JP2727434B2 - キャパシタの製造方法 - Google Patents

キャパシタの製造方法

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JP2727434B2 JP7332726A JP33272695A JP2727434B2 JP 2727434 B2 JP2727434 B2 JP 2727434B2 JP 7332726 A JP7332726 A JP 7332726A JP 33272695 A JP33272695 A JP 33272695A JP 2727434 B2 JP2727434 B2 JP 2727434B2
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capacitor
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    • H—ELECTRICITY
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体メモリ素子の
キャパシタの製造方法に関し、特に、制限された面積の
下でキャパシタの電荷貯蔵電極の有効面積を増大させる
ためのキャパシタの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、キャパシタの形成方法は、シリコ
ン基板上にフィールド酸化膜、接合領域、ワードライン
及びビットラインを形成した後、全体構造上部を平坦化
絶縁膜で平坦化し、電荷貯蔵電極を接合領域にコンタク
トさせる方法を用いている。即ち、ビットライン上にキ
ャパシタが形成されるようにする積層型キャパシタを形
成することにより、電荷貯蔵電極の有効面積を大きくし
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、半導体素子が
より高集積化されるに従って、上記従来技術によっては
制限された領域内で十分な電荷貯蔵電極の有効面積を得
ることが難しくなった。上記の如き従来技術の問題点を
解決するために案出した本発明は、制限された面積の下
で電荷貯蔵電極の有効面積を増大させるためのキャパシ
タの製造方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、半導体素子のキャパシタの製造方法におい
て；キャパシタの電荷貯蔵電極コンタクトホールを形成
する段階；酸素が内包された非晶質シリコン膜を蒸着す
る段階；熱処理して上記酸素が内包された非晶質シリコ
ン膜を結晶化しながら、酸化副産物を形成する段階；及
び上記酸化副産物を除去する段階を含み、上記酸化副産
物が除去された結晶化されたシリコン膜で電荷貯蔵電極
を形成することを特徴とする。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下に、添付された図を参照して
本発明の一実施例を詳細に説明する。図１乃至図３は、
本発明の一実施例に係り、コンタクトホール内に電荷貯
蔵電極用ポリシリコン膜を形成する方法を示す断面図で
あって、図１はシリコン基板（１）上にフィールド酸化
膜（２）、ワードライン（４）、接合領域（３）、層間
酸化膜（５）及びビットライン（６）を順次に形成した
後、全体構造上部を平坦化絶縁膜（７）で平坦化し、電
荷貯蔵電極コンタクトホールを形成した状態で、酸素が
内包された非晶質シリコン膜（８）を電荷貯蔵電極用伝
導層で蒸着した断面図である。
【０００６】 この際、酸素が内包された非晶質シリコ
ン膜（８）の蒸着はシラン（ｓｉｌａｎｅ）ガスである
ＳｉＨ４とＮ２Ｏガスを用いて５５０℃乃至７００℃の
低温で蒸着し、酸素の密度は非晶質シリコン分子に比べ
て１０％乃至３０％ほどの部分を占めるようにする。
【０００７】次いで、図２は８５０℃乃至１１５０℃の
温度下で５時間熱処理すると、非晶質状態のシリコン膜
を結晶化（ポリシリコン化）されながら、結晶化された
シリコン（９）間の結晶格子間にＳｉＯ2 又はＳｉＯｘ
形態の酸化副産物（１０）が形成される。この際、熱処
理はＮ2 ガス雰囲気下で実施する。
【０００８】最後に、図３は上記酸化副産物（１０）を
ＨＦ溶液で湿式除去して多孔質ポリシリコン形態の結晶
化されたシリコン（９）のみで電荷貯蔵電極（９）を完
成する。
【０００９】
【発明の効果】上記の通りなる本発明は、コンタクトホ
ール内部に酸化副産物が形成されたポリシリコン膜（結
晶化されたシリコン）を形成した後、酸化副産物を除去
して多孔質ポリシリコン膜で電荷貯蔵電極を形成するこ
とにより、素子の高集積化に因り制限された狭い面積で
電荷貯蔵電極の有効表面積を増大させ、それによりキャ
パシタンス増大をもたらす効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係るコンタクトホール内に
電荷貯蔵電極用ポリシリコン膜を形成する方法を示す断
面図である。
【図２】図１の次の工程の断面図である。
【図３】最終工程の断面図である。
【符号の説明】
１ シリコン基板 ２ フィールド酸化膜 ３ 接合領域 ４ ワードライン ５ 層間酸化膜 ６ ビットライン ７ 平坦化絶縁膜 ８ 酸素が内包された非晶質シリコン膜 ９ 結晶化されたシリコン

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体素子のキャパシタの製造方法にお
    いて；キャパシタの電荷貯蔵電極コンタクトホールを形
    成する段階；酸素が内包された非晶質シリコン膜を蒸着
    する段階；熱処理して上記酸素が内包された非晶質シリ
    コン膜を結晶化しながら酸化副産物を形成する段階；及
    び上記酸化副産物を除去する段階を含み、 上記酸化副産物が除去された結晶化されたシリコン膜で
    電荷貯蔵電極を形成することを特徴とするキャパシタの
    製造方法。
  2. 【請求項２】 上記酸素が内包された非晶質シリコン膜
    の蒸着は、シランガスと、Ｎ２Ｏガスを用いることを特
    徴とする請求項１記載のキャパシタの製造方法。
  3. 【請求項３】 上記酸素が内包された非晶質シリコン膜
    の蒸着は、５５０℃乃至７００℃の低温でなることを特
    徴とする請求項２記載のキャパシタの製造方法。
  4. 【請求項４】 上記熱処理は８５０℃乃至１１５０℃の
    温度下で成ることを特徴とする請求項３記載のキャパシ
    タの製造方法。
  5. 【請求項５】 上記酸素が内包された非晶質シリコン膜
    の酸素密度は、１０％乃至３０％であることを特徴とす
    る請求項１記載のキャパシタの製造方法。
  6. 【請求項６】 上記酸化副産物除去は、湿式蝕刻で成る
    ことを特徴とする請求項１記載のキャパシタの製造方
    法。
JP7332726A 1994-12-20 1995-11-28 キャパシタの製造方法 Expired - Lifetime JP2727434B2 (ja)

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KR1994P35431 1994-12-20
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JPH08255880A JPH08255880A (ja) 1996-10-01
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GB2296380A (en) 1996-06-26
GB9525651D0 (en) 1996-02-14
CN1135655A (zh) 1996-11-13
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