JP2751189B2 - 耐熱及び耐放射線性絶縁電線の製造方法 - Google Patents
耐熱及び耐放射線性絶縁電線の製造方法Info
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- JP2751189B2 JP2751189B2 JP63067606A JP6760688A JP2751189B2 JP 2751189 B2 JP2751189 B2 JP 2751189B2 JP 63067606 A JP63067606 A JP 63067606A JP 6760688 A JP6760688 A JP 6760688A JP 2751189 B2 JP2751189 B2 JP 2751189B2
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- resistant insulated
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02A—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE
- Y02A30/00—Adapting or protecting infrastructure or their operation
- Y02A30/14—Extreme weather resilient electric power supply systems, e.g. strengthening power lines or underground power cables
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- Insulated Conductors (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Processes Specially Adapted For Manufacturing Cables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、耐熱性及び耐放射線性に優れた絶縁電線の
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
［従来の技術］ 近年、原子力発電所、照射施設、宇宙関係等で使用す
るケーブルに対する要求が高度化しており、10〜100MGy
レベルの大線量の放射線及び500℃程度の高温に耐える
電線ケーブルへの要求が高まっている。
るケーブルに対する要求が高度化しており、10〜100MGy
レベルの大線量の放射線及び500℃程度の高温に耐える
電線ケーブルへの要求が高まっている。
［発明が解決しようとする問題点］ このような要求に対応するものとしては、酸化マグネ
シウム等の金属酸化物の微粉末を絶縁体としたMIケーブ
ルがあるが、可とう性を欠くため適用範囲が極めて限定
されている。
シウム等の金属酸化物の微粉末を絶縁体としたMIケーブ
ルがあるが、可とう性を欠くため適用範囲が極めて限定
されている。
一方、可とう性の高いケーブルとして、ガラスクロス
を主体とした絶縁テープを巻回したガラス絶縁ケーブル
がある。この場合、ガラスクロスのみでは耐湿性や耐電
圧特性に問題があるので、通常はジメチルシロキサンを
ベースとしたワニスを含浸したガラステープが用いられ
るが、大線量の放射線あるいは高温度環境下では前記ワ
ニスが脆化し絶縁テープにクラックが入り、絶縁性が低
下するという問題があった。
を主体とした絶縁テープを巻回したガラス絶縁ケーブル
がある。この場合、ガラスクロスのみでは耐湿性や耐電
圧特性に問題があるので、通常はジメチルシロキサンを
ベースとしたワニスを含浸したガラステープが用いられ
るが、大線量の放射線あるいは高温度環境下では前記ワ
ニスが脆化し絶縁テープにクラックが入り、絶縁性が低
下するという問題があった。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、
その目的とするところは前記した従来技術の欠点を解消
し、耐熱性及び耐放射線性を有する絶縁電線を実現でき
る製造方法を提供することにある。
その目的とするところは前記した従来技術の欠点を解消
し、耐熱性及び耐放射線性を有する絶縁電線を実現でき
る製造方法を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］ 本発明の要旨は、ポリチタノカルボシランを主体とす
るワニスをガラスクロスに含浸させた後加熱してポリチ
タノカルボシランを半焼成状態としたガラステープを導
体上に巻回することを特徴とする耐熱及び耐放射線性絶
縁電線の製造方法にある。
るワニスをガラスクロスに含浸させた後加熱してポリチ
タノカルボシランを半焼成状態としたガラステープを導
体上に巻回することを特徴とする耐熱及び耐放射線性絶
縁電線の製造方法にある。
ここで、「ポリチタノカルボシランを主体としたワニ
ス」とは、ジメチルジクロロシランの脱塩素縮重合反応
により合成されるポリジメチルシランに、ジフェニルジ
クロロシランとホウ酸の縮重合により得られるポリボロ
ジフェニルシロキサンと適量のチタン化合物とを加え、
加熱縮重合させて得たポリチタノカルポシランをキシレ
ン等の有機溶剤に溶解させて得られたものである。
ス」とは、ジメチルジクロロシランの脱塩素縮重合反応
により合成されるポリジメチルシランに、ジフェニルジ
クロロシランとホウ酸の縮重合により得られるポリボロ
ジフェニルシロキサンと適量のチタン化合物とを加え、
加熱縮重合させて得たポリチタノカルポシランをキシレ
ン等の有機溶剤に溶解させて得られたものである。
なお、ポリチタノカルボシランと有機溶剤の混合比は
所望するワニスの粘度によって決められるので特に限定
されないが、標準的には1:1である。
所望するワニスの粘度によって決められるので特に限定
されないが、標準的には1:1である。
上記ワニスは従来のポリジメチルシロキサンをベース
とするワニスと異なり、500℃以上の温度に曝露される
とセラミック化する特性を有する。
とするワニスと異なり、500℃以上の温度に曝露される
とセラミック化する特性を有する。
なお、上記ワニスにはタルク、マイカ、シリカ、アル
ミナ等の微粒子状無機充てん剤が添加されていてもよ
い。
ミナ等の微粒子状無機充てん剤が添加されていてもよ
い。
次に、上記ワニスのガラスクロスへの含浸について説
明する。使用されるガラスクロスの種類としてはＥガラ
スの平織が代表的であり、含浸は常法（例えばディッピ
ング）により行われる。含浸後、室温で乾燥させ、250
℃までの温度で焼付を行い、半焼性テープを得る。この
段階ではワニスはまだセラミック化していないため十分
な可とう性を有しており、上記テープを導体上に巻回す
ることが可能である。導体としてはメッキ層又はクラッ
ド層としてニッケルを含有する銅導体が一般に用いられ
る。
明する。使用されるガラスクロスの種類としてはＥガラ
スの平織が代表的であり、含浸は常法（例えばディッピ
ング）により行われる。含浸後、室温で乾燥させ、250
℃までの温度で焼付を行い、半焼性テープを得る。この
段階ではワニスはまだセラミック化していないため十分
な可とう性を有しており、上記テープを導体上に巻回す
ることが可能である。導体としてはメッキ層又はクラッ
ド層としてニッケルを含有する銅導体が一般に用いられ
る。
なお、ガラステープ絶縁体上にガラス編組の押え巻層
あるいはヒールシール層付きのポリイミドテープの押え
巻層を施してもよい。
あるいはヒールシール層付きのポリイミドテープの押え
巻層を施してもよい。
［作用］ ガラスクロスに含浸させたワニスが高温度環境下ある
いは大線量の放射線下でセラミック化するためクラック
が入らなくなり、絶縁性の低下が少なくなる。
いは大線量の放射線下でセラミック化するためクラック
が入らなくなり、絶縁性の低下が少なくなる。
［実施例］ 以下、本発明の実施例を比較例と共に説明する。
ポリチタノカルボシランを同量のキシレンに溶解させ
て得たワニスを0.2mm厚の平織ガラスクロスに含浸さ
せ、室温で乾燥させた後、10℃／分の昇温速度で250℃
まで加熱し半焼成状態のガラステープを得た。このガラ
ステープの厚さは0.25mmであり、このテープを1/2ラッ
プで絶縁体の厚さが0.5mmとなるよう2mm2のニッケルメ
ッキ銅より線導体上に巻回し、この上に押え巻層として
ガラス編組を施して絶縁電線を得た。
て得たワニスを0.2mm厚の平織ガラスクロスに含浸さ
せ、室温で乾燥させた後、10℃／分の昇温速度で250℃
まで加熱し半焼成状態のガラステープを得た。このガラ
ステープの厚さは0.25mmであり、このテープを1/2ラッ
プで絶縁体の厚さが0.5mmとなるよう2mm2のニッケルメ
ッキ銅より線導体上に巻回し、この上に押え巻層として
ガラス編組を施して絶縁電線を得た。
一方、比較例として、ポリジメチルシロキサンを同量
のキシレンに溶解させて得たワニスを用い、実施例と全
く同じ手順で同一サイズの絶縁電線を得た。
のキシレンに溶解させて得たワニスを用い、実施例と全
く同じ手順で同一サイズの絶縁電線を得た。
これらの絶縁電線を電気炉内で500℃で１時間加熱し
た後、60Coを線源とするγ線を104Gy/時間で50MGyまで
照射し、照射前後の絶縁抵抗値の変化により絶縁性能を
判定した。その結果を表に示す。
た後、60Coを線源とするγ線を104Gy/時間で50MGyまで
照射し、照射前後の絶縁抵抗値の変化により絶縁性能を
判定した。その結果を表に示す。
実施例にみられるように本発明の絶縁電線は高温にさ
らされ、大線量のγ線に照射された後でも十分に高い絶
縁性を有しているが、比較例では大幅に絶縁抵抗が低下
している。
らされ、大線量のγ線に照射された後でも十分に高い絶
縁性を有しているが、比較例では大幅に絶縁抵抗が低下
している。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、耐熱性及び耐放
射線性に優れた絶縁電線が得られる。
射線性に優れた絶縁電線が得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭52−39200（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−168376（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−234069（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−221509（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−221508（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−12672（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−138574（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−48773（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】ポリチタノカルボシランを主体とするワニ
スをガラスクロスに含浸させた後加熱してポリチタノカ
ルボシランを半焼成状態としたガラステープを導体上に
巻回することを特徴とする耐熱及び耐放射線性絶縁電線
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63067606A JP2751189B2 (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 耐熱及び耐放射線性絶縁電線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63067606A JP2751189B2 (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 耐熱及び耐放射線性絶縁電線の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01239709A JPH01239709A (ja) | 1989-09-25 |
| JP2751189B2 true JP2751189B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=13349759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63067606A Expired - Lifetime JP2751189B2 (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 耐熱及び耐放射線性絶縁電線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2751189B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5239200A (en) * | 1975-09-23 | 1977-03-26 | Nitto Electric Ind Co Ltd | Electric insulation tape |
| JPS639326B2 (ja) * | 1980-08-13 | 1988-02-27 | Showa Electric Wire & Cable Co | |
| JPS62168376A (ja) * | 1986-01-20 | 1987-07-24 | 松下電器産業株式会社 | 面状発熱体 |
-
1988
- 1988-03-22 JP JP63067606A patent/JP2751189B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01239709A (ja) | 1989-09-25 |
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