JP2757067B2 - 錫、鉛または錫―鉛合金めっき浴 - Google Patents
錫、鉛または錫―鉛合金めっき浴Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、錫、鉛または錫−鉛合金めっき浴に関し、
さらに詳しくは広い電流密度域において良好なめっき皮
膜を均一な膜厚で得ることができる錫、鉛または錫−鉛
合金めっき浴に関する。
さらに詳しくは広い電流密度域において良好なめっき皮
膜を均一な膜厚で得ることができる錫、鉛または錫−鉛
合金めっき浴に関する。
［従来の技術］ 錫、鉛または錫−鉛合金めっきは、耐食性、半田付け
性が良好なため、弱電部品やリードフレーム等に代表さ
れる電子工業用部品等の工業用めっきとして広く利用さ
れている。このような錫、鉛または錫−鉛合金めっきに
使用されるめっき浴としては、主にホウフッ化浴等が用
いられてきたが、近年、公害防止等の観点から有機酸浴
が開発され、実用化されているものもある。錫、鉛また
は錫−鉛合金めっきでは一般に、添加剤を使用しない
と、樹脂状、粉末状めっきとなり、実用的なめっきは得
られない。一般的にホウフッ化浴の添加剤としてはゼラ
チン、にかわ、ペプトン、β−ナフトール等の有機添加
剤が知られている。また、有機酸浴の添加剤としては、
チオ尿素化合物等または非イオン性界面活性剤や陽イオ
ン性界面活性剤を添加剤として添加しためっき液等が知
られている。
性が良好なため、弱電部品やリードフレーム等に代表さ
れる電子工業用部品等の工業用めっきとして広く利用さ
れている。このような錫、鉛または錫−鉛合金めっきに
使用されるめっき浴としては、主にホウフッ化浴等が用
いられてきたが、近年、公害防止等の観点から有機酸浴
が開発され、実用化されているものもある。錫、鉛また
は錫−鉛合金めっきでは一般に、添加剤を使用しない
と、樹脂状、粉末状めっきとなり、実用的なめっきは得
られない。一般的にホウフッ化浴の添加剤としてはゼラ
チン、にかわ、ペプトン、β−ナフトール等の有機添加
剤が知られている。また、有機酸浴の添加剤としては、
チオ尿素化合物等または非イオン性界面活性剤や陽イオ
ン性界面活性剤を添加剤として添加しためっき液等が知
られている。
［発明が解決しようとする課題］ 上記用途における錫、鉛または錫−鉛合金めっき浴に
対する一般的な要求としては、析出する結晶が微細で外
観が均一であること、均一な膜厚が得られること、部品
の凹部にも確実にめっきがつきまわること、めっき皮膜
のハンダ付け性が良好であること、電着皮膜の炭素吸蔵
量が少ないこと、電流効率が良く高速でめっきができる
ことなどがあり、特に、錫−鉛合金めっきに対する要求
としては、上記の外に、より高電流密度域においても良
好なめっきが可能であること、また、得られた錫−鉛合
金めっき皮膜中の析出比率が一定であること等である。
対する一般的な要求としては、析出する結晶が微細で外
観が均一であること、均一な膜厚が得られること、部品
の凹部にも確実にめっきがつきまわること、めっき皮膜
のハンダ付け性が良好であること、電着皮膜の炭素吸蔵
量が少ないこと、電流効率が良く高速でめっきができる
ことなどがあり、特に、錫−鉛合金めっきに対する要求
としては、上記の外に、より高電流密度域においても良
好なめっきが可能であること、また、得られた錫−鉛合
金めっき皮膜中の析出比率が一定であること等である。
しかしながら、前記した従来技術のめっき浴において
は、いずれも実際の使用電流度は、0.5〜5.0A/dm2程度
であり、めっき条件をある電流密度に設定しても、めっ
きが施される素材の各表面部位における局所的に見た電
流密度は必ずしも同一ではなく、めっきを施す面積の大
きさや形状の複雑さ等によって不均一となり、その結
果、めっき膜厚のバラツキが大きくなる。したがって、
現状では、広い電流密度範囲（0.1〜130A/dm2）におい
ても析出速度がほぼ一定であることが求められており、
特に、錫−鉛合金めっき浴ではめっき皮膜中の析出比率
が一定であることが求められている。
は、いずれも実際の使用電流度は、0.5〜5.0A/dm2程度
であり、めっき条件をある電流密度に設定しても、めっ
きが施される素材の各表面部位における局所的に見た電
流密度は必ずしも同一ではなく、めっきを施す面積の大
きさや形状の複雑さ等によって不均一となり、その結
果、めっき膜厚のバラツキが大きくなる。したがって、
現状では、広い電流密度範囲（0.1〜130A/dm2）におい
ても析出速度がほぼ一定であることが求められており、
特に、錫−鉛合金めっき浴ではめっき皮膜中の析出比率
が一定であることが求められている。
本発明の目的は、上述のような現状に鑑み、総合的に
すぐれためっき品質を達成し得る錫、鉛または錫−鉛合
金めっき浴を提供することにある。
すぐれためっき品質を達成し得る錫、鉛または錫−鉛合
金めっき浴を提供することにある。
そして特に、本発明の目的は、高電流密度でめっきが
可能であるばかりでなく、広い電流密度範囲（0.1〜130
A/dm2）において、めっき皮膜の析出比率が一定であ
り、かつ、めっき皮膜の析出比率がほぼ一定で良好な品
質の錫−鉛合金めっき皮膜を得ることができる錫−鉛合
金めっき浴を提供することにある。
可能であるばかりでなく、広い電流密度範囲（0.1〜130
A/dm2）において、めっき皮膜の析出比率が一定であ
り、かつ、めっき皮膜の析出比率がほぼ一定で良好な品
質の錫−鉛合金めっき皮膜を得ることができる錫−鉛合
金めっき浴を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 本発明者は、ある種のベンゾチアゾール化合物を錫、
鉛または錫−鉛合金めっき浴に添加することによって、
広い電流範囲において良好なめっき外観と良好なはんだ
付け性を有し、電着皮膜が均一な厚さでありかつ炭素吸
蔵量が少ないめっきが得られることを見出した。また、
ベンゾチアゾール化合物の添加により、電流効率が良く
なり、高速でめっきができることがわかった。本発明の
ベンゾチアゾール化合物は、任意の慣用された錫、鉛ま
たは錫−鉛合金めっき浴、例えばホウフッ化物浴、硫酸
浴、スルホン酸系浴、スルファメート系浴等のいずれに
も適用することができる。
鉛または錫−鉛合金めっき浴に添加することによって、
広い電流範囲において良好なめっき外観と良好なはんだ
付け性を有し、電着皮膜が均一な厚さでありかつ炭素吸
蔵量が少ないめっきが得られることを見出した。また、
ベンゾチアゾール化合物の添加により、電流効率が良く
なり、高速でめっきができることがわかった。本発明の
ベンゾチアゾール化合物は、任意の慣用された錫、鉛ま
たは錫−鉛合金めっき浴、例えばホウフッ化物浴、硫酸
浴、スルホン酸系浴、スルファメート系浴等のいずれに
も適用することができる。
しかして、本発明は、次の一般式（Ｉ）： ［式中、R1、R2、R3、R4およびR5は、それぞれ同一又は
異なっていてよく、H;−SH;−OH;OR（Ｒは所望により−
CO2Hにて置換されてもよいＣ１〜６アルキル）;OH、ハ
ロゲン、−CO2H、−COCO2H、アリールまたはOC１〜６ア
ルキルで置換されていてもよいＣ１〜６アルキル;OH、N
H2、ハロゲンまたはOC１〜６アルキルで置換されていて
もよいアリール;SR（Ｒは所望により−CO2Hにて置換さ
れてもよいＣ１〜６アルキル）； −Ｓ−アリール； −Ｓ−Ｓ−アリール;NH2; −NRR′（ＲおよびＲ′はＣ１〜６アルキルまたは一緒
になって環を形成してもよい）；−NHCOC１〜６アルキ
ル；−NHCOアリール；−NHNH2;−NO2;ハロゲン；−CO
2H;COC１〜６アルキル;COアリール；−CONHアリール；
−CSNHアリール；−CN;−CHO;−SO3H;−SO2NH2または−
SO2NRR′（ＲおよびＲ′はＣ１〜６アルキルまたは一緒
になって環を形成してもよい）を意味する］にて示され
るチアゾール化合物を有効成分として含有することを特
徴とする錫、鉛または錫−鉛合金めっき浴を提供する。
異なっていてよく、H;−SH;−OH;OR（Ｒは所望により−
CO2Hにて置換されてもよいＣ１〜６アルキル）;OH、ハ
ロゲン、−CO2H、−COCO2H、アリールまたはOC１〜６ア
ルキルで置換されていてもよいＣ１〜６アルキル;OH、N
H2、ハロゲンまたはOC１〜６アルキルで置換されていて
もよいアリール;SR（Ｒは所望により−CO2Hにて置換さ
れてもよいＣ１〜６アルキル）； −Ｓ−アリール； −Ｓ−Ｓ−アリール;NH2; −NRR′（ＲおよびＲ′はＣ１〜６アルキルまたは一緒
になって環を形成してもよい）；−NHCOC１〜６アルキ
ル；−NHCOアリール；−NHNH2;−NO2;ハロゲン；−CO
2H;COC１〜６アルキル;COアリール；−CONHアリール；
−CSNHアリール；−CN;−CHO;−SO3H;−SO2NH2または−
SO2NRR′（ＲおよびＲ′はＣ１〜６アルキルまたは一緒
になって環を形成してもよい）を意味する］にて示され
るチアゾール化合物を有効成分として含有することを特
徴とする錫、鉛または錫−鉛合金めっき浴を提供する。
本発明の錫、鉛または錫−鉛めっき浴に添加される式
（Ｉ）のベンゾチアゾール化合物の具体例としては、ベ
ンゾチアゾール;2−メチルベンゾチアゾール;2−（メチ
ルメルカプト）ベンゾチアゾール;2−アミノ−４−クロ
ロベンゾチアゾール;2−アミノベンゾチアゾール;2−ア
ミノ−６−メトキシベンゾチアゾール;2−アミノ−６−
エトキシベンゾチアゾール;2−アミノ−６−クロロベン
ゾチアゾール;2−アミノ−5,6−ジクロロベンゾチアゾ
ール;2−メチル−５−クロロベンゾチアゾール;2−ヒド
ロキシベンゾチアゾール;2−アミノ−６−メチルベンゾ
チアゾール;2−アミノ−６−ニトロベンゾチアゾール;4
−（２−ベンゾチアゾリルジチオ）モルホリン;2−クロ
ロベンゾチアゾール;5−クロロ−２−メチルベンゾチア
ゾール;2−シアノ−６−メトキシベンゾチアゾール;2,5
−ジメチルベンゾチアゾール;2−（2,4−ジニトロフェ
ニルチオ）ベンゾチアゾール;2−フルオロベンゾチアゾ
ール;2−ヒドラジノベンゾチアゾール;2−（モルホリノ
チオ）ベンゾチアゾール;6−ニトロ−２−メルカプトベ
ンゾチアゾール;5−ヒドロキシ−２−メチルベンゾチア
ゾール;6−クロロ−２−メチル−４−メトキシベンゾチ
アゾール;2−ビニルチオベンゾチアゾール;2−ベンゾチ
アゾールチオ酢酸;2−（ｎ−ブチル）メルカプト−６−
アミノベンゾチアゾール;2−ジメチルアミノ−６−ニト
ロベンゾチアゾール;2−アニリノベンゾチアゾール２−
［２−（ジエチルアミノ）エチルアミノ］ベンゾチアゾ
ール;2−アセトアミノベンゾチアゾール−６−スルホン
アセトアミド;2−ベンズアミノベンゾチアゾール−６−
スルホンベンズアミド;2−ベンゾチアゾールカルボン
酸;6−メチルベンゾチアゾール−２−アルデヒド;2−ベ
ンゾイルベンゾチアゾール;2−ベンゾチアゾールオキシ
酢酸;2−ジクロロメチルベンゾチアゾール;2−（２−ヒ
ドロキシフェニル）ベンゾチアゾール;N−シクロヘキシ
ル−２−ベンゾチアゾールスルホンアミド;4−メトキシ
ベンゾチアゾール−２−スルホン酸;2−ベンゾチアゾリ
ルピルビン酸；ビス［６−ニトロベンゾチアゾール−
（２）］尿素等があげられる。
（Ｉ）のベンゾチアゾール化合物の具体例としては、ベ
ンゾチアゾール;2−メチルベンゾチアゾール;2−（メチ
ルメルカプト）ベンゾチアゾール;2−アミノ−４−クロ
ロベンゾチアゾール;2−アミノベンゾチアゾール;2−ア
ミノ−６−メトキシベンゾチアゾール;2−アミノ−６−
エトキシベンゾチアゾール;2−アミノ−６−クロロベン
ゾチアゾール;2−アミノ−5,6−ジクロロベンゾチアゾ
ール;2−メチル−５−クロロベンゾチアゾール;2−ヒド
ロキシベンゾチアゾール;2−アミノ−６−メチルベンゾ
チアゾール;2−アミノ−６−ニトロベンゾチアゾール;4
−（２−ベンゾチアゾリルジチオ）モルホリン;2−クロ
ロベンゾチアゾール;5−クロロ−２−メチルベンゾチア
ゾール;2−シアノ−６−メトキシベンゾチアゾール;2,5
−ジメチルベンゾチアゾール;2−（2,4−ジニトロフェ
ニルチオ）ベンゾチアゾール;2−フルオロベンゾチアゾ
ール;2−ヒドラジノベンゾチアゾール;2−（モルホリノ
チオ）ベンゾチアゾール;6−ニトロ−２−メルカプトベ
ンゾチアゾール;5−ヒドロキシ−２−メチルベンゾチア
ゾール;6−クロロ−２−メチル−４−メトキシベンゾチ
アゾール;2−ビニルチオベンゾチアゾール;2−ベンゾチ
アゾールチオ酢酸;2−（ｎ−ブチル）メルカプト−６−
アミノベンゾチアゾール;2−ジメチルアミノ−６−ニト
ロベンゾチアゾール;2−アニリノベンゾチアゾール２−
［２−（ジエチルアミノ）エチルアミノ］ベンゾチアゾ
ール;2−アセトアミノベンゾチアゾール−６−スルホン
アセトアミド;2−ベンズアミノベンゾチアゾール−６−
スルホンベンズアミド;2−ベンゾチアゾールカルボン
酸;6−メチルベンゾチアゾール−２−アルデヒド;2−ベ
ンゾイルベンゾチアゾール;2−ベンゾチアゾールオキシ
酢酸;2−ジクロロメチルベンゾチアゾール;2−（２−ヒ
ドロキシフェニル）ベンゾチアゾール;N−シクロヘキシ
ル−２−ベンゾチアゾールスルホンアミド;4−メトキシ
ベンゾチアゾール−２−スルホン酸;2−ベンゾチアゾリ
ルピルビン酸；ビス［６−ニトロベンゾチアゾール−
（２）］尿素等があげられる。
本発明のめっき浴には、これらのベンゾチアゾール化
合物の１種又は２種以上を一般に0.001〜30g/、好ま
しくは0.01〜2g/の量で添加することができる。0.001
g/未満では高電流密度部位にてコゲが発生し、また30
g/よりも多いと電流効率が低下し、外観が黒くなるの
で好ましくない。
合物の１種又は２種以上を一般に0.001〜30g/、好ま
しくは0.01〜2g/の量で添加することができる。0.001
g/未満では高電流密度部位にてコゲが発生し、また30
g/よりも多いと電流効率が低下し、外観が黒くなるの
で好ましくない。
本発明のめっき浴に有効成分として含有される式
（Ｉ）のベンゾチアゾール化合物は、錫、鉛または錫−
鉛合金めっき浴にて通常用いられるノニオン系界面活性
剤と組合せて用いられる。かかるノニオン系界面活性剤
としては、高級アルコール、アルキルフェノール、脂肪
酸、アミン、アルキレンジアミン、脂肪酸アミド、スル
ホンアミド、りん酸、多価アルコール、グルコシド等の
ポリオキシアルキレン付加物が好ましく、具体的には、
エマルゲンＢ−66、エマルゲンＬ−40（花王（株）
製）、アデカトールPC−10、テトロニック701、702、70
4（旭電化（株）製）、ノイゲンEN−10、ディスコール
Ｎ−512、ディスコールAN−715（第一工業製薬（株）
製）、ニューコール2616F、BA−８グリコール、BA−10
グリコール、ニューコール707、ニューコール569E（日
本乳化剤（株）製）、TDMNS−８、TAMNO−15（日光ケミ
カル（株）製）、アミゼット10C（川研ケミカル（株）
製）、エソマイドTH/60（ライオン（株）製）、サーフ
ィノール465（日信化学（株）製）、セドランFF210、50
HB−100、50HB−660、50HB−5100（三洋化成（株）製）
等があげらる。
（Ｉ）のベンゾチアゾール化合物は、錫、鉛または錫−
鉛合金めっき浴にて通常用いられるノニオン系界面活性
剤と組合せて用いられる。かかるノニオン系界面活性剤
としては、高級アルコール、アルキルフェノール、脂肪
酸、アミン、アルキレンジアミン、脂肪酸アミド、スル
ホンアミド、りん酸、多価アルコール、グルコシド等の
ポリオキシアルキレン付加物が好ましく、具体的には、
エマルゲンＢ−66、エマルゲンＬ−40（花王（株）
製）、アデカトールPC−10、テトロニック701、702、70
4（旭電化（株）製）、ノイゲンEN−10、ディスコール
Ｎ−512、ディスコールAN−715（第一工業製薬（株）
製）、ニューコール2616F、BA−８グリコール、BA−10
グリコール、ニューコール707、ニューコール569E（日
本乳化剤（株）製）、TDMNS−８、TAMNO−15（日光ケミ
カル（株）製）、アミゼット10C（川研ケミカル（株）
製）、エソマイドTH/60（ライオン（株）製）、サーフ
ィノール465（日信化学（株）製）、セドランFF210、50
HB−100、50HB−660、50HB−5100（三洋化成（株）製）
等があげらる。
ノニオン系界面活性剤は、一般に0.1〜100g/、好ま
しくは0.5〜20g/の量で使用される。
しくは0.5〜20g/の量で使用される。
さらに、本発明のめっき浴は、上記のノニオン系界面
活性剤に加えて、錫、鉛または錫−鉛合金めっき浴にて
通常使用されるカチオン系界面活性剤および／または両
性界面活性剤や脂肪族アルデヒドを併用することがで
き、それらの添加により電着皮膜特性がさらに向上す
る。まためっき皮膜の色調も白っぽくなり、外観も良好
になる。
活性剤に加えて、錫、鉛または錫−鉛合金めっき浴にて
通常使用されるカチオン系界面活性剤および／または両
性界面活性剤や脂肪族アルデヒドを併用することがで
き、それらの添加により電着皮膜特性がさらに向上す
る。まためっき皮膜の色調も白っぽくなり、外観も良好
になる。
カチオン系界面活性剤の例としては、塩の形で表わし
て、例えば、ラウリルトリメチルアンモニウム塩、セチ
ルトリメチルアンモニウム塩、ステアリルトリメチルア
ンモニウム塩、ラルリルジメチルエチルアンモニウム
塩、オクタデセニルジメチル−エチルアンモニウム塩、
ラウリルジメチルアンモニウムベタイン、ステアリルジ
メチルアンモニウムベタイン、ジメチル−ベンジルラウ
リルアンモニウム塩、セチルジメチルベンジルアンモニ
ウム塩、オクタデシルジメチルベンジルアンモニウム
塩、トリメチルベンジルアンモニウム塩、トリエチルベ
ンジルアンモニウム塩、ヘキサデシルピリジニウム塩、
ラウリルピリジニウム塩、ドデシルピコリニウム塩、ラ
ウリルイミダゾリニウム塩、オレイルイミダゾリニウム
塩、ステアリルアミンアセテート、ラウリルアミンアセ
テート、オクタデジルアミンアセテート等が挙げられ
る。
て、例えば、ラウリルトリメチルアンモニウム塩、セチ
ルトリメチルアンモニウム塩、ステアリルトリメチルア
ンモニウム塩、ラルリルジメチルエチルアンモニウム
塩、オクタデセニルジメチル−エチルアンモニウム塩、
ラウリルジメチルアンモニウムベタイン、ステアリルジ
メチルアンモニウムベタイン、ジメチル−ベンジルラウ
リルアンモニウム塩、セチルジメチルベンジルアンモニ
ウム塩、オクタデシルジメチルベンジルアンモニウム
塩、トリメチルベンジルアンモニウム塩、トリエチルベ
ンジルアンモニウム塩、ヘキサデシルピリジニウム塩、
ラウリルピリジニウム塩、ドデシルピコリニウム塩、ラ
ウリルイミダゾリニウム塩、オレイルイミダゾリニウム
塩、ステアリルアミンアセテート、ラウリルアミンアセ
テート、オクタデジルアミンアセテート等が挙げられ
る。
カチオン系界面活性剤は、一般に0.01〜30g/、好ま
しくは0.1〜5g/の量で使用される。
しくは0.1〜5g/の量で使用される。
両性界面活性剤としては、各種の型のものが使用で
き、例えば、アルキルカルボキシベタイン型として、ア
ンヒトール20BS（花王）、スワノールAM−301（日本サ
ーファクタント）、アモーゲンＫ（第一工業製薬）；ア
ルキルアミノカルボン酸型として、レボン15（三洋化
成）、オバノール516（東邦化学）、リポミンLA（ライ
オン）；アルキルイミダゾリン型として、レボン101−
Ｈ（三洋化成）、オバゾリン662（東邦化学）、エナジ
コールCNS（ライオン）、アンフォタージKJ−２（ロン
ザ）等が挙げられる。
き、例えば、アルキルカルボキシベタイン型として、ア
ンヒトール20BS（花王）、スワノールAM−301（日本サ
ーファクタント）、アモーゲンＫ（第一工業製薬）；ア
ルキルアミノカルボン酸型として、レボン15（三洋化
成）、オバノール516（東邦化学）、リポミンLA（ライ
オン）；アルキルイミダゾリン型として、レボン101−
Ｈ（三洋化成）、オバゾリン662（東邦化学）、エナジ
コールCNS（ライオン）、アンフォタージKJ−２（ロン
ザ）等が挙げられる。
両性界面活性剤は、一般に0.01〜30g/、好ましくは
0.1〜5g/の量で使用される。
0.1〜5g/の量で使用される。
使用できる脂肪族アルデヒドとしては、例えば、ホル
ムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒ
ド、ブチルアルデヒド、アクロレイン、クロトンアルデ
ヒド等があげられる。
ムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒ
ド、ブチルアルデヒド、アクロレイン、クロトンアルデ
ヒド等があげられる。
添加量は、一般に0.0001〜0.1g/、好ましくは0.000
5〜0.05g/である。
5〜0.05g/である。
本発明のめっき浴は、上記のような式（Ｉ）のベンゾ
チアゾール化合物や各種の添加剤の他に、当然に、めっ
きすべき錫および／または鉛の水溶性化合物を含有す
る。これらの金属化合物は、通常２価の水溶性錫および
／または鉛化合物であり、また浴の種類に応じて任意の
形態で（例えば塩）添加できることは当業者には周知で
ある。これらの化合物の浴中の総濃度は、一般に、金属
として0.5〜200g/、好ましくは10〜100g/であって
よい。また、これらのめっき浴は、浴の種類に応じて遊
離の酸、例えばホウフッ化水素酸（ホウフッ化物浴）；
メタンスルホン酸、エタンスルホン酸等のアルカンスル
ホン酸、２−ヒドロキシエタン−１−スルホン酸、３−
ヒドロキシプロパンスルホン酸等のアルカノールスルホ
ン酸、フェノールスルホン酸（スルホン酸系浴）；硫酸
（硫酸浴）；スルファミン酸（スルファメート系浴）等
を含有する。
チアゾール化合物や各種の添加剤の他に、当然に、めっ
きすべき錫および／または鉛の水溶性化合物を含有す
る。これらの金属化合物は、通常２価の水溶性錫および
／または鉛化合物であり、また浴の種類に応じて任意の
形態で（例えば塩）添加できることは当業者には周知で
ある。これらの化合物の浴中の総濃度は、一般に、金属
として0.5〜200g/、好ましくは10〜100g/であって
よい。また、これらのめっき浴は、浴の種類に応じて遊
離の酸、例えばホウフッ化水素酸（ホウフッ化物浴）；
メタンスルホン酸、エタンスルホン酸等のアルカンスル
ホン酸、２−ヒドロキシエタン−１−スルホン酸、３−
ヒドロキシプロパンスルホン酸等のアルカノールスルホ
ン酸、フェノールスルホン酸（スルホン酸系浴）；硫酸
（硫酸浴）；スルファミン酸（スルファメート系浴）等
を含有する。
これらの酸は錫および鉛の金属に対して、当モルより
も過剰に存在させることが望ましい。
も過剰に存在させることが望ましい。
また、本発明のめっき浴は、この種の浴に使用されて
いる周知のカテコール、ハイドロキノンなどの酸化防止
剤、その他の添加剤を含有できる。
いる周知のカテコール、ハイドロキノンなどの酸化防止
剤、その他の添加剤を含有できる。
本発明による錫、鉛または錫−鉛合金めっき浴は、電
流効率が良いのでラック方式のみならず、ジェット方式
（高速度めっき）にても使用することができる。
流効率が良いのでラック方式のみならず、ジェット方式
（高速度めっき）にても使用することができる。
［発明の作用及び効果］ 本発明のめっき浴は、ベンゾチアゾール化合物を各種
の界面活性剤等とともに配合したことにより、広い電流
密度において良好なめっき外観と良好なはんだ付け性を
有し、電着皮膜が均一な厚さでありかつ炭素吸蔵量の少
ないめっきを得ることができ、特に錫−鉛合金めっきの
場合にはめっき皮膜中の析出比率が一定であるめっきを
得ることができる。また、欲の電流効率が良いので高速
でめっきすることができる。
の界面活性剤等とともに配合したことにより、広い電流
密度において良好なめっき外観と良好なはんだ付け性を
有し、電着皮膜が均一な厚さでありかつ炭素吸蔵量の少
ないめっきを得ることができ、特に錫−鉛合金めっきの
場合にはめっき皮膜中の析出比率が一定であるめっきを
得ることができる。また、欲の電流効率が良いので高速
でめっきすることができる。
［実施例］ 以下に、いくつかのめっきの実施例を記載するが、本
発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
実施例１ 添加量 （g/） ・２価の錫（メタンスルホン酸第一 36 錫として添加） ・２価の鉛（メタンスルホン酸第一 ４ 鉛として添加） ・遊離メタンスルホン酸 100 ・２−アミノベンゾチアゾール 0.5 ・セドランFF−210 ５ 上記成分に蒸留水を加えて１とした。
調製しためっき液を用い、3A、３分、浴温25℃、無撹
拌の条件下にてハルセルテストを行った。結果を第１表
に示す。
拌の条件下にてハルセルテストを行った。結果を第１表
に示す。
実施例２ 添加量 （g/） ・２価の錫（２−ヒドロキシエタン 24 スルホン酸第一錫として添加） ・２価の鉛（２−ヒドロキシエタン 16 スルホン酸第一鉛として添加） ・遊離２−ヒドロキシエタンスルホ 100 ン酸 ・２−アミノ−６−エトキシベンゾ 0.1 チアゾール ・エマルゲンＬ−40 ５ ・テクノールＲ−５（50） 0.2 上記成分に蒸留水を加えて１とした。
調製しためっき液を用い、実施例１と同じ条件下にて
ハルセルテストを行った。結果を第１表に示す。
ハルセルテストを行った。結果を第１表に示す。
実施例３ 添加量 （g/） ・２価の錫（２−エタンスルホン酸 36 第一錫として添加） ・２価の鉛（２−エタンスルホン酸 ４ 第一鉛として添加） ・遊離２−エタンスルホン酸 100 ・２−アミノ−６−メトキシベンゾ 0.1 チアゾール ・エマルゲンＬ−40 ５ ・テクノールＲ−５（50） 0.2 上記成分に蒸留水を加えて１とした。
調製しためっき液を用い、実施例１と同じ条件下にて
ハルセルテストを行った。結果を第１表に示す。
ハルセルテストを行った。結果を第１表に示す。
実施例４ 添加量 （g/） ・２価の錫（メタンスルホン酸第一 24 錫として添加） ・２価の鉛（メタンスルホン酸第一 16 鉛として添加） ・遊離メタンスルホン酸 100 ・２−アミノ−６−クロルベンゾチ 0.05 アゾール ・エマルゲンＬ−40 ５ ・テクノールＲ−５（50） 0.2 上記成分に蒸留水を加えて１とした。
調製しためっき液を用い、実施例１と同じ条件下にて
ハルセルテストを行った。結果を第１表に示す。
ハルセルテストを行った。結果を第１表に示す。
実施例５ 添加量 （g/） ・２価の錫（２−ヒドロキシプロパ 36 ンスルホン酸第一錫として添加） ・２価の鉛（２−ヒドロキシプロパ ４ ンスルホン酸第一鉛として添加） ・遊離２−ヒドロキシプロパンスル 100 ホン酸 ・４−クロル−２−アミノベンゾチ 0.1 アゾール ・エマルゲンＬ−40 ５ ・テクノールＲ−５（50） 0.2 上記成分に蒸留水を加えて１とした。
調製しためっき液を用い、実施例１と同じ条件下にて
ハルセルテストを行った。結果を第１表に示す。
ハルセルテストを行った。結果を第１表に示す。
実施例６ 添加量 （g/） ・２価の錫（メタンスルホン酸第一 36 錫として添加） ・２価の鉛（メタンスルホン酸第一 ４ 鉛として添加） ・遊離メタンスルホン酸 100 ・5,6−ジクロル−２−アミノベン 0.02 ゾチアゾール ・エマルゲンＬ−40 ５ ・テクノールＲ−５（50） 0.2 上記成分に蒸留水を加えて１とした。
調製しためっき液を用い、実施例１と同じ条件下にて
ハルセルテストを行った。結果を第１表に示す。
ハルセルテストを行った。結果を第１表に示す。
実施例７ 添加量 （g/） ・２価の錫（２−ヒドロキシプロパ 36 ンスルホン酸第一錫として添加） ・２価の鉛（２−ヒドロキシプロパ ４ ンスルホン酸第一鉛として添加） ・遊離２−ヒドロキシプロパンスル 100 ホン酸 ・２−アミノ−６−ニトロベンゾチ 0.1 アゾール ・エマルゲンＬ−40 ５ ・カテコール １ 上記成分に蒸留水を加えて１とした。
調製しためっき液を用い、実施例１と同じ条件下にて
ハルセルテストを行った。結果を第１表に示す。
ハルセルテストを行った。結果を第１表に示す。
実施例８ 添加量 （g/） ・２価の錫（２−ヒドロキシプロパ 36 ンスルホン酸第一錫として添加） ・２価の鉛（２−ヒドロキシプロパ ４ ンスルホン酸第一鉛として添加） ・遊離２−ヒドロキシプロパンスル 100 ホン酸 ・ベンゾチアゾール 0.03 ・エマルゲンＬ−40 ５ ・テクノールＲ−５（50） 0.2 上記成分に蒸留水を加えて１とした。
調製しためっき液を用い、実施例１と同じ条件下にて
ハルセルテストを行った。結果を第１表に示す。
ハルセルテストを行った。結果を第１表に示す。
実施例９ 添加量 （g/） ・２価の錫（２−ヒドロキシプロパ 36 ンスルホン酸第一錫として添加） ・２価の鉛（２−ヒドロキシプロパ ４ ンスルホン酸第一鉛として添加） ・遊離メタンスルホン酸 100 ・２−メチルベンゾチアゾール 0.04 ・テトロニックTR−702 ５ ・ノイゲンEN−10 ５ ・テクノールＲ−５（50） 0.3 上記成分に蒸留水を加えて１とした。
調製しためっき液を用い、実施例１と同じ条件下にて
ハルセルテストを行った。結果を第１表に示す。
ハルセルテストを行った。結果を第１表に示す。
実施例10 添加量 （g/） ・２価の錫（２−ヒドロキシプロパ 36 ンスルホン酸第一錫として添加） ・２価の鉛（２−ヒドロキシプロパ ４ ンスルホン酸第一鉛として添加） ・遊離メタンスルホン酸 100 ・２−メルカプトベンゾチアゾール 0.3 ・アデカトールPC−10 8.7 ・カテコール １ 上記成分に蒸留水を加えて１とした。
調製しためっき液を用い、実施例１と同じ条件下にて
ハルセルテストを行った。結果を第１表に示す。
ハルセルテストを行った。結果を第１表に示す。
実施例11 添加量 （g/） ・２価の錫（２−ヒドロキシプロパ 36 ンスルホン酸第一錫として添加） ・２価の鉛（２−ヒドロキシプロパ ４ ンスルホン酸第一鉛として添加） ・遊離２−ヒドロキシプロパンスル 100 ホン酸 ・２−メルカプトベンゾチアゾール・ 0.1 シクロヘキシルアミン塩 ・ノイゲンEN ５ ・テクノールＲ−５（50） ２ 上記成分に蒸留水を加えて１とした。
調製しためっき液を用い、実施例１と同じ条件下にて
ハルセルテストを行った。結果を第１表に示す。
ハルセルテストを行った。結果を第１表に示す。
比較例１ 添加量 （g/） ・２価の錫（ホウフッ化第一錫として 80 添加） ・２価の鉛（ホウフッ化第一鉛として ５ 添加） ・ホウフッ化水素酸 100 ・ホウ酸 25 ・にかわ ５ ・β−ナフトール 0.5 上記成分に蒸留水を加えて１とした。
調製しためっき液を用い、実施例１と同じ条件下にて
ハルセルテストを行った。結果を第１表に示す。
ハルセルテストを行った。結果を第１表に示す。
比較例２ 添加量 （g/） ・２価の錫（ホウフッ化第一錫として 80 添加） ・２価の鉛（ホウフッ化第一鉛として ５ 添加） ・遊離ホウフッ化水素酸 100 ・ホウ酸 25 ・ペプトン ５ 上記成分に蒸留水を加えて１とした。
調製しためっき液を用い、実施例１と同じ条件下にて
ハルセルテストを行った。結果を第１表に示す。
ハルセルテストを行った。結果を第１表に示す。
比較例３ 添加量 （g/） ・２価の錫（２−ヒドロキシプロパ 36 ンスルホン酸第一錫として添加） ・２価の鉛（２−ヒドロキシプロパ ４ ンスルホン酸第一鉛として添加） ・遊離２−ヒドロキシプロパンスル 100 ホン酸 ・エマルゲンＬ−40 ５ ・テクノールＲ−５（50） 0.2 上記成分に蒸留水を加えて１とした。
調製しためっき液を用い、実施例１と同じ条件下にて
ハルセルテストを行った。結果を第１表に示す。
ハルセルテストを行った。結果を第１表に示す。
比較例４ 添加量 （g/） ・２価の錫（メタンスルホン酸第一 36 錫として添加） ・２価の鉛（メタンスルホン酸第一 ４ 鉛として添加） ・遊離メタンスルホン酸 100 ・テトロニックTR−702 ５ ・ノイゲンEN−10 ５ ・テクノールＲ−５（50） 0.3 上記成分に蒸留水を加えて１とした。
調製しためっき液を用い、実施例１と同じ条件下にて
ハルセルテストを行った。結果を第１表に示す。
ハルセルテストを行った。結果を第１表に示す。
比較例５ 添加量 （g/） ・２価の錫（２−ヒドロキシプロパ 36 ンスルホン酸第一錫として添加） ・２価の鉛（２−ヒドロキシプロパ ４ ンスルホン酸第一鉛として添加） ・遊離メタンスルホン酸 100 ・エマルゲンＬ−40 ５ ・テクノールＲ−５（50） 0.2 ・Ｎ−（３−ヒドロキシブチリデン） 0.3 −ｐ−スルファニル酸 上記成分に蒸留水を加えて１とした。
調製しためっき液を用い、実施例１と同じ条件下にて
ハルセルテストを行った。結果を第１表に示す。
ハルセルテストを行った。結果を第１表に示す。
評価基準 ハルセルパネルめっき外観 ○:5〜15A/dm2におけるめっき外観が良。
△:5〜15A/dm2におけるめっき外観が可。
×:5〜15A/dm2におけるめっき外観が不可。
均一電着性 ○：ワトソン氏法により50％以上。
△：ワトソン氏法により30〜50％。
×：ワトソン氏法により30％以下。
半田付け性 ○:25ミリ角の銅板にめっきしたもののゼロクロスタイ
ム（MIL規格にて行う）が２秒以下。
ム（MIL規格にて行う）が２秒以下。
△:25ミリ角の銅板にめっきしたもののゼロクロスタイ
ム（MIL規格にて行う）が２〜５秒。
ム（MIL規格にて行う）が２〜５秒。
×:25ミリ角の銅板にめっきしたもののゼロクロスタイ
ム（MIL規格にて行う）が５秒以上。
ム（MIL規格にて行う）が５秒以上。
電着組成の安定性 ○：電着Pb％のばらつきが５％以下。
△：電着Pb％のばらつきが５〜10％以下。
×：電着Pb％のばらつきが10％以上。
陰極電流効率 ○:90％以上。
△:70〜90％。
×:70％以下。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小里 圭二 兵庫県神戸市兵庫区西柳原町５番26号 石原薬品株式会社内 (72)発明者 正木 征史 兵庫県神戸市長田区西山町４丁目16番５ 号
Claims (3)
- 【請求項１】一般式（Ｉ）： ［式中、R1、R2、R3、R4およびR5は、それぞれ同一又は
異なっていてよく、H;−SH;−OH;OR（Ｒは所望により−
CO2Hにて置換されてもよいＣ１〜６アルキル）;OH、ハ
ロゲン、−CO2H、−COCO2H、アリールまたはOC１〜６ア
ルキルで置換されていてもよいＣ１〜６アルキル;OH、N
H2、ハロゲンまたはOC１〜６アルキルで置換されていて
もよいアリール;SR（Ｒは所望により−CO2Hにて置換さ
れてもよいＣ１〜６アルキル）； −Ｓ−アリール； −Ｓ−Ｓ−アリール;NH2; −NRR′（ＲおよびＲ′はＣ１〜６アルキルまたは一緒
になって環を形成してもよい）；−NHCOC１〜６アルキ
ル；−NHCOアリール；−NHNH2;−NO2;ハロゲン；−CO
2H;COC１〜６アルキル;COアリール；−CONHアリール；
−CSNHアリール；−CN;−CHO;−SO3H;−SO2NH2または−
SO2NRR′（ＲおよびＲ′はＣ１〜６アルキルまたは一緒
になって環を形成してもよい）を意味する］ にて示される化合物を有効成分として含有することを特
徴とする錫、鉛または錫−鉛合金めっき浴。 - 【請求項２】請求項（１）の一般式（Ｉ）のベンゾチア
ゾール化合物およびノニオン系界面活性剤の少なくとも
一種以上を含有することを特徴とする錫、鉛または錫−
鉛合金めっき浴。 - 【請求項３】請求項（１）の一般式（Ｉ）のベンゾチア
ゾール化合物およびノニオン系界面活性剤の少なくとも
一種以上ならびにカチオン系界面活性剤の一種以上を含
有することを特徴とする錫、鉛または錫−鉛合金めっき
浴。
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13265690A JP2757067B2 (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 錫、鉛または錫―鉛合金めっき浴 |
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Family
ID=15086425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (1)
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1990
- 1990-05-24 JP JP13265690A patent/JP2757067B2/ja not_active Expired - Fee Related
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