JP3081332B2 - Ｉｃチップ搭載部品の製造方法 - Google Patents
Ｉｃチップ搭載部品の製造方法Info
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Welding Or Cutting Using Electron Beams (AREA)
- Weting (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】本発明はリードフレームあるいはＴＡＢ用
テープ等のＩＣチップ搭載部品の製造方法に関する。
テープ等のＩＣチップ搭載部品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣチップを搭載するリードフレームは
ＩＣチップの高集積化とともに多ピン化が進んでいる。
薄板材をエッチングして所定のリードパターンを有する
エッチングによるリードフレームの製造方法は、高密度
にリードパターンを形成できることから多ピンのリード
フレームの生産に多用されている。このエッチング方法
によるリードフレームの製造では使用するリードフレー
ム材の板厚がリードの最小ピッチ間隔を規制するから、
リードを高密度に形成する場合はより薄厚のリードフレ
ーム材を用いなければならない。ＴＡＢ用テープは絶縁
フィルムで導体金属基材を支持することによって、通常
のリードフレーム材にくらべてはるかに薄厚の導体金属
基材を使用することを可能にしたもので、これによって
きわめて微細なリードパターンを形成することを可能に
した。ＴＡＢ用テープはふつうのリードフレームでは形
成できないきわめて高密度なリードパターンが必要な製
品に使用されている。
ＩＣチップの高集積化とともに多ピン化が進んでいる。
薄板材をエッチングして所定のリードパターンを有する
エッチングによるリードフレームの製造方法は、高密度
にリードパターンを形成できることから多ピンのリード
フレームの生産に多用されている。このエッチング方法
によるリードフレームの製造では使用するリードフレー
ム材の板厚がリードの最小ピッチ間隔を規制するから、
リードを高密度に形成する場合はより薄厚のリードフレ
ーム材を用いなければならない。ＴＡＢ用テープは絶縁
フィルムで導体金属基材を支持することによって、通常
のリードフレーム材にくらべてはるかに薄厚の導体金属
基材を使用することを可能にしたもので、これによって
きわめて微細なリードパターンを形成することを可能に
した。ＴＡＢ用テープはふつうのリードフレームでは形
成できないきわめて高密度なリードパターンが必要な製
品に使用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のリードフレーム
あるいはＴＡＢ用テープは導体金属基材にリードパター
ンに応じたレジストパターンを設け、導体金属基材を化
学的にエッチングして不要部を除去することによりリー
ドパターンを形成する。ところで、通常の化学的なエッ
チング方法では等方的にエッチングが進むため最初は深
さ方向にエッチングが進むものの、さらにエッチングが
進むとエッチングによって形成された溝の側壁も徐々に
エッチングされる（サイドエッチ）。このようにサイド
エッチが進むことにより、レジストパターンの境界線位
置よりも中側までエッチングされるから、エッチング後
の製品はレジストパターンとは異なるリードパターンを
もつ製品となる。このように、サイドエッチは製品の加
工精度に影響を及ぼすため、サイドエッチの量をあらか
じめ見込んでレジストパターンの描画像を形成するよう
にすることも行われている。
あるいはＴＡＢ用テープは導体金属基材にリードパター
ンに応じたレジストパターンを設け、導体金属基材を化
学的にエッチングして不要部を除去することによりリー
ドパターンを形成する。ところで、通常の化学的なエッ
チング方法では等方的にエッチングが進むため最初は深
さ方向にエッチングが進むものの、さらにエッチングが
進むとエッチングによって形成された溝の側壁も徐々に
エッチングされる（サイドエッチ）。このようにサイド
エッチが進むことにより、レジストパターンの境界線位
置よりも中側までエッチングされるから、エッチング後
の製品はレジストパターンとは異なるリードパターンを
もつ製品となる。このように、サイドエッチは製品の加
工精度に影響を及ぼすため、サイドエッチの量をあらか
じめ見込んでレジストパターンの描画像を形成するよう
にすることも行われている。
【０００４】ところで、エッチングによってリードを形
成する製造方法にあっては、リードパターンがきわめて
高密度になるとエッチング液の液まわりが悪くなり、エ
ッチング時間が長くかかるという問題点がある。たとえ
ば、インナーリードの先端部などはリード間隔が狭いか
らエッチングに時間がかかる。上記のサイドエッチはリ
ード間隔すなわち液まわりにも依存して変動するから、
高密度リードパターンを形成する場合の加工精度にも影
響を与える。そこで、本発明は上記問題点を解消すべく
なされたものであり、その目的とするところは、高密度
に導体パターンを形成することができ、リードフレーム
あるいはＴＡＢ用テープ部品の製造時のエッチングに要
する時間を短縮することのできるＩＣチップ搭載部品の
製造方法を提供しようとするものである。
成する製造方法にあっては、リードパターンがきわめて
高密度になるとエッチング液の液まわりが悪くなり、エ
ッチング時間が長くかかるという問題点がある。たとえ
ば、インナーリードの先端部などはリード間隔が狭いか
らエッチングに時間がかかる。上記のサイドエッチはリ
ード間隔すなわち液まわりにも依存して変動するから、
高密度リードパターンを形成する場合の加工精度にも影
響を与える。そこで、本発明は上記問題点を解消すべく
なされたものであり、その目的とするところは、高密度
に導体パターンを形成することができ、リードフレーム
あるいはＴＡＢ用テープ部品の製造時のエッチングに要
する時間を短縮することのできるＩＣチップ搭載部品の
製造方法を提供しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、導体金属基材を
エッチングして所定の導体パターンを有するリードフレ
ームあるいはＴＡＢ用テープ等のＩＣチップ搭載部品の
製造方法において、前記導体金属基材のエッチングによ
り除去する個所に、レーザ光あるいは電子線を用いて透
孔を形成した後、該導体金属基材にレジストフィルムを
貼着してエッチングにより除去する個所が露出するレジ
ストパターンを形成し、該レジストパターンが形成され
た導体金属基材をエッチングして所定の導体パターンを
形成することを特徴とする。
するため次の構成を備える。すなわち、導体金属基材を
エッチングして所定の導体パターンを有するリードフレ
ームあるいはＴＡＢ用テープ等のＩＣチップ搭載部品の
製造方法において、前記導体金属基材のエッチングによ
り除去する個所に、レーザ光あるいは電子線を用いて透
孔を形成した後、該導体金属基材にレジストフィルムを
貼着してエッチングにより除去する個所が露出するレジ
ストパターンを形成し、該レジストパターンが形成され
た導体金属基材をエッチングして所定の導体パターンを
形成することを特徴とする。
【０００６】
【作用】レジストパターンが形成された導体金属材をエ
ッチングして所定の導体パターンを有するＩＣチップ搭
載部品を製造する際に、に、あらかじめ導体金属基材の
うちエッチングによって除去する個所に透孔を形成す
る。これによって、導体金属基材をエッチングする際に
透孔を設けた個所でのエッチング液の液まわりがよくな
りエッチング性を向上させる。インナーリードの先端部
等のように高密度に導体パターンが形成される個所に透
孔を設けることによってエッチングを効率的に行うこと
が可能になる。
ッチングして所定の導体パターンを有するＩＣチップ搭
載部品を製造する際に、に、あらかじめ導体金属基材の
うちエッチングによって除去する個所に透孔を形成す
る。これによって、導体金属基材をエッチングする際に
透孔を設けた個所でのエッチング液の液まわりがよくな
りエッチング性を向上させる。インナーリードの先端部
等のように高密度に導体パターンが形成される個所に透
孔を設けることによってエッチングを効率的に行うこと
が可能になる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。本発明に係るＩＣチップ搭載部
品の製造方法はエッチングしようとする導体金属基材に
形成すべき導体パターンにしたがってあらかじめ透孔を
形成した後、導体金属基材をエッチングしてリードパタ
ーンを形成することを特徴とする。通常のリードフレー
ムの製造にあたっては長尺の導体金属基材にレジストを
塗布し、所定の導体パターンにしたがって描画像を感光
し、レジストエッチングによって導体金属基材上にエッ
チング除去する部分を露出させたレジストパターンを形
成した後、エッチング工程で導体金属基材をエッチング
してリードフレームを形成する。
づいて詳細に説明する。本発明に係るＩＣチップ搭載部
品の製造方法はエッチングしようとする導体金属基材に
形成すべき導体パターンにしたがってあらかじめ透孔を
形成した後、導体金属基材をエッチングしてリードパタ
ーンを形成することを特徴とする。通常のリードフレー
ムの製造にあたっては長尺の導体金属基材にレジストを
塗布し、所定の導体パターンにしたがって描画像を感光
し、レジストエッチングによって導体金属基材上にエッ
チング除去する部分を露出させたレジストパターンを形
成した後、エッチング工程で導体金属基材をエッチング
してリードフレームを形成する。
【０００８】本発明方法は導体金属基材をエッチングす
る以前に導体金属基材の所要位置に透孔を形成し、リー
ドパターンのうちで微細パターン部分が容易にエッチン
グできるようにしてエッチングする。導体金属基材に透
孔を形成する工程は導体金属基材をエッチングする工程
前に設定すればよいが、工程的にはレジストパターンを
形成した後に透孔を形成する場合と、レジストパターン
を形成する前に透孔を形成する２つの方法がある。
る以前に導体金属基材の所要位置に透孔を形成し、リー
ドパターンのうちで微細パターン部分が容易にエッチン
グできるようにしてエッチングする。導体金属基材に透
孔を形成する工程は導体金属基材をエッチングする工程
前に設定すればよいが、工程的にはレジストパターンを
形成した後に透孔を形成する場合と、レジストパターン
を形成する前に透孔を形成する２つの方法がある。
【０００９】前者の方法による場合は次のようにして行
う。まず、上述した従来方法と同様に形成すべき導体パ
ターンにしたがって導体金属基材上にレジストパターン
を形成し、この状態で透孔を形成する。図１は導体金属
基材上にレジストパターン１０を形成した後、透孔１２
を形成した状態である。レジストパターン１０は図のよ
うにインナーリードのパターンあるいはステージ部１０
ａのパターンにしたがって導体金属基材上に形成され
る。レジストパターン１０は導体金属基材上でインナー
リードあるいはステージ部となる部分を被覆しており、
これ以外の部分は導体金属基材が露出する。
う。まず、上述した従来方法と同様に形成すべき導体パ
ターンにしたがって導体金属基材上にレジストパターン
を形成し、この状態で透孔を形成する。図１は導体金属
基材上にレジストパターン１０を形成した後、透孔１２
を形成した状態である。レジストパターン１０は図のよ
うにインナーリードのパターンあるいはステージ部１０
ａのパターンにしたがって導体金属基材上に形成され
る。レジストパターン１０は導体金属基材上でインナー
リードあるいはステージ部となる部分を被覆しており、
これ以外の部分は導体金属基材が露出する。
【００１０】前記透孔１２はレジストパターン１０のう
ち導体金属基材が露出する部分に厚み方向に貫通させて
設けるもので、図１に示す実施例ではリード間にスリッ
ト状に細長く開口させている。透孔１２はレーザ光ある
いは電子線を用いて設けるもので、レーザ光あるいは電
子線を用いることによって数十μｍ程度の幅で透孔を設
けることができる。リードフレームあるいはＴＡＢ用テ
ープでのリード間隔は最小で100 μm 程度であるから、
レーザ光あるいは電子線を使用することによって容易に
リード間のスペース部分に透孔を形成することが可能で
ある。これら透孔１２はリードフレームあるいはＴＡＢ
用テープの導体パターンに応じて適宜位置に形成すれば
よいが、とくにリード間隔が狭小となってエッチング液
の液まわりが悪くなるインナーリードの先端部付近に設
けると効果的である。
ち導体金属基材が露出する部分に厚み方向に貫通させて
設けるもので、図１に示す実施例ではリード間にスリッ
ト状に細長く開口させている。透孔１２はレーザ光ある
いは電子線を用いて設けるもので、レーザ光あるいは電
子線を用いることによって数十μｍ程度の幅で透孔を設
けることができる。リードフレームあるいはＴＡＢ用テ
ープでのリード間隔は最小で100 μm 程度であるから、
レーザ光あるいは電子線を使用することによって容易に
リード間のスペース部分に透孔を形成することが可能で
ある。これら透孔１２はリードフレームあるいはＴＡＢ
用テープの導体パターンに応じて適宜位置に形成すれば
よいが、とくにリード間隔が狭小となってエッチング液
の液まわりが悪くなるインナーリードの先端部付近に設
けると効果的である。
【００１１】上記の方法とは別に導体金属基材上に透孔
を形成した後レジストパターンを設ける場合は、まず導
体パターンに基づき導体金属基材に透孔を形成し、レジ
ストフィルムを導体金属基材に貼着した後、パターニン
グによりレジストパターンを形成する。図２は導体金属
基材に透孔１２を形成した状態を示す。この実施例では
透孔１２を丸孔のスポット状に設定している。上記実施
例のようにスリット状に形成してもよい。透孔１２は導
体金属基材上での導体パターンの形成位置と位置を一致
させて設けるもので、図のようにリード間のスペース部
分、すなわちエッチングによって導体金属基材を除去す
る部分に形成する。
を形成した後レジストパターンを設ける場合は、まず導
体パターンに基づき導体金属基材に透孔を形成し、レジ
ストフィルムを導体金属基材に貼着した後、パターニン
グによりレジストパターンを形成する。図２は導体金属
基材に透孔１２を形成した状態を示す。この実施例では
透孔１２を丸孔のスポット状に設定している。上記実施
例のようにスリット状に形成してもよい。透孔１２は導
体金属基材上での導体パターンの形成位置と位置を一致
させて設けるもので、図のようにリード間のスペース部
分、すなわちエッチングによって導体金属基材を除去す
る部分に形成する。
【００１２】導体金属基材をエッチングする場合は透孔
１２は完全に貫通している必要がある。このため、導体
金属基材にあらかじめ透孔を形成する方法の場合はレジ
ストパターンを形成した後の状態で透孔内にレジストが
残留しないようにしなければならない。このため、実施
例ではレジストフィルムを導体金属基材に貼着して透孔
１２内にレジストが入り込まないようにしてレジストパ
ターンを形成する。レジストパターンを形成した後は、
通常の導体金属基材のエッチング方法によって導体金属
基材をエッチングすればよい。
１２は完全に貫通している必要がある。このため、導体
金属基材にあらかじめ透孔を形成する方法の場合はレジ
ストパターンを形成した後の状態で透孔内にレジストが
残留しないようにしなければならない。このため、実施
例ではレジストフィルムを導体金属基材に貼着して透孔
１２内にレジストが入り込まないようにしてレジストパ
ターンを形成する。レジストパターンを形成した後は、
通常の導体金属基材のエッチング方法によって導体金属
基材をエッチングすればよい。
【００１３】図３は透孔１２を形成した導体金属基材を
エッチングしている様子を示す。１４が導体金属基材、
１６がレジストパターンである。図のように、あらかじ
め透孔１２を形成することによって導体金属基材の厚み
方向へエッチング液が流れやすくなり、エッチング液の
滞留がなくなってエッチング性が向上し、リード間隔が
狭小な部分でのエッチングが効率的に行われてエッチン
グ時間を短縮することができる。また、透孔１２を設け
ておくことによりエッチングの断面が垂直面に近くなる
からリード間隔がさらに狭く形成することが可能にな
る。これによってリードパターンの高密度化をさらに進
めることが可能である。なお、上記例ではリードフレー
ムについてその製造方法を説明したが、絶縁フィルムに
導体薄膜を支持したＴＡＢ用テープの場合でも同様に適
用することが可能であり、他のＩＣチップ搭載部品の製
造においても同様に利用することができる。
エッチングしている様子を示す。１４が導体金属基材、
１６がレジストパターンである。図のように、あらかじ
め透孔１２を形成することによって導体金属基材の厚み
方向へエッチング液が流れやすくなり、エッチング液の
滞留がなくなってエッチング性が向上し、リード間隔が
狭小な部分でのエッチングが効率的に行われてエッチン
グ時間を短縮することができる。また、透孔１２を設け
ておくことによりエッチングの断面が垂直面に近くなる
からリード間隔がさらに狭く形成することが可能にな
る。これによってリードパターンの高密度化をさらに進
めることが可能である。なお、上記例ではリードフレー
ムについてその製造方法を説明したが、絶縁フィルムに
導体薄膜を支持したＴＡＢ用テープの場合でも同様に適
用することが可能であり、他のＩＣチップ搭載部品の製
造においても同様に利用することができる。
【００１４】
【発明の効果】本発明に係るＩＣチップ搭載部品の製造
方法によれば、上述したように、インナーリード等のよ
うに高密度で導体パターンを形成する部分でのエッチン
グ性が向上し、エッチング時間を短縮することができる
とともに、狭小領域のエッチングが効果的にできてさら
に導体パターンを高密度に形成できる等の著効を奏す
る。
方法によれば、上述したように、インナーリード等のよ
うに高密度で導体パターンを形成する部分でのエッチン
グ性が向上し、エッチング時間を短縮することができる
とともに、狭小領域のエッチングが効果的にできてさら
に導体パターンを高密度に形成できる等の著効を奏す
る。
【図１】ＩＣチップ搭載部品の製造方法を示す説明図で
ある。
ある。
【図２】ＩＣチップ搭載部品の他の製造方法を示す説明
図である。
図である。
【図３】導体金属基材をエッチングする様子を示す説明
図である。
図である。
１０ レジストパターン １２ 透孔 １４ 導体金属基材
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50 B23K 15/08 H01L 21/60 311
Claims (1)
- 【請求項１】 導体金属基材をエッチングして所定の導
体パターンを有するリードフレームあるいはＴＡＢ用テ
ープ等のＩＣチップ搭載部品の製造方法において、 前記導体金属基材のエッチングにより除去する個所に、
レーザ光あるいは電子線を用いて透孔を形成した後、 該導体金属基材にレジストフィルムを貼着してエッチン
グにより除去する個所が露出するレジストパターンを形
成し、 該レジストパターンが形成された導体金属基材をエッチ
ングして所定の導体パターンを形成することを特徴とす
るＩＣチップ搭載部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03339680A JP3081332B2 (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | Ｉｃチップ搭載部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03339680A JP3081332B2 (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | Ｉｃチップ搭載部品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152482A JPH05152482A (ja) | 1993-06-18 |
| JP3081332B2 true JP3081332B2 (ja) | 2000-08-28 |
Family
ID=18329782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03339680A Expired - Fee Related JP3081332B2 (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | Ｉｃチップ搭載部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3081332B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5580466A (en) * | 1993-04-14 | 1996-12-03 | Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. | Metal plate processing method, lead frame processing method, lead frame, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device |
-
1991
- 1991-11-28 JP JP03339680A patent/JP3081332B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05152482A (ja) | 1993-06-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |