JP2751104B2 - 半導体装置用リードフレームの製造方法 - Google Patents
半導体装置用リードフレームの製造方法Info
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- JP2751104B2 JP2751104B2 JP3146190A JP3146190A JP2751104B2 JP 2751104 B2 JP2751104 B2 JP 2751104B2 JP 3146190 A JP3146190 A JP 3146190A JP 3146190 A JP3146190 A JP 3146190A JP 2751104 B2 JP2751104 B2 JP 2751104B2
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- Japan
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- internal
- lead frame
- lead
- semiconductor device
- bonding
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
本発明は、半導体装置用リードフレームの製造方法に
関し、特に半導体装置用リードフレームの各内部リード
を互いに絶縁テープで連結する製造方法に関する。
関し、特に半導体装置用リードフレームの各内部リード
を互いに絶縁テープで連結する製造方法に関する。
第４図は、従来の半導体装置用リードフレームの製造
工程にあるリードフレーム10の一部、すなわち各内部リ
ード12（図では２本のみ参照番号を付す）と素子搭載部
14の一部を平面図で示している。 従来の半導体装置用リードフレームの製造方法にあっ
ては、第４図に示すように、エッチング加工又はプレス
加工により、各内部リード12を分離した状態に加工し、
次に所定のボンディング位置（例えば先端部）にめっき
加工を施した後、第５図に示すように、各内部リード12
間の位置を固定しておくために、絶縁テープ16を内部リ
ード12に圧着していた。具体的には、図示の場合、内部
リードの幅が0.3mm位であるが、この内部リードを絶縁
テープが跨ぐように、内部リードの先端から全体の1/4
位（５〜10mm位）のところに、３〜5mmの絶縁テープを
圧着する。 また、特開平１−248655に示されるように、内部リー
ドを素子搭載部等で連結した状態に加工した後、めっき
加工を施し、前記内部リードを連結した部分以外のとこ
ろで内部リード間を絶縁テープの圧着で連結し、しかる
後に内部リードを素子搭載部等から切り離すリードフレ
ームの製造方法が提案された。
工程にあるリードフレーム10の一部、すなわち各内部リ
ード12（図では２本のみ参照番号を付す）と素子搭載部
14の一部を平面図で示している。 従来の半導体装置用リードフレームの製造方法にあっ
ては、第４図に示すように、エッチング加工又はプレス
加工により、各内部リード12を分離した状態に加工し、
次に所定のボンディング位置（例えば先端部）にめっき
加工を施した後、第５図に示すように、各内部リード12
間の位置を固定しておくために、絶縁テープ16を内部リ
ード12に圧着していた。具体的には、図示の場合、内部
リードの幅が0.3mm位であるが、この内部リードを絶縁
テープが跨ぐように、内部リードの先端から全体の1/4
位（５〜10mm位）のところに、３〜5mmの絶縁テープを
圧着する。 また、特開平１−248655に示されるように、内部リー
ドを素子搭載部等で連結した状態に加工した後、めっき
加工を施し、前記内部リードを連結した部分以外のとこ
ろで内部リード間を絶縁テープの圧着で連結し、しかる
後に内部リードを素子搭載部等から切り離すリードフレ
ームの製造方法が提案された。
しかし、前記従来の半導体装置用リードフレームの製
造方法にあっては、プレス加工またはエッチング加工後
の整列、めっき加工前後の整列、及びめっき加工、テー
プ圧着加工前の整列、及びテープ圧着加工などの作業時
に、内部リードが曲がってしまう等の内部リード変形と
いう問題点があった。これは、絶縁テープの圧着だけで
は、圧着作業を含めて種々の作業に対し内部リードの位
置関係を十分に保持できないことを意味している。 また、特開平１−248655の方法では、プレス加工によ
り内部リードと素子搭載部等の連結部を切断する際に、
ボンディング位置であるめっき面を傷付けやすいと共
に、わずかながらも内部リードに変形を生じるという問
題点があった。これは、内部リードを連結する素子搭載
部等がボンディング位置に近いのと、内部リードを連結
する部分がテープを圧着する部分から離れているからで
あると考えられる。 本発明は、エッチング加工、プレス加工、めっき加
工、および絶縁テープ圧着などの作業時に発生しやすい
内部リードの位置ずれを防止した半導体装置用リードフ
レームの製造方法を提供することを目的としている。 また、内部リードの位置ずれを防止するために内部リ
ードを連結部で互いに連結した場合に、内部リードの連
結部を除去して各内部リードを分離させる際、内部リー
ドのボンディング位置付近を再度加工することなく、そ
れぞれ独立のリードとして分離することを可能にし、ボ
ンディング作業などの工程における作業の信頼性が低下
するのを防止した半導体装置用リードフレームの製造方
法を提供することを目的としている。
造方法にあっては、プレス加工またはエッチング加工後
の整列、めっき加工前後の整列、及びめっき加工、テー
プ圧着加工前の整列、及びテープ圧着加工などの作業時
に、内部リードが曲がってしまう等の内部リード変形と
いう問題点があった。これは、絶縁テープの圧着だけで
は、圧着作業を含めて種々の作業に対し内部リードの位
置関係を十分に保持できないことを意味している。 また、特開平１−248655の方法では、プレス加工によ
り内部リードと素子搭載部等の連結部を切断する際に、
ボンディング位置であるめっき面を傷付けやすいと共
に、わずかながらも内部リードに変形を生じるという問
題点があった。これは、内部リードを連結する素子搭載
部等がボンディング位置に近いのと、内部リードを連結
する部分がテープを圧着する部分から離れているからで
あると考えられる。 本発明は、エッチング加工、プレス加工、めっき加
工、および絶縁テープ圧着などの作業時に発生しやすい
内部リードの位置ずれを防止した半導体装置用リードフ
レームの製造方法を提供することを目的としている。 また、内部リードの位置ずれを防止するために内部リ
ードを連結部で互いに連結した場合に、内部リードの連
結部を除去して各内部リードを分離させる際、内部リー
ドのボンディング位置付近を再度加工することなく、そ
れぞれ独立のリードとして分離することを可能にし、ボ
ンディング作業などの工程における作業の信頼性が低下
するのを防止した半導体装置用リードフレームの製造方
法を提供することを目的としている。
上記目的を達成するために、本発明の半導体装置用リ
ードフレームの製造方法においては、先端にボンディン
グ部を有すると共に該ボンディング部より外側の位置で
連結部により連結された内部リードを有するリードフレ
ームを形成する工程と、前記内部リードのボンディング
部にめっきを施す工程と、前記連結部を十分に覆う絶縁
テープを前記連結部及び内部リードに圧着する工程と、
該連結部に圧着された絶縁テープと共に前記連結部を除
去して、各内部リードを分離する工程を含む。
ードフレームの製造方法においては、先端にボンディン
グ部を有すると共に該ボンディング部より外側の位置で
連結部により連結された内部リードを有するリードフレ
ームを形成する工程と、前記内部リードのボンディング
部にめっきを施す工程と、前記連結部を十分に覆う絶縁
テープを前記連結部及び内部リードに圧着する工程と、
該連結部に圧着された絶縁テープと共に前記連結部を除
去して、各内部リードを分離する工程を含む。
上記のように構成された製造方法で半導体装置用リー
ドフレームを製造すると、連結部を覆うように絶縁テー
プを圧着し、連結部をその部分の絶縁テープと共にプレ
ス加工等により除去するため、ボンディング位置である
めっき面を傷付けないし、また内部リードの変形を生じ
ることもない。 すなわち、本発明の半導体装置用リードフレームの製
造方法では、内部リードの先端のボンディング部より外
側の位置で連結部で互いに連結された内部リードを形成
するので、全ての作業が終わるまで、複数の内部リード
の一体性が保持されると共に連結部を除去して内部リー
ドを分離する際にボンディング部を傷付けることがな
い。そして、この連結部は内部リードと同時に形成され
るので作業工程を増加することにはならない。また、内
部リードの先端のボンディング部は最初にリードフレー
ムを形成したときの形を維持でき、再加工することが無
いので、変形するおそれが極めて小さい。 さらに、内部リードを連結部で連結したうえに絶縁テ
ープを内部リードに圧着するから、圧着に際しても内部
リードの一体性を崩すことがないし、ずれによる内部リ
ードの変形もない。 また、連結部を十分に被覆する絶縁テープを内部リー
ドに圧着するから、めっき作業等に際して内部リードの
十分な支持が得られる。 さらに、連結部をその部分の絶縁テープと共に除去し
て各内部リードを分離するのであるから、連結部の周辺
の内部リードはそこに付着した絶縁テープで変形等から
保護される。 なお、内部リードの先端のボンディング部にめっきを
施すのは、ワイヤーボンディング用下地として導電性、
接合性を確保するためであることはいうまでもない。
ドフレームを製造すると、連結部を覆うように絶縁テー
プを圧着し、連結部をその部分の絶縁テープと共にプレ
ス加工等により除去するため、ボンディング位置である
めっき面を傷付けないし、また内部リードの変形を生じ
ることもない。 すなわち、本発明の半導体装置用リードフレームの製
造方法では、内部リードの先端のボンディング部より外
側の位置で連結部で互いに連結された内部リードを形成
するので、全ての作業が終わるまで、複数の内部リード
の一体性が保持されると共に連結部を除去して内部リー
ドを分離する際にボンディング部を傷付けることがな
い。そして、この連結部は内部リードと同時に形成され
るので作業工程を増加することにはならない。また、内
部リードの先端のボンディング部は最初にリードフレー
ムを形成したときの形を維持でき、再加工することが無
いので、変形するおそれが極めて小さい。 さらに、内部リードを連結部で連結したうえに絶縁テ
ープを内部リードに圧着するから、圧着に際しても内部
リードの一体性を崩すことがないし、ずれによる内部リ
ードの変形もない。 また、連結部を十分に被覆する絶縁テープを内部リー
ドに圧着するから、めっき作業等に際して内部リードの
十分な支持が得られる。 さらに、連結部をその部分の絶縁テープと共に除去し
て各内部リードを分離するのであるから、連結部の周辺
の内部リードはそこに付着した絶縁テープで変形等から
保護される。 なお、内部リードの先端のボンディング部にめっきを
施すのは、ワイヤーボンディング用下地として導電性、
接合性を確保するためであることはいうまでもない。
実施例について図面を参照して説明すると、第１図
は、第４図と同様に本発明の半導体装置用リードフレー
ムの製造工程にあるリードフレーム10の一部、すなわち
各内部リード12（図では２本のみ参照番号を付す）と素
子搭載部14の一部を平面図で示している。 第２図、第３図は本発明の実施例を説明するために第
１図に対し製造工程順に示した半導体装置用リードフレ
ームの部分的平面図である。 第１図では、リードフレーム10の内部リード12が、そ
の先端のボンディング部12aより外側すなわちダムバー
（図示せず）側の位置で互いに連結部18で連結されてい
る。すなわち、本発明では、エッチング加工、又はプレ
ス加工によりリードフレーム10を形成する際に、内部リ
ード12をその先端のボンディング位置より外側の位置で
互いに連結部18で連結した形でリードフレーム10を形成
する。 次に、ボンディング部12aにめっきを施した後、第２
図に示すように連結部18を十分に覆う絶縁テープ16を内
部リード12に圧着する。このときフレーム幅0.3〜0.5mm
に対して、テープ幅３〜5mmとする。 なお、第２図では絶縁テープ16に被覆された内部リー
ド12の部分および連結部18は点線で示してある。 そして、第３図に示すように、プレス加工などにより
内部リード12の連結部分18をその部分に付着した絶縁テ
ープ16とともに除去する。すなわち、絶縁テープ16は連
結部分18のところで穴20が開いた形になる。 こうして、絶縁テープ16を付着した半導体装置用リー
ドフレーム10が完成する。
は、第４図と同様に本発明の半導体装置用リードフレー
ムの製造工程にあるリードフレーム10の一部、すなわち
各内部リード12（図では２本のみ参照番号を付す）と素
子搭載部14の一部を平面図で示している。 第２図、第３図は本発明の実施例を説明するために第
１図に対し製造工程順に示した半導体装置用リードフレ
ームの部分的平面図である。 第１図では、リードフレーム10の内部リード12が、そ
の先端のボンディング部12aより外側すなわちダムバー
（図示せず）側の位置で互いに連結部18で連結されてい
る。すなわち、本発明では、エッチング加工、又はプレ
ス加工によりリードフレーム10を形成する際に、内部リ
ード12をその先端のボンディング位置より外側の位置で
互いに連結部18で連結した形でリードフレーム10を形成
する。 次に、ボンディング部12aにめっきを施した後、第２
図に示すように連結部18を十分に覆う絶縁テープ16を内
部リード12に圧着する。このときフレーム幅0.3〜0.5mm
に対して、テープ幅３〜5mmとする。 なお、第２図では絶縁テープ16に被覆された内部リー
ド12の部分および連結部18は点線で示してある。 そして、第３図に示すように、プレス加工などにより
内部リード12の連結部分18をその部分に付着した絶縁テ
ープ16とともに除去する。すなわち、絶縁テープ16は連
結部分18のところで穴20が開いた形になる。 こうして、絶縁テープ16を付着した半導体装置用リー
ドフレーム10が完成する。
本発明は、以上説明したように構成されているので、
以下に記載されるような効果を奏する。 各内部リードが互いに連結されている状態で、めっき
加工、絶縁テープ圧着加工を行うので、各内部リードの
位置ずれを防止できる。 また、プレス加工等により、内部リードを連結する連
結部をその部分の絶縁テープと共に除去して各内部リー
ドを分離させるから、ボンディング加工をする際に、リ
ード先端部位置付近を再度加工しなくてすむので、ボン
ディングなどの信頼性の低下を防止する。 内部リード先端のボンディング位置より外側の位置で
互いに連結された内部リードを有するリードフレームを
形成し、所定の位置にめっきを施し、内部リードの連結
された部分を十分に覆う絶縁テープを除去する方法をと
ることにより、内部リードの位置ずれを防止でき、また
ボンディング位置付近を再度加工する必要がないので、
ボンディングなどの信頼性を防止する効果がある。
以下に記載されるような効果を奏する。 各内部リードが互いに連結されている状態で、めっき
加工、絶縁テープ圧着加工を行うので、各内部リードの
位置ずれを防止できる。 また、プレス加工等により、内部リードを連結する連
結部をその部分の絶縁テープと共に除去して各内部リー
ドを分離させるから、ボンディング加工をする際に、リ
ード先端部位置付近を再度加工しなくてすむので、ボン
ディングなどの信頼性の低下を防止する。 内部リード先端のボンディング位置より外側の位置で
互いに連結された内部リードを有するリードフレームを
形成し、所定の位置にめっきを施し、内部リードの連結
された部分を十分に覆う絶縁テープを除去する方法をと
ることにより、内部リードの位置ずれを防止でき、また
ボンディング位置付近を再度加工する必要がないので、
ボンディングなどの信頼性を防止する効果がある。
第１図は、本発明の実施例を示す製造工程の第１部にあ
る半導体装置用リードフレームの部分的平面図である。 第２図は、本発明の実施例を示す製造工程の第２部にあ
る半導体装置用リードフレームの部分的平面図である。 第３図は、本発明の実施例を示す製造工程の第３部にあ
る半導体装置用リードフレームの部分的平面図である。 第４図は、従来の半導体装置用リードフレームの製造方
法の工程の一部にあるリードフレームを示す部分平面図
である。 第５図は、第４図の工程の次の工程にあるリードフレー
ムを示す部分平面図である。 図中、参照数字は次のものを表す。 10……リードフレーム 12……内部リード 12a……ボンディング部 14……素子搭載部 16……絶縁テープ 18……連結部 20……連結部が除去された後の穴
る半導体装置用リードフレームの部分的平面図である。 第２図は、本発明の実施例を示す製造工程の第２部にあ
る半導体装置用リードフレームの部分的平面図である。 第３図は、本発明の実施例を示す製造工程の第３部にあ
る半導体装置用リードフレームの部分的平面図である。 第４図は、従来の半導体装置用リードフレームの製造方
法の工程の一部にあるリードフレームを示す部分平面図
である。 第５図は、第４図の工程の次の工程にあるリードフレー
ムを示す部分平面図である。 図中、参照数字は次のものを表す。 10……リードフレーム 12……内部リード 12a……ボンディング部 14……素子搭載部 16……絶縁テープ 18……連結部 20……連結部が除去された後の穴
Claims (1)
- 【請求項１】先端にボンディング部を有すると共に該ボ
ンディング部より外側の位置で連結部により連結された
内部リードを有するリードフレームを形成する工程と、
前記内部リードのボンディング部にめっきを施す工程
と、前記連結部を十分に覆う絶縁テープを前記連結部及
び内部リードに圧着する工程と、該連結部に圧着された
絶縁テープと共に前記連結部を除去して、各内部リード
を分離する工程を含むことを特徴とする半導体装置用リ
ードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3146190A JP2751104B2 (ja) | 1990-02-14 | 1990-02-14 | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3146190A JP2751104B2 (ja) | 1990-02-14 | 1990-02-14 | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03236271A JPH03236271A (ja) | 1991-10-22 |
| JP2751104B2 true JP2751104B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=12331905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3146190A Expired - Lifetime JP2751104B2 (ja) | 1990-02-14 | 1990-02-14 | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2751104B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6037652A (en) * | 1997-05-29 | 2000-03-14 | Nec Corporation | Lead frame with each lead having a peel generation preventing means and a semiconductor device using same |
| KR100493038B1 (ko) * | 2002-12-04 | 2005-06-07 | 삼성전자주식회사 | 내부리드 끝단의 성능을 개선한 리드프레임 및 그 제조방법 |
-
1990
- 1990-02-14 JP JP3146190A patent/JP2751104B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03236271A (ja) | 1991-10-22 |
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