JP2739504B2 - シクロヘキサン―１，４―ジオンの製造方法 - Google Patents
シクロヘキサン―１，４―ジオンの製造方法Info
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- JP2739504B2 JP2739504B2 JP1248697A JP24869789A JP2739504B2 JP 2739504 B2 JP2739504 B2 JP 2739504B2 JP 1248697 A JP1248697 A JP 1248697A JP 24869789 A JP24869789 A JP 24869789A JP 2739504 B2 JP2739504 B2 JP 2739504B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C45/00—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、シクロヘキサン−1,4−ジオンの製造方法
に関する。
に関する。
従来の技術 シクロヘキサン−1,4−ジオンは、重合体や医薬品製
造の中間原料として重要である。
造の中間原料として重要である。
従来、このようなシクロヘキサン−1,4−ジオンの製
造方法としては、コハク酸ジエチルをアルドール縮合さ
せた後、加水分解して、2,5−ジオキシシクロヘキサン
ジカルボン酸ジエチルエステルとし、これを熱分解脱炭
酸する方法が知られている。（Org.Syn.,45,25（196
5）、Synthesis,427（1971））。
造方法としては、コハク酸ジエチルをアルドール縮合さ
せた後、加水分解して、2,5−ジオキシシクロヘキサン
ジカルボン酸ジエチルエステルとし、これを熱分解脱炭
酸する方法が知られている。（Org.Syn.,45,25（196
5）、Synthesis,427（1971））。
しかし、このような方法は、収率が低いうえに、原料
であるコハク酸ジエチルに対して、当量以上の塩基を必
要とし、更に、中和工程を必要として、工程数が多いの
で、特に、工業的な製造方法としては、実用的ではな
い。
であるコハク酸ジエチルに対して、当量以上の塩基を必
要とし、更に、中和工程を必要として、工程数が多いの
で、特に、工業的な製造方法としては、実用的ではな
い。
発明が解決しようとする課題 本発明は、従来のシクロヘキサン−1,4−ジオンの製
造における上記した問題を解決するためになされたもの
であつて、入手容易なハイドロキノンを原料として用
い、これを還元して、直ちに高収率にてシクロヘキサン
−1,4−ジオンを得ることができる工業上、非常に有利
な方法を提供することを目的とする。
造における上記した問題を解決するためになされたもの
であつて、入手容易なハイドロキノンを原料として用
い、これを還元して、直ちに高収率にてシクロヘキサン
−1,4−ジオンを得ることができる工業上、非常に有利
な方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段 本発明によるシクロヘキサン−1,4−ジオンの製造方
法は、炭化水素溶剤中、パラジウム又はニツケル触媒の
存在下に、ハイドロキノンを水素にて還元することを特
徴とする。
法は、炭化水素溶剤中、パラジウム又はニツケル触媒の
存在下に、ハイドロキノンを水素にて還元することを特
徴とする。
本発明においては、触媒として、パラジウム又はニツ
ケル触媒が用いられる。通常、これらは、シリカ、アル
ミナ、活性炭、グラフアイト、ケイソウ土、軽石、テト
ラシリシツクマイカ、ヘクトライト、テニオライト、モ
ンモリロナイト等を担体とし、これに担持させて用いら
れる。このような担持触媒の具体例としては、例えば、
パラジウム／活性炭、パラジウム／シリカ、パラジウム
／アルミナ、パラジウム／テトラシリシツクマイカ、ニ
ツケル／ケイソウ土、ニツケル／軽石等を挙げることが
できる。
ケル触媒が用いられる。通常、これらは、シリカ、アル
ミナ、活性炭、グラフアイト、ケイソウ土、軽石、テト
ラシリシツクマイカ、ヘクトライト、テニオライト、モ
ンモリロナイト等を担体とし、これに担持させて用いら
れる。このような担持触媒の具体例としては、例えば、
パラジウム／活性炭、パラジウム／シリカ、パラジウム
／アルミナ、パラジウム／テトラシリシツクマイカ、ニ
ツケル／ケイソウ土、ニツケル／軽石等を挙げることが
できる。
このような担持触媒において、パラジウム又はニツケ
ルの担体の担持量は、特に、限定されるものではない
が、通常、担体に対して、0.01〜20重量％の範囲であ
り、好ましくは、0.3〜10重量％の範囲である。
ルの担体の担持量は、特に、限定されるものではない
が、通常、担体に対して、0.01〜20重量％の範囲であ
り、好ましくは、0.3〜10重量％の範囲である。
本発明においては、ラネーニツケルもまた、好ましく
用いられる。
用いられる。
用いる触媒量は、担持触媒の場合、通常、ハイドロキ
ノン100重量部に対して、0.01〜20重量部、好ましく
は、0.5〜10重量部の範囲である。ラネーニツケルの場
合、還元ニツケル換算にて、ハイドロキノン100重量部
に対して、0.01〜20重量部、好ましくは、0.5〜10重量
部の範囲である。
ノン100重量部に対して、0.01〜20重量部、好ましく
は、0.5〜10重量部の範囲である。ラネーニツケルの場
合、還元ニツケル換算にて、ハイドロキノン100重量部
に対して、0.01〜20重量部、好ましくは、0.5〜10重量
部の範囲である。
本発明による方法において、ハイドロキノンの還元
は、上記触媒の存在下に、非極性の炭化水素溶剤中に
て、水素を用いて行なわれる。上記炭化水素溶剤として
は、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレ
ン等の芳香族炭化水素、シクロヘキサン、シクロヘプタ
ン等の脂環式炭化水素、又はこれらの混合溶剤が用いら
れる。これら溶剤は、通常、溶剤1mlに対して、ハイド
ロキノン量が0.05〜1g、好ましくは、0.1〜0.5gとなる
ように用いられる。
は、上記触媒の存在下に、非極性の炭化水素溶剤中に
て、水素を用いて行なわれる。上記炭化水素溶剤として
は、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレ
ン等の芳香族炭化水素、シクロヘキサン、シクロヘプタ
ン等の脂環式炭化水素、又はこれらの混合溶剤が用いら
れる。これら溶剤は、通常、溶剤1mlに対して、ハイド
ロキノン量が0.05〜1g、好ましくは、0.1〜0.5gとなる
ように用いられる。
反応は、通常、常圧又は加圧水素雰囲気下で０〜200
℃、好ましくは、常温乃至180℃程度の温度で行なわれ
る。
℃、好ましくは、常温乃至180℃程度の温度で行なわれ
る。
反応終了後、反応混合物から濾過等の適宜手段にて触
媒を分離した後、抽出、蒸留等の通常の手段によつて、
目的物であるシクロヘキサン−1,4−ジオンを得ること
ができる。
媒を分離した後、抽出、蒸留等の通常の手段によつて、
目的物であるシクロヘキサン−1,4−ジオンを得ること
ができる。
発明の効果 以上のように、本発明の方法によれば、ハイドロキノ
ンを直接に還元して、高収率にシクロヘキサン−1,4−
ジオンを得ることができ、しかも、原料であるハイドロ
キノンは入手が容易である。従つて、本発明の方法によ
れば、工業原料として重要なシクロヘキサン−1,4−ジ
オンを低廉に製造することができ、工業上、非常に有利
である。
ンを直接に還元して、高収率にシクロヘキサン−1,4−
ジオンを得ることができ、しかも、原料であるハイドロ
キノンは入手が容易である。従つて、本発明の方法によ
れば、工業原料として重要なシクロヘキサン−1,4−ジ
オンを低廉に製造することができ、工業上、非常に有利
である。
実施例 以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明は
これら実施例により何ら限定されるものではない。
これら実施例により何ら限定されるものではない。
実施例１ 反応容器中にてハイドロキノン4.0g、２％パラジウム
／活性炭0.1g及びメシチレン25mlからなる混合物を加熱
還流させつつ、この混合物に水素を50ml/分の割合にて
３時間吹き込んだ。
／活性炭0.1g及びメシチレン25mlからなる混合物を加熱
還流させつつ、この混合物に水素を50ml/分の割合にて
３時間吹き込んだ。
反応成績はハイドロキノン転化率52％、シクロヘキサ
ン−1,4−ジオン選択率91％であつた。
ン−1,4−ジオン選択率91％であつた。
実施例２ 実施例１において、触媒として、２％パラジウム／活
性炭に代えて、３％パラジウム／シリカ0.1gを用いた以
外は、実施例１と同様にして、反応を行なつた。
性炭に代えて、３％パラジウム／シリカ0.1gを用いた以
外は、実施例１と同様にして、反応を行なつた。
反応成績はハイドロキノン転化率54％、シクロヘキサ
ン−1,4−ジオン選択率89％であつた。
ン−1,4−ジオン選択率89％であつた。
比較例１ 実施例１において、溶媒として、メシチレンに代え
て、メタノール25mlを用いた以外は、実施例１と同様に
して、反応を行なつた。
て、メタノール25mlを用いた以外は、実施例１と同様に
して、反応を行なつた。
反応成績はハイドロキノン転化率59％、シクロヘキサ
ン−1,4−ジオン選択率38％であつた。
ン−1,4−ジオン選択率38％であつた。
また、シクロヘキサン−1,4−ジオンが更に還元され
た４−ヒドロキシシクロヘキサノン及び1,4−ジヒドロ
キシシクロヘキサンが併せて選択率58％にて生成してい
ることが認められた。
た４−ヒドロキシシクロヘキサノン及び1,4−ジヒドロ
キシシクロヘキサンが併せて選択率58％にて生成してい
ることが認められた。
比較例２ 実施例１において、触媒として、２％パラジウム活性
炭に代えて、酸化白金0.05gを用いた以外は、実施例１
と同様にして、反応を行なつた。
炭に代えて、酸化白金0.05gを用いた以外は、実施例１
と同様にして、反応を行なつた。
反応成績はハイドロキノン転化率62％、シクロヘキサ
ン−1,4−ジオン選択率31％であつた。
ン−1,4−ジオン選択率31％であつた。
シクロヘキサン−1,4−ジオンが更に還元された４−
ヒドロキシシクロヘキサノン及び1,4−ジヒドロキシシ
クロヘキサンが併せて選択率62％にて生成していること
が認められた。
ヒドロキシシクロヘキサノン及び1,4−ジヒドロキシシ
クロヘキサンが併せて選択率62％にて生成していること
が認められた。
比較例３ 実施例１において、触媒として、２％パラジウム／活
性炭に代えて、２％イリジウム／シリカ0.1gを用いた以
外は、実施例１と同様にして、反応を行なつた。
性炭に代えて、２％イリジウム／シリカ0.1gを用いた以
外は、実施例１と同様にして、反応を行なつた。
反応成績はハイドロキノン転化率55％、シクロヘキサ
ン−1,4−ジオン選択率21％であつた。
ン−1,4−ジオン選択率21％であつた。
４−ヒドロキシシクロヘキサノン及び1,4−ジヒドロ
キシシクロヘキサンが併せて選択率74％にて生成してい
ることが認められた。
キシシクロヘキサンが併せて選択率74％にて生成してい
ることが認められた。
実施例３ ハイドロキノン4.0g、ラネーニツケルW2を0.2g及びシ
クロヘキサン25mlをオートクレーブに仕込み、水素を10
気圧導入した。この水素の導入後、50℃にて１時間撹拌
して、ハイドロキノンを還元した。
クロヘキサン25mlをオートクレーブに仕込み、水素を10
気圧導入した。この水素の導入後、50℃にて１時間撹拌
して、ハイドロキノンを還元した。
反応成績はハイドロキノン転化率71％、シクロヘキサ
ン−1,4−ジオン選択率80％であつた。
ン−1,4−ジオン選択率80％であつた。
比較例４ 実施例１において、反応基質として、ハイドロキノン
に代えて、レゾルシン4.0gを用いた以外は、実施例１と
同様にして、反応を行なつた。
に代えて、レゾルシン4.0gを用いた以外は、実施例１と
同様にして、反応を行なつた。
反応成績は、レゾルシン転化率21％、シクロヘキサン
−1,3−ジオン選択率26％であつた。ほかに、タール状
物質の生成が認められた。
−1,3−ジオン選択率26％であつた。ほかに、タール状
物質の生成が認められた。
Claims (1)
- 【請求項１】炭化水素溶剤中、パラジウム又はニツケル
触媒の存在下に、ハイドロキノンを水素にて還元するこ
とを特徴とするシクロヘキサン−1,4−ジオンの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1248697A JP2739504B2 (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | シクロヘキサン―１，４―ジオンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1248697A JP2739504B2 (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | シクロヘキサン―１，４―ジオンの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03109346A JPH03109346A (ja) | 1991-05-09 |
| JP2739504B2 true JP2739504B2 (ja) | 1998-04-15 |
Family
ID=17181991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1248697A Expired - Fee Related JP2739504B2 (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | シクロヘキサン―１，４―ジオンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2739504B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWM292742U (en) * | 2005-12-05 | 2006-06-21 | Ping-Yang Chuang | Memory card capable of protecting test points |
-
1989
- 1989-09-25 JP JP1248697A patent/JP2739504B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03109346A (ja) | 1991-05-09 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |