JP3108783B2 - 新規アゾール化合物、及び該化合物を含有する錫、鉛または錫−鉛合金めっき浴 - Google Patents
新規アゾール化合物、及び該化合物を含有する錫、鉛または錫−鉛合金めっき浴Info
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- JP3108783B2 JP3108783B2 JP03170050A JP17005091A JP3108783B2 JP 3108783 B2 JP3108783 B2 JP 3108783B2 JP 03170050 A JP03170050 A JP 03170050A JP 17005091 A JP17005091 A JP 17005091A JP 3108783 B2 JP3108783 B2 JP 3108783B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、新規アゾール化合物、
及び該化合物を含有する錫、鉛または錫−鉛合金めっき
浴に関する。
及び該化合物を含有する錫、鉛または錫−鉛合金めっき
浴に関する。
【０００２】
【従来の技術及びその課題】錫めっきや錫−鉛合金めっ
きにおいては、添加剤のないめっき液からは樹脂状めっ
きや粉末状めっきが形成され、実用的なめっき皮膜は得
られない。従来、錫や錫−鉛合金めっき浴の添加剤とし
ては、ゼラチン、にかわ、ペプトン等の天然物；チオ尿
素化合物；アンモニウム塩やイミダゾリニウム塩等の陽
イオン性界面活性剤；ポリオキシアルキレンスチレン化
フェニルエーテル、ポリオキシアルキレンナフチルエー
テル、ポリオキシアルキレンアルキルアミン、ポリオキ
シアルキレンエチレンジアミン等の非イオン性界面活性
剤等が用いられている。
きにおいては、添加剤のないめっき液からは樹脂状めっ
きや粉末状めっきが形成され、実用的なめっき皮膜は得
られない。従来、錫や錫−鉛合金めっき浴の添加剤とし
ては、ゼラチン、にかわ、ペプトン等の天然物；チオ尿
素化合物；アンモニウム塩やイミダゾリニウム塩等の陽
イオン性界面活性剤；ポリオキシアルキレンスチレン化
フェニルエーテル、ポリオキシアルキレンナフチルエー
テル、ポリオキシアルキレンアルキルアミン、ポリオキ
シアルキレンエチレンジアミン等の非イオン性界面活性
剤等が用いられている。
【０００３】しかしながら、これらの添加剤を含有する
めっき浴は、限られた電流密度範囲においてのみ均一な
電着皮膜を形成できるだけであり、つき回り性にも劣っ
ている。
めっき浴は、限られた電流密度範囲においてのみ均一な
電着皮膜を形成できるだけであり、つき回り性にも劣っ
ている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記した従
来技術の課題に鑑みて、鋭意研究を重ねてきた。その結
果、文献未記載の新規なアゾール化合物の合成に成功す
るとともに、該化合物を含有する錫、鉛または錫−鉛合
金めっき浴によれば、広い電流密度範囲においてめっき
皮膜の外観、均一電着性、つき回り性等が大きく改善さ
れることを見出した。
来技術の課題に鑑みて、鋭意研究を重ねてきた。その結
果、文献未記載の新規なアゾール化合物の合成に成功す
るとともに、該化合物を含有する錫、鉛または錫−鉛合
金めっき浴によれば、広い電流密度範囲においてめっき
皮膜の外観、均一電着性、つき回り性等が大きく改善さ
れることを見出した。
【０００５】即ち本発明は、一般式
【０００６】
【化３】
【０００７】〔式中、Ｒ1は、水素、Ｃ1-3アルキル、Ｃ
1-3アルコキシ、ハロゲン原子、Ｃ1-3アルキルチオ、−
ＮＯ2、−ＣＮ又は−ＮＲ4Ｒ5（Ｒ4及びＲ5は、同一又
は異なって各々Ｃ1-3アルキルを示す）を示し、Ｒ2及び
Ｒ3は一方が水素で他方がメチルを示し、ＸはＯ、Ｓ又
はＮＨを示し、ＹはＳ、Ｏ又は
1-3アルコキシ、ハロゲン原子、Ｃ1-3アルキルチオ、−
ＮＯ2、−ＣＮ又は−ＮＲ4Ｒ5（Ｒ4及びＲ5は、同一又
は異なって各々Ｃ1-3アルキルを示す）を示し、Ｒ2及び
Ｒ3は一方が水素で他方がメチルを示し、ＸはＯ、Ｓ又
はＮＨを示し、ＹはＳ、Ｏ又は
【０００８】
【化４】
【０００９】（Ｒ２及びＲ３は上記に同じ、ｋは０〜３
０の整数、ｌは０〜３０の整数であってｋ＋ｌ≧１であ
る。）を示す。ｍは０〜３０の整数、ｎは０〜３０の整
数であってｍ＋ｎ≧１である。〕で表わされるアゾール
化合物、及び該アゾール化合物を含有することを特徴と
する錫、鉛または錫−鉛合金めっき浴に係る。
０の整数、ｌは０〜３０の整数であってｋ＋ｌ≧１であ
る。）を示す。ｍは０〜３０の整数、ｎは０〜３０の整
数であってｍ＋ｎ≧１である。〕で表わされるアゾール
化合物、及び該アゾール化合物を含有することを特徴と
する錫、鉛または錫−鉛合金めっき浴に係る。
【００１０】本発明のめっき浴に添加する化合物は、一
般式
般式
【００１１】
【化５】
【００１２】〔式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｘ、Ｙ、ｍ及び
ｎは前記に同じ〕で表わされる新規なアゾール化合物で
ある。
ｎは前記に同じ〕で表わされる新規なアゾール化合物で
ある。
【００１３】ここで、Ｃ1-3アルキル、Ｃ1-3アルコキ
シ、及びＣ1-3アルキルチオの各基におけるＣ1-3アルキ
ルは、直鎖状又は分枝鎖状のものであり、例えばメチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピルを挙げることがで
きる。
シ、及びＣ1-3アルキルチオの各基におけるＣ1-3アルキ
ルは、直鎖状又は分枝鎖状のものであり、例えばメチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピルを挙げることがで
きる。
【００１４】ハロゲン原子としてはフッ素、塩素、臭素
等を示すことができる。
等を示すことができる。
【００１５】基−ＮＲ4Ｒ5としては、ジメチルアミノ、
ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ等を示すことができ
る。
ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ等を示すことができ
る。
【００１６】上記一般式（Ｉ）のアゾール化合物の具体
例を以下に示す。
例を以下に示す。
【００１７】 化合物番号 化 合 物 名 ａ ２−（２−ヒドロキシエチル）チオベンゾチアゾール ｂ ２−（２−ヒドロキシエチルオキシエチル）チオベンゾチアゾー ル ｃ ポリオキシエチレン（ＥＯ４．５）ベンゾチアゾール−２−イル チオエーテル ｄ ポリオキシエチレン（ＥＯ１３）ベンゾチアゾール−２−イルチ オエーテル ｅ ポリオキシエチレン（ＥＯ１５）６−ニトロベンゾチアゾール− ２−イルチオエーテル ｆ ポリオキシエチレン（ＥＯ１２）６−エトキシベンゾチアゾール −２−イルチオエーテル ｇ ポリオキシエチレン（ＥＯ１２）６−メチルベンゾオキサゾール −２−イルチオエーテル ｈ Ｎ，Ｎ−ポリオキシエチレン（ＥＯ１０）２−ベンゾチアゾリル アミン ｉ ポリオキシエチレン（ＥＯ１０）ベンゾイミダゾール−２−イル チオエーテル ｊ ポリオキシエチレン（ＥＯ１２）ベンゾイミダゾール−２−イル エーテル ｋ ポリオキシプロピレン（ＰＯ８）ポリオキシエチレン（ＥＯ１２ ）ベンゾチアゾール−２−イルチオエーテル ｌ ポリオキシエチレン（ＥＯ９）ベンゾチアゾール−２−イルチオ エーテル ｍ ポリオキシエチレン（ＥＯ１０）ポリオキシプロピレン（ＰＯ２ ）６−クロロベンゾチアゾール−２−イルチオエーテル ｎ ポリオキシエチレン（ＥＯ１２）６−メチルチオベンゾチアゾー ル−２−イルチオエーテル ｏ ポリオキシエチレン（ＥＯ１５）６−シアノベンゾチアゾール− ２−イルチオエーテル ｐ ポリオキシエチレン（ＥＯ１５）６−ジメチルアミノベンゾチア ゾール−２−イルチオエーテル 上記一般式（Ｉ）のアゾール化合物は、例えば、式（I
I）
I）
【００１８】
【化６】
【００１９】（式中、Ｒ1、Ｘ及びＹは前記に同じ）に
て示される化合物と式（III)
て示される化合物と式（III)
【００２０】
【化７】
【００２１】（式中、Ｒ2、Ｒ3は前記に同じ、Ｚはハロ
ゲン、メシルまたはトシルを示す。ｎ及びｍは前記に同
じ。）にて示される化合物を塩基の存在下に反応させる
ことにより得られる。
ゲン、メシルまたはトシルを示す。ｎ及びｍは前記に同
じ。）にて示される化合物を塩基の存在下に反応させる
ことにより得られる。
【００２２】反応は一般に水、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノール、ｔ−ブタノール、ＴＨＦ、ジオ
キサン、ＤＭＦ等の溶媒の存在下に室温又は加熱下に
０．５〜４８時間程度行われる。
ル、イソプロパノール、ｔ−ブタノール、ＴＨＦ、ジオ
キサン、ＤＭＦ等の溶媒の存在下に室温又は加熱下に
０．５〜４８時間程度行われる。
【００２３】反応に使用する塩基としては、例えば、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ナトリウムメトキサ
イド、カリウムエトキサイド、水素化ナトリウム等が挙
げられる。
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ナトリウムメトキサ
イド、カリウムエトキサイド、水素化ナトリウム等が挙
げられる。
【００２４】塩基は式（II）の化合物に対して通常１．
１〜１．３当量用いられる。
１〜１．３当量用いられる。
【００２５】反応後の処理は通常の方法、例えば溶媒抽
出、水洗、溶媒留去等により行った。
出、水洗、溶媒留去等により行った。
【００２６】また、本発明の化合物（Ｉ）は、前記式
（II）にて示される化合物と式（IV）
（II）にて示される化合物と式（IV）
【００２７】
【化８】
【００２８】（式中Ｒ4は水素又はメチルを示す）にて
示される化合物を触媒量の塩基性物質の存在下に常圧又
は加圧下、約１００〜２００℃の温度にて１〜５０時間
反応させることにより得られる。
示される化合物を触媒量の塩基性物質の存在下に常圧又
は加圧下、約１００〜２００℃の温度にて１〜５０時間
反応させることにより得られる。
【００２９】反応に使用する塩基性物質としては、例え
ば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ナトリウムメ
トキサイド、カリウムエトキサイド等が挙げられる。
ば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ナトリウムメ
トキサイド、カリウムエトキサイド等が挙げられる。
【００３０】塩基性物質は、式（II）の化合物に対して
通常０．００１〜０．０５当量用いられる。
通常０．００１〜０．０５当量用いられる。
【００３１】また、置換基として−ＯＨ，−ＳＨ又はＮ
Ｈ2を有するベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール又
はベンゾイミダゾールを過剰のエチレンオキサイド及び
／又はプロピレンオキサイドと反応させることによって
も得られる。反応条件は、該−ＯＨ，−ＳＨ又は−ＮＨ
2基とエチレンオキサイド又はプロピレンオキサイドと
の反応についての常法に従えばよい。
Ｈ2を有するベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール又
はベンゾイミダゾールを過剰のエチレンオキサイド及び
／又はプロピレンオキサイドと反応させることによって
も得られる。反応条件は、該−ＯＨ，−ＳＨ又は−ＮＨ
2基とエチレンオキサイド又はプロピレンオキサイドと
の反応についての常法に従えばよい。
【００３２】一般式（Ｉ）の化合物の詳細な製造方法
は、後記する実施例において、具体的に示す。
は、後記する実施例において、具体的に示す。
【００３３】本発明のめっき浴では、上記一般式（Ｉ）
の化合物を０．０１〜２００ｇ／ｌ程度配合することが
適当である。このような配合量とすることによって、広
い電流密度範囲において均一な電着皮膜が形成され、光
沢めっき皮膜を形成し得る電流密度範囲も拡大される。
の化合物を０．０１〜２００ｇ／ｌ程度配合することが
適当である。このような配合量とすることによって、広
い電流密度範囲において均一な電着皮膜が形成され、光
沢めっき皮膜を形成し得る電流密度範囲も拡大される。
【００３４】本発明では、一般式（Ｉ）の化合物を添加
するめっき浴としては、２価の錫及び／又は鉛塩を必須
成分とする公知の錫、鉛または錫−鉛合金めっき浴のい
ずれも使用できる。
するめっき浴としては、２価の錫及び／又は鉛塩を必須
成分とする公知の錫、鉛または錫−鉛合金めっき浴のい
ずれも使用できる。
【００３５】この様なめっき浴としては、例えば、ホウ
フッ化浴、ケイフッ化浴、スルファミン酸浴、硫酸浴、
有機スルホン酸浴等が挙げられる。
フッ化浴、ケイフッ化浴、スルファミン酸浴、硫酸浴、
有機スルホン酸浴等が挙げられる。
【００３６】本発明のめっき浴には、更に通常用いられ
るノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、両性
界面活性剤、アニオン系界面活性剤等を０．１〜２００
ｇ／ｌ程度併用してもよい。かかるノニオン系界面活性
剤としては、ポリアルキレングリコール、高級アルコー
ル、フェノール、アルキルフェノール、ナフトール、ア
ルキルナフトール、ビスフェノール類、スチレン化フェ
ノール、脂肪酸、脂肪族アミン、アルキレンジアミン、
脂肪酸アミド、スルホンアミド、りん酸、多価アルコー
ル、グルコシド等のポリオキシアルキレン付加物等が挙
げられる。
るノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、両性
界面活性剤、アニオン系界面活性剤等を０．１〜２００
ｇ／ｌ程度併用してもよい。かかるノニオン系界面活性
剤としては、ポリアルキレングリコール、高級アルコー
ル、フェノール、アルキルフェノール、ナフトール、ア
ルキルナフトール、ビスフェノール類、スチレン化フェ
ノール、脂肪酸、脂肪族アミン、アルキレンジアミン、
脂肪酸アミド、スルホンアミド、りん酸、多価アルコー
ル、グルコシド等のポリオキシアルキレン付加物等が挙
げられる。
【００３７】カチオン系界面活性剤の例としては、塩の
形で表わして、例えば、ラウリルトリメチルアンモニウ
ム塩、セチルトルメチルアンモニウム塩、ステアリルト
リメチルアンモニウム塩、ラウリルジメチルエチルアン
モニウム塩、オクタデセニルジメチル−エチルアンモニ
ウム塩、ラウリルジメチルアンモニウムベタイン、ステ
アリルジメチルアンモニウムベタイン、ジメチル−ベン
ジルラウリルアンモニウム塩、セチルジメチルベンジル
アンモニウム塩、オクタデシルジメチルベンジルアンモ
ニウム塩、トリメチルベンジルアンモニウム塩、トルエ
チルベンジルアンモニウム塩、ヘキサデシルピリジニウ
ム塩、ラウリルピリジニウム塩、ドデシルピコリニウム
塩、ラウリルイミダゾリニウム塩、オレイルイミダゾリ
ニウム塩、ステアリルアミンアセテート、ラウリルアミ
ンアセテート、オクタデシルアミンアセテート等が挙げ
られる。
形で表わして、例えば、ラウリルトリメチルアンモニウ
ム塩、セチルトルメチルアンモニウム塩、ステアリルト
リメチルアンモニウム塩、ラウリルジメチルエチルアン
モニウム塩、オクタデセニルジメチル−エチルアンモニ
ウム塩、ラウリルジメチルアンモニウムベタイン、ステ
アリルジメチルアンモニウムベタイン、ジメチル−ベン
ジルラウリルアンモニウム塩、セチルジメチルベンジル
アンモニウム塩、オクタデシルジメチルベンジルアンモ
ニウム塩、トリメチルベンジルアンモニウム塩、トルエ
チルベンジルアンモニウム塩、ヘキサデシルピリジニウ
ム塩、ラウリルピリジニウム塩、ドデシルピコリニウム
塩、ラウリルイミダゾリニウム塩、オレイルイミダゾリ
ニウム塩、ステアリルアミンアセテート、ラウリルアミ
ンアセテート、オクタデシルアミンアセテート等が挙げ
られる。
【００３８】両性界面活性剤としては、各種の型のもの
が使用でき、例えば、ベタイン、スルホベタイン、アミ
ノカルボン酸等が挙げられ、またエチレンオキサイド及
び／又はプロピレンオキサイドとアルキルアミン又はジ
アミンとの縮合生成物の硫酸化又はスルホン酸化付加物
も使用できる。
が使用でき、例えば、ベタイン、スルホベタイン、アミ
ノカルボン酸等が挙げられ、またエチレンオキサイド及
び／又はプロピレンオキサイドとアルキルアミン又はジ
アミンとの縮合生成物の硫酸化又はスルホン酸化付加物
も使用できる。
【００３９】アニオン系界面活性剤の例としてはアルキ
ル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸
塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸
塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩等が挙げられる。ア
ルキル硫酸塩としては、ラウリル硫酸ナトリウム、オレ
イル硫酸ナトリウム等が挙げられる。ポリオキシエチレ
ンアルキルエーテル硫酸塩としては、ポリオキシエチレ
ン（ＥＯ１２）ノニルエーテル硫酸ナトリウム、ポリオ
キシエチレン（ＥＯ１５）ドデシルエーテル硫酸ナトリ
ウム等が挙げられる。
ル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸
塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸
塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩等が挙げられる。ア
ルキル硫酸塩としては、ラウリル硫酸ナトリウム、オレ
イル硫酸ナトリウム等が挙げられる。ポリオキシエチレ
ンアルキルエーテル硫酸塩としては、ポリオキシエチレ
ン（ＥＯ１２）ノニルエーテル硫酸ナトリウム、ポリオ
キシエチレン（ＥＯ１５）ドデシルエーテル硫酸ナトリ
ウム等が挙げられる。
【００４０】また、本発明のめっき浴では、更に１−ナ
フトアルデヒド、ｏ−クロルベンズアルデヒド等の芳香
族アルデヒド、アセトアルデヒド、クロトンアルデヒド
等の脂肪族アルデヒド、ベンザルアセトン等のケトン誘
導体、メタクリル酸等の不飽和カルボン酸等の公知のめ
っき浴において用いられる添加剤を適宜用いることがで
きる。
フトアルデヒド、ｏ−クロルベンズアルデヒド等の芳香
族アルデヒド、アセトアルデヒド、クロトンアルデヒド
等の脂肪族アルデヒド、ベンザルアセトン等のケトン誘
導体、メタクリル酸等の不飽和カルボン酸等の公知のめ
っき浴において用いられる添加剤を適宜用いることがで
きる。
【００４１】また、本発明のめっき浴は、この種の浴に
使用されている周知のカテコール、ハイドロキノン等の
酸化防止剤、その他の添加剤を含有できる。
使用されている周知のカテコール、ハイドロキノン等の
酸化防止剤、その他の添加剤を含有できる。
【００４２】本発明の錫、鉛または錫−鉛合金めっき浴
は、使用するめっき浴の基本浴の種類に応じて、通常の
めっき条件と同様のめっき温度、電流密度とすればよ
く、バレルめっき、ラックめっき、高速連続めっき、ス
ルホールめっき等に適用できる。高速度めっきに用いる
場合には、通常５０〜６０℃程度に昇温して用いられ
る。
は、使用するめっき浴の基本浴の種類に応じて、通常の
めっき条件と同様のめっき温度、電流密度とすればよ
く、バレルめっき、ラックめっき、高速連続めっき、ス
ルホールめっき等に適用できる。高速度めっきに用いる
場合には、通常５０〜６０℃程度に昇温して用いられ
る。
【００４３】
【発明の効果】本発明のアゾール化合物を含有する錫、
鉛または錫−鉛合金めっき浴は、広い電流密度範囲にお
いて、均質で緻密であり、良好な外観のめっき皮膜を形
成できる。
鉛または錫−鉛合金めっき浴は、広い電流密度範囲にお
いて、均質で緻密であり、良好な外観のめっき皮膜を形
成できる。
【００４４】
【実施例】以下に、実施例を示して、本発明をより詳細
に説明する。
に説明する。
【００４５】
【実施例１】水酸化ナトリウム２．７２ｇ及び水３０ml
に２−メルカプトベンゾチアゾール１０ｇを加え、つい
でエタノール２０mlを加えた。均一溶液になった後、１
０℃にて２−クロロエタノール４．８２ｇ及びエタノー
ル１０mlの溶液を撹拌下に滴下した。滴下後室温にて２
４時間反応させた。反応終了後、水中投入し、常法に従
って後処理操作を行った後２−（２−ヒドロキシエチ
ル）チオベンゾチアゾール１１．６ｇを得た。各種機器
分析によりその生成を確認した。
に２−メルカプトベンゾチアゾール１０ｇを加え、つい
でエタノール２０mlを加えた。均一溶液になった後、１
０℃にて２−クロロエタノール４．８２ｇ及びエタノー
ル１０mlの溶液を撹拌下に滴下した。滴下後室温にて２
４時間反応させた。反応終了後、水中投入し、常法に従
って後処理操作を行った後２−（２−ヒドロキシエチ
ル）チオベンゾチアゾール１１．６ｇを得た。各種機器
分析によりその生成を確認した。
【００４６】元素分析値：Ｃ9Ｈ9ＮＯＳ2として 計算値（％） Ｃ ５１．１８：Ｈ ４．２７；Ｎ
６．６３ 実測値（％） Ｃ ５２．４４：Ｈ ４．３０；Ｎ
６．４９1 Ｈ−ＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ3；δｐｐｍ） ３．４８（ｔ，２Ｈ）、４．００（ｔ，ｄ，２Ｈ）、
７．００〜７．９０（ｍ，４Ｈ）
６．６３ 実測値（％） Ｃ ５２．４４：Ｈ ４．３０；Ｎ
６．４９1 Ｈ−ＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ3；δｐｐｍ） ３．４８（ｔ，２Ｈ）、４．００（ｔ，ｄ，２Ｈ）、
７．００〜７．９０（ｍ，４Ｈ）
【００４７】
【実施例２】水酸化ナトリウム２．２ｇ及び水３０ml
に、２−メルカプトベンゾチアゾール８．０ｇを加え、
ついでエタノール２０mlを加えた。均一溶液になった
後、１０℃にて２−クロロエトキシエタノール６．０ｇ
及びエタノール３０mlの溶液を撹拌下に滴下した。滴下
後５０℃にて２４時間反応させた。反応終了後、水中投
入し、塩化メチレン抽出した。この塩化メチレン抽出液
を３Ｎ水酸化ナトリウム水溶液で洗浄し、水洗し乾燥し
た後、溶媒を留去して、２−（２−ヒドロキシエチルオ
キシエチル）チオベンゾチアゾール１１．６ｇを得た。
各種機器分析によりその生成を確認した。
に、２−メルカプトベンゾチアゾール８．０ｇを加え、
ついでエタノール２０mlを加えた。均一溶液になった
後、１０℃にて２−クロロエトキシエタノール６．０ｇ
及びエタノール３０mlの溶液を撹拌下に滴下した。滴下
後５０℃にて２４時間反応させた。反応終了後、水中投
入し、塩化メチレン抽出した。この塩化メチレン抽出液
を３Ｎ水酸化ナトリウム水溶液で洗浄し、水洗し乾燥し
た後、溶媒を留去して、２−（２−ヒドロキシエチルオ
キシエチル）チオベンゾチアゾール１１．６ｇを得た。
各種機器分析によりその生成を確認した。
【００４８】元素分析値：Ｃ11Ｈ13ＮＯ2Ｓ2として 計算値（％） Ｃ ５１．７６：Ｈ ５．１０；Ｎ
５．４９ 実測値（％） Ｃ ５２．３１：Ｈ ５．２２；Ｎ
５．３５1 Ｈ−ＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ3；δｐｐｍ） ３．５〜４．０（ｍ，８Ｈ）、７．１５〜７．９５
（ｍ，４Ｈ）
５．４９ 実測値（％） Ｃ ５２．３１：Ｈ ５．２２；Ｎ
５．３５1 Ｈ−ＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ3；δｐｐｍ） ３．５〜４．０（ｍ，８Ｈ）、７．１５〜７．９５
（ｍ，４Ｈ）
【００４９】
【実施例３】水酸化ナトリウム０．９ｇ及び水８mlに、
２−メルカプトベンゾチアゾール３．３ｇを加え、つい
でポリエチレングリコール（ＥＯ４．５）モノトシレー
ト７．０ｇを滴下し、撹拌下に７０℃にて５時間反応し
た。反応終了後常法に従って処理して、ポリオキシエチ
レン（ＥＯ４．５）ベンゾチアゾール−２−イルチオエ
ーテル５．５ｇを得た。各種機器分析によりその生成を
確認した。
２−メルカプトベンゾチアゾール３．３ｇを加え、つい
でポリエチレングリコール（ＥＯ４．５）モノトシレー
ト７．０ｇを滴下し、撹拌下に７０℃にて５時間反応し
た。反応終了後常法に従って処理して、ポリオキシエチ
レン（ＥＯ４．５）ベンゾチアゾール−２−イルチオエ
ーテル５．５ｇを得た。各種機器分析によりその生成を
確認した。
【００５０】元素分析値：Ｃ16Ｈ23ＮＯ4.5Ｓ2として 計算値（％） Ｃ ５２．６０：Ｈ ６．３０；Ｎ
３．８４ 実測値（％） Ｃ ５０．５ ：Ｈ ６．０ ；Ｎ
３．３1 Ｈ−ＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ3；δｐｐｍ） ３．６５（ｂｒ．ｓ，１６Ｈ）、７．２〜８．０（ｍ，
４Ｈ）
３．８４ 実測値（％） Ｃ ５０．５ ：Ｈ ６．０ ；Ｎ
３．３1 Ｈ−ＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ3；δｐｐｍ） ３．６５（ｂｒ．ｓ，１６Ｈ）、７．２〜８．０（ｍ，
４Ｈ）
【００５１】
【実施例４】オートクレーブに２−メルカプトベンゾチ
アゾール３０ｇ及び粉末水酸化ナトリウム０．２ｇを加
え、１５０℃にてエチレンオキシド１０３ｇを少量ずつ
加えた。オートクレーブの内圧が常圧に戻った時点を反
応終了時点とし、粘稠な液状内容物を取り出し、ポリオ
キシエチレン（ＥＯ１３）ベンゾチアゾール−２−イル
チオエーテル１３０．５ｇを得た。各種機器分析により
その生成を確認した。
アゾール３０ｇ及び粉末水酸化ナトリウム０．２ｇを加
え、１５０℃にてエチレンオキシド１０３ｇを少量ずつ
加えた。オートクレーブの内圧が常圧に戻った時点を反
応終了時点とし、粘稠な液状内容物を取り出し、ポリオ
キシエチレン（ＥＯ１３）ベンゾチアゾール−２−イル
チオエーテル１３０．５ｇを得た。各種機器分析により
その生成を確認した。
【００５２】元素分析値：Ｃ33Ｈ57ＮＯ13Ｓ2として 計算値（％） Ｃ ５３．６２：Ｈ ７．７６；Ｎ
１．８３ 実測値（％） Ｃ ５４．１７：Ｈ ７．５５；Ｎ
１．９４ ＩＲ １１１０〜１１００cm-1（−ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ
2−）1 Ｈ−ＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ3；δｐｐｍ） ３．６５（ｓ，５０Ｈ）、７．２〜８．０（ｍ，４Ｈ）
１．８３ 実測値（％） Ｃ ５４．１７：Ｈ ７．５５；Ｎ
１．９４ ＩＲ １１１０〜１１００cm-1（−ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ
2−）1 Ｈ−ＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ3；δｐｐｍ） ３．６５（ｓ，５０Ｈ）、７．２〜８．０（ｍ，４Ｈ）
【００５３】
【実施例５】実施例４と同様の操作にて、６−ニトロ−
２−メルカプトベンゾチアゾール及びエチレンオキシド
から、ポリオキシエチレン（ＥＯ１５）６−ニトロベン
ゾチアゾール−２−イルチオエーテルを得た。各種機器
分析によりその生成を確認した。
２−メルカプトベンゾチアゾール及びエチレンオキシド
から、ポリオキシエチレン（ＥＯ１５）６−ニトロベン
ゾチアゾール−２−イルチオエーテルを得た。各種機器
分析によりその生成を確認した。
【００５４】元素分析値：Ｃ37Ｈ64Ｎ2Ｏ17Ｓ2として 計算値（％） Ｃ ５０．９２：Ｈ ７．３４；Ｎ
３．２１ 実測値（％） Ｃ ５０．０６：Ｈ ７．１７；Ｎ
３．２９ ＩＲ １１１０〜１１００cm-1（−ＣＨ2ＯＣＨ2−）
３．２１ 実測値（％） Ｃ ５０．０６：Ｈ ７．１７；Ｎ
３．２９ ＩＲ １１１０〜１１００cm-1（−ＣＨ2ＯＣＨ2−）
【００５５】
【実施例６】実施例４と同様にして、６−エトキシ−２
−メルカプトベンゾチアゾール及びエチレンオキシドか
ら、ポリオキシエチレン（ＥＯ１２）６−エトキシベン
ゾチアゾール−２−イルチオエーテルを得た。各種機器
分析によりその生成を確認した。
−メルカプトベンゾチアゾール及びエチレンオキシドか
ら、ポリオキシエチレン（ＥＯ１２）６−エトキシベン
ゾチアゾール−２−イルチオエーテルを得た。各種機器
分析によりその生成を確認した。
【００５６】元素分析値：Ｃ33Ｈ57ＮＯ13Ｓ2として 計算値（％） Ｃ ５３．５９：Ｈ ７．７１；Ｎ
１．８９ 実測値（％） Ｃ ５４．１８：Ｈ ７．８４；Ｎ
１．８６ ＩＲ １１１０〜１１００cm-1（−ＣＨ2ＯＣＨ2−）
１．８９ 実測値（％） Ｃ ５４．１８：Ｈ ７．８４；Ｎ
１．８６ ＩＲ １１１０〜１１００cm-1（−ＣＨ2ＯＣＨ2−）
【００５７】
【実施例７】実施例４と同様にして、６−メチル−２−
メルカプトベンゾオキサゾール及びエチレンオキシドか
ら、ポリオキシエチレン（ＥＯ１２）６−メチルベンゾ
オキサゾール−２−イルチオエーテルを得た。各種機器
分析によりその生成を確認した。
メルカプトベンゾオキサゾール及びエチレンオキシドか
ら、ポリオキシエチレン（ＥＯ１２）６−メチルベンゾ
オキサゾール−２−イルチオエーテルを得た。各種機器
分析によりその生成を確認した。
【００５８】元素分析値：Ｃ32Ｈ55ＮＯ13Ｓとして 計算値（％） Ｃ ５５．４１：Ｈ ７．９４；Ｎ
２．０２ 実測値（％） Ｃ ５６．１５：Ｈ ８．０９；Ｎ
１．９４ ＩＲ １１１０〜１１００cm-1（−ＣＨ2ＯＣＨ2−）
２．０２ 実測値（％） Ｃ ５６．１５：Ｈ ８．０９；Ｎ
１．９４ ＩＲ １１１０〜１１００cm-1（−ＣＨ2ＯＣＨ2−）
【００５９】
【実施例８】実施例４と同様にして、２−アミノベンゾ
チアゾール及びエチレンオキシドからＮ，Ｎ−ポリオキ
シエチレン（ＥＯ１０）２−ベンゾチアゾリルアミンを
得た。各種機器分析によりその生成を確認した。
チアゾール及びエチレンオキシドからＮ，Ｎ−ポリオキ
シエチレン（ＥＯ１０）２−ベンゾチアゾリルアミンを
得た。各種機器分析によりその生成を確認した。
【００６０】元素分析値：Ｃ27Ｈ46Ｎ2Ｏ10Ｓとして 計算値（％） Ｃ ５４．９２：Ｈ ７．８０；Ｎ
４．７５ 実測値（％） Ｃ ５４．７５：Ｈ ７．４２；Ｎ
５．０２ ＩＲ １１１０〜１１００cm-1（−ＣＨ2ＯＣＨ2−）
４．７５ 実測値（％） Ｃ ５４．７５：Ｈ ７．４２；Ｎ
５．０２ ＩＲ １１１０〜１１００cm-1（−ＣＨ2ＯＣＨ2−）
【００６１】
【実施例９】実施例４と同様にして、２−メルカプトベ
ンゾイミダゾール及びエチレンオキシドからポリオキシ
エチレン（ＥＯ１０）ベンゾイミダゾール−２−イルチ
オエーテルを得た。各種機器分析によりその生成を確認
した。
ンゾイミダゾール及びエチレンオキシドからポリオキシ
エチレン（ＥＯ１０）ベンゾイミダゾール−２−イルチ
オエーテルを得た。各種機器分析によりその生成を確認
した。
【００６２】元素分析値：Ｃ27Ｈ46Ｎ2Ｏ10Ｓとして 計算値（％） Ｃ ５４．９２：Ｈ ７．８０；Ｎ
４．７５ 実測値（％） Ｃ ５４．１３：Ｈ ７．６３；Ｎ
４．８０ ＩＲ １１１０〜１１００cm-1（−ＣＨ2ＯＣＨ2−）
４．７５ 実測値（％） Ｃ ５４．１３：Ｈ ７．６３；Ｎ
４．８０ ＩＲ １１１０〜１１００cm-1（−ＣＨ2ＯＣＨ2−）
【００６３】
【実施例１０】実施例４と同様にして、２−ヒドロキシ
ベンゾイミダゾール及びエチレンオキシドからポリオキ
シエチレン（ＥＯ１２）ベンゾイミダゾール−２−イル
エーテルを得た。各種機器分析によりその生成を確認し
た。
ベンゾイミダゾール及びエチレンオキシドからポリオキ
シエチレン（ＥＯ１２）ベンゾイミダゾール−２−イル
エーテルを得た。各種機器分析によりその生成を確認し
た。
【００６４】元素分析値：Ｃ31Ｈ54Ｎ2Ｏ13として 計算値（％） Ｃ ５６．１９：Ｈ ８．１６；Ｎ
４．２３ 実測値（％） Ｃ ５７．１０：Ｈ ８．３５；Ｎ
４．６８ ＩＲ １１１０〜１１００cm-1（−ＣＨ2ＯＣＨ2−）
４．２３ 実測値（％） Ｃ ５７．１０：Ｈ ８．３５；Ｎ
４．６８ ＩＲ １１１０〜１１００cm-1（−ＣＨ2ＯＣＨ2−）
【００６５】
【実施例１１】実施例４と同様にして、まず２−メルカ
プトベンゾチアゾール及びプロピレンオキシドを反応さ
せた後、エチレンオキシドと反応させてポリオキシプロ
ピレン（ＰＯ８）ポリオキシエチレン（ＥＯ１２）ベン
ゾチアゾール−２−イルチオエーテルを得た。各種機器
分析によりその生成を確認した。
プトベンゾチアゾール及びプロピレンオキシドを反応さ
せた後、エチレンオキシドと反応させてポリオキシプロ
ピレン（ＰＯ８）ポリオキシエチレン（ＥＯ１２）ベン
ゾチアゾール−２−イルチオエーテルを得た。各種機器
分析によりその生成を確認した。
【００６６】元素分析値：Ｃ55Ｈ101ＮＯ21Ｓとして 計算値（％） Ｃ ５６．９５：Ｈ ８．７１；Ｎ
１．２１ 実測値（％） Ｃ ５６．２２：Ｈ ８．５３；Ｎ
１．１８ ＩＲ １１１０〜１１００cm-1（−ＣＨ2ＯＣＨ2−，−
Ｃ（ＣＨ3）Ｈ−Ｏ−−ＣＨ2−）
１．２１ 実測値（％） Ｃ ５６．２２：Ｈ ８．５３；Ｎ
１．１８ ＩＲ １１１０〜１１００cm-1（−ＣＨ2ＯＣＨ2−，−
Ｃ（ＣＨ3）Ｈ−Ｏ−−ＣＨ2−）
【００６７】
【実施例１２】実施例４と同様にして、２−メルカプト
ベンゾチアゾール及びエチレンオキシドからポリオキシ
エチレン（ＥＯ９）ベンゾチアゾール−２−イルチオエ
ーテルを得た。各種機器分析によりその生成を確認し
た。
ベンゾチアゾール及びエチレンオキシドからポリオキシ
エチレン（ＥＯ９）ベンゾチアゾール−２−イルチオエ
ーテルを得た。各種機器分析によりその生成を確認し
た。
【００６８】元素分析値：Ｃ25Ｈ41ＮＯ9Ｓ2として 計算値（％） Ｃ ５３．２９：Ｈ ７．２８；Ｎ
２．４９ 実測値（％） Ｃ ５４．８３：Ｈ ７．６１；Ｎ
２．２４ ＩＲ １１１０〜１１００cm-1（−ＣＨ2ＯＣＨ2−）
２．４９ 実測値（％） Ｃ ５４．８３：Ｈ ７．６１；Ｎ
２．２４ ＩＲ １１１０〜１１００cm-1（−ＣＨ2ＯＣＨ2−）
【００６９】
【実施例１３】実施例１１と同様にして、６−クロロ−
２−メルカプトベンゾチアゾール及びエチレンオキシド
を反応させた後、プロピレンオキシドと反応させてポリ
オキシエチレン（ＥＯ１０）ポリオキシプロピレン（Ｐ
Ｏ２）６−クロロベンゾチアゾール−２−イルチオエー
テルを得た。各種機器分析によりその生成を確認した。
２−メルカプトベンゾチアゾール及びエチレンオキシド
を反応させた後、プロピレンオキシドと反応させてポリ
オキシエチレン（ＥＯ１０）ポリオキシプロピレン（Ｐ
Ｏ２）６−クロロベンゾチアゾール−２−イルチオエー
テルを得た。各種機器分析によりその生成を確認した。
【００７０】元素分析値：Ｃ33Ｈ56ＮＯ12Ｓ2Ｃｌとし
て 計算値（％） Ｃ ５２．２８：Ｈ ７．３９；Ｎ
１．８５ 実測値（％） Ｃ ５０．７２：Ｈ ７．０３；Ｎ
２．１２ ＩＲ １１１０〜１１００cm-1（−ＣＨ2ＯＣＨ2−，−
Ｃ（ＣＨ3）Ｈ−Ｏ−−ＣＨ2−）
て 計算値（％） Ｃ ５２．２８：Ｈ ７．３９；Ｎ
１．８５ 実測値（％） Ｃ ５０．７２：Ｈ ７．０３；Ｎ
２．１２ ＩＲ １１１０〜１１００cm-1（−ＣＨ2ＯＣＨ2−，−
Ｃ（ＣＨ3）Ｈ−Ｏ−−ＣＨ2−）
【００７１】
【実施例１４】実施例４と同様にして、６−メチルチオ
−２−メルカプトベンゾチアゾール及びエチレンオキシ
ドから、ポリオキシエチレン（ＥＯ１２）６−メチルチ
オベンゾチアゾール−２−イルチオエーテルを得た。各
種機器分析によりその生成を確認した。
−２−メルカプトベンゾチアゾール及びエチレンオキシ
ドから、ポリオキシエチレン（ＥＯ１２）６−メチルチ
オベンゾチアゾール−２−イルチオエーテルを得た。各
種機器分析によりその生成を確認した。
【００７２】元素分析値：Ｃ32Ｈ55ＮＯ12Ｓ3として 計算値（％） Ｃ ５１．８２：Ｈ ７．４２；Ｎ
１．８９ 実測値（％） Ｃ ５２．７６：Ｈ ７．６８；Ｎ
２．０５ ＩＲ １１１０〜１１００cm-1（−ＣＨ2ＯＣＨ2−）
１．８９ 実測値（％） Ｃ ５２．７６：Ｈ ７．６８；Ｎ
２．０５ ＩＲ １１１０〜１１００cm-1（−ＣＨ2ＯＣＨ2−）
【００７３】
【実施例１５】実施例４と同様にして、６−シアノ−２
−メルカプトベンゾチアゾール及びエチレンオキシドか
らポリオキシエチレン（ＥＯ１５）６−シアノベンゾチ
アゾール−２−イルチオエーテルを得た。各種機器分析
によりその生成を確認した。
−メルカプトベンゾチアゾール及びエチレンオキシドか
らポリオキシエチレン（ＥＯ１５）６−シアノベンゾチ
アゾール−２−イルチオエーテルを得た。各種機器分析
によりその生成を確認した。
【００７４】元素分析値：Ｃ38Ｈ64Ｎ2Ｏ15Ｓ2として 計算値（％） Ｃ ５３．５２：Ｈ ７．５１；Ｎ
３．２９ 実測値（％） Ｃ ５２．４８：Ｈ ７．９１；Ｎ
３．１７ ＩＲ １１１０〜１１００cm-1（−ＣＨ2ＯＣＨ2−）
３．２９ 実測値（％） Ｃ ５２．４８：Ｈ ７．９１；Ｎ
３．１７ ＩＲ １１１０〜１１００cm-1（−ＣＨ2ＯＣＨ2−）
【００７５】
【実施例１６】実施例４と同様にして、６−ジメチルア
ミノ−２−メルカプトベンゾチアゾール及びエチレンオ
キシドからポリオキシエチレン（ＥＯ１５）６−ジメチ
ルアミノベンゾチアゾール−２−イルチオエーテルを得
た。各種機器分析によりその生成を確認した。
ミノ−２−メルカプトベンゾチアゾール及びエチレンオ
キシドからポリオキシエチレン（ＥＯ１５）６−ジメチ
ルアミノベンゾチアゾール−２−イルチオエーテルを得
た。各種機器分析によりその生成を確認した。
【００７６】元素分析値：Ｃ39Ｈ70Ｎ2Ｏ15Ｓ2として 計算値（％） Ｃ ５３．７９：Ｈ ８．０５；Ｎ
３．２２ 実測値（％） Ｃ ５２．８９：Ｈ ８．０５；Ｎ
３．３２ ＩＲ １１１０〜１１００cm-1（−ＣＨ2ＯＣＨ2−）
３．２２ 実測値（％） Ｃ ５２．８９：Ｈ ８．０５；Ｎ
３．３２ ＩＲ １１１０〜１１００cm-1（−ＣＨ2ＯＣＨ2−）
【００７７】
【実施例１７】下記の組成を有する本発明めっき浴１〜
９及び比較めっき１〜２の各々について、ハルセル試験
によりめっき皮膜の状態を観察した。アゾール化合物に
ついては、前記した化合物番号で示す。ハルセル試験
は、陽極板として、錫又は電着物組成に対応する錫−鉛
合金を使用し、陰極板として銅板を使用して、浴温１８
℃にて行なった。
９及び比較めっき１〜２の各々について、ハルセル試験
によりめっき皮膜の状態を観察した。アゾール化合物に
ついては、前記した化合物番号で示す。ハルセル試験
は、陽極板として、錫又は電着物組成に対応する錫−鉛
合金を使用し、陰極板として銅板を使用して、浴温１８
℃にて行なった。
【００７８】 ・本発明浴１ ２価の錫（メタンスルホン酸第一錫として使用） ２０ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １００ｇ／ｌ （ｄ）化合物 ５２ｇ／ｌ 水 残 部 ハルセル条件 ２Ａ ５分 ・本発明浴２ ２価の錫（メタンスルホン酸第一錫として使用） １２ｇ／ｌ 鉛（メタンスルホン酸鉛として使用） ８ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 ２００ｇ／ｌ （ｅ）化合物 １ｇ／ｌ ポリオキシエチレン（ＥＯ１２）２，４，６− トリスチレン化フェノールエーテル ７ｇ／ｌ 水 残 部 ハルセル条件 ２Ａ ５分 ・本発明浴３ ２価の錫（メタンスルホン酸第一錫として使用） １８ｇ／ｌ 鉛（エタンスルホン酸鉛として使用） １２ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １５０ｇ／ｌ （ａ）化合物 １ｇ／ｌ ポリオキシエチレン（ＥＯ１２）ノニルフェノールエーテル ７ｇ／ｌ 水 残 部 ハルセル条件 ３Ａ ３分 ・本発明浴４ ２価の錫（２−ヒドロキシプロパンスルホン酸第一錫として使用）１２ｇ／ｌ 鉛（２−ヒドロキシプロパンスルホン酸鉛として使用） ８ｇ／ｌ 遊離２−ヒドロキシプロパンスルホン酸 １００ｇ／ｌ （ｆ）化合物 ７ｇ／ｌ 水 残 部 ハルセル条件 ２Ａ ５分 ・本発明浴５ ２価の錫（ホウフッ化第一錫として使用） １５ｇ／ｌ 鉛（ホウフッ化鉛として使用） １０ｇ／ｌ 遊離ホウフッ化水素酸 ２００ｇ／ｌ （ｇ）化合物 １０ｇ／ｌ 水 残 部 ハルセル条件 ２Ａ ５分 ・本発明浴６ ２価の錫（フェノールスルホン酸第一錫として使用） ２０ｇ／ｌ 鉛（フェノールスルホン酸鉛として使用） １０ｇ／ｌ 遊離フェノールスルホン酸 １００ｇ／ｌ （ｈ）化合物 １０ｇ／ｌ 水 残 部 ハルセル条件 ３Ａ ３分 ・本発明浴７ ２価の錫（酢酸第一錫として使用） １５ｇ／ｌ 鉛（酢酸鉛として使用） ６ｇ／ｌ クエン酸 ７０ｇ／ｌ （ｊ）化合物 ７ｇ／ｌ 水 残 部 ハルセル条件 ２Ａ ５分 ・本発明浴８ ２価の錫（硫酸第一錫として使用） ２０ｇ／ｌ 硫酸 １００ｇ／ｌ （ｋ）化合物 １０ｇ／ｌ 水 残 部 ハルセル条件 ２Ａ ５分 ・本発明浴９ スルファミン酸錫 ４０ｇ／ｌ スルファミン酸鉛 ２０ｇ／ｌ スルファミン酸 １００ｇ／ｌ （ｐ）化合物 １０ｇ／ｌ 水 残 部 ハルセル条件 ３Ａ ３分 ・比較浴１ 本発明浴１において、（ｄ）化合物をポリオキシエチレ
ン（ＥＯ１３）ノニルフェニルエーテルに代えた。
ン（ＥＯ１３）ノニルフェニルエーテルに代えた。
【００７９】・比較浴２ 本発明浴２において、（ｅ）化合物を添加しない。
【００８０】・比較浴３ 本発明浴３において、（ａ）化合物を添加しない。
【００８１】・比較浴４ 本発明浴４において、（ｆ）化合物をポリオキシエチレ
ン（ＥＯ１０）ナフチルエーテルに代えた。
ン（ＥＯ１０）ナフチルエーテルに代えた。
【００８２】・比較浴５ 本発明浴５において、（ｇ）化合物をポリオキシエチレ
ン（ＥＯ１２）多核フェニルエーテルに代えた。
ン（ＥＯ１２）多核フェニルエーテルに代えた。
【００８３】・比較浴６ 本発明浴６において、（ｈ）化合物をポリオキシエチレ
ン（ＥＯ１５）ラウリルアミンに代えた。
ン（ＥＯ１５）ラウリルアミンに代えた。
【００８４】・比較浴７ 本発明浴７において、（ｊ）化合物をポリオキシエチレ
ン（ＥＯ１２）イソオクチルフェニルエーテルに代え
た。
ン（ＥＯ１２）イソオクチルフェニルエーテルに代え
た。
【００８５】・比較浴８ 本発明浴８において、（ｋ）化合物をポリオキシプロピ
レン（ＰＯ１２）ポリオキシエチレン（ＥＯ１２）４−
スチレン化フェニルエーテルに代えた。
レン（ＰＯ１２）ポリオキシエチレン（ＥＯ１２）４−
スチレン化フェニルエーテルに代えた。
【００８６】・比較浴９ 本発明浴９において、（ｐ）化合物をポリオキシエチレ
ン（ＥＯ１２）ノニルフェニルエーテルに代えた。
ン（ＥＯ１２）ノニルフェニルエーテルに代えた。
【００８７】ハルセル試験の結果を下記第１表に示す。
尚、評価基準は、つき回り性については比較例を△とし
て、それと同等な場合を△、比較例より良好な場合を○
とした。一方外観については次の基準で評価した。
尚、評価基準は、つき回り性については比較例を△とし
て、それと同等な場合を△、比較例より良好な場合を○
とした。一方外観については次の基準で評価した。
【００８８】 ○：無光沢又はヤケの部分がハルセルパネルの２０％以
下 △：無光沢又はヤケの部分がハルセルパネルの４０％以
下 ×：無光沢又はヤケの部分がハルセルパネルの５０％以
上
下 △：無光沢又はヤケの部分がハルセルパネルの４０％以
下 ×：無光沢又はヤケの部分がハルセルパネルの５０％以
上
【００８９】
【表１】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｃ２５Ｄ 3/30 Ｃ２５Ｄ 3/30 3/34 3/34 3/60 3/60 (72)発明者 正木 征史 兵庫県神戸市長田区西山町４丁目16番５ 号 (56)参考文献 特開 平２−223562（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−234469（ＪＰ，Ａ) Ｋｈｉｍ．−Ｆａｒｍ．Ｚｈ．，23 （９），1057−60，（1989) Ａｎａｌ．Ｃｈｉｍ．Ａｃｔａ，166, 221−31，（1984) Ｃｈｅｍ．Ｐｈａｒｍ．Ｂｕｌｌ．, 29（７），1876−86，（1981) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C07D 235/26 C07D 235/28 C07D 235/30 C07D 263/58 C07D 277/68 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (2)
- 【請求項１】一般式 【化１】 〔式中、Ｒ1は、水素、Ｃ1-3アルキル、Ｃ1-3アルコキ
シ、ハロゲン原子、Ｃ1-3アルキルチオ、−ＮＯ2、−Ｃ
Ｎ又は−ＮＲ4Ｒ5（Ｒ4及びＲ5は、同一又は異なって各
々Ｃ1-3アルキルを示す）を示し、Ｒ2及びＲ3は一方が
水素で他方がメチルを示し、ＸはＯ、Ｓ又はＮＨを示
し、ＹはＳ、Ｏ又は 【化２】 （Ｒ2及びＲ3は上記に同じ、ｋは０〜３０の整数、ｌは
０〜３０の整数であってｋ＋ｌ≧１である。）を示す。
ｍは０〜３０の整数、ｎは０〜３０の整数であってｍ＋
ｎ≧２である。〕で表わされるアゾール化合物。 - 【請求項２】一般式 【化３】 〔式中、Ｒ 1 は、水素、Ｃ 1-3 アルキル、Ｃ 1-3 アルコキ
シ、ハロゲン原子、Ｃ 1-3 アルキルチオ、−ＮＯ 2 、−Ｃ
Ｎ又は−ＮＲ 4 Ｒ 5 （Ｒ 4 及びＲ 5 は、同一又は異なって各
々Ｃ 1-3 アルキルを示す）を示し、Ｒ 2 及びＲ 3 は一方が
水素で他方がメチルを示し、ＸはＯ、Ｓ又はＮＨを示
し、ＹはＳ、Ｏ又は 【化４】 （Ｒ 2 及びＲ 3 は上記に同じ、ｋは０〜３０の整数、ｌは
０〜３０の整数であってｋ＋ｌ≧１である。）を示す。
ｍは０〜３０の整数、ｎは０〜３０の整数であってｍ＋
ｎ≧１である。〕で表わされるアゾール化合物を含有す
ることを特徴とする錫、鉛または錫−鉛合金めっき浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03170050A JP3108783B2 (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 新規アゾール化合物、及び該化合物を含有する錫、鉛または錫−鉛合金めっき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03170050A JP3108783B2 (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 新規アゾール化合物、及び該化合物を含有する錫、鉛または錫−鉛合金めっき浴 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0517894A JPH0517894A (ja) | 1993-01-26 |
| JP3108783B2 true JP3108783B2 (ja) | 2000-11-13 |
Family
ID=15897694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03170050A Expired - Lifetime JP3108783B2 (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 新規アゾール化合物、及び該化合物を含有する錫、鉛または錫−鉛合金めっき浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3108783B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE10123210C1 (de) * | 2001-05-12 | 2002-10-02 | Clariant Gmbh | Ethercarbonsäuren auf Basis von alkoxylierter Mercaptobenzthiazole |
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-
1991
- 1991-07-10 JP JP03170050A patent/JP3108783B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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