JP2743566B2 - エッチングにより微細パターンを形成する方法 - Google Patents
エッチングにより微細パターンを形成する方法Info
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- JP2743566B2 JP2743566B2 JP2253566A JP25356690A JP2743566B2 JP 2743566 B2 JP2743566 B2 JP 2743566B2 JP 2253566 A JP2253566 A JP 2253566A JP 25356690 A JP25356690 A JP 25356690A JP 2743566 B2 JP2743566 B2 JP 2743566B2
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- etched
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、エッチング加工技術一般に関し、特にリー
ドフレームやTABテープなど半導体関連部品に微細パタ
ーンを形成する方法に関する。
ドフレームやTABテープなど半導体関連部品に微細パタ
ーンを形成する方法に関する。
＜従来の技術＞ 従来のリードフレームやTABテープのエッチング手法
は、フォトレジスト膜を用いてマスキングした素材の表
面にエッチング液をほぼ均一に噴霧状に放射し、エッチ
ング加工を行ってきた。
は、フォトレジスト膜を用いてマスキングした素材の表
面にエッチング液をほぼ均一に噴霧状に放射し、エッチ
ング加工を行ってきた。
その結果、エッチングファクターは被加工材料とエッ
チング液化学組成の組合せなどでほぼ決定され、微細加
工を行うに必要とされる高い値、例えば2.5以上が得ら
れなかった。
チング液化学組成の組合せなどでほぼ決定され、微細加
工を行うに必要とされる高い値、例えば2.5以上が得ら
れなかった。
ここで、特公昭63−45460号によれば、前記従来法に
加えて被加工面を軟質なブラシでこすりながらエッチン
グを行う方法が提案されている。また、本出願人は特願
平１−119574号にて、従来法に加えて、被加工面に高圧
気体を間欠的に吹付けながらエッチングを行う方法を提
案している。
加えて被加工面を軟質なブラシでこすりながらエッチン
グを行う方法が提案されている。また、本出願人は特願
平１−119574号にて、従来法に加えて、被加工面に高圧
気体を間欠的に吹付けながらエッチングを行う方法を提
案している。
これらの方法は共に、新鮮で腐食能の大きいエッチン
グ液を被加工面に与え劣化したエッチング液を除去する
ことで高いエッチングファクターを得、最終的に微細加
工が得られるとしている。
グ液を被加工面に与え劣化したエッチング液を除去する
ことで高いエッチングファクターを得、最終的に微細加
工が得られるとしている。
すなわち、高濃度塩化物溶液、例えば５〜40％FeCl2
やCuCl2を用いたエッチング加工では、その腐食侵食速
度が酸化剤腐食成分の材料表面の拡散二重層上への拡散
過程により決定され（拡散支配）、その侵食速度を効果
的に増すには、ａ）拡散二重層（境界層）の厚さを減少
させる、ｂ）拡散二重層内外の酸化剤腐食成分濃度差を
大きくする（新鮮で腐食能の大きいエッチング液を拡散
二重層直上に急速に供給する）、ｃ）拡散二重層内の拡
散速度を増大させる（液温を上げる）などの方法が有効
である。
やCuCl2を用いたエッチング加工では、その腐食侵食速
度が酸化剤腐食成分の材料表面の拡散二重層上への拡散
過程により決定され（拡散支配）、その侵食速度を効果
的に増すには、ａ）拡散二重層（境界層）の厚さを減少
させる、ｂ）拡散二重層内外の酸化剤腐食成分濃度差を
大きくする（新鮮で腐食能の大きいエッチング液を拡散
二重層直上に急速に供給する）、ｃ）拡散二重層内の拡
散速度を増大させる（液温を上げる）などの方法が有効
である。
従って、前記ａ）〜ｃ）を達成する目的で高温の高速
ミストとしたエッチング液を被加工材料に吹きつけるこ
とが実際になされている。また、前記各提案はその効果
を高めることを目的としている。
ミストとしたエッチング液を被加工材料に吹きつけるこ
とが実際になされている。また、前記各提案はその効果
を高めることを目的としている。
＜発明が解決しようとする課題＞ しかしながら、前記特公昭63−45460号は、ブラシで
表面をこすることがフォトレジストで作成したマスク材
への機械的損傷を与えやすく現実的でなく、また前記特
願平１−119574号は、劣化エッチング液の系外への除去
の点でその効果については常に、あるいは必ずしも優れ
ているとは言いにくい。
表面をこすることがフォトレジストで作成したマスク材
への機械的損傷を与えやすく現実的でなく、また前記特
願平１−119574号は、劣化エッチング液の系外への除去
の点でその効果については常に、あるいは必ずしも優れ
ているとは言いにくい。
すなわち、従来方法では、エッチング液の供給は被加
工面から遠く離れた地点に設けたノズルより噴霧で行わ
れ、液の回収は被加工面よりほとんど無配慮に落下ある
いはオーバーフローするにまかせていた。
工面から遠く離れた地点に設けたノズルより噴霧で行わ
れ、液の回収は被加工面よりほとんど無配慮に落下ある
いはオーバーフローするにまかせていた。
その結果、劣化エッチング液の系外への積極的な除去
が生じにくく、望ましいエッチングができにくいという
問題があった。
が生じにくく、望ましいエッチングができにくいという
問題があった。
また、従来のエッチング手法では、リードフレームや
TABテープなどの被加工材料の被エッチング部分から十
分離れた地点に設けたノズルよりエッチング液を噴射
し、リード部を深さ方向に侵食し、金属の厚さ方向まで
侵食した時点で各リードは独立したリードとなる。しか
し、この侵食が深さ方向のみでなくマスク下方の平面方
向に進むので、厚さ方向まで侵食した時点でマスク下方
の平面方向、すなわちリード幅は所定の値以下になり、
最悪の場合はリードが消失して製品としての形をなさぬ
ことになる。
TABテープなどの被加工材料の被エッチング部分から十
分離れた地点に設けたノズルよりエッチング液を噴射
し、リード部を深さ方向に侵食し、金属の厚さ方向まで
侵食した時点で各リードは独立したリードとなる。しか
し、この侵食が深さ方向のみでなくマスク下方の平面方
向に進むので、厚さ方向まで侵食した時点でマスク下方
の平面方向、すなわちリード幅は所定の値以下になり、
最悪の場合はリードが消失して製品としての形をなさぬ
ことになる。
換言すれば、リード幅やそのピッチは金属膜厚さとエ
ッチング手法が一定の場合、限界値以下に製作すること
が困難であって、半導体素子の実装における大きな障害
となっていた。
ッチング手法が一定の場合、限界値以下に製作すること
が困難であって、半導体素子の実装における大きな障害
となっていた。
すなわち、素子と接続するリード数の覆い場合は、素
子サイズとは全く無関係にインナーリードの存在長さを
長くして（非エッチング部分の空間を長方形にとっ
て）、最終的に大形で細長いLSIパッケージにならざる
を得ないことになる。
子サイズとは全く無関係にインナーリードの存在長さを
長くして（非エッチング部分の空間を長方形にとっ
て）、最終的に大形で細長いLSIパッケージにならざる
を得ないことになる。
つまり、リードフレームやTABテープの微細エッチン
グ加工技術は単に部品の形状を定めるものでなく、LSI
構造体やそれを実装した電子機械のサイズをも決定する
要因となって、電子機械工業全域へ大きな影響を与え
る。
グ加工技術は単に部品の形状を定めるものでなく、LSI
構造体やそれを実装した電子機械のサイズをも決定する
要因となって、電子機械工業全域へ大きな影響を与え
る。
また、従来の手法（ここでは被エッチング面が水平、
上向き）では、見掛け上レジスト膜上に200〜1000μｍ
厚さの変色劣化したエッチング液膜が常に残留する結
果、ノズルより急速放射されたエッチング液滴がこの液
膜で機械的衝撃力を弱められ、エッチングファクター向
上の面から大きな障害となっていた。
上向き）では、見掛け上レジスト膜上に200〜1000μｍ
厚さの変色劣化したエッチング液膜が常に残留する結
果、ノズルより急速放射されたエッチング液滴がこの液
膜で機械的衝撃力を弱められ、エッチングファクター向
上の面から大きな障害となっていた。
本発明の目的は、従来エッチング加工が困難であった
微細エッチング加工品を得ることができるエッチングに
より微細パターンを形成する方法を提供することにあ
る。
微細エッチング加工品を得ることができるエッチングに
より微細パターンを形成する方法を提供することにあ
る。
＜課題を解決するための手段＞ 上記目的を達成するために本発明によれば、パターン
ニングマスクを施した被エッチング材料の表面にエッチ
ング液を吹付け所定の配線パターンを形成するに際し、 前記被エッチング材料の表面の全面に垂直方向からエ
ッチング液を吹付けるとともに、前記配線パターン中の
微細パターン部分の上方の近接位置にこの微細パターン
の配線方向に沿って水平方向に高速でエッチング液を吹
付け且つ高圧ガスを間欠的に噴射する吹付け手段および
この吹付け手段により吹付けられた前記エッチング液を
回収する手段を設け、吹付けられたエッチング液が前記
微細パターン部分の表面を当該微細パターンの配線方向
に沿って高速で流れるようにしたことを特徴とするエッ
チングにより微細パターンを形成する方法が提供され
る。
ニングマスクを施した被エッチング材料の表面にエッチ
ング液を吹付け所定の配線パターンを形成するに際し、 前記被エッチング材料の表面の全面に垂直方向からエ
ッチング液を吹付けるとともに、前記配線パターン中の
微細パターン部分の上方の近接位置にこの微細パターン
の配線方向に沿って水平方向に高速でエッチング液を吹
付け且つ高圧ガスを間欠的に噴射する吹付け手段および
この吹付け手段により吹付けられた前記エッチング液を
回収する手段を設け、吹付けられたエッチング液が前記
微細パターン部分の表面を当該微細パターンの配線方向
に沿って高速で流れるようにしたことを特徴とするエッ
チングにより微細パターンを形成する方法が提供され
る。
ここで、前記エッチング液吹付け手段により高圧ガス
を間欠的に噴射するのが好ましい。
を間欠的に噴射するのが好ましい。
以下に本発明をさらに詳細に説明する。
本発明では、パターン上の重要な限定部分に注目しエ
ッチング液の流れをスムースにすること、すなわち液の
流れに注目し供給口と回収口を独自に用意した。
ッチング液の流れをスムースにすること、すなわち液の
流れに注目し供給口と回収口を独自に用意した。
これにより高いエッチングファクターを得るのに好ま
しい液の流れ状態を得ることができ、劣化したエッチン
グ液が被加工面に無配慮に厚く停滞・残留することがな
く、新鮮な液が薄く存在した状態になることから、高速
なエッチング液ミストの被加工材料表面への衝突が深さ
方向への侵食を増す方向に作用しやすくなる。これはと
りもなおさず、間口が狭く深い溝が作成できる訳で、マ
スクの設計時点でリード間のピッチが小さく取れ、高密
度なエッチング加工品を得ることができる。
しい液の流れ状態を得ることができ、劣化したエッチン
グ液が被加工面に無配慮に厚く停滞・残留することがな
く、新鮮な液が薄く存在した状態になることから、高速
なエッチング液ミストの被加工材料表面への衝突が深さ
方向への侵食を増す方向に作用しやすくなる。これはと
りもなおさず、間口が狭く深い溝が作成できる訳で、マ
スクの設計時点でリード間のピッチが小さく取れ、高密
度なエッチング加工品を得ることができる。
第１図および第２図はそれぞれ被エッチング材料であ
るTABテープのエッチング時の１例を示す平面図および
第１図のII−II線での断面を示す模式図である。
るTABテープのエッチング時の１例を示す平面図および
第１図のII−II線での断面を示す模式図である。
ここで、TABテープ１は通常0.1mm前後の厚さの連続体
で、位置合わせ用ホール２と被エッチング部分３が連続
的に設けられている。
で、位置合わせ用ホール２と被エッチング部分３が連続
的に設けられている。
被エッチング部分３内にはインナーリード（一般に最
も微細加工となる部分に相当）４とアウターリード５が
設けられ、それらの間は電気的に連続されリード部６が
形成される。
も微細加工となる部分に相当）４とアウターリード５が
設けられ、それらの間は電気的に連続されリード部６が
形成される。
エッチングするためのパターンニングマスクは一般に
フォトレジストが用いられ、従来から知られている半導
体製造プロセスを用い作成される。前記リード部６以外
の部分は露出されている。
フォトレジストが用いられ、従来から知られている半導
体製造プロセスを用い作成される。前記リード部６以外
の部分は露出されている。
微細パターン用エッチング液放射ノズル７（以下、放
射ノズルという）を複数個インナーリード４上方に近接
して設置し、ここから放射したエッチング液がインナー
リード４長手方向で非エッチング部分の空間８に向う流
れを与える。
射ノズルという）を複数個インナーリード４上方に近接
して設置し、ここから放射したエッチング液がインナー
リード４長手方向で非エッチング部分の空間８に向う流
れを与える。
この流れはエッチング液回収ノズル９を介して回収ホ
ース10により急速に吸い上げられ、インナーリード４周
辺には腐食劣化したエッチング液が残らないようになっ
ている。
ース10により急速に吸い上げられ、インナーリード４周
辺には腐食劣化したエッチング液が残らないようになっ
ている。
すなわち、放射ノズル７から放射されたエッチング液
は、第２図に矢印で示すように回収ノズル９を介して停
滞することなく系外へ除去される。
は、第２図に矢印で示すように回収ノズル９を介して停
滞することなく系外へ除去される。
前記エッチング液放射ノズル７は従来用いられてきた
ノズル、例えば農業用フルコーンノズルと異なり、噴霧
状エッチング液を細管で被エッチング表面まで導く必要
がある。
ノズル、例えば農業用フルコーンノズルと異なり、噴霧
状エッチング液を細管で被エッチング表面まで導く必要
がある。
本発明に用いる放射ノズル７の好適例として第３図お
よび第４図に示すものをあげるこができる。
よび第４図に示すものをあげるこができる。
第３図はその横断面図で、エッチング液導入口より導
入され放射されたエッチング液は、高圧ガス導入口12よ
り導かれたガスとエッチングミスト発生部13でミスト状
となり、ホース14内を気液混合体の状態で高速で流れ、
ノズル先端15より放射される。ホース14は、長くフレキ
シブルに形成され、極端にエッチングさせぬ限り比較的
長い距離でもミスト状態を保つことができればよい。
入され放射されたエッチング液は、高圧ガス導入口12よ
り導かれたガスとエッチングミスト発生部13でミスト状
となり、ホース14内を気液混合体の状態で高速で流れ、
ノズル先端15より放射される。ホース14は、長くフレキ
シブルに形成され、極端にエッチングさせぬ限り比較的
長い距離でもミスト状態を保つことができればよい。
また、必要に応じて先端を狭く変形させたり、第４図
に示すようなへん平口16とすることも自由で、被エッチ
ング材やノズル配置に含せて自由に選ぶことができる。
に示すようなへん平口16とすることも自由で、被エッチ
ング材やノズル配置に含せて自由に選ぶことができる。
また、前記各ホース、ノズル類は一体に形成してもよ
い。また、位置合せ用ホール２を基準とするなどした厳
密な位置が自動的に設定できるようにすることは自由で
ある。
い。また、位置合せ用ホール２を基準とするなどした厳
密な位置が自動的に設定できるようにすることは自由で
ある。
以上は本発明の微細パターンを形成するための放射ノ
ズルであるが、このほかに従来の放射ノズル（図示せ
ず）も用いる。それらの関係について以下に説明する。
ズルであるが、このほかに従来の放射ノズル（図示せ
ず）も用いる。それらの関係について以下に説明する。
第５図および第６図はそれぞれTABテープのエッチン
グの他の例を示す斜視図および第５図のVI−VI線での断
面を示す模式図である。
グの他の例を示す斜視図および第５図のVI−VI線での断
面を示す模式図である。
ここで、エッチング液放射ノズルの先端15はインナー
リード４に近接してへん平に変形させて複数個設け、エ
ッチング液を放射する。
リード４に近接してへん平に変形させて複数個設け、エ
ッチング液を放射する。
この放射されたエッチング液は素子を搭載する非エッ
チング部分の空間８に設けたエッチング液回収ノズル９
より吸上げられる。
チング部分の空間８に設けたエッチング液回収ノズル９
より吸上げられる。
また、従来タイプのノズル、例えば農業用フルコーン
ノズル17はTABテープ１の上方（第５図では左右２か
所）にあり、従来のエッチング法と同様にテープ１表面
の全域にエッチング液を放射し、他の部分をエッチング
する。
ノズル17はTABテープ１の上方（第５図では左右２か
所）にあり、従来のエッチング法と同様にテープ１表面
の全域にエッチング液を放射し、他の部分をエッチング
する。
これらの様子は第６図に示すように、インナーリード
４部でエッチング液はインナーリード４の長手方向18
と、これに垂直な方向19の２つの流れを有する。
４部でエッチング液はインナーリード４の長手方向18
と、これに垂直な方向19の２つの流れを有する。
その結果、斜め上方より放射されたエッチング液は、
そのスムースな流れによって被エッチング面上で100μ
ｍ以下の液膜となり停滞せず、高いエッチングファクタ
ーで微細パターンのエッチングができる。
そのスムースな流れによって被エッチング面上で100μ
ｍ以下の液膜となり停滞せず、高いエッチングファクタ
ーで微細パターンのエッチングができる。
また、従来法では除去できないような微小な異物20
（第６図参照）、例えばフォトレジストの破片等も前記
２方向のエッチング液流により容易に除去でき、これに
より歩留りの低下が防止できる。
（第６図参照）、例えばフォトレジストの破片等も前記
２方向のエッチング液流により容易に除去でき、これに
より歩留りの低下が防止できる。
ここで、前記微細パターン部分に吹付けるエッチング
液は、前記被エッチング材料の表面の全面に吹付けるエ
ッチング液よりも高温にして吹付けると、微細パターン
のエッチング速度とエッチングファクターがさらに向上
する。
液は、前記被エッチング材料の表面の全面に吹付けるエ
ッチング液よりも高温にして吹付けると、微細パターン
のエッチング速度とエッチングファクターがさらに向上
する。
例えば、エッチング装置の平面耐用温度より10〜30℃
程度高めた場合はエッチング速度とエッチングファクタ
ーが20％程度さらに高まり、実用的であると同時に装置
内平均温度の上昇はごくわずかにとどまり、保安上や装
置寿命上問題にならないなど有利である。
程度高めた場合はエッチング速度とエッチングファクタ
ーが20％程度さらに高まり、実用的であると同時に装置
内平均温度の上昇はごくわずかにとどまり、保安上や装
置寿命上問題にならないなど有利である。
また、前記微細パターン用エッチング液放射ノズルか
ら空気等の高圧ガスを間欠的に吹付けるようにすれば、
噴射面のエッチング液が除去され、さらに大幅にエッチ
ングファクターを向上させることができる。
ら空気等の高圧ガスを間欠的に吹付けるようにすれば、
噴射面のエッチング液が除去され、さらに大幅にエッチ
ングファクターを向上させることができる。
＜実施例＞ 以下に本発明を実施例に基づき具体的に説明する。
（実施例１） 被エッチング材としてPVCタイプフォトレジストでマ
スクした42アロイ製リードフレーム材（インナーリード
サイズ：幅40μｍ、長さ400μｍ、ピッチ80μｍ、厚さ1
20μｍ）を用い、エッチング液は従来法と同様の42度ボ
ーメのFeCl3（42℃）として、第５図に示すように２系
統のエッチング液放射ノズルを有する装置を用いて微細
パターンのエッチング状態を調べた。
スクした42アロイ製リードフレーム材（インナーリード
サイズ：幅40μｍ、長さ400μｍ、ピッチ80μｍ、厚さ1
20μｍ）を用い、エッチング液は従来法と同様の42度ボ
ーメのFeCl3（42℃）として、第５図に示すように２系
統のエッチング液放射ノズルを有する装置を用いて微細
パターンのエッチング状態を調べた。
微細パターン用エッチング液放射ノズルは第３、４図
のものを用いた。
のものを用いた。
その結果、斜め上方より放射された微細パターン用エ
ッチング液は、そのスムースな流れによって被エッチン
グ面上で100μｍ以下の液膜となり停滞せずその色調も
新液のままが観察された。そして、エッチングファクタ
ーは従来法の1.5〜２倍にも達した。また、このように
して作成したリードフレームを用いて作成した樹脂封止
LSI（ピン数:128本）は、その外観サイズが従来法に比
べ65％以下に減少し、さらにその樹脂封止LSIを実装し
たプリント基板のサイズおよびそれを用いた電子機器サ
イズは従来法の80％以下にすることができた。
ッチング液は、そのスムースな流れによって被エッチン
グ面上で100μｍ以下の液膜となり停滞せずその色調も
新液のままが観察された。そして、エッチングファクタ
ーは従来法の1.5〜２倍にも達した。また、このように
して作成したリードフレームを用いて作成した樹脂封止
LSI（ピン数:128本）は、その外観サイズが従来法に比
べ65％以下に減少し、さらにその樹脂封止LSIを実装し
たプリント基板のサイズおよびそれを用いた電子機器サ
イズは従来法の80％以下にすることができた。
＜発明の効果＞ 本発明は以上説明したように構成されているので、従
来エッチング加工が困難であった微細パターンがエッチ
ングにより容易に形成できるようになった。
来エッチング加工が困難であった微細パターンがエッチ
ングにより容易に形成できるようになった。
その結果、エッチング精度向上、エッチング能率向
上、歩留り向上、エッチング装置の小型化、低価格化な
どが達成されるという効果を奏する。
上、歩留り向上、エッチング装置の小型化、低価格化な
どが達成されるという効果を奏する。
第１図および第２図は、それぞれ本発明によるTABテー
プのエッチング時の１例を示す平面図および第１図のII
−II線での断面図である。 第３図および第４図は、それぞれ本発明に用いる微細パ
ターン用エッチング液放射ノズルの１例を示す横断面図
およびそのノズル先端形状の１例の外観斜視図である。 第５図および第６図は、それぞれ本発明によるTABテー
プのエッチング時の例を示す外観斜視図および第５図の
VI−VI線での部分断面図である。 符号の説明 １……TABテープ、 ２……位置合わせ用ホール、 ３……被エッチング部分、 ４……インナーリード、 ５……アウターリード、 ６……リード部、 ７……微細パターン用エッチング液放射ノズル（放射ノ
ズル）、 ８……非エッチング部分の空間、 ９……エッチング液回収ノズル、 10……回収ホース、 11……エッチング液導入口、 12……高圧ガス導入口、 13……ミスト発生部、 14……ホース、 15……ノズル先端、 16……へん平口、 17……従来タイプのノズル（農業用フルコーンノズ
ル）、 18……インナーリード長手方向のエッチング液流、 19……インナーリード垂直方向のエッチング液流、 20……異物
プのエッチング時の１例を示す平面図および第１図のII
−II線での断面図である。 第３図および第４図は、それぞれ本発明に用いる微細パ
ターン用エッチング液放射ノズルの１例を示す横断面図
およびそのノズル先端形状の１例の外観斜視図である。 第５図および第６図は、それぞれ本発明によるTABテー
プのエッチング時の例を示す外観斜視図および第５図の
VI−VI線での部分断面図である。 符号の説明 １……TABテープ、 ２……位置合わせ用ホール、 ３……被エッチング部分、 ４……インナーリード、 ５……アウターリード、 ６……リード部、 ７……微細パターン用エッチング液放射ノズル（放射ノ
ズル）、 ８……非エッチング部分の空間、 ９……エッチング液回収ノズル、 10……回収ホース、 11……エッチング液導入口、 12……高圧ガス導入口、 13……ミスト発生部、 14……ホース、 15……ノズル先端、 16……へん平口、 17……従来タイプのノズル（農業用フルコーンノズ
ル）、 18……インナーリード長手方向のエッチング液流、 19……インナーリード垂直方向のエッチング液流、 20……異物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−66183（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−153367（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭63−57769（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】パターンニングマスクを施した被エッチン
グ材料の表面にエッチング液を吹付け所定の配線パター
ンを形成するに際し、 前記被エッチング材料の表面の全面に垂直方向からエッ
チング液を吹付けるとともに、前記配線パターン中の微
細パターン部分の上方の近接位置にこの微細パターンの
配線方向に沿って水平方向に高速でエッチング液を吹付
け且つ高圧ガスを間欠的に噴射する吹付け手段およびこ
の吹付け手段により吹付けられた前記エッチング液を回
収する手段を設け、吹付けられたエッチング液が前記微
細パターン部分の表面を当該微細パターンの配線方向に
沿って高速で流れるようにしたことを特徴とするエッチ
ングにより微細パターンを形成する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2253566A JP2743566B2 (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | エッチングにより微細パターンを形成する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2253566A JP2743566B2 (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | エッチングにより微細パターンを形成する方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04132246A JPH04132246A (ja) | 1992-05-06 |
| JP2743566B2 true JP2743566B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=17253154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2253566A Expired - Fee Related JP2743566B2 (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | エッチングにより微細パターンを形成する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2743566B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102314386B1 (ko) * | 2012-05-24 | 2021-10-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 디바이스 제조 방법 |
| CN114760765B (zh) * | 2022-06-16 | 2022-09-02 | 深圳市惠利电子科技有限公司 | 一种干式电路板化学蚀刻设备 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62153367U (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-29 | ||
| JPS6357769U (ja) * | 1986-10-02 | 1988-04-18 | ||
| JPH0266183A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-06 | Nissan Motor Co Ltd | エッチング方法 |
-
1990
- 1990-09-21 JP JP2253566A patent/JP2743566B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04132246A (ja) | 1992-05-06 |
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