JP2740427B2 - 酸化物結晶の作製方法 - Google Patents
酸化物結晶の作製方法Info
- Publication number
- JP2740427B2 JP2740427B2 JP4235616A JP23561692A JP2740427B2 JP 2740427 B2 JP2740427 B2 JP 2740427B2 JP 4235616 A JP4235616 A JP 4235616A JP 23561692 A JP23561692 A JP 23561692A JP 2740427 B2 JP2740427 B2 JP 2740427B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- oxide
- producing
- liquid phase
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/225—Complex oxides based on rare earth copper oxides, e.g. high T-superconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/36—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method characterised by the seed, e.g. its crystallographic orientation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/725—Process of making or treating high tc, above 30 k, superconducting shaped material, article, or device
- Y10S505/729—Growing single crystal, e.g. epitaxy, bulk
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化物の結晶成長に関
し、特に、液相から、種を用いて、Ｙ系酸化物超電導体
の結晶を連続的に作製する方法に関するものである。
し、特に、液相から、種を用いて、Ｙ系酸化物超電導体
の結晶を連続的に作製する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の結晶作製方法、特に、Ｙ系１２３
構造を有する酸化物超電導体の結晶作製方法の主なもの
を表１に示す。
構造を有する酸化物超電導体の結晶作製方法の主なもの
を表１に示す。
【０００３】
【表１】
【０００４】フラックス法は、比較的均一な溶液から徐
々に温度を下げることにより、溶解度限に達した結晶が
析出するものである。この方法を改良したものとして、
包晶反応と液相中の拡散を利用した方法もある（参考文
献１：Ｐhysica Ｃ 190 ,1991 ,p64）。
々に温度を下げることにより、溶解度限に達した結晶が
析出するものである。この方法を改良したものとして、
包晶反応と液相中の拡散を利用した方法もある（参考文
献１：Ｐhysica Ｃ 190 ,1991 ,p64）。
【０００５】溶融凝固法は、目的酸化物あるいはその前
駆体を包晶温度以上に加熱し、分解成生物である固相
と、液相の混合状態とし、その状態から、徐々に温度を
下げることにより、包晶反応を利用して目的の結晶を作
製する方法である（参考文献２：Ｊpn.Ｊ.Ａppl.Ｐhys.
28，1989,p1125、参考文献３:Ａdvances in Ｓupercond
uctivity II,Ｓpringer-Ｖerleag,Ｔokyo,p285）。
駆体を包晶温度以上に加熱し、分解成生物である固相
と、液相の混合状態とし、その状態から、徐々に温度を
下げることにより、包晶反応を利用して目的の結晶を作
製する方法である（参考文献２：Ｊpn.Ｊ.Ａppl.Ｐhys.
28，1989,p1125、参考文献３:Ａdvances in Ｓupercond
uctivity II,Ｓpringer-Ｖerleag,Ｔokyo,p285）。
【０００６】前者の作製方法は、比較的良質の結晶が得
られ、後者は、比較的大きな結晶が得られるが、両者と
も連続的に結晶を作製することはできない。
られ、後者は、比較的大きな結晶が得られるが、両者と
も連続的に結晶を作製することはできない。
【０００７】連続的に結晶を作製する主な方法として
は、一方向凝固法、ＦＺ法、結晶引き上げ法がある。一
方向凝固法は、棒状試料において、包晶温度以上の高温
の、幅の狭い領域を、試料に沿って徐々に移動させるこ
とにより、結晶を作製する方法である。一方向凝固法で
は、高温領域で生じた液相が低温領域に移動していくた
めに、時間の経過とともに組成がずれ、連続化が困難で
ある。
は、一方向凝固法、ＦＺ法、結晶引き上げ法がある。一
方向凝固法は、棒状試料において、包晶温度以上の高温
の、幅の狭い領域を、試料に沿って徐々に移動させるこ
とにより、結晶を作製する方法である。一方向凝固法で
は、高温領域で生じた液相が低温領域に移動していくた
めに、時間の経過とともに組成がずれ、連続化が困難で
ある。
【０００８】ＦＺ法は、一方向凝固で用いる温度よりも
高い温度を用いることにより、あるいは、適当な溶剤を
用いることにより、棒状試料上の幅の狭い領域を完全に
溶融させ、この領域を徐々に移動させることにより結晶
を作製する方法である。ＦＺ法では、融液が流れだして
しまうために、Ｙ系１２３構造を持つ結晶については作
製できていない。
高い温度を用いることにより、あるいは、適当な溶剤を
用いることにより、棒状試料上の幅の狭い領域を完全に
溶融させ、この領域を徐々に移動させることにより結晶
を作製する方法である。ＦＺ法では、融液が流れだして
しまうために、Ｙ系１２３構造を持つ結晶については作
製できていない。
【０００９】結晶引き上げ法は、るつぼを用い、適当な
溶剤を用いて作製したい結晶をあらかじめ溶解してお
き、溶液よりも温度の低い種を用いてその位置に目的の
結晶を析出させ、種を引き上げることにより、結晶の成
長する速度を制御して、連続的に成長させるものであ
る。しかしながら、Ｙ系１２３構造を有する物質におい
ては、連続成長の成功例はない。この理由は、まだ良く
解明されていないが、おそらく、初晶温度領域が狭く温
度制御が難しいこと、溶液の粘性が比較的高く、溶質の
拡散が遅いこと、溶液の粘性が高いことにより、液相の
組成が不均一になりやすいことなどが影響していると思
われる。
溶剤を用いて作製したい結晶をあらかじめ溶解してお
き、溶液よりも温度の低い種を用いてその位置に目的の
結晶を析出させ、種を引き上げることにより、結晶の成
長する速度を制御して、連続的に成長させるものであ
る。しかしながら、Ｙ系１２３構造を有する物質におい
ては、連続成長の成功例はない。この理由は、まだ良く
解明されていないが、おそらく、初晶温度領域が狭く温
度制御が難しいこと、溶液の粘性が比較的高く、溶質の
拡散が遅いこと、溶液の粘性が高いことにより、液相の
組成が不均一になりやすいことなどが影響していると思
われる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術の中で、フ
ラックス法、溶融凝固法では、結晶の連続成長ができな
いという問題があった。
ラックス法、溶融凝固法では、結晶の連続成長ができな
いという問題があった。
【００１１】ＦＺ法では、原理上、結晶の太さをあまり
大きくできないという問題に加えて、Ｙ系１２３結晶に
ついては、結晶作製自体が困難であった。
大きくできないという問題に加えて、Ｙ系１２３結晶に
ついては、結晶作製自体が困難であった。
【００１２】一方向凝固法では、連続化が困難であるこ
とに加え、包晶反応を利用して作製しているために異相
の析出物が混入するという問題があった。
とに加え、包晶反応を利用して作製しているために異相
の析出物が混入するという問題があった。
【００１３】結晶引き上げ法は、初晶温度領域を利用し
ているために、溶液の粘性が高くなるという問題に加え
て、Ｙ系１２３結晶については、連続成長が困難であっ
た。また、連続的に結晶を成長させることには成功して
いるが、結晶の成長方位を制御すること、及び一個の単
結晶だけを成長させることは、種結晶等の問題もあり困
難であった。
ているために、溶液の粘性が高くなるという問題に加え
て、Ｙ系１２３結晶については、連続成長が困難であっ
た。また、連続的に結晶を成長させることには成功して
いるが、結晶の成長方位を制御すること、及び一個の単
結晶だけを成長させることは、種結晶等の問題もあり困
難であった。
【００１４】本発明は、前記問題点を解決するためにな
されたものであり、本発明の目的は、大きい酸化物結晶
を作製することにある。
されたものであり、本発明の目的は、大きい酸化物結晶
を作製することにある。
【００１５】本発明の他の目的は、Ｙ系１２３構造を有
する結晶を連続的に作製することにある。
する結晶を連続的に作製することにある。
【００１６】本発明の他の目的は、酸化物結晶を作製す
るのに際し、軸方位の制御、成長面に生じるステップの
制御、双晶形成の抑制によってさらに大きい酸化物単結
晶を作製することにある。
るのに際し、軸方位の制御、成長面に生じるステップの
制御、双晶形成の抑制によってさらに大きい酸化物単結
晶を作製することにある。
【００１７】本発明の前記ならびにその他の目的及び新
規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明ら
かにする。
規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明ら
かにする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の酸化物結晶の作製方法においては、酸化物
結晶の結晶成長において、結晶構成元素を液相に補給す
る組成が、包晶温度以上で安定であり酸化物結晶と異な
る固相を、結晶を成長させる位置から離れた所に内包し
た少なくとも結晶構成元素からなり、組成が酸化物結晶
と異なる液相を用い、固相及び液相とも異なる組成の、
包晶温度以下で安定な結晶を成長させることを最も主要
な特徴とする。
に、本発明の酸化物結晶の作製方法においては、酸化物
結晶の結晶成長において、結晶構成元素を液相に補給す
る組成が、包晶温度以上で安定であり酸化物結晶と異な
る固相を、結晶を成長させる位置から離れた所に内包し
た少なくとも結晶構成元素からなり、組成が酸化物結晶
と異なる液相を用い、固相及び液相とも異なる組成の、
包晶温度以下で安定な結晶を成長させることを最も主要
な特徴とする。
【００１９】また、酸化物結晶の結晶成長において、結
晶構成元素を液相に補給する組成が、包晶温度以上で安
定であり酸化物結晶と異なる固相を、結晶を成長させる
位置から離れた所に内包した少なくとも結晶構成元素か
らなり、組成が酸化物結晶と異なる液相を用い、種結
晶、種結晶の回転速度及び回転方向、炉内雰囲気をそれ
ぞれ制御して、固相及び液相とも異なる組成の、包晶温
度以下で安定な結晶を成長させることを特徴とする。
晶構成元素を液相に補給する組成が、包晶温度以上で安
定であり酸化物結晶と異なる固相を、結晶を成長させる
位置から離れた所に内包した少なくとも結晶構成元素か
らなり、組成が酸化物結晶と異なる液相を用い、種結
晶、種結晶の回転速度及び回転方向、炉内雰囲気をそれ
ぞれ制御して、固相及び液相とも異なる組成の、包晶温
度以下で安定な結晶を成長させることを特徴とする。
【００２０】本発明の方法においては、前記酸化物結晶
としては特に限定されず、種々の結晶の成長に利用でき
る。調和溶融する結晶にも利用可能であるが、特に分解
溶融するような化合物の結晶の成長に好ましく利用する
ことができる。このような化合物としては、酸化物超電
導体が好ましく採用される。
としては特に限定されず、種々の結晶の成長に利用でき
る。調和溶融する結晶にも利用可能であるが、特に分解
溶融するような化合物の結晶の成長に好ましく利用する
ことができる。このような化合物としては、酸化物超電
導体が好ましく採用される。
【００２１】酸化物超電導体としては、特に、Ｙ系１２
３構造を有する酸化物超電導体が好ましい。この超導電
体は、ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x（ｘは酸素欠損量）の組成式
で表される結晶である。ここでＹの１部あるいは全部
を、他の希土類元素から選ばれる１種以上と置換可能で
あるが、以下Ｙを例にとって説明を行う。Ｙ系１２３構
造を有する酸化物であって、超電導性を有さないものに
も適用可能である。
３構造を有する酸化物超電導体が好ましい。この超導電
体は、ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x（ｘは酸素欠損量）の組成式
で表される結晶である。ここでＹの１部あるいは全部
を、他の希土類元素から選ばれる１種以上と置換可能で
あるが、以下Ｙを例にとって説明を行う。Ｙ系１２３構
造を有する酸化物であって、超電導性を有さないものに
も適用可能である。
【００２２】Ｙ系１２３構造の結晶を成長させる場合、
前記固相としては、Ｙ系２１１構造を有する酸化物（組
成式Ｙ2ＢａＣｕＯ5）が好ましく採用される。
前記固相としては、Ｙ系２１１構造を有する酸化物（組
成式Ｙ2ＢａＣｕＯ5）が好ましく採用される。
【００２３】この固相を内包する液相は、Ｃｕの酸化
物、Ｂａの酸化物、ＣｕとＢａの複合酸化物から選ばれ
る２種以上に、Ｙ系２１１構造を有する酸化物を混合
し、Ｙ系１２３結晶が初晶で析出する温度以上に加熱す
るこにより得ることが好ましい。２１１構造のＹ系酸化
物結晶と反応して完全に１２３構造のＹ系酸化物結晶に
なるには、２１１構造のＹ系酸化物結晶の１モルに対
し、Ｂａ３モル、Ｃｕ５モル必要であり、液相の組成は
Ｂａ：Ｃｕが３：５の近傍が好ましい。この場合、やや
Ｃｕが過剰でも良く、Ｂａ：Ｃｕが３：８までが好まし
く採用される。固相と液相の配合割合としては、Ｙ系２
１１構造を有する酸化物１重量部に対し、Ｃｕの酸化
物、Ｂａの酸化物、ＣｕとＢａの複合酸化物から選ばれ
る２種以上を２から１０重量部配合するのが好ましい。
物、Ｂａの酸化物、ＣｕとＢａの複合酸化物から選ばれ
る２種以上に、Ｙ系２１１構造を有する酸化物を混合
し、Ｙ系１２３結晶が初晶で析出する温度以上に加熱す
るこにより得ることが好ましい。２１１構造のＹ系酸化
物結晶と反応して完全に１２３構造のＹ系酸化物結晶に
なるには、２１１構造のＹ系酸化物結晶の１モルに対
し、Ｂａ３モル、Ｃｕ５モル必要であり、液相の組成は
Ｂａ：Ｃｕが３：５の近傍が好ましい。この場合、やや
Ｃｕが過剰でも良く、Ｂａ：Ｃｕが３：８までが好まし
く採用される。固相と液相の配合割合としては、Ｙ系２
１１構造を有する酸化物１重量部に対し、Ｃｕの酸化
物、Ｂａの酸化物、ＣｕとＢａの複合酸化物から選ばれ
る２種以上を２から１０重量部配合するのが好ましい。
【００２４】本発明においては、好ましくは、種結晶を
使用し、これを所定の温度で引き上げなから結晶を成長
させる。引き上げる速度としては、酸化物結晶によって
適宜選択することができるが、毎時０.０１〜１０ｍｍ
程度である。Ｙ系１２３構造を有する酸化物超電導体の
場合は、引き上げ速度として毎時０.１〜０.３ｍｍ程度
が特に好ましい。
使用し、これを所定の温度で引き上げなから結晶を成長
させる。引き上げる速度としては、酸化物結晶によって
適宜選択することができるが、毎時０.０１〜１０ｍｍ
程度である。Ｙ系１２３構造を有する酸化物超電導体の
場合は、引き上げ速度として毎時０.１〜０.３ｍｍ程度
が特に好ましい。
【００２５】前記種結晶としては、前記液相に対して結
晶成長する温度で耐蝕性を有する固相を使用することが
できる。Ｙ系１２３構造を有する酸化物超電導体を製造
する場合には、ＳｍＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x相の種棒、マグネ
シア単結晶棒、あるいは目的結晶である、ＹＢａ2Ｃｕ3
Ｏ7-x結晶自体の種棒などを使用するのが好ましい。こ
のうち、ＳｍＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x相の種棒は、Ｙ系１２３
相と結晶構造が同一で、かつ、分解溶融温度が高いので
特に好ましい。前記耐蝕性の意味は、単結晶を成長させ
る間に高温雰囲気、あるいは結晶成長に用いられている
融液と接触する環境で溶解して成長結晶を不純物で汚染
することがないという意味である。
晶成長する温度で耐蝕性を有する固相を使用することが
できる。Ｙ系１２３構造を有する酸化物超電導体を製造
する場合には、ＳｍＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x相の種棒、マグネ
シア単結晶棒、あるいは目的結晶である、ＹＢａ2Ｃｕ3
Ｏ7-x結晶自体の種棒などを使用するのが好ましい。こ
のうち、ＳｍＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x相の種棒は、Ｙ系１２３
相と結晶構造が同一で、かつ、分解溶融温度が高いので
特に好ましい。前記耐蝕性の意味は、単結晶を成長させ
る間に高温雰囲気、あるいは結晶成長に用いられている
融液と接触する環境で溶解して成長結晶を不純物で汚染
することがないという意味である。
【００２６】本発明において、まず前記固相を内包した
液相を形成するには、それぞれの原料を、これらと反応
して結晶の特性を劣化させることのない材料でできたる
つぼに投入し、目的結晶が初晶で析出する温度以上に加
熱する。加熱方法は特に限定されず、高周波誘導加熱、
電気抵抗炉あるいはその他の加熱方法を適宜採用でき
る。
液相を形成するには、それぞれの原料を、これらと反応
して結晶の特性を劣化させることのない材料でできたる
つぼに投入し、目的結晶が初晶で析出する温度以上に加
熱する。加熱方法は特に限定されず、高周波誘導加熱、
電気抵抗炉あるいはその他の加熱方法を適宜採用でき
る。
【００２７】このようにして得られた液相の部分に種結
晶を接触させ、種結晶上に結晶が析出するように温度を
調整する。結晶を安定して成長させるためには、少なく
とも結晶成長界面付近において、結晶成長方向に温度が
高くなるように温度勾配が形成されているのが好まし
い。結晶成長面を結晶が平衡で安定に存在する温度以下
になるように保持することにより、結晶の成長が進行す
る。
晶を接触させ、種結晶上に結晶が析出するように温度を
調整する。結晶を安定して成長させるためには、少なく
とも結晶成長界面付近において、結晶成長方向に温度が
高くなるように温度勾配が形成されているのが好まし
い。結晶成長面を結晶が平衡で安定に存在する温度以下
になるように保持することにより、結晶の成長が進行す
る。
【００２８】本発明においては、種結晶に単結晶を使用
し、この結晶軸の向きを制御することにより、特定の軸
方向に成長した酸化物結晶を成長することができる。引
き上げの初期段階では方位の異なった面を有する結晶が
生じやすいが、この場合は、所望の面を有する結晶を残
して、他の結晶を削除することにより、特定の結晶面を
選択的に成長させることができる。
し、この結晶軸の向きを制御することにより、特定の軸
方向に成長した酸化物結晶を成長することができる。引
き上げの初期段階では方位の異なった面を有する結晶が
生じやすいが、この場合は、所望の面を有する結晶を残
して、他の結晶を削除することにより、特定の結晶面を
選択的に成長させることができる。
【００２９】種結晶は、引き上げる方向を軸として回転
させながら引き上げることが好ましい。回転速度として
は、毎分１０回転から２００回転程度が好ましく採用さ
れる。回転速度は、成長した結晶の径が大きくなるに従
って遅くするのが好ましい。
させながら引き上げることが好ましい。回転速度として
は、毎分１０回転から２００回転程度が好ましく採用さ
れる。回転速度は、成長した結晶の径が大きくなるに従
って遅くするのが好ましい。
【００３０】結晶の径を直接観察あるいは測定できない
場合は、径の変化の代わりに、ロードセルによってモニ
ターされた結晶の重量変化などに従って調節してもよ
い。
場合は、径の変化の代わりに、ロードセルによってモニ
ターされた結晶の重量変化などに従って調節してもよ
い。
【００３１】また、種結晶の回転方向を、適当な時間間
隔をおいて反転させる場合は、不純物の取り込みや、そ
の他の欠陥の少ない単結晶が得られるので好ましい。反
転させる場合には、数分から数時間、より好ましくは３
０分から２時間程度の間隔で反転させるのが好ましい
が、必ずしも一定の周期である必要はない。
隔をおいて反転させる場合は、不純物の取り込みや、そ
の他の欠陥の少ない単結晶が得られるので好ましい。反
転させる場合には、数分から数時間、より好ましくは３
０分から２時間程度の間隔で反転させるのが好ましい
が、必ずしも一定の周期である必要はない。
【００３２】前記結晶は、液相に内包されている固相と
結晶成長面とが接触しない状態で成長させる必要があ
る。結晶成長面が固相と接触する場合は、成長結晶中に
その固相が取り込まれるおそれがある。このため、固相
を内包した液相においては、少なくとも結晶成長界面付
近においては、固相が分離されている状態であることが
好ましく、この分離は、例えば、比重差による沈降や、
隔壁などを利用することができる。
結晶成長面とが接触しない状態で成長させる必要があ
る。結晶成長面が固相と接触する場合は、成長結晶中に
その固相が取り込まれるおそれがある。このため、固相
を内包した液相においては、少なくとも結晶成長界面付
近においては、固相が分離されている状態であることが
好ましく、この分離は、例えば、比重差による沈降や、
隔壁などを利用することができる。
【００３３】本発明において、雰囲気は特に限定され
ず、大気雰囲気でも実施可能であるが、酸素分圧の低い
雰囲気に調整する場合は、酸化物超電導体の正方晶の大
型単結晶が得られやすくなるので好ましい。酸素分圧の
低い雰囲気として具体的には、アルゴン気流中で結晶成
長を行うのが好ましい。
ず、大気雰囲気でも実施可能であるが、酸素分圧の低い
雰囲気に調整する場合は、酸化物超電導体の正方晶の大
型単結晶が得られやすくなるので好ましい。酸素分圧の
低い雰囲気として具体的には、アルゴン気流中で結晶成
長を行うのが好ましい。
【００３４】成長の終了した酸化物結晶を炉外に取り出
す場合は、熱衝撃により酸化物結晶が損傷を受けるのを
防ぐため、低い速度で取り出すのが好ましい。
す場合は、熱衝撃により酸化物結晶が損傷を受けるのを
防ぐため、低い速度で取り出すのが好ましい。
【００３５】また、酸化物結晶は単結晶に限らず多結晶
体も製造することができる。
体も製造することができる。
【００３６】
【作用】前述の手段によれば、酸化物結晶の結晶成長に
おいて、結晶構成元素を液相に補給する組成が、包晶温
度以上で安定であり酸化物結晶と異なる固相を、結晶を
成長させる位置から離れた所に内包した少なくとも結晶
構成元素からなり、種結晶、種結晶の回転速度及び回転
方向、炉内雰囲気をそれぞれ制御して、組成が酸化物結
晶と異なる液相を用い、固相及び液相とも異なる組成
の、包晶温度以下で安定な結晶を成長させることによ
り、大きい酸化物多結晶又は単結晶を作製することがで
きる。これにより、Ｙ系１２３構造を有する結晶を連続
的に作製することができる。
おいて、結晶構成元素を液相に補給する組成が、包晶温
度以上で安定であり酸化物結晶と異なる固相を、結晶を
成長させる位置から離れた所に内包した少なくとも結晶
構成元素からなり、種結晶、種結晶の回転速度及び回転
方向、炉内雰囲気をそれぞれ制御して、組成が酸化物結
晶と異なる液相を用い、固相及び液相とも異なる組成
の、包晶温度以下で安定な結晶を成長させることによ
り、大きい酸化物多結晶又は単結晶を作製することがで
きる。これにより、Ｙ系１２３構造を有する結晶を連続
的に作製することができる。
【００３７】
【実施例】本発明の実施例について図面を参照して説明
する。
する。
【００３８】（実施例１）図１は、本発明の実施例１に
よるＹ系１２３結晶の作製方法を説明するための模式構
成図であり、１は内径３０mm、高さ５０mmのイットリア
るつぼ、２はＹ2BaCuO5の沈澱、３は液相、４はＹＢａ2
Ｃｕ3Ｏ7-xの結晶、５は種棒、６は白金サセプタ、７は
高周波誘導コイルである。
よるＹ系１２３結晶の作製方法を説明するための模式構
成図であり、１は内径３０mm、高さ５０mmのイットリア
るつぼ、２はＹ2BaCuO5の沈澱、３は液相、４はＹＢａ2
Ｃｕ3Ｏ7-xの結晶、５は種棒、６は白金サセプタ、７は
高周波誘導コイルである。
【００３９】本実施例１によるＹ系１２３結晶の作製方
法は、図１に示すように、内径３０mm、高さ５０mmのイ
ットリアるつぼ１内にＹ2ＢａＣｕＯ5２を１重量部下部
にいれ、ＢａとＣｕのモル比が３：５となるように炭酸
バリウムと酸化銅を混合し、８８０℃で４０時間仮焼し
た後の物質を、液相３の前駆物質として４重量部上部に
入れる。
法は、図１に示すように、内径３０mm、高さ５０mmのイ
ットリアるつぼ１内にＹ2ＢａＣｕＯ5２を１重量部下部
にいれ、ＢａとＣｕのモル比が３：５となるように炭酸
バリウムと酸化銅を混合し、８８０℃で４０時間仮焼し
た後の物質を、液相３の前駆物質として４重量部上部に
入れる。
【００４０】使用するるつぼは、イットリアに限らず、
マグネシア、アルミナ、安定化ジルコニア等の耐蝕性の
ある材質が使用される。この試料が入ったイットリアる
つぼ１を、白金サセプター６の内部に置き高周波誘導コ
イル７により白金サセプター６を加熱することにより、
約１０００℃に加熱し、イットリアるつぼ１内の状態
を、液相３の下部に固相であるＹ2ＢａＣｕＯ5が沈澱し
ている状態とする。このとき、るつぼの上下方向に上部
になるほど温度が低くなるように１０℃／ｃｍの温度勾
配をつけた。
マグネシア、アルミナ、安定化ジルコニア等の耐蝕性の
ある材質が使用される。この試料が入ったイットリアる
つぼ１を、白金サセプター６の内部に置き高周波誘導コ
イル７により白金サセプター６を加熱することにより、
約１０００℃に加熱し、イットリアるつぼ１内の状態
を、液相３の下部に固相であるＹ2ＢａＣｕＯ5が沈澱し
ている状態とする。このとき、るつぼの上下方向に上部
になるほど温度が低くなるように１０℃／ｃｍの温度勾
配をつけた。
【００４１】次に、イットリアるつぼ１の下部にＹ2Ｂ
ａＣｕＯ5が沈澱している状態を保ったまま、液相３の
表面の温度を１０１０℃から９６０℃の間の温度に保
つ。
ａＣｕＯ5が沈澱している状態を保ったまま、液相３の
表面の温度を１０１０℃から９６０℃の間の温度に保
つ。
【００４２】次に、溶融凝固法により作製したＳｍＢａ
2Ｃｕ3Ｏ7-x相の種棒５を毎分９０回転で回転させなが
ら、上方向に毎時０.２mmの速さで引き上げることによ
って、Ｙ系１２３結晶を上下方向に連続的に成長させる
ことができる。本実施例１の作製方法により成長した結
晶の概観を図２に示す。図２において、２１はＹＢａ2
Ｃｕ3Ｏ7-xの酸化物結晶である。
2Ｃｕ3Ｏ7-x相の種棒５を毎分９０回転で回転させなが
ら、上方向に毎時０.２mmの速さで引き上げることによ
って、Ｙ系１２３結晶を上下方向に連続的に成長させる
ことができる。本実施例１の作製方法により成長した結
晶の概観を図２に示す。図２において、２１はＹＢａ2
Ｃｕ3Ｏ7-xの酸化物結晶である。
【００４３】（実施例２）また、本発明の実施例２は、
前記実施例１において、種結晶の回転速度を成長した結
晶の径が大きくなるに従って徐々に遅らせるようにす
る。実施例２では、ロードセルによってモニターされた
結晶の重量変化に従って回転速度を毎分１２０回転から
毎分８０回転まで徐々に下げた。具体的には、成長開始
から回転速度１２０ｒｐｍで３３時間結晶を成長させる
と、結晶成長面が１辺３ｍｍの正方形となった。そこ
で、回転速度を１００ｒｐｍにして、さらに、２０時間
結晶の成長を続けると、結晶成長面が１辺５ｍｍの正方
形となった。そこで、回転速度を８０ｒｐｍにして、さ
らに１０時間結晶を成長させると、結晶成長面が１辺７
ｍｍの正方形となった。この間、引き上げ速度は毎時
０.２ｍｍに維持した。
前記実施例１において、種結晶の回転速度を成長した結
晶の径が大きくなるに従って徐々に遅らせるようにす
る。実施例２では、ロードセルによってモニターされた
結晶の重量変化に従って回転速度を毎分１２０回転から
毎分８０回転まで徐々に下げた。具体的には、成長開始
から回転速度１２０ｒｐｍで３３時間結晶を成長させる
と、結晶成長面が１辺３ｍｍの正方形となった。そこ
で、回転速度を１００ｒｐｍにして、さらに、２０時間
結晶の成長を続けると、結晶成長面が１辺５ｍｍの正方
形となった。そこで、回転速度を８０ｒｐｍにして、さ
らに１０時間結晶を成長させると、結晶成長面が１辺７
ｍｍの正方形となった。この間、引き上げ速度は毎時
０.２ｍｍに維持した。
【００４４】また、回転方向は、１時間の周期で反転さ
せた。こうして成長させた単結晶を１２ｍｍ／ｈで炉内
から取り出した。
せた。こうして成長させた単結晶を１２ｍｍ／ｈで炉内
から取り出した。
【００４５】これらの操作を酸素分圧の低いアルゴン
（Ａｒ）気流中で行うことにより、正方晶の大型単結晶
を得ることができる。この得られた結晶の外観を図３に
示す。図３において、３１はＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-xの単結
晶、３２は溶融凝固法により作製したＳｍＢａ2Ｃｕ3Ｏ
7-x相の種棒である。
（Ａｒ）気流中で行うことにより、正方晶の大型単結晶
を得ることができる。この得られた結晶の外観を図３に
示す。図３において、３１はＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-xの単結
晶、３２は溶融凝固法により作製したＳｍＢａ2Ｃｕ3Ｏ
7-x相の種棒である。
【００４６】（実施例３，４）前記種結晶棒をＳｍＢａ
2Ｃｕ3Ｏ7-yの結晶に代えて、ＭｇＯ単結晶（実施例
３）又はＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-y単結晶（実施例４）を使用
した以外は、すべて実施例２と同様にしてＹＢａ2Ｃｕ3
Ｏ7-y単結晶を作製した。
2Ｃｕ3Ｏ7-yの結晶に代えて、ＭｇＯ単結晶（実施例
３）又はＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-y単結晶（実施例４）を使用
した以外は、すべて実施例２と同様にしてＹＢａ2Ｃｕ3
Ｏ7-y単結晶を作製した。
【００４７】いずれの実施例においても実施例２と同様
の単結晶が得られた。
の単結晶が得られた。
【００４８】以上、本発明を実施例に基づき具体的に説
明したが、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲におい
て種々変更し得ることはいうまでもない。
明したが、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲におい
て種々変更し得ることはいうまでもない。
【００４９】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、酸化物結晶の結晶成長において、結晶構成元素を液
相に補給する組成が、包晶温度以上で安定であり酸化物
結晶と異なる固相を、結晶を成長させる位置から離れた
所に内包した少なくとも結晶構成元素からなり、組成が
酸化物結晶と異なる液相を用い、固相及び液相とも異な
る組成の、包晶温度以下で安定な結晶を成長させること
により、大きい酸化物結晶を作製することができる。こ
れにより、Ｙ系１２３構造を有する結晶を連続的に作製
することができる。
ば、酸化物結晶の結晶成長において、結晶構成元素を液
相に補給する組成が、包晶温度以上で安定であり酸化物
結晶と異なる固相を、結晶を成長させる位置から離れた
所に内包した少なくとも結晶構成元素からなり、組成が
酸化物結晶と異なる液相を用い、固相及び液相とも異な
る組成の、包晶温度以下で安定な結晶を成長させること
により、大きい酸化物結晶を作製することができる。こ
れにより、Ｙ系１２３構造を有する結晶を連続的に作製
することができる。
【００５０】また、種結晶、種結晶の回転速度及び回転
方向、炉内雰囲気をそれぞれ制御して、固相及び液相と
も異なる組成の、包晶温度以下で安定な結晶を成長させ
ることにより、さらに大きい酸化物単結晶又は多結晶を
作製することができる。
方向、炉内雰囲気をそれぞれ制御して、固相及び液相と
も異なる組成の、包晶温度以下で安定な結晶を成長させ
ることにより、さらに大きい酸化物単結晶又は多結晶を
作製することができる。
【図１】 本発明の実施例１によるＹ系１２３結晶の作
製方法を説明するための模式図、
製方法を説明するための模式図、
【図２】 本実施例１の成長した結晶の概観を示す図、
【図３】 本実施例２の成長した結晶の概観を示す図。
１…イットリアるつぼ、２…Ｙ2ＢａＣｕＯ5の沈澱、３
…液相、４…ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x、５…種棒、６…白金
サセプター、７…高周波誘導コイル、２１…ＹＢａ2Ｃ
ｕ3Ｏ7-xの酸化物結晶、３１…ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-xの単
結晶、３２…溶融凝固法により作製したＳｍＢａ2Ｃｕ3
Ｏ7-x相の種棒。
…液相、４…ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x、５…種棒、６…白金
サセプター、７…高周波誘導コイル、２１…ＹＢａ2Ｃ
ｕ3Ｏ7-xの酸化物結晶、３１…ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-xの単
結晶、３２…溶融凝固法により作製したＳｍＢａ2Ｃｕ3
Ｏ7-x相の種棒。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (73)特許権者 000164438 九州電力株式会社 福岡県福岡市中央区渡辺通２丁目１番82 号 (73)特許権者 000173784 財団法人鉄道総合技術研究所 東京都国分寺市光町２丁目８番地38 (72)発明者 山田 容士 東京都江東区東雲１丁目14番３ 財団法 人 国際超電導産業技術研究センター 超電導工学研究所内 (72)発明者 和泉 輝郎 東京都江東区東雲１丁目14番３ 財団法 人 国際超電導産業技術研究センター 超電導工学研究所内 (72)発明者 大津 敢視 東京都江東区東雲１丁目14番３ 財団法 人 国際超電導産業技術研究センター 超電導工学研究所内 (72)発明者 中村 雄一 東京都江東区東雲１丁目14番３ 財団法 人 国際超電導産業技術研究センター 超電導工学研究所内 (72)発明者 石毛 健吾 東京都江東区東雲１丁目14番３ 財団法 人 国際超電導産業技術研究センター 超電導工学研究所内 (72)発明者 塩原 融 東京都江東区東雲１丁目14番３ 財団法 人 国際超電導産業技術研究センター 超電導工学研究所内 (72)発明者 田上 稔 東京都江東区東雲１丁目14番３ 財団法 人 国際超電導産業技術研究センター 超電導工学研究所内 (72)発明者 田中 昭二 東京都江東区東雲１丁目14番３ 財団法 人 国際超電導産業技術研究センター 超電導工学研究所内 (56)参考文献 特開 昭61−106496（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−89487（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−242997（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−193693（ＪＰ，Ａ) 米国特許4545849（ＵＳ，Ａ)
Claims (17)
- 【請求項１】 酸化物結晶の結晶成長において、結晶構
成元素を液相に補給する組成が、包晶温度以上で安定で
あり酸化物結晶と異なる固相を、結晶を成長させる位置
から離れた所に内包した少なくとも結晶構成元素からな
り、組成が酸化物結晶と異なる液相を用い、固相及び液
相とも異なる組成の、包晶温度以下で安定な結晶を成長
させることを特徴とする酸化物結晶の作製方法。 - 【請求項２】 酸化物結晶の結晶成長において、結晶構
成元素を液相に補給する組成が、包晶温度以上で安定で
あり酸化物結晶と異なる固相を、結晶を成長させる位置
から離れた所に内包した少なくとも結晶構成元素からな
り、組成が酸化物結晶と異なる液相を用い、種結晶、種
結晶の回転速度及び回転方向、炉内雰囲気をそれぞれ制
御して、固相及び液相とも異なる組成の、包晶温度以下
で安定な結晶を成長させることを特徴とする酸化物結晶
の作製方法。 - 【請求項３】 前記酸化物結晶が超電導体であることを
特徴とする請求項１又は２に記載の酸化物結晶の作製方
法。 - 【請求項４】 前記酸化物結晶がＹ系１２３構造を有す
ることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項
に記載の酸化物結晶の作製方法。 - 【請求項５】 前記固相は、Ｙ系２１１構造を有する酸
化物であることを特徴とする請求項１乃至４のうちいず
れか１項に記載の酸化物結晶の作製方法。 - 【請求項６】 結晶成長部を前記固相と同じか、それよ
りも低い温度に保つことを特徴とする請求項１乃至５の
うちいずれか１項に記載の酸化物結晶の作製方法。 - 【請求項７】 前記固相を内包する前記液相は、Ｙ系２
１１構造を有する酸化物と、Ｃｕ酸化物、Ｂａ酸化物又
はＢａＣｕ酸化物の中から少なくとも二種を、所定の割
合で混合して、Ｙ系１２３構造を有する酸化物が初晶で
析出する温度以上に加熱することにより得ることを特徴
とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の酸化
物結晶の作製方法。 - 【請求項８】 前記種結晶は、液相に対して耐蝕性を有
する固体であることを特徴とする請求項１乃至７のうち
いずれか１項に記載の酸化物結晶の作製方法。 - 【請求項９】 前記液相に対して結晶成長する温度で耐
蝕性を有する固体であるＳmＢa2Ｃu3Ｏ7-x相の棒、マグ
ネシア単結晶棒、ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x相の棒、のうち少
なくとも1つであることを特徴とする請求項８に記載の
酸化物結晶の作製方法。 - 【請求項１０】 各軸方向に結晶を引上げる場合、軸制
御された種結晶棒を用いることを特徴とする請求項１乃
至９のうちいずれか１項に記載の酸化物結晶の作製方
法。 - 【請求項１１】 種結晶の回転方向は、時間的間隔をお
いて反転させることを特徴とする請求項１乃至１０のう
ちいずれか１項に記載の酸化物結晶の作製方法。 - 【請求項１２】 種結晶の回転速度は、成長した結晶の
径が大きくなるに従って遅くすることを特徴とする請求
項１乃至１１のうちいずれか１項に記載の酸化物結晶の
作製方法。 - 【請求項１３】 前記種結晶の回転速度は、ロードセル
によってモニターされた結晶の重量変化に従って調節す
ることを特徴とする請求項１乃至１２のうちいずれか１
項に記載の酸化物結晶の作製方法。 - 【請求項１４】 前記結晶を成長させる位置は、固相よ
り離れた位置の液相のみの表面であることを特徴とする
請求項１乃至１３のうちいずれか１項に記載の酸化物結
晶の作製方法。 - 【請求項１５】 炉内の雰囲気制御により正方晶を得る
ことを特徴とする請求項１乃至１４のうちいずれか１項
に記載の酸化物結晶の作製方法。 - 【請求項１６】 前記所定の割合は、Ｙ系２１１構造を
持つ酸化物と、Ｃｕ酸化物、Ｂａ酸化物又はＢａＣｕ酸
化物の中から少なくとも二種選択したものとの重量比で
１：２〜１０であることを特徴とする請求項７乃至１５
のうちいずれか１項に記載の酸化物結晶の作製方法。 - 【請求項１７】 前記酸化物結晶は、単結晶又は多結晶
からなることを特徴とする請求項１乃至１６のうちいず
れか１項に記載の酸化物結晶の作製方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4235616A JP2740427B2 (ja) | 1992-05-25 | 1992-09-03 | 酸化物結晶の作製方法 |
| US08/065,148 US5407907A (en) | 1992-05-25 | 1993-05-21 | Method of preparing metal oxide crystal |
| DE69312582T DE69312582T2 (de) | 1992-05-25 | 1993-05-24 | Verfahren zur Herstellung eines Metalloxid-Kristalls |
| EP93304005A EP0573193B1 (en) | 1992-05-25 | 1993-05-24 | Method of preparing metal oxide crystal |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-132563 | 1992-05-25 | ||
| JP13256392 | 1992-05-25 | ||
| JP4235616A JP2740427B2 (ja) | 1992-05-25 | 1992-09-03 | 酸化物結晶の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06122588A JPH06122588A (ja) | 1994-05-06 |
| JP2740427B2 true JP2740427B2 (ja) | 1998-04-15 |
Family
ID=26467107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4235616A Expired - Lifetime JP2740427B2 (ja) | 1992-05-25 | 1992-09-03 | 酸化物結晶の作製方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5407907A (ja) |
| EP (1) | EP0573193B1 (ja) |
| JP (1) | JP2740427B2 (ja) |
| DE (1) | DE69312582T2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3008970B2 (ja) * | 1993-07-27 | 2000-02-14 | 財団法人国際超電導産業技術研究センター | Ｙ１２３型結晶構造を有する酸化物結晶膜 |
| JPH06321695A (ja) * | 1993-05-10 | 1994-11-22 | Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center | Ｙ１２３型結晶構造を有する酸化物結晶膜及び膜積層体 |
| DE69415716T2 (de) * | 1993-05-10 | 1999-11-04 | Int Superconductivity Tech | Verfahren zur Herstellung eines Metalloxid-Kristalls |
| JP2963604B2 (ja) * | 1993-07-27 | 1999-10-18 | 財団法人国際超電導産業技術研究センター | ＲｅＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ結晶を融液から作製する方法 |
| JP3234711B2 (ja) * | 1994-04-14 | 2001-12-04 | 住友電気工業株式会社 | 酸化物の融液保持方法および酸化物結晶の作製方法 |
| EP0793850A4 (en) * | 1995-01-12 | 1998-08-19 | Univ Chicago | MATERIAL OF TYPE 123 WITH LARGE SINGLE DOMAIN MADE BY VACCINATING RARE-EARTH BARIUM COPPER OXIDE SINGLE CRYSTALS |
| US5932002A (en) * | 1997-08-28 | 1999-08-03 | Sumitomo Sitix Corporation | Seed crystals for pulling a single crystal and methods using the same |
| US6740620B2 (en) | 2001-04-25 | 2004-05-25 | Rohn And Haas Company | Single crystalline phase catalyst |
| FR2876919B1 (fr) | 2004-10-26 | 2007-07-27 | Millipore Corp | Aiguille de maintien comportant des joues de prehension. |
| DE102005003407B4 (de) * | 2005-01-25 | 2010-05-06 | Karlsruher Institut für Technologie | Verfahren zur Herstellung von Kolloid-Kristallen oder Kolloid-Partikelsystemen |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4545849A (en) | 1983-03-03 | 1985-10-08 | Motorola Inc. | Method for control of oxygen in silicon crystals |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1587249A (en) * | 1976-08-05 | 1981-04-01 | Alusuisse | Growing of crystals |
| JPS61106496A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-24 | Hoya Corp | 分解溶融化合物単結晶の製造方法 |
| JPS6389487A (ja) * | 1986-10-01 | 1988-04-20 | Hitachi Metals Ltd | 酸化物単結晶の製造方法 |
| JPS63242997A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | セラミツクス超電導材料の製造方法 |
| US4956334A (en) * | 1987-05-01 | 1990-09-11 | Agency Of Industrial Science And Technology | Method for preparing a single crystal of lanthanum cuprate |
| JPS63310799A (ja) * | 1987-06-11 | 1988-12-19 | Toshiba Corp | 酸化物超電導結晶の製造方法 |
| JP2707499B2 (ja) * | 1987-11-26 | 1998-01-28 | 住友電気工業株式会社 | 酸化物超電導体の製造方法 |
| JP2684432B2 (ja) * | 1988-12-29 | 1997-12-03 | 弘直 兒嶋 | 超電導酸化物の単結晶及びその製造方法 |
| JPH03193693A (ja) * | 1989-12-21 | 1991-08-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体混晶の成長方法 |
-
1992
- 1992-09-03 JP JP4235616A patent/JP2740427B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-05-21 US US08/065,148 patent/US5407907A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-05-24 DE DE69312582T patent/DE69312582T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-05-24 EP EP93304005A patent/EP0573193B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4545849A (en) | 1983-03-03 | 1985-10-08 | Motorola Inc. | Method for control of oxygen in silicon crystals |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06122588A (ja) | 1994-05-06 |
| EP0573193A1 (en) | 1993-12-08 |
| EP0573193B1 (en) | 1997-07-30 |
| DE69312582T2 (de) | 1998-01-08 |
| US5407907A (en) | 1995-04-18 |
| DE69312582D1 (de) | 1997-09-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Klemenz et al. | Liquid phase epitaxy of high-Tc superconductors | |
| JP2740427B2 (ja) | 酸化物結晶の作製方法 | |
| Giannini et al. | Growth and characterization of Bi2Sr2Ca2Cu3O10 and (Bi, Pb) 2Sr2Ca2Cu3O10− δ single crystals | |
| CN1970849A (zh) | a轴取向的钇钡铜氧超导厚膜的氧气氛控制制备方法 | |
| JPH09100193A (ja) | 酸化物結晶の作製方法 | |
| Nakamura et al. | Crystal growth of YBa2Cu3O7 by the SRL-CP method under low oxygen partial pressure atmosphere | |
| Kitamura et al. | Initial growth mechanism of a/b‐axis oriented YBa2Cu3O7− y film prepared by liquid phase epitaxy | |
| JP3205646B2 (ja) | Ｓｍ系１２３結晶の作製法 | |
| JP2833640B2 (ja) | Ｐｒ１２３結晶の作製法 | |
| JP2833639B2 (ja) | 酸化物結晶の作製法 | |
| Tanaka et al. | Growth of Bi2Sr2CaCu2Oy single crystals by a vertical Bridgman method and their characterization | |
| JP2963604B2 (ja) | ＲｅＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ結晶を融液から作製する方法 | |
| JP2672533B2 (ja) | 酸化物超電導体結晶の製造方法 | |
| JP3613424B2 (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
| JPS63310799A (ja) | 酸化物超電導結晶の製造方法 | |
| Kitamura et al. | Growth mechanism and crystalline orientation of liquid-phase epitaxially grown YBa2Cu3O7− y films | |
| Nakamura et al. | Crystal growth of SmBa2Cu3O7− x under low oxygen partial pressure | |
| JPH01148794A (ja) | 酸化物超電導体結晶の製造方法 | |
| JP2637123B2 (ja) | 酸化物超電導体結晶の製造方法 | |
| Demianets et al. | Growth of high-temperature superconductor crystals from flux | |
| JPH0471876B2 (ja) | ||
| RU1526290C (ru) | Способ получени высокотемпературного сверхпровод щего материала | |
| JP4951790B2 (ja) | 酸化物超電導の製造方法 | |
| JP3208603B2 (ja) | 単結晶の作製方法 | |
| JPH06321693A (ja) | 酸化物超電導材料の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080123 Year of fee payment: 10 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080123 Year of fee payment: 10 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090123 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090123 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100123 Year of fee payment: 12 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100123 Year of fee payment: 12 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100123 Year of fee payment: 12 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100123 Year of fee payment: 12 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110123 Year of fee payment: 13 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110123 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120123 Year of fee payment: 14 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130123 Year of fee payment: 15 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130123 Year of fee payment: 15 |