光プリズム19はＳ偏光成分は約100％
反射、Ｐ成分は約100％透過する特性のものを用いるこ
とにより、光量のDC成分は２つの光束とも等しく、かつ
RAM情報成分であるAC成分は２つの検出器で互いに逆位
相としてあらわれる。したがつて２つの光検出器の差動
信号を差動増幅器23で得ることにより、第３図（ｃ）の
S23のように光磁気信号ドメイン６に対応する光磁気信
号が得られる。これがRAM情報に対応する信号である。
（ａ）と第３図（ｃ）を用いて説明する。第３図（ｃ）
の上方に描かれた２本のピツト列は前述のRAM情報の記
録過程で記録された光磁気信号ドメイン６と予め位相構
造で形成されているピツト列５を示す。位置的にはピツ
ト列５と光磁気信号ドメイン６は同一場所に重なつてい
る。ROM情報の再生原理は第３図（ｂ）と同じであるが
違いはレーザ駆動電流S24を第３図（ｂ）の場合より低
くし、記録膜の温度がキユリー温度以上上がらないよう
にする。したがつてROM再生信号としてはS22のように信
号が得られる。一方、RAM情報は一般の光磁気デイスク
の方法で得られる。第３図（ｃ）の斜線を施した光磁気
信号ドメインとその周辺領域では記録膜の保持している
磁界方向が互いに反射であるが、このトラツク27上に直
線偏光したスポツト17が照射され、記録膜上で反射する
と、カー効果とよばれる現象によつて偏光面がわずかに
回転する。半導体レーザ13から射出される光の偏光面が
紙面に対して平行であるとすると、デイスクからの反射
光の偏光面はわずか（一般に１゜以下）に回転するた
め、紙面に対して垂直な偏光成分を有することになる。
このＳ偏光成分の変化がRAM情報に対応する。偏光プリ
ズム15は紙面に対して垂直な偏光成分（Ｓ偏光成分：情
報成分）はほぼ100％反射させ、平行な成分（Ｐ偏光成
分：非情報成分）は70％程度透過する特性のものを用い
ると、偏光プリズム15により、1/2波長板18の方向へ導
かれるＳ偏光成分（情報成分）の割合がデイスク反射時
よりも大きくなる。偏光プリズム15からの光束の偏光面
を1/2波長板18によつて45゜回転させ偏光プリズム19に
よつて２つの光束に分離させ、２つの光検出器21へ導
く。このとき、偏光プリズム19はＳ偏光成分は約100％
反射、Ｐ成分は約100％透過する特性のものを用いるこ
とにより、光量のDC成分は２つの光束とも等しく、かつ
RAM情報成分であるAC成分は２つの検出器で互いに逆位
相としてあらわれる。したがつて２つの光検出器の差動
信号を差動増幅器23で得ることにより、第３図（ｃ）の
S23のように光磁気信号ドメイン６に対応する光磁気信
号が得られる。これがRAM情報に対応する信号である。
したがつてROM再生信号S22とRAM再生信号S23が同時に
得られることになる。
得られることになる。
なお、実際に光磁気信号ドメイン６に対応する信号波
形は第３図（ｃ）のS23とともに描いた破線の波形であ
るが、実際に得られる差動増幅器23の出力信号S23はデ
イスクからの反射総光量、すなわちROM信号S22によつて
振幅変調的な干渉を受けるため実線で示すような波形と
なる。信号の変調方式によつてはS23のような振幅変調
的干渉を受けた波形でも復調可能な場合もある。しか
し、多重されるRAM情報が高密度となる場合は、光磁気
信号S23の干渉の影響は除去するのが望ましい。第３図
（ａ）の遅延素子27とAGCアンプ28はこの目的のために
設けられたものである。AGCアンプ28は総光量信号S22を
制御信号として、利得が変化する電圧制御増幅器であ
り、利得は信号S22の電圧に対して逆比例的な特性を有
するものとする。一方、遅延素子27はAGCアンプ28の利
得が制御信号S22に追従するまでの応答時間τだけ、光
磁気信号S23を遅延させるために用いる。このようなAGC
アンプ28を用いることにより、RAM情報に対応する光磁
気信号はROM再生信号S22の干渉の影響は除去され、第３
図（ｃ）の最下段に示すS28のように光磁気ドメイン６
に対応した正しい信号が得られることになる。
形は第３図（ｃ）のS23とともに描いた破線の波形であ
るが、実際に得られる差動増幅器23の出力信号S23はデ
イスクからの反射総光量、すなわちROM信号S22によつて
振幅変調的な干渉を受けるため実線で示すような波形と
なる。信号の変調方式によつてはS23のような振幅変調
的干渉を受けた波形でも復調可能な場合もある。しか
し、多重されるRAM情報が高密度となる場合は、光磁気
信号S23の干渉の影響は除去するのが望ましい。第３図
（ａ）の遅延素子27とAGCアンプ28はこの目的のために
設けられたものである。AGCアンプ28は総光量信号S22を
制御信号として、利得が変化する電圧制御増幅器であ
り、利得は信号S22の電圧に対して逆比例的な特性を有
するものとする。一方、遅延素子27はAGCアンプ28の利
得が制御信号S22に追従するまでの応答時間τだけ、光
磁気信号S23を遅延させるために用いる。このようなAGC
アンプ28を用いることにより、RAM情報に対応する光磁
気信号はROM再生信号S22の干渉の影響は除去され、第３
図（ｃ）の最下段に示すS28のように光磁気ドメイン６
に対応した正しい信号が得られることになる。
第８図（ａ）は本実施例で用いるデイスクの情報フオ
ーマツトの例を示すものである。ROM領域に予め書きこ
まれてある情報の目次の相当するROMインデツクス領域3
5をデイスクの内周領域に設け、同一部分の光磁気記録
膜をRAMインデツクス領域36とする。第８図（ｂ）はROM
インデツクス領域とRAMインデツクス領域の概念を説明
する図である。ROMインデツクス35にはROM情報領域に書
きこまれてある情報名とその情報の格納番地等を記録し
ておく。一方、ROMインデツクス領域35と重なるRAMイン
デツクス領域36には光磁気記録で、ROMインデツクスと
同様にRAM情報領域に書きこんだ情報名とその情報の格
納番地を記憶しておくが、その他にROM対応情報も合わ
せて書きこむ。ROM対応情報はRAMエリアに書きこんだ情
報がROMエリアに書いてある情報に関連がある場合、
「どの情報と関係があるのか」、「どのような対応関係
があるのか」、などの情報を記憶しておく。たとえば、
第８図（ｂ）で、RAMインデツクスの３番目の情報名で
ある“kanp"はROMエリアの013F番地の情報（情報名“BA
EG"）と関連があることを示すものである。
ーマツトの例を示すものである。ROM領域に予め書きこ
まれてある情報の目次の相当するROMインデツクス領域3
5をデイスクの内周領域に設け、同一部分の光磁気記録
膜をRAMインデツクス領域36とする。第８図（ｂ）はROM
インデツクス領域とRAMインデツクス領域の概念を説明
する図である。ROMインデツクス35にはROM情報領域に書
きこまれてある情報名とその情報の格納番地等を記録し
ておく。一方、ROMインデツクス領域35と重なるRAMイン
デツクス領域36には光磁気記録で、ROMインデツクスと
同様にRAM情報領域に書きこんだ情報名とその情報の格
納番地を記憶しておくが、その他にROM対応情報も合わ
せて書きこむ。ROM対応情報はRAMエリアに書きこんだ情
報がROMエリアに書いてある情報に関連がある場合、
「どの情報と関係があるのか」、「どのような対応関係
があるのか」、などの情報を記憶しておく。たとえば、
第８図（ｂ）で、RAMインデツクスの３番目の情報名で
ある“kanp"はROMエリアの013F番地の情報（情報名“BA
EG"）と関連があることを示すものである。
このようにROMインデツクス領域とRAMインデツクス領
域を同一位置に重ねて配置することにより、再生装置が
インデツクス領域をアクセスすれば、ROM情報とRAM情報
の内容、およびその相互関係が同時に再生でき、これら
の内容を上位の制御装置の記憶装置に記憶させておけ
ば、ROM情報とRAM情報との対応関係の制御に用いること
ができる。また、このようなインデツクス領域を用いれ
ば、ROM情報とRAM情報が密接に関連している場合でも、
必ずしも関連している情報同志を位置的に重ねて記録す
る必要がなくなり、情報フオーマツトの自由度を上げる
ことができる。
域を同一位置に重ねて配置することにより、再生装置が
インデツクス領域をアクセスすれば、ROM情報とRAM情報
の内容、およびその相互関係が同時に再生でき、これら
の内容を上位の制御装置の記憶装置に記憶させておけ
ば、ROM情報とRAM情報との対応関係の制御に用いること
ができる。また、このようなインデツクス領域を用いれ
ば、ROM情報とRAM情報が密接に関連している場合でも、
必ずしも関連している情報同志を位置的に重ねて記録す
る必要がなくなり、情報フオーマツトの自由度を上げる
ことができる。
第９図はインデツクス領域の別の設け方の例を示す図
である。第９図の例ではROMインデツクス領域35とRAMイ
ンデツクス領域36は情報の多重を行なわず、両者を空間
的にずらせて配置する。したがつて35′で示した部分の
光磁気記録膜および36′で示した部分のROM情報領域に
は情報を書かないようにしておく。なお、インデツクス
領域のフオーマツトは第８図（ｂ）の考え方と同様であ
る。このように２つのインデツクス領域を分離し、非多
重化することにより、再生信号復調系が一系統しかない
場合でも、両者も切り換えてシリアルに再生することに
より、ROM情報の内容とRAM情報の内容と、その対応関係
が把握できる。この場合、２つのインデツクス領域は近
接して配置するのが望ましい。
である。第９図の例ではROMインデツクス領域35とRAMイ
ンデツクス領域36は情報の多重を行なわず、両者を空間
的にずらせて配置する。したがつて35′で示した部分の
光磁気記録膜および36′で示した部分のROM情報領域に
は情報を書かないようにしておく。なお、インデツクス
領域のフオーマツトは第８図（ｂ）の考え方と同様であ
る。このように２つのインデツクス領域を分離し、非多
重化することにより、再生信号復調系が一系統しかない
場合でも、両者も切り換えてシリアルに再生することに
より、ROM情報の内容とRAM情報の内容と、その対応関係
が把握できる。この場合、２つのインデツクス領域は近
接して配置するのが望ましい。
以上が本発明の第１の実施例であるが、本実施例のシ
ステムでは、同一の領域をROM情報とRAM情報の２つの信
号を多重できるために２倍の情報容量として使用できる
ため、とくに小型のデイスクドライブ装置を用いたシス
テムに好適である。また、ROM情報の再生とRAM情報の記
録、およびROM情報とRAM情報の再生が同時にできること
を利用すれば、例えばROM情報に動画の映像情報を予め
収録しておき、ROM情報を再生しながらユーザはRAM情報
として音声をアフレコ的に同一デイスク上に録音するこ
とができる。また、再生はユーザの音声と映像情報を同
時に再生することも可能となる。このように、本実施例
は、映像や音声などのように１つの情報単位が比較的長
く、かつ、ROMとRAMを同時に記録再生する必要が望まれ
る用途に特に好適である。
ステムでは、同一の領域をROM情報とRAM情報の２つの信
号を多重できるために２倍の情報容量として使用できる
ため、とくに小型のデイスクドライブ装置を用いたシス
テムに好適である。また、ROM情報の再生とRAM情報の記
録、およびROM情報とRAM情報の再生が同時にできること
を利用すれば、例えばROM情報に動画の映像情報を予め
収録しておき、ROM情報を再生しながらユーザはRAM情報
として音声をアフレコ的に同一デイスク上に録音するこ
とができる。また、再生はユーザの音声と映像情報を同
時に再生することも可能となる。このように、本実施例
は、映像や音声などのように１つの情報単位が比較的長
く、かつ、ROMとRAMを同時に記録再生する必要が望まれ
る用途に特に好適である。
次に第４図，第５図を用いて本発明の第２の実施例を
説明する。第２の実施例は第４図に示すように、デイス
ク上にユーザ書きこみ専用のRAM領域Ｂと、予めデイス
ク基板上にROM情報が位相構造で書きこまれている領域
Ｃを設ける。そして、このデイスク基板に光磁気記録膜
を蒸着させることにより、領域Ｂはユーザ書きこみ専用
領域として使用し、領域ＣはROM/RAM多重領域として使
用する。このようにROM/RAM多重領域の他にRAM専用領域
Ｂを設けることにより第１の実施例のような使用法に加
えて種々の使用が可能になる。その一例として領域Ｃに
ROM情報に多重書きする情報を同一領域に書かれたROM情
報に対する制御情報（ポインタなど）とする。一般に供
給されるROM情報（たとえば語学辞書）にユーザが書き
こみを行なつて個人化する場合、単にアンダラインやマ
ーク付けなどの比較的短い情報と、ユーザ自身が独自に
付加した比較的長い情報（たとえば、ユーザ独自の訳語
や例文など）に分けられる。ここでは、前者の比較的短
い情報を制御情報として領域Ｃの光磁気膜上に多重して
記録し、後者の比較的長いユーザ情報はRAM領域Ｂに記
憶する。
説明する。第２の実施例は第４図に示すように、デイス
ク上にユーザ書きこみ専用のRAM領域Ｂと、予めデイス
ク基板上にROM情報が位相構造で書きこまれている領域
Ｃを設ける。そして、このデイスク基板に光磁気記録膜
を蒸着させることにより、領域Ｂはユーザ書きこみ専用
領域として使用し、領域ＣはROM/RAM多重領域として使
用する。このようにROM/RAM多重領域の他にRAM専用領域
Ｂを設けることにより第１の実施例のような使用法に加
えて種々の使用が可能になる。その一例として領域Ｃに
ROM情報に多重書きする情報を同一領域に書かれたROM情
報に対する制御情報（ポインタなど）とする。一般に供
給されるROM情報（たとえば語学辞書）にユーザが書き
こみを行なつて個人化する場合、単にアンダラインやマ
ーク付けなどの比較的短い情報と、ユーザ自身が独自に
付加した比較的長い情報（たとえば、ユーザ独自の訳語
や例文など）に分けられる。ここでは、前者の比較的短
い情報を制御情報として領域Ｃの光磁気膜上に多重して
記録し、後者の比較的長いユーザ情報はRAM領域Ｂに記
憶する。
第５図は第４図のROM/RAM多重領域Ｃの光磁気記録膜
をROM情報に対する制御情報領域として使用する場合の
概念を説明する図である。第５図最上段の図は領域Ｃの
トラツクの周方向の断面の概念図であり、中段は上記ト
ラツク再生時のROM信号S22の信号波形、下段はRAM信号
（光磁気信号）S23（またはS28）の信号波形を示す図で
ある。なお、S22,S23,S28等は第３図（ａ）の記号に対
応している。ROM情報としては予め、情報a,情報b,情報
ｃが位相構造で記録されているものとする。本図は情報
ａを再生する場合、「強調表示」を行なうことを示す情
報、情報ｂを再生する場合には、この情報ｂに関連する
情報がRAM領域Ｂのα番地に存在することを示す情報
を、また、情報ｃに関しては再生時に「表示を行なわな
い」ことを示す情報をユーザが各々光磁気記録で対応す
るROM領域に多重して書きこんだ例を示す。このような
多重記録を行なうとROM情報S22を順番に再生しながら、
ユーザの指定で多重されたRAM情報の内容をつかつてROM
情報の表示制御などをリアルタイムで行なうことができ
る。多重する制御情報は必ずしも空間的に厳密にROM情
報と対応させる必要はなく、データ処理の方法に応じ
て、ROM情報の近傍に配置すればよい。
をROM情報に対する制御情報領域として使用する場合の
概念を説明する図である。第５図最上段の図は領域Ｃの
トラツクの周方向の断面の概念図であり、中段は上記ト
ラツク再生時のROM信号S22の信号波形、下段はRAM信号
（光磁気信号）S23（またはS28）の信号波形を示す図で
ある。なお、S22,S23,S28等は第３図（ａ）の記号に対
応している。ROM情報としては予め、情報a,情報b,情報
ｃが位相構造で記録されているものとする。本図は情報
ａを再生する場合、「強調表示」を行なうことを示す情
報、情報ｂを再生する場合には、この情報ｂに関連する
情報がRAM領域Ｂのα番地に存在することを示す情報
を、また、情報ｃに関しては再生時に「表示を行なわな
い」ことを示す情報をユーザが各々光磁気記録で対応す
るROM領域に多重して書きこんだ例を示す。このような
多重記録を行なうとROM情報S22を順番に再生しながら、
ユーザの指定で多重されたRAM情報の内容をつかつてROM
情報の表示制御などをリアルタイムで行なうことができ
る。多重する制御情報は必ずしも空間的に厳密にROM情
報と対応させる必要はなく、データ処理の方法に応じ
て、ROM情報の近傍に配置すればよい。
なお、このような制御情報は必ずしもROM情報に多重
させなくとも、例えば専用RAM領域Ｂの一部に置いても
同様な機能の実現は可能である。しかしその場合には、
予め制御情報を上位制御装置（パーソナルコンピユータ
など）のメモリ上に読みこんでおき、ROM情報再生時に
制御情報と順次対応させていく操作が必要となり、付加
的なメモリ容量の確保も必要である。本例のように制御
情報を対応するROM情報に多重して書きこむことによ
り、デイスク上および上位制御装置の双方の記憶領域の
節約が可能となる。
させなくとも、例えば専用RAM領域Ｂの一部に置いても
同様な機能の実現は可能である。しかしその場合には、
予め制御情報を上位制御装置（パーソナルコンピユータ
など）のメモリ上に読みこんでおき、ROM情報再生時に
制御情報と順次対応させていく操作が必要となり、付加
的なメモリ容量の確保も必要である。本例のように制御
情報を対応するROM情報に多重して書きこむことによ
り、デイスク上および上位制御装置の双方の記憶領域の
節約が可能となる。
また、制御情報は一般に対応するROM情報よりも情報
量が少ない場合が多く、ROM情報よりも記録密度を低く
して書きこむことが可能となる。このため、第１の実施
例の項で述べたような光磁気信号へのROM信号の干渉の
影響を相対的に小さくできる。その結果、第３図（ａ）
に示したAGCアンプ28による処理を特に行なわなくとも
復調可能となる場合もあり、したがつて再生系の構成も
より簡単化できる可能性がある。
量が少ない場合が多く、ROM情報よりも記録密度を低く
して書きこむことが可能となる。このため、第１の実施
例の項で述べたような光磁気信号へのROM信号の干渉の
影響を相対的に小さくできる。その結果、第３図（ａ）
に示したAGCアンプ28による処理を特に行なわなくとも
復調可能となる場合もあり、したがつて再生系の構成も
より簡単化できる可能性がある。
本実施例では、デイスク上にROM領域とRAM領域を設
け、ユーザはROM領域上にも制御情報を多重して書きこ
む例を述べた。しかし、ROM領域に多重する情報は制御
情報に限られるものではなく、第１の実施例のように一
般情報を書きこむことも当然可能である。
け、ユーザはROM領域上にも制御情報を多重して書きこ
む例を述べた。しかし、ROM領域に多重する情報は制御
情報に限られるものではなく、第１の実施例のように一
般情報を書きこむことも当然可能である。
以上、本発明の２つの実施例として光デイスク媒体を
用いた例を示した。しかし、本発明は円形のデイスク媒
体にのみ適用可能なのではなく、他の形状の媒体にも適
用可能である。第６図は光カードに本発明を適用した場
合の実施例を示す。第６図（ａ）は光カード30の外観で
あり、カードの一部分に情報領域31が設けられ、ここに
光学的に再生可能な情報が収められる。カードは透明な
カード基板３と光磁気記録膜４、および光磁気膜の保護
層32などから構成される。ROM情報は実施例1,2のデイス
クの場合と同様にカード基板上の一部に位相構造ピツト
列５として凹凸ピツトで予め形成しておく。基板の作成
はデイスクの場合と同様に、射出成形法、2P法、ガラス
エツジングなどの製法で行なうことが可能である。光磁
気記録膜４はユーザのRAM情報を光磁気記録で記録する
ための膜である。第６図（ｂ）は情報領域31の断面を説
明する図である。RAM情報はカード基板３に位相構造ピ
ツト列５として彫りこまれており、ピツトの深さｄは再
生光源波長の1/4波長とするのが信号変調度の点から望
ましい。記録再生は第６図（ｂ）のように収束された光
をデイスク基板側から照射して行なう。なお、記録再生
の原理および装置はデイスクの場合、すなわち第３図で
説明したのと全く同様に行なうことにより、ROM/RAMの
多重記録／再生を行なう。なお、光カードの場合、情報
トラツクの向きは記録再生装置の機構系の構造によつて
種々の形態が可能であるが、本例では第６図（ａ）の水
平方向に情報トラツクが延在しているものとする。
用いた例を示した。しかし、本発明は円形のデイスク媒
体にのみ適用可能なのではなく、他の形状の媒体にも適
用可能である。第６図は光カードに本発明を適用した場
合の実施例を示す。第６図（ａ）は光カード30の外観で
あり、カードの一部分に情報領域31が設けられ、ここに
光学的に再生可能な情報が収められる。カードは透明な
カード基板３と光磁気記録膜４、および光磁気膜の保護
層32などから構成される。ROM情報は実施例1,2のデイス
クの場合と同様にカード基板上の一部に位相構造ピツト
列５として凹凸ピツトで予め形成しておく。基板の作成
はデイスクの場合と同様に、射出成形法、2P法、ガラス
エツジングなどの製法で行なうことが可能である。光磁
気記録膜４はユーザのRAM情報を光磁気記録で記録する
ための膜である。第６図（ｂ）は情報領域31の断面を説
明する図である。RAM情報はカード基板３に位相構造ピ
ツト列５として彫りこまれており、ピツトの深さｄは再
生光源波長の1/4波長とするのが信号変調度の点から望
ましい。記録再生は第６図（ｂ）のように収束された光
をデイスク基板側から照射して行なう。なお、記録再生
の原理および装置はデイスクの場合、すなわち第３図で
説明したのと全く同様に行なうことにより、ROM/RAMの
多重記録／再生を行なう。なお、光カードの場合、情報
トラツクの向きは記録再生装置の機構系の構造によつて
種々の形態が可能であるが、本例では第６図（ａ）の水
平方向に情報トラツクが延在しているものとする。
第７図（ａ）は情報領域31の全面をROM/RAM多重領域
Ｃとした例であり、第７図（ｂ）は、RAM専用領域行Ｂ
とROM/RAM多重領域Ｃを別々に設けた例であり、おのお
のデイスクの場合の第１図，第４図に対応している。
Ｃとした例であり、第７図（ｂ）は、RAM専用領域行Ｂ
とROM/RAM多重領域Ｃを別々に設けた例であり、おのお
のデイスクの場合の第１図，第４図に対応している。
本発明を光カードに適用することにより、デイスクの
場合と同様に供給されるROM情報上に多重してユーザ情
報の記録／再生が可能となる。とくに光カードの場合機
構上の問題がデイスクと比較してアクセス速度や情報転
送速度が低いため、ROMとRAM領域を頻繁にアクセスする
場合、両者の領域が分離されていると、ヘツドの移動時
間による時間的ロスが無視できなくなることがある。こ
れに対して本発明ではROM情報とRAM情報を同一領域に多
重、同時再生可能であるため、ヘツドの移動にかかる時
間を大幅に減少させ、また転送速度もROMとRAMで等価的
に２倍にまで上げられる。更に一般に光カードの記録密
度は光デイスクよりもやや低めで、かつ情報容量も少な
いが、ROM/RAM多重を行なうことにより定められた情報
領域を最大２倍の容量として使用することが可能であ
り、容量の点からも本発明の光カードへの適用は有効で
ある。
場合と同様に供給されるROM情報上に多重してユーザ情
報の記録／再生が可能となる。とくに光カードの場合機
構上の問題がデイスクと比較してアクセス速度や情報転
送速度が低いため、ROMとRAM領域を頻繁にアクセスする
場合、両者の領域が分離されていると、ヘツドの移動時
間による時間的ロスが無視できなくなることがある。こ
れに対して本発明ではROM情報とRAM情報を同一領域に多
重、同時再生可能であるため、ヘツドの移動にかかる時
間を大幅に減少させ、また転送速度もROMとRAMで等価的
に２倍にまで上げられる。更に一般に光カードの記録密
度は光デイスクよりもやや低めで、かつ情報容量も少な
いが、ROM/RAM多重を行なうことにより定められた情報
領域を最大２倍の容量として使用することが可能であ
り、容量の点からも本発明の光カードへの適用は有効で
ある。
以上、本発明の原理と実施例を詳細に説明した。本発
明によれば、位相構造ピツトで書かれたROM情報領域の
上にユーザの書きこみ情報（RAM情報）を光磁気記録で
多重記録するので、同一領域をROMとRAMで最大２倍の
容量として使用することができる。ROM情報とRAM情報
を同時再生できるため、情報転送速度が等価的に２倍に
できる。ROM情報は破壊の心配がなく、RAM情報は何度
でも消去，書きかえが可能．単一ドライブ装置でROM/
RAM情報にアクセスが可能、ROM情報を再生しながら同
時にRAM情報の書きこみが可能、などの効果がある。し
たがつて本発明は安価に供給される大量のROM情報を個
人的に加工して利用するという新しい情報利用法を推進
する上で非常に有効な方式となり得ると考えられる。
明によれば、位相構造ピツトで書かれたROM情報領域の
上にユーザの書きこみ情報（RAM情報）を光磁気記録で
多重記録するので、同一領域をROMとRAMで最大２倍の
容量として使用することができる。ROM情報とRAM情報
を同時再生できるため、情報転送速度が等価的に２倍に
できる。ROM情報は破壊の心配がなく、RAM情報は何度
でも消去，書きかえが可能．単一ドライブ装置でROM/
RAM情報にアクセスが可能、ROM情報を再生しながら同
時にRAM情報の書きこみが可能、などの効果がある。し
たがつて本発明は安価に供給される大量のROM情報を個
人的に加工して利用するという新しい情報利用法を推進
する上で非常に有効な方式となり得ると考えられる。
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例のデイスク概形を
説明する図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のデイスクの
断面要造を説明する図、第２図は従来のROM/RAM兼用デ
イスクを説明する図、第３図（ａ）は本発明の再生装置
を説明する図、第３図（ｂ）はRAM情報記録方法を説明
する図、第３図（ｃ）は本発明のROM/RAM同時再生を説
明する図、第４図は本発明の第２の実施例を説明する
図、第５図は第２の実施例の情報記録例を説明する図、
第６図，第７図は本発明の第３の実施例を説明する図、
第８図および第９図はインデツクス領域の配置を説明す
る図である。 １……光デイスク、２……情報トラツク、３……デイス
ク（カード）基板、４……光磁気記録膜、５……位相構
造ピツト列、６……光磁気ドメイン、11……ROM/RAM多
重デイスク、Ａ……ROM専用領域、Ｂ……RAM専用領域、
Ｃ……ROM/RAM多重領域、S22……ROM再生信号、S23……
RAM再生（光磁気）信号、30……光カード、31……情報
領域、35……ROMインデツクス領域、36……RAMインデツ
クス領域。
説明する図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のデイスクの
断面要造を説明する図、第２図は従来のROM/RAM兼用デ
イスクを説明する図、第３図（ａ）は本発明の再生装置
を説明する図、第３図（ｂ）はRAM情報記録方法を説明
する図、第３図（ｃ）は本発明のROM/RAM同時再生を説
明する図、第４図は本発明の第２の実施例を説明する
図、第５図は第２の実施例の情報記録例を説明する図、
第６図，第７図は本発明の第３の実施例を説明する図、
第８図および第９図はインデツクス領域の配置を説明す
る図である。 １……光デイスク、２……情報トラツク、３……デイス
ク（カード）基板、４……光磁気記録膜、５……位相構
造ピツト列、６……光磁気ドメイン、11……ROM/RAM多
重デイスク、Ａ……ROM専用領域、Ｂ……RAM専用領域、
Ｃ……ROM/RAM多重領域、S22……ROM再生信号、S23……
RAM再生（光磁気）信号、30……光カード、31……情報
領域、35……ROMインデツクス領域、36……RAMインデツ
クス領域。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ１１Ｂ 11/10 ５８６ Ｇ１１Ｂ 11/10 ５８６Ｇ (56)参考文献 特開 平１−192040（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−88943（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−253656（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 13/00 G11B 11/10 G11B 7/00
Claims (7)
- 【請求項１】レーザ光源と、該レーザ光源からのレーザ
光を記録媒体上に収束する光学系と、該記録媒体から戻
るレーザ光を検出する検出器と、該検出器の出力から記
録媒体上に記録された情報を再生する再生回路系とを有
し、該再生回路系は前記記録媒体から戻るレーザ光の総
光量信号を出力する第１の再生信号線と、該総光量信号
に応じて利得の制御される可変増幅器と、該可変増幅器
の出力に設けられた第２の再生信号線とを有し、前記可
変増幅器は前記総光量信号が光量増加を示す場合に利得
を小さくする光再生装置。 - 【請求項２】前記再生回路系は前記可変増幅器の前段に
遅延回路を有する請求項１の光再生装置。 - 【請求項３】レーザ光源と、該レーザ光源からのレーザ
光を記録媒体上の収束する光学系と、該記録媒体から戻
るレーザ光を検出する検出器と、該検出器の出力から記
録媒体上に記録された情報を再生する再生回路系とを有
し、該再生回路系は前記記録媒体から戻るレーザ光の総
光量信号を出力する第１の再生信号線と、該総光量信号
に応じて利得の制御される可変増幅器と、該可変増幅器
の出力に設けられた第２の再生信号線とを有し、前記再
生回路系は、前記可変増幅器の前段に遅延回路を有する
光再生装置。 - 【請求項４】前記検出器は、前記記録媒体から戻るレー
ザ光の異なる偏光成分を検出する第１及び第２の検出器
を含み、前記第１及び第２の検出器の出力の和からレー
ザ光の総光量信号を形成する請求項１乃至３のうちいず
れかに記載の光再生装置。 - 【請求項５】前記第１及び第２の検出器の出力の差信号
を、前記再生回路系に入力する請求項４記載の光再生装
置。 - 【請求項６】位相構造ピット列で形成されたROM情報
と、該位相構造ピット列の上に形成された光記録膜に記
録されたRAM情報を有する記録媒体を光学的に再生する
光再生方法であって、上記RAM情報の再生信号の利得を
上記ROM情報の再生信号の強度に応じて変化させること
を特徴とする光再生方法。 - 【請求項７】上記記録媒体は、上記レーザ光の一つの光
スポットが照射される領域に上記第１の再生信号線上の
第１の信号に対応するROM情報と上記第２の再生信号線
上の第２の信号に対応するRAM情報とを有することを特
徴とする光再生装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63240976A JP2760812B2 (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | 光再生装置及び光再生方法 |
| US07/412,474 US5218599A (en) | 1988-09-28 | 1989-09-26 | Method of recording and reproduction of information using a recording medium available for information overlap recording, a recording medium and a recording and reproducing apparatus using the method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63240976A JP2760812B2 (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | 光再生装置及び光再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0291841A JPH0291841A (ja) | 1990-03-30 |
| JP2760812B2 true JP2760812B2 (ja) | 1998-06-04 |
Family
ID=17067461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63240976A Expired - Fee Related JP2760812B2 (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | 光再生装置及び光再生方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5218599A (ja) |
| JP (1) | JP2760812B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5475656A (en) * | 1989-09-27 | 1995-12-12 | Hitachi, Ltd. | Optical disk memory and information processing apparatus |
| JP3104364B2 (ja) * | 1991-03-15 | 2000-10-30 | ソニー株式会社 | ディジタル画像信号の磁気記録方法 |
| US5450379A (en) * | 1991-10-09 | 1995-09-12 | Seiko Epson Corporation | Information storage medium, method of fabricating same, and drive unit for such medium |
| JP3173839B2 (ja) * | 1992-01-17 | 2001-06-04 | パイオニア株式会社 | 記録媒体用情報再生装置及び再生方法 |
| DE4220486A1 (de) * | 1992-06-23 | 1994-01-05 | Thomson Brandt Gmbh | Aufzeichnung und Wiedergabe von Informationen bei ROM-RAM-Speichermedien |
| JPH06119672A (ja) * | 1992-10-07 | 1994-04-28 | Fujitsu Ltd | パーシャルｒｏｍ光磁気ディスク媒体及びコンピュ−タシステム |
| JP3145235B2 (ja) * | 1993-09-03 | 2001-03-12 | パイオニア株式会社 | 記録可能ディスク及びその記録装置、記録方法 |
| DE4341223B4 (de) * | 1993-12-03 | 2010-11-18 | Deutsche Thomson-Brandt Gmbh | ROM-RAM-Disk |
| JPH07182705A (ja) * | 1993-12-21 | 1995-07-21 | Fujitsu Ltd | 光磁気媒体及びその再生装置 |
| AU3704695A (en) * | 1994-10-24 | 1996-05-15 | Keele University | Data storage device |
| JPH09509776A (ja) * | 1994-12-19 | 1997-09-30 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 多層記録媒体及びこの記録媒体を走査する装置 |
| JP3076230B2 (ja) * | 1995-10-13 | 2000-08-14 | 日本電気株式会社 | 光ディスク |
| US5815482A (en) * | 1996-01-22 | 1998-09-29 | T Squared G, Inc. | Multibyte random access mass storage/memory system |
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| JPH1021551A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Victor Co Of Japan Ltd | 情報記録媒体再生方法 |
| DE19642716A1 (de) * | 1996-10-16 | 1998-04-23 | Thomson Brandt Gmbh | Wiedergabe- oder Aufzeichnungsgerät für optische Aufzeichnungsträger |
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| WO2003060897A1 (fr) | 2002-01-11 | 2003-07-24 | Fujitsu Limited | Dispositif de stockage |
| AU2002219608A1 (en) * | 2002-01-11 | 2003-07-30 | Fujitsu Limited | Security system using optical information recording medium |
| WO2003077250A1 (fr) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Sony Corporation | Support d'enregistrement et dispositif de reproduction associe, procede de reproduction, appareil destine a la fabrication de ce support d'enregistrement, procede de fabrication de ce support d'enregistrement et dispositif d'enregistrement |
| JP4590827B2 (ja) * | 2002-03-08 | 2010-12-01 | ソニー株式会社 | 記録媒体及び記録装置 |
| AU2002249593A1 (en) | 2002-04-15 | 2003-10-27 | Fujitsu Limited | Optical storage device, and optical storage medium reading/writing method |
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| US7036736B2 (en) | 2003-01-08 | 2006-05-02 | Hoss Sarbaz | Event entry and advertising medium |
| JPWO2005052938A1 (ja) * | 2003-11-28 | 2007-08-09 | 富士通株式会社 | 光ディスク及び記録再生装置 |
| WO2005076267A1 (en) * | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical disc having combined rom/r area |
| WO2005122162A1 (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Fujitsu Limited | 記録媒体および記録媒体駆動装置向け信号処理装置 |
| WO2005122163A1 (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Fujitsu Limited | 記録媒体 |
| SG119246A1 (en) * | 2004-07-16 | 2006-02-28 | Agency Science Tech & Res | A data storage device |
| JP4533854B2 (ja) * | 2006-03-06 | 2010-09-01 | 株式会社東芝 | 磁気記録再生装置、磁気記録方法、及び磁気記録再生方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| NL8204555A (nl) * | 1981-11-25 | 1983-06-16 | Hitachi Ltd | Inrichting voor het registreren en weergeven van informatie. |
| NL8200415A (nl) * | 1982-02-04 | 1983-09-01 | Philips Nv | Optische uitleesbare informatieschijf. |
| GB8309447D0 (en) * | 1983-04-07 | 1983-05-11 | Combined Tech Corp Plc | Optical data storage |
| US4736352A (en) * | 1983-11-25 | 1988-04-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical recording medium and apparatus for recording and reproducing data therein |
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| EP0196590B1 (en) * | 1985-03-27 | 1992-05-20 | Sony Corporation | Signal recording and reproducing apparatus for an opto-magnetic disk |
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| JP2552109B2 (ja) * | 1985-11-08 | 1996-11-06 | セイコーエプソン株式会社 | 光記録再生装置 |
| NL8503410A (nl) * | 1985-12-11 | 1987-07-01 | Philips Nv | Inrichting voor het overdragen van informatie tussen een elektronische geheugenkaart en een dataverwerkende eenheid. |
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| JPS6488943A (en) * | 1987-09-29 | 1989-04-03 | Nec Corp | Optical disk reproducing device |
| JPH01192040A (ja) * | 1988-01-27 | 1989-08-02 | Nec Corp | 光ディスク及び光ディスク装置システム |
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1988
- 1988-09-28 JP JP63240976A patent/JP2760812B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-09-26 US US07/412,474 patent/US5218599A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5218599A (en) | 1993-06-08 |
| JPH0291841A (ja) | 1990-03-30 |
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