JP2757120B2 - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドのギャ
ップ膜の製造方法に関し、更に詳しく述べると、高周波
マグネトロンスパッタリングによって成膜するアルミナ
のポーラスな膜の上に、高周波２極スパッタリングによ
って成膜するアルミナの緻密な膜とによってギャップ膜
を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法に関するものであ
る。
ップ膜の製造方法に関し、更に詳しく述べると、高周波
マグネトロンスパッタリングによって成膜するアルミナ
のポーラスな膜の上に、高周波２極スパッタリングによ
って成膜するアルミナの緻密な膜とによってギャップ膜
を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】ハードディスク用薄膜磁気ヘッドは、一
般に、セラミックス基板上に設ける上下２層の磁性膜を
ギャップ膜で分離し、その間に磁界発生用（及び誘導電
流ピックアップ用）のコイル膜を形成する構成となって
いる。ここで、磁極及びヨークとなる磁性膜は、通常、
パーマロイ（ＦｅＮｉ合金）のメッキ膜であって、フレ
ームレジストによって画定された部分に形成される。ギ
ャップ膜の材料としてはアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）が用い
られる。このアルミナ膜は、スパッタリングにより形成
されるが、その成膜方法としては生産性（成膜速度）の
観点から、高周波マグネトロン方式が採用されている。
般に、セラミックス基板上に設ける上下２層の磁性膜を
ギャップ膜で分離し、その間に磁界発生用（及び誘導電
流ピックアップ用）のコイル膜を形成する構成となって
いる。ここで、磁極及びヨークとなる磁性膜は、通常、
パーマロイ（ＦｅＮｉ合金）のメッキ膜であって、フレ
ームレジストによって画定された部分に形成される。ギ
ャップ膜の材料としてはアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）が用い
られる。このアルミナ膜は、スパッタリングにより形成
されるが、その成膜方法としては生産性（成膜速度）の
観点から、高周波マグネトロン方式が採用されている。
【０００３】マグネトロンスパッタリングは、永久磁石
をターゲットの裏面側に配置し、この永久磁石によりタ
ーゲットの表面に直交磁界を発生させるものである。こ
の方式は、スパッタ効率が優れ、成膜速度が高く、基板
表面の温度上昇が抑えられ、基板表面へのダメージが少
ないという利点がある。
をターゲットの裏面側に配置し、この永久磁石によりタ
ーゲットの表面に直交磁界を発生させるものである。こ
の方式は、スパッタ効率が優れ、成膜速度が高く、基板
表面の温度上昇が抑えられ、基板表面へのダメージが少
ないという利点がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、高周波マグネ
トロンスパッタリングは、このような利点がある反面、
高い成膜速度のために、形成された膜はポーラスとなり
易い。その結果、ギャップ膜の電気的絶縁性能が低くな
り、上下の磁性膜間で電気的破壊が引き起こされる虞れ
がある。具体的には、薄膜磁気ヘッドの動作中に発生す
る静電気によって素子破壊が引き起こされることの他、
コイルに通電することによって磁極間に磁界が発生し、
それによる逆起電力によって素子破壊が引き起こされる
ことなどである。
トロンスパッタリングは、このような利点がある反面、
高い成膜速度のために、形成された膜はポーラスとなり
易い。その結果、ギャップ膜の電気的絶縁性能が低くな
り、上下の磁性膜間で電気的破壊が引き起こされる虞れ
がある。具体的には、薄膜磁気ヘッドの動作中に発生す
る静電気によって素子破壊が引き起こされることの他、
コイルに通電することによって磁極間に磁界が発生し、
それによる逆起電力によって素子破壊が引き起こされる
ことなどである。
【０００５】マグネトロン方式以外では、高周波２極ス
パッタリング法があるが、これは、成膜速度が低いこ
と、基板表面へのダメージが大きいこと等の理由で、数
千Åの膜厚が必要な薄膜磁気ヘッドのギャップ膜の形成
には用いることができない。
パッタリング法があるが、これは、成膜速度が低いこ
と、基板表面へのダメージが大きいこと等の理由で、数
千Åの膜厚が必要な薄膜磁気ヘッドのギャップ膜の形成
には用いることができない。
【０００６】本発明の目的は、電気的な素子破壊が引き
起こされる虞れの無い、高電気絶縁性のアルミナギャッ
プ膜を形成でき、生産性も十分高い薄膜磁気ヘッドの製
造方法を提供することである。
起こされる虞れの無い、高電気絶縁性のアルミナギャッ
プ膜を形成でき、生産性も十分高い薄膜磁気ヘッドの製
造方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、セラミックス
基板上に、下部磁性膜と、ギャップ膜と、上部磁性膜
を、その順序で形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法であ
る。本発明では、前記ギャップ膜は、高周波マグネトロ
ンスパッタリングによって成膜するアルミナのポーラス
な膜と、高周波２極スパッタリングによって成膜するア
ルミナの緻密な膜とを複数層、交互に成膜することによ
り形成される。最も簡単な構成は、高周波マグネトロン
スパッタリングによって成膜するアルミナのポーラスな
膜の上に、高周波２極スパッタリングによって成膜する
アルミナの緻密な膜を形成した２層構造である。ギャッ
プ膜は全体でほぼ３０００Å程度の厚みがあるから、そ
のうちの２０〜３０％を、高周波２極スパッタリングに
よって成膜するアルミナの緻密な膜とするのがよい。
基板上に、下部磁性膜と、ギャップ膜と、上部磁性膜
を、その順序で形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法であ
る。本発明では、前記ギャップ膜は、高周波マグネトロ
ンスパッタリングによって成膜するアルミナのポーラス
な膜と、高周波２極スパッタリングによって成膜するア
ルミナの緻密な膜とを複数層、交互に成膜することによ
り形成される。最も簡単な構成は、高周波マグネトロン
スパッタリングによって成膜するアルミナのポーラスな
膜の上に、高周波２極スパッタリングによって成膜する
アルミナの緻密な膜を形成した２層構造である。ギャッ
プ膜は全体でほぼ３０００Å程度の厚みがあるから、そ
のうちの２０〜３０％を、高周波２極スパッタリングに
よって成膜するアルミナの緻密な膜とするのがよい。
【０００８】
【作用】下部磁性膜上に成膜するアルミナの高周波マグ
ネトロンスパッタ膜は、ポーラスである。しかし、その
上に成膜する同じアルミナの高周波２極スパッタ膜は、
緻密であり、スパッタ時に前記高周波マグネトロンスパ
ッタ膜のポーラスな部分を埋めると共に、そのポーラス
な膜を覆う。これによって、アルミナギャップ膜の電気
的絶縁抵抗が極めて高くなる。
ネトロンスパッタ膜は、ポーラスである。しかし、その
上に成膜する同じアルミナの高周波２極スパッタ膜は、
緻密であり、スパッタ時に前記高周波マグネトロンスパ
ッタ膜のポーラスな部分を埋めると共に、そのポーラス
な膜を覆う。これによって、アルミナギャップ膜の電気
的絶縁抵抗が極めて高くなる。
【０００９】
【実施例】図１は本発明に係る製造方法により製作した
薄膜磁気ヘッドの一実施例のギャップ近傍の拡大図であ
る。セラミックス基板上に形成した下部磁性膜１０の上
にアルミナのギャップ膜１２を形成し、更にその上に上
部磁性膜１４を形成する。下部磁性膜１０と上部磁性膜
１４とは、パーマロイ（ＦｅＮｉ合金）の電着膜であ
る。ここで本発明では、前記ギャップ膜１２は、高周波
マグネトロンスパッタリングによって成膜するポーラス
な膜１６の上に、高周波２極スパッタリングによって成
膜する緻密な膜１８を形成した２層構造をなしている。
薄膜磁気ヘッドの一実施例のギャップ近傍の拡大図であ
る。セラミックス基板上に形成した下部磁性膜１０の上
にアルミナのギャップ膜１２を形成し、更にその上に上
部磁性膜１４を形成する。下部磁性膜１０と上部磁性膜
１４とは、パーマロイ（ＦｅＮｉ合金）の電着膜であ
る。ここで本発明では、前記ギャップ膜１２は、高周波
マグネトロンスパッタリングによって成膜するポーラス
な膜１６の上に、高周波２極スパッタリングによって成
膜する緻密な膜１８を形成した２層構造をなしている。
【００１０】ここでギャップ膜１２の厚さは全体で３０
００Å程度であり、そのうちの８０〜７０％を高周波マ
グネトロンスパッタリングにより形成するポーラスな膜
１６とし、２０〜３０％を高周波２極スパッタリングに
より形成する緻密な膜１８とするのが好ましい。緻密な
膜１８が、膜厚全体の２０％（約６００Å）程度の場
合、ギャップ膜１２全体の絶縁抵抗はほぼ１０6 Ω以上
となる。実際に使用する場合は、１０6 Ω程度の絶縁抵
抗が必要であり、その点では、上記の構成は必要な仕様
を満たすことができる。成膜速度が高い高周波マグネト
ロンスパッタリングによって、全膜厚の大部分を成膜す
るため、全体の生産性は良好である。
００Å程度であり、そのうちの８０〜７０％を高周波マ
グネトロンスパッタリングにより形成するポーラスな膜
１６とし、２０〜３０％を高周波２極スパッタリングに
より形成する緻密な膜１８とするのが好ましい。緻密な
膜１８が、膜厚全体の２０％（約６００Å）程度の場
合、ギャップ膜１２全体の絶縁抵抗はほぼ１０6 Ω以上
となる。実際に使用する場合は、１０6 Ω程度の絶縁抵
抗が必要であり、その点では、上記の構成は必要な仕様
を満たすことができる。成膜速度が高い高周波マグネト
ロンスパッタリングによって、全膜厚の大部分を成膜す
るため、全体の生産性は良好である。
【００１１】図２は本発明に係る製造方法により製作し
た薄膜磁気ヘッドの他の実施例を示すギャップ近傍の拡
大図である。セラミックス基板上に形成した下部磁性膜
１０の上にアルミナのギャップ膜１２を形成し、更にそ
の上に上部磁性膜１４を形成する。この実施例では、前
記ギャップ膜１２は、高周波マグネトロンスパッタリン
グによって成膜するポーラスな膜１６ａの上に、高周波
２極スパッタリングによって緻密な膜１８ａを成膜し、
更にその上に高周波マグネトロンスパッタリングによっ
て成膜するポーラスな膜１６ｂと、高周波２極スパッタ
リングによって成膜する緻密な膜１８ｂを形成した４層
構造をなしている。
た薄膜磁気ヘッドの他の実施例を示すギャップ近傍の拡
大図である。セラミックス基板上に形成した下部磁性膜
１０の上にアルミナのギャップ膜１２を形成し、更にそ
の上に上部磁性膜１４を形成する。この実施例では、前
記ギャップ膜１２は、高周波マグネトロンスパッタリン
グによって成膜するポーラスな膜１６ａの上に、高周波
２極スパッタリングによって緻密な膜１８ａを成膜し、
更にその上に高周波マグネトロンスパッタリングによっ
て成膜するポーラスな膜１６ｂと、高周波２極スパッタ
リングによって成膜する緻密な膜１８ｂを形成した４層
構造をなしている。
【００１２】ここでも、ギャップ膜１２の厚さは全体で
３０００Å程度であり、そのうちの８０〜７０％を高周
波マグネトロンスパッタリングにより形成するポーラス
な膜１６ａ，１６ｂとし、２０〜３０％を高周波２極ス
パッタリングにより形成する緻密な膜１８ａ，１８ｂと
する。４層以上を交互に積層したギャップ膜は、その都
度、ポーラスな部分を緻密な部分で埋めて覆う構成のた
め、層厚の比率が２層の場合と同じでも絶縁抵抗はより
高くなる。因に、高周波マグネトロンスパッタリングの
みで３０００Åのアルミナギャップ膜を形成すると、そ
の絶縁抵抗値は１０3 Ω以下の非常に小さな値であっ
た。
３０００Å程度であり、そのうちの８０〜７０％を高周
波マグネトロンスパッタリングにより形成するポーラス
な膜１６ａ，１６ｂとし、２０〜３０％を高周波２極ス
パッタリングにより形成する緻密な膜１８ａ，１８ｂと
する。４層以上を交互に積層したギャップ膜は、その都
度、ポーラスな部分を緻密な部分で埋めて覆う構成のた
め、層厚の比率が２層の場合と同じでも絶縁抵抗はより
高くなる。因に、高周波マグネトロンスパッタリングの
みで３０００Åのアルミナギャップ膜を形成すると、そ
の絶縁抵抗値は１０3 Ω以下の非常に小さな値であっ
た。
【００１３】このようなギャップ膜構造は、図３あるい
は図４に示すような装置を用いることで形成できる。図
３では、Ａに示すように、回転可能に支持されている基
板保持体２０に基板２２を取り付け、それを高周波マグ
ネトロンスパッタ装置２４にセットして、所定の膜厚と
なるように成膜する。高周波マグネトロンスパッタ装置
２４は、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）のターゲット２６の裏
面側に複数の永久磁石２８を配列し、高周波電源３０を
接続した構成である。基板保持体２０を回転すること
で、全ての基板２２にアルミナの膜（ポーラスな膜）を
成膜する。次いで図３のＢに示すように、その基板保持
体２０を高周波２極スパッタ装置３２の方に搬送してセ
ットし、所定の膜厚となるように成膜する。高周波２極
スパッタ装置３２は、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）のターゲ
ット３４に高周波電源３６を接続した構成である。これ
によって前記ポーラスな膜の上に、緻密な膜が形成され
る。この緻密な膜は、基板保持体２０を回転すること
で、全ての基板２２に形成される。このようにして別バ
ッチで２層構造のアルミナギャップ膜を作製できる。４
層構造とするには、この操作を繰り返せばよい。
は図４に示すような装置を用いることで形成できる。図
３では、Ａに示すように、回転可能に支持されている基
板保持体２０に基板２２を取り付け、それを高周波マグ
ネトロンスパッタ装置２４にセットして、所定の膜厚と
なるように成膜する。高周波マグネトロンスパッタ装置
２４は、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）のターゲット２６の裏
面側に複数の永久磁石２８を配列し、高周波電源３０を
接続した構成である。基板保持体２０を回転すること
で、全ての基板２２にアルミナの膜（ポーラスな膜）を
成膜する。次いで図３のＢに示すように、その基板保持
体２０を高周波２極スパッタ装置３２の方に搬送してセ
ットし、所定の膜厚となるように成膜する。高周波２極
スパッタ装置３２は、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）のターゲ
ット３４に高周波電源３６を接続した構成である。これ
によって前記ポーラスな膜の上に、緻密な膜が形成され
る。この緻密な膜は、基板保持体２０を回転すること
で、全ての基板２２に形成される。このようにして別バ
ッチで２層構造のアルミナギャップ膜を作製できる。４
層構造とするには、この操作を繰り返せばよい。
【００１４】図４では、回転可能に支持されている基板
保持体２０に基板２２を取り付け、それを高周波マグネ
トロンスパッタ装置２４と高周波２極スパッタ装置３２
との間にセットする。そして、先ず高周波マグネトロン
スパッタ装置２４を動作させてアルミナの膜（ポーラス
な膜）を形成する。次に高周波２極スパッタ装置３２を
動作させてポーラスな膜の上にアルミナの緻密な膜を形
成する。その場合、基板保持体２０の全ての基板２２に
ついて、まずポーラスな膜を形成して、その上に緻密な
膜を形成する方法でもよいし、基板２２の１枚ずつにつ
いて、交互にポーラスな膜と緻密な膜を形成していく方
法でもよい。
保持体２０に基板２２を取り付け、それを高周波マグネ
トロンスパッタ装置２４と高周波２極スパッタ装置３２
との間にセットする。そして、先ず高周波マグネトロン
スパッタ装置２４を動作させてアルミナの膜（ポーラス
な膜）を形成する。次に高周波２極スパッタ装置３２を
動作させてポーラスな膜の上にアルミナの緻密な膜を形
成する。その場合、基板保持体２０の全ての基板２２に
ついて、まずポーラスな膜を形成して、その上に緻密な
膜を形成する方法でもよいし、基板２２の１枚ずつにつ
いて、交互にポーラスな膜と緻密な膜を形成していく方
法でもよい。
【００１５】
【発明の効果】本発明は上記のように、高周波マグネト
ロンスパッタリングによるポーラスな膜の上に、高周波
２極スパッタリングによる緻密な膜を形成する方法なの
で、緻密な膜でポーラスな部分が埋められ、且つ表面に
緻密な層が形成されるため、ギャップ膜を高絶縁化で
き、電気的な素子破壊が引き起こされる虞れも無くな
る。またギャップ膜の大部分が高周波マグネトロンスパ
ッタリング法で成膜されるため、成膜速度が高く、生産
性も良好である。
ロンスパッタリングによるポーラスな膜の上に、高周波
２極スパッタリングによる緻密な膜を形成する方法なの
で、緻密な膜でポーラスな部分が埋められ、且つ表面に
緻密な層が形成されるため、ギャップ膜を高絶縁化で
き、電気的な素子破壊が引き起こされる虞れも無くな
る。またギャップ膜の大部分が高周波マグネトロンスパ
ッタリング法で成膜されるため、成膜速度が高く、生産
性も良好である。
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドのギャップ部近傍
の一実施例を示す説明図。
の一実施例を示す説明図。
【図２】本発明に係る薄膜磁気ヘッドのギャップ部近傍
の他の実施例を示す説明図。
の他の実施例を示す説明図。
【図３】本発明で用いるスパッタ装置の一例を示す説明
図。
図。
【図４】本発明で用いるスパッタ装置の他の例を示す説
明図。
明図。
１０ 下部磁性膜 １２ ギャップ膜 １４ 上部磁性膜 １６ ポーラスな膜 １８ 緻密な膜
Claims (4)
- 【請求項１】 セラミックス基板上に、下部磁性膜と、
ギャップ膜と、上部磁性膜を、その順序で形成する薄膜
磁気ヘッドの製造方法において、前記ギャップ膜は、高
周波マグネトロンスパッタリング法によって成膜するア
ルミナのポーラスな膜と、その上に、高周波２極スパッ
タリング法によって成膜するアルミナの緻密な膜とを、
その順序で複数交互に成膜することによって形成するこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】 セラミックス基板上に、下部磁性膜と、
ギャップ膜と、上部磁性膜を、その順序で形成する薄膜
磁気ヘッドの製造方法において、前記ギャップ膜は、高
周波マグネトロンスパッタリング法によって成膜するア
ルミナのポーラスな膜と、その上に、高周波２極スパッ
タリング法によって成膜するアルミナの緻密な膜とによ
って形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
法。 - 【請求項３】 ギャップ膜は全体でほぼ３０００Åの厚
みがあり、そのうちの２０〜３０％を、高周波２極スパ
ッタリング法によって成膜したアルミナの緻密な膜とす
る請求項１又は２記載の製造方法。 - 【請求項４】 セラミックス基板上に設ける上下２層の
磁性膜をギャップ膜で分離し、その間にコイル膜を形成
する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記ギャップ膜は、アル
ミナのポーラスな膜の上に、アルミナの緻密な膜を積層
した構造をなしていることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15049994A JP2757120B2 (ja) | 1994-06-08 | 1994-06-08 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15049994A JP2757120B2 (ja) | 1994-06-08 | 1994-06-08 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07334816A JPH07334816A (ja) | 1995-12-22 |
| JP2757120B2 true JP2757120B2 (ja) | 1998-05-25 |
Family
ID=15498202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15049994A Expired - Lifetime JP2757120B2 (ja) | 1994-06-08 | 1994-06-08 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2757120B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100716104B1 (ko) * | 2003-10-28 | 2007-05-09 | 한국과학기술연구원 | 다층박막 제조방법 |
-
1994
- 1994-06-08 JP JP15049994A patent/JP2757120B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07334816A (ja) | 1995-12-22 |
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