JP2745639B2 - オキシチタニウムフタロシアニン結晶の製造方法 - Google Patents
オキシチタニウムフタロシアニン結晶の製造方法Info
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- phthalocyanine crystal
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はオキシチタニウムフタロシアニン結晶の製造
方法に関し、特に電子写真用感光体に適した特定のＸ線
回折スペクトルを示すオキシチタニウムフタロシアニン
結晶の新規な製造方法に関する。
方法に関し、特に電子写真用感光体に適した特定のＸ線
回折スペクトルを示すオキシチタニウムフタロシアニン
結晶の新規な製造方法に関する。
＜従来の技術＞ オキシチタニウムフタロシアニンの結晶型には、製造
条件によって準安定なα型と安定なβ型が存在すること
はつとに知られるところである。そしてこれらのオキシ
チタニウムフタロシアニンの結晶型が機械的ひずみ、有
機溶剤および熱の影響下に、相互に結晶型が転移するこ
とも知られている。例えばα型のオキシチタニウムフタ
ロシアニンはＮ−メチルピロリドン等の有機溶剤中で加
熱することによりβ型に転移する。
条件によって準安定なα型と安定なβ型が存在すること
はつとに知られるところである。そしてこれらのオキシ
チタニウムフタロシアニンの結晶型が機械的ひずみ、有
機溶剤および熱の影響下に、相互に結晶型が転移するこ
とも知られている。例えばα型のオキシチタニウムフタ
ロシアニンはＮ−メチルピロリドン等の有機溶剤中で加
熱することによりβ型に転移する。
また、α型のオキシチタニウムフタロシアニンを水性
懸濁液となし、これに芳香族炭化水素溶剤を添加し加熱
処理することによって、Ｘ線回折スペクトルにおいてブ
ラッグ角（２θ）27.3゜に強いピークを示すα型にもβ
型にも分類されない結晶型のオキシチタニウムフタロシ
アニンが得られ、かかる結晶型のオキシチタニウムフタ
ロシアニンが光ディスク用記録材料への応用が期待され
る等有用なものであることが特開昭63−20365号公報に
記載されている。
懸濁液となし、これに芳香族炭化水素溶剤を添加し加熱
処理することによって、Ｘ線回折スペクトルにおいてブ
ラッグ角（２θ）27.3゜に強いピークを示すα型にもβ
型にも分類されない結晶型のオキシチタニウムフタロシ
アニンが得られ、かかる結晶型のオキシチタニウムフタ
ロシアニンが光ディスク用記録材料への応用が期待され
る等有用なものであることが特開昭63−20365号公報に
記載されている。
＜発明が解決しようとする課題＞ 本発明は従来知られていなかった新規な方法で、電子
写真用感光体等の用途に有用なオキシチタニウムフタロ
シアニン結晶型を製造する工業的有利な製造方法を提供
することを目的とするものである。
写真用感光体等の用途に有用なオキシチタニウムフタロ
シアニン結晶型を製造する工業的有利な製造方法を提供
することを目的とするものである。
＜課題を解決するための手段＞ 本発明の要旨は、オキシチタニウムフタロシアニンを
脂肪族カルボン酸溶媒中、硫酸またはＲ・SO3H（式中、
Ｒは置換基を有していてもよい脂肪族または芳香族の残
基を表わす。）で表わされるスルホン化物とともに機械
的摩砕処理してＸ線回折スペクトルにおいてブラッグ
（２θ±0.2゜）27.3゜に主たる回折ピークを示す結晶
を取得することを特徴とするオキシチタニウムフタロシ
アニン結晶の製造方法に存する。
脂肪族カルボン酸溶媒中、硫酸またはＲ・SO3H（式中、
Ｒは置換基を有していてもよい脂肪族または芳香族の残
基を表わす。）で表わされるスルホン化物とともに機械
的摩砕処理してＸ線回折スペクトルにおいてブラッグ
（２θ±0.2゜）27.3゜に主たる回折ピークを示す結晶
を取得することを特徴とするオキシチタニウムフタロシ
アニン結晶の製造方法に存する。
（作 用） 以下、本発明をさらに詳細に説明する。
本発明方法の原料とするオキシチタニウムフタロシア
ニンはα型、β型または他のいずれの結晶型でもよく、
非晶質のものを用いてもよい。
ニンはα型、β型または他のいずれの結晶型でもよく、
非晶質のものを用いてもよい。
用いられる脂肪酸カルボン酸としては、酢酸、プロピ
オン酸、酪酸、吉草酸等が挙げられる。好ましくは酢酸
であり、用いる量は原料とするオキシチタニウムフタロ
シアニンに対し10倍〜100倍（重量比）であり、好まし
くは20倍〜50倍である。
オン酸、酪酸、吉草酸等が挙げられる。好ましくは酢酸
であり、用いる量は原料とするオキシチタニウムフタロ
シアニンに対し10倍〜100倍（重量比）であり、好まし
くは20倍〜50倍である。
また、Ｒ・SO3Hで表わされるスルホン化物としては、
例えばメタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパン
スルホン酸、ブタンスルホン酸等の脂肪族スルホン酸類
および下記式で表わされる芳香族スルホン酸類等が挙げ
られる。
例えばメタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパン
スルホン酸、ブタンスルホン酸等の脂肪族スルホン酸類
および下記式で表わされる芳香族スルホン酸類等が挙げ
られる。
（式中、R1、R2は水素原子；水酸基；ニトロ基；メチル
基、エチル基、プロピル基等のアルキル基；メトキシ
基、エトキシ基等のアルコキシ基；フッ素原子、塩素原
子、臭素原子等のハロゲン原子；カルボキシル基；シア
ノ基；アミノ基；ジメチルアミノ基等が挙げられる。）
で中もトルエンスルホン酸が好適である。用いる量はオ
キシチタニウムフタロシアニンに対し1.5倍モル〜15倍
モルであり、好ましくは３倍モル〜５倍モルである。
基、エチル基、プロピル基等のアルキル基；メトキシ
基、エトキシ基等のアルコキシ基；フッ素原子、塩素原
子、臭素原子等のハロゲン原子；カルボキシル基；シア
ノ基；アミノ基；ジメチルアミノ基等が挙げられる。）
で中もトルエンスルホン酸が好適である。用いる量はオ
キシチタニウムフタロシアニンに対し1.5倍モル〜15倍
モルであり、好ましくは３倍モル〜５倍モルである。
機械的摩砕処理の方法は、分散媒中の懸濁物を充分に
摩砕し得る方法ならいかなる方法でも採用可能で、具体
的にはペイントシェーカー又はサンドグラインダーミル
等により行うのが適当である。該摩砕処理は、目的の結
晶型のオキシチタニウムフタロシアニンが確実に得られ
る範囲で行えばよく、ペイントシェーカー又はサンドグ
ラインダーミルを用いる場合、工業的には１〜５時間行
えば充分である。
摩砕し得る方法ならいかなる方法でも採用可能で、具体
的にはペイントシェーカー又はサンドグラインダーミル
等により行うのが適当である。該摩砕処理は、目的の結
晶型のオキシチタニウムフタロシアニンが確実に得られ
る範囲で行えばよく、ペイントシェーカー又はサンドグ
ラインダーミルを用いる場合、工業的には１〜５時間行
えば充分である。
尚、本発明において「主たる回折ピーク」とは、その
Ｘ線回折スペクトルにおける強度が一番強い（高い）ピ
ークを指す。
Ｘ線回折スペクトルにおける強度が一番強い（高い）ピ
ークを指す。
又、本発明方法によって得られたオキシチタニウムフ
タロシアニン結晶の粉末Ｘ線スペクトルの例を第１図、
第４図に示す。電子写真感光対に用いるには、ブラッグ
角（２θ±0.2゜）27.3゜の回折ピークが主たるピーク
であり、そのピーク以外は細かい条件によって種々ふれ
るが、第１図及び第４図の様に27.3゜のピーク強度に対
していずれのピークもその強度（ピーク高さの比較）が
50％以下であるスペクトルを示すオキシチタニウムフタ
ロシアニン結晶が帯電性、感度等の点から好ましい。
タロシアニン結晶の粉末Ｘ線スペクトルの例を第１図、
第４図に示す。電子写真感光対に用いるには、ブラッグ
角（２θ±0.2゜）27.3゜の回折ピークが主たるピーク
であり、そのピーク以外は細かい条件によって種々ふれ
るが、第１図及び第４図の様に27.3゜のピーク強度に対
していずれのピークもその強度（ピーク高さの比較）が
50％以下であるスペクトルを示すオキシチタニウムフタ
ロシアニン結晶が帯電性、感度等の点から好ましい。
＜実 施 例＞ 次に本発明を実施例と応用例により更に具体的に説明
するが、本発明はその要旨をこえない限り以下の実施例
に限定されるものではない。
するが、本発明はその要旨をこえない限り以下の実施例
に限定されるものではない。
実施例１ β型オキシチタニウムフタロシアニン2.0gに、ｐ−ト
ルエンスルホン酸1.0gおよび酢酸10mlを加えペイントシ
ェーカーで４時間摩砕した。過後、物を水洗し、メ
タノール懸洗して得られたオキシチタニウムフタロシア
ニン（収量1.8g）のＸ線回折スペクトル（第１図）は、
α型およびβ型オキシチタニウムフタロシアニンのスペ
クトル（第２、３図）とは異なり、ブラッグ角（２θ±
0.2゜）27.3゜に主たるピークを示すものであった。
ルエンスルホン酸1.0gおよび酢酸10mlを加えペイントシ
ェーカーで４時間摩砕した。過後、物を水洗し、メ
タノール懸洗して得られたオキシチタニウムフタロシア
ニン（収量1.8g）のＸ線回折スペクトル（第１図）は、
α型およびβ型オキシチタニウムフタロシアニンのスペ
クトル（第２、３図）とは異なり、ブラッグ角（２θ±
0.2゜）27.3゜に主たるピークを示すものであった。
実施例２ β型オキシチタニウムフタロシアニン2.0gに、メタン
スルホン酸0.5gおよび酢酸10mlを加え、ペイントシェー
カーで４時間摩砕した。過後、物を水洗し、メタノ
ール懸洗して得られたオキシチタニウムフタロシアニン
（収量1.6g）のＸ線回折スペクトルを第４図に示す。
スルホン酸0.5gおよび酢酸10mlを加え、ペイントシェー
カーで４時間摩砕した。過後、物を水洗し、メタノ
ール懸洗して得られたオキシチタニウムフタロシアニン
（収量1.6g）のＸ線回折スペクトルを第４図に示す。
実施例３ 溶媒およびスルホン化物として表に記載したものを用
いる以外実施例１および実施例２と全く同様にしたとこ
ろ、いずれもＸ線回折スペクトルにおいてブラッグ角
（２θ±0.2゜）27.3゜に主たるピークを示すオキシチ
タニウムフタロシアニンが得られた。
いる以外実施例１および実施例２と全く同様にしたとこ
ろ、いずれもＸ線回折スペクトルにおいてブラッグ角
（２θ±0.2゜）27.3゜に主たるピークを示すオキシチ
タニウムフタロシアニンが得られた。
応用例１ 実施例１で製造したオキシチタニウムフタロシアニン
結晶0.4g、ポリビニルブチラール0.2gを４−メトキシ−
４−メチル−２−ペンタノン30gと共に、サンドグライ
ンダーで分散し、この分散液をポリエステルフィルム上
に蒸着したアルミ蒸着層の上にフィルムアプリケータに
より乾燥膜厚が0.3g/m2となる様に塗布、乾燥し、電荷
発生層を形成した。
結晶0.4g、ポリビニルブチラール0.2gを４−メトキシ−
４−メチル−２−ペンタノン30gと共に、サンドグライ
ンダーで分散し、この分散液をポリエステルフィルム上
に蒸着したアルミ蒸着層の上にフィルムアプリケータに
より乾燥膜厚が0.3g/m2となる様に塗布、乾燥し、電荷
発生層を形成した。
この電荷発生層の上に、Ｎ−メチル−３−カルバゾー
ルカルバルデヒドジフェニルヒドラゾン90部、ポリカー
ボネート樹脂（三菱ガス化学社製、商品名ユーピロンＥ
−2000）100部からなる膜厚17μｍの電荷移動層を積層
し、積層型の感光層を有する電子写真感光体を得た。
ルカルバルデヒドジフェニルヒドラゾン90部、ポリカー
ボネート樹脂（三菱ガス化学社製、商品名ユーピロンＥ
−2000）100部からなる膜厚17μｍの電荷移動層を積層
し、積層型の感光層を有する電子写真感光体を得た。
この感光体の感度として半減露光量（E1/2）を静電複
写紙試験装置（川口電機製作所製モデルSP−428）によ
り測定した。すなわち、暗所でコロナ電流が50μＡにな
る様に設定した印加電圧によるコロナ放電により感光体
を負帯電し、次いで0.125μW/cm2の強度を持つ775nmの
単色光により露光し表面電位が−500Vから−250Vに半減
するのに要した露光量（E1/2）を求めたところ0.23μJ/
cm2であった。
写紙試験装置（川口電機製作所製モデルSP−428）によ
り測定した。すなわち、暗所でコロナ電流が50μＡにな
る様に設定した印加電圧によるコロナ放電により感光体
を負帯電し、次いで0.125μW/cm2の強度を持つ775nmの
単色光により露光し表面電位が−500Vから−250Vに半減
するのに要した露光量（E1/2）を求めたところ0.23μJ/
cm2であった。
この時の感光体の帯電圧（初期表面電位）は667Vであ
り露光10秒後の表面電位（残留電位）は−9Vであった。
り露光10秒後の表面電位（残留電位）は−9Vであった。
応用例２ 用いるオキシチタニウムフタロシアニン結晶を実施例
２で製造された結晶とおきかえた以外は、前記応用例１
と全く同様にしたところ測定された半減露光量（E1/2）
は0.27μJ/cm2であった。
２で製造された結晶とおきかえた以外は、前記応用例１
と全く同様にしたところ測定された半減露光量（E1/2）
は0.27μJ/cm2であった。
（発明の効果） 本発明方法によれば、ブラッグ角（２θ±0.2度）27.
3度に主たる回折ピークを有するオキシフタロシアニン
結晶を一段階の処理で収率よく得ることができる等工業
的有利に製造可能である。
3度に主たる回折ピークを有するオキシフタロシアニン
結晶を一段階の処理で収率よく得ることができる等工業
的有利に製造可能である。
又、この様にして得られるオキシチタニウムフタロシ
アニン結晶を電荷発生材料として用いる電子写真用感光
体は、高感度で、残留電位が低く帯電性が高く、かつ、
繰返しによる変動が小さく、特に、画像濃度に影響する
帯電安定性が良好であることから、高耐久性感光体とし
て用いることができる。又750〜800nmの領域の感度が高
いことから、特に半導体レーザプリンタ用感光体に適し
ている。
アニン結晶を電荷発生材料として用いる電子写真用感光
体は、高感度で、残留電位が低く帯電性が高く、かつ、
繰返しによる変動が小さく、特に、画像濃度に影響する
帯電安定性が良好であることから、高耐久性感光体とし
て用いることができる。又750〜800nmの領域の感度が高
いことから、特に半導体レーザプリンタ用感光体に適し
ている。
第１図および第４図は、実施例１および実施例２で得ら
れた本発明の結晶型オキシチタニウムフタロシアニンの
Ｘ線回折スペクトルを示す。第２図および第３図はそれ
ぞれ公知のα型およびβ型オキシチタニウムフタロシア
ニンのＸ線回折スペクトルを示す。
れた本発明の結晶型オキシチタニウムフタロシアニンの
Ｘ線回折スペクトルを示す。第２図および第３図はそれ
ぞれ公知のα型およびβ型オキシチタニウムフタロシア
ニンのＸ線回折スペクトルを示す。
Claims (1)
- 【請求項１】オキシチタニウムフタロシアニンを脂肪族
カルボン酸溶媒中、硫酸またはＲ・SO3H（式中、Ｒは置
換基を有していてもよい脂肪族または芳香族の残基を表
す。）で表されるスルホン化物とともに機械的摩砕処理
してＸ線回折スペクトルにおいてブラッグ角（２θ±0.
2゜）27.3゜に主たる回折ピークを示す結晶を取得する
ことを特徴とするオキシチタニウムフタロシアニン結晶
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3669989A JP2745639B2 (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | オキシチタニウムフタロシアニン結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3669989A JP2745639B2 (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | オキシチタニウムフタロシアニン結晶の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9284173A Division JP3060427B2 (ja) | 1997-10-17 | 1997-10-17 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02215866A JPH02215866A (ja) | 1990-08-28 |
| JP2745639B2 true JP2745639B2 (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=12477024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3669989A Expired - Fee Related JP2745639B2 (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | オキシチタニウムフタロシアニン結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2745639B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5290928A (en) * | 1990-11-22 | 1994-03-01 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Process for preparing oxytitanium phthalocyanine hydrate crystal |
| KR100528734B1 (ko) * | 2003-10-08 | 2006-01-10 | (주)프탈로스 | 옥시티타늄 프탈로시아닌 전하발생물질의 제조방법 및이로부터 제조된 새로운 결정형의 옥시티타늄프탈로시아닌 전하발생물질 |
| JP5106053B2 (ja) * | 2007-11-09 | 2012-12-26 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 積層型電子写真感光体及び積層型電子写真感光体の製造方法 |
-
1989
- 1989-02-16 JP JP3669989A patent/JP2745639B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02215866A (ja) | 1990-08-28 |
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Legal Events
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |