JP2757864B2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、各種の機能回路に対して用いることがで
きる汎用回路ユニットを形成した半導体装置に係り、特
に、静電破壊強度の向上などに関する。 〔従来の技術〕 各種の機能回路について、トランジスタなどの能動素
子と、それに付随する抵抗やキャパシタなどの付随素子
とによって構成された汎用回路ユニットを成す半導体装
置が実用化されている。 このような半導体装置は、たとえば、第３図に示すよ
うに、シリコンなどからなる基板２にトランジスタ４と
ともに抵抗素子６、８を設置して、汎用回路ユニットを
構成したものであり、個別部品としてのトランジスタと
同様にベース端子10、コレクタ端子12およびエミッタ端
子14が設けられている。 そして、この半導体装置は、第４図に示すように、た
とえば、シリコンなどのＮ型半導体からなる基板２に選
択的にＰ型のベース領域16を形成し、そのベース領域16
の中に選択的にＮ型のエミッタ領域18を設置したもので
あり、ベース領域16を包囲して基板２と同一導電型の高
濃度領域からなるチャネルストッパ20が形成されてい
る。 基板２の表面には絶縁層としての酸化膜22が設置され
て、その表面に抵抗素子６が設置されている。酸化膜22
にはベース領域16およびエミッタ領域18に選択的に開口
を形成して、ベース領域16と抵抗素子６の一方の端部と
の間には酸化膜22の表面に沿って配線導体24が設置され
ている。そして、抵抗素子６の他方の端部にはボンディ
ングパットとしてのベース端子10が形成され、また、エ
ミッタ領域18の表面にはエミッタ端子14が形成されてい
る。 また、基板２はトランジスタ４のコレクタとして機能
するので、基板２の裏面側には金属層を設置してコレク
タ端子12が形成されている。 したがって、このような半導体装置によれば、個別部
品としてのトランジスタに対して付随する不可欠な抵抗
素子を設置しているので、各種の電子回路において、増
幅器などの任意の汎用回路ユニットとして用いることが
できる。このため、ICでは、回路の特性や目的によっ
て、機能が個性化されているのに対し、このような半導
体装置では、各種の電子回路に対応させることができる
とともに、個別部品のトランジスタや抵抗素子などを配
線する場合に比較して、回路の信頼性を高め、配線の手
数を除くことができるなどの利点がある。 〔発明が解決しようとする問題点〕 ところで、従来、このような半導体装置では、第４図
に示すように、抵抗素子６およびベース端子10は、ベー
ス領域16の上面を避けて、その外側の酸化膜22上に設置
されている。このため、その静電破壊強度は酸化膜22の
絶縁耐力に委ねられるために低く、しかも、ベース領域
16の外部に設置されるため、基板２が大きくなるととも
に、接続のための配線導体24が長くなるなどの欠点があ
った。 そこで、この発明は、静電破壊強度を高め、かつ、チ
ップサイズの縮小化を図った半導体装置の提供を目的と
する。 〔問題点を解決するための手段〕 この発明の半導体装置は、第１図ないし第３図に例示
するように、一導電型の半導体基板（基板２）に反対導
電型のベース領域（ベース拡散領域16）を形成し、この
ベース領域内にベース領域とは反対導電型のエミッタ領
域（エミッタ拡散領域18）を形成し、前記半導体基板を
コレクタとした単一のトランジスタ（４）と、前記半導
体基板の表面を覆う絶縁層（酸化膜22）と、前記ベース
領域内の絶縁層上に形成された第１及び第２の抵抗素子
（第１の抵抗素子６、第２の抵抗素子８）と、前記ベー
ス領域内の前記絶縁層に開口を設けて前記第１及び第２
の抵抗素子の一端と前記ベース領域とを接続する配線導
体（24）と、前記第１の抵抗素子の他端上に形成された
ベース端子（10）と、前記エミッタ領域内の前記絶縁層
に開口を設けて前記第２の抵抗素子の他端と前記エミッ
タ領域とを接続して形成されたエミッタ端子（14）と、
前記半導体基板に形成されたコレクタ端子（12）とを備
えてなることを特徴とする。 〔作用〕 このように構成すると、トランジスタ（４）の一部を
成す導電領域（ベース拡散領域16）と基板２とのPN接合
領域の絶縁耐力をも利用できるので、第１及び第２の抵
抗素子６、８および端子部（ベース端子10）の静電破壊
電圧を高めることができるとともに、導電領域（ベース
拡散領域16）内に受動素子（抵抗素子６、８）およびベ
ース端子（10）が設置されるので、基板２の表面を有効
に利用でき、その面積の縮小化を図ることができる。 〔実施例〕 以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。 第１図はこの発明の半導体装置の実施例を示す。 この半導体装置は、たとえば、シリコンなどのＮ型半
導体からなる基板２の中央部に、トランジスタ４の一部
を成し、かつ、基板２とは反対導電型の導電領域として
のベース拡散領域16を形成し、その内部にベース拡散領
域16とは反対導電型のエミッタ領域18を形成し、また、
ベース拡散領域16を包囲する基板２の領域には、チャネ
ルストッパ20を形成し、基板２の表面は絶縁層としての
酸化膜22で覆われて、能動素子としてのトランジスタ４
が形成されている。 そして、ベース拡散領域16の表面を覆う酸化膜22の表
面には、ポリシリコンなどによって抵抗素子６が形成さ
れ、その一方の端部とベース拡散領域16との間は、短い
配線導体24によって電気的に接続されているとともに、
抵抗素子６の他方の端部にはボンディングパットを兼ね
る端子部としてのベース端子10が形成されている。エミ
ッタ領域18の表面には選択的に形成した開口からボンデ
ィングパットとしてのエミッタ端子14が形成されてい
る。また、基板２の裏面には、金属層によってコレクタ
端子12が形成されている。 ところで、第３図に示す半導体装置の基板２上にレイ
アウトは、第２図に示すように、ベース拡散領域16の表
面領域に二つの抵抗素子６、８が設置されるとともに、
そのベース端子10およびエミッタ端子14が形成されてい
る。 したがって、この半導体装置によると、抵抗素子６、
８およびベース端子10が、トランジスタ４の一部を成す
ベース拡散領域16内に設置されるので、基板２の表面積
を効率的に利用して基板２の面積の縮小化を図ることが
でき、抵抗素子６、８およびベース端子10と基板２との
絶縁耐圧は、絶縁層としての酸化膜22の耐圧に加えて、
ベース拡散領域16と基板２とのPN接合領域を利用できる
ので、静電破壊電圧の向上を図ることができる。 〔発明の効果〕 以上説明したように、本願発明によれば、トランジス
タの一部を成し、かつ、基板とは反対導電型の導電領域
の範囲内に絶縁層を介して第１及び第２の抵抗素子及び
ベース端子を設置したので、絶縁層の絶縁耐圧に加えて
基板と導電領域とからなるPN接合領域による耐圧が加わ
り、受動素子およびベース端子の静電破壊強度を向上で
きるとともに、チップサイズの縮小化を図り、素子の小
型化を実現できる。

【図面の簡単な説明】 第１図はこの発明の半導体装置の実施例を示す断面図、
第２図はこの発明の半導体装置を第３図に示す半導体装
置について適用した実施例を示す図、第３図は汎用回路
ユニットを構成する半導体装置を示す回路図、第４図は
従来の半導体装置を示す断面図である。 ２……基板（半導体基板） ４……トランジスタ ６……第１の抵抗素子 ８……第２の抵抗素子 10……ベース端子 12……コレクタ端子 14……エミッタ端子 16……ベース拡散領域（ベース領域） 18……エミッタ拡散領域（エミッタ領域） 22……酸化膜（絶縁層） 24……配線導体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 29/73

Claims (1)

1. (57)【特許請求の範囲】 １．一導電型の半導体基板に反対導電型のベース領域を
   形成し、このベース領域内にベース領域とは反対導電型
   のエミッタ領域を形成し、前記半導体基板をコレクタと
   した単一のトランジスタと、 前記半導体基板の表面を覆う絶縁層と、 前記ベース領域内の絶縁層上に形成された第１及び第２
   の抵抗素子と、 前記ベース領域内の前記絶縁層に開口を設けて前記第１
   及び第２の抵抗素子の一端と前記ベース領域とを接続す
   る配線導体と、 前記第１の抵抗素子の他端上に形成されたベース端子
   と、 前記エミッタ領域内の前記絶縁層に開口を設けて前記第
   ２の抵抗素子の他端と前記エミッタ領域とを接続して形
   成されたエミッタ端子と、 前記半導体基板に形成されたコレクタ端子と、 を備えてなることを特徴とする半導体装置。