JP2726028B2 - 半導体素子製造工程の制御システム及びその制御方法 - Google Patents

半導体素子製造工程の制御システム及びその制御方法

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JP2726028B2 JP2783296A JP2783296A JP2726028B2 JP 2726028 B2 JP2726028 B2 JP 2726028B2 JP 2783296 A JP2783296 A JP 2783296A JP 2783296 A JP2783296 A JP 2783296A JP 2726028 B2 JP2726028 B2 JP 2726028B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子製造工程
の制御システム及びその制御方法に係り、特に半導体素
子を製造する工程のためのプログラムが各工程遂行装置
に設定された状態をチェックして工程エラーを防げる半
導体素子製造工程の制御システム及びその制御方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】通常、半導体はマスク製造、ウェーハ製
造、組立及び検査など半導体素子完成品が生産されるま
で種々の工程を経て、これらの工程を遂行するためにデ
ィジタイザ、現像装置、拡散炉、塗布器、化学気相蒸着
装置（以下、ＣＶＤ装置という。）、自動マウンタ、テ
スタなどのような多数の設備より構成されている。
【０００３】かかる従来の装置は、動作がホストコンピ
ュータの制御により行われるように設計され、ホストコ
ンピュータは主ホストコンピュタと接続され、主ホスト
コンピュタから装置に行われる工程に対する情報及びプ
ログラム情報が入力される。そして、前述した装置では
特定の一つの工程のみを行うことではなく、拡散炉、Ｃ
ＶＤ装置のような場合は一つの装置に多様な変形された
工程を行う。
【０００４】その具体的な例として、図５に基づき拡散
炉（図外）で相異なるプログラムにより設定された工程
が行われることについて説明する。
【０００５】拡散炉は拡散工程やシリコン（Ｓｉ）ウェ
ーハに酸化膜（ＳｉＯ2 ）を形成させる酸化工程などを
行うためのもので、特に酸化工程には用途により酸化膜
の厚さが相違に形成される。そして、この特定厚さの酸
化膜が形成される工程を制御するための各プログラムが
拡散炉に設定されている。
【０００６】図５において、酸化膜の厚さを３０００オ
ングストロームに形成させるプログラムはＰＰＩＤ１(P
rocess Program Identification 1)と称し、酸化膜の厚
さを８００オングストロームに形成させるプログラムは
ＰＰＩＤ２と称した。これらプログラムによる酸化工程
を行うために拡散炉に設定すべき工程条件は多いが、そ
のうち代表的なものとしては温度と酸素ガス（Ｏ2 ）の
場合を例として挙げれば、ＰＰＩＤ１は拡散工程のため
の条件において温度が１０００℃であり酸素ガスの量は
８ｌ（リットル）が供給されるよう設定するためのプロ
グラムであり、ＰＰＩＤ２は拡散工程のための条件とし
て温度が９００℃であり酸素ガス量は１０ｌ（リット
ル）が供給されるよう設定するためのプログラムであ
る。
【０００７】かかる工程を行うためのプログラム命令は
ユーザーにより主ホストコンピュータ（図外）に入力さ
れホストコンピュータ（図外）に伝送された後拡散炉に
伝達され、拡散炉はＰＰＩＤ情報が受信されれば，それ
を確認して該当プログラムによる工程を行う。これら各
ＰＰＩＤプログラムによる工程は必要に応じて一つの拡
散炉で交番に行われる。
【０００８】すなわち、拡散炉は操作者の設定によりＰ
ＰＩＤ１が設定された後ＰＰＩＤ２が行われるように設
定され、ＰＰＩＤ２が行われてからＰＰＩＤ１が遂行で
きるように設定される。このような交番された工程を行
うにおいて、拡散炉はホストコンピュータからＰＰＩＤ
１に対する情報が受信されれば工程条件を温度１０００
℃と酸素ガス８ｌ（リットル）と設定し、ＰＰＩＤ１に
よる工程を遂行する。そして、ＰＰＩＤ１工程を遂行し
た後ホストコンピュータからＰＰＩＤ２工程に対する情
報が受信されれば、それによる工程条件、すなわち、温
度９００℃と酸素ガス１０ｌ（リットル）と設定しＰＰ
ＩＤ２による工程を遂行する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この同一装置
内で工程を変換したプログラムに対する情報をホストコ
ンピュータで拡散炉などのような工程遂行装置に伝送す
る時、度々伝送された情報がシステム上の問題により拡
散炉のような工程遂行装置で正確に受信されないか、又
は受信にエラーが生じてＰＰＩＤが変換されなく、前Ｐ
ＰＩＤ工程が行われる場合があった。
【００１０】そして、工程遂行装置に設定されたソフト
ウェアそれ自体の問題点により伝送されたＰＰＩＤが正
確に認識されず前ＰＰＩＤ工程が行われる場合があっ
た。また、通信障害により伝送される情報は変形され工
程遂行装置に伝送されることにより工程が変換されない
場合があった。
【００１１】前述した場合の他にも工程遂行のために伝
送されるプログラム情報が正確に工程遂行工程で受信さ
れない場合があり、よって、所望の工程が行われず誤っ
たＰＰＩＤ工程が行われることにより生産された製品の
品質が劣化される問題点があった。
【００１２】前述した問題点を解決するために、該当設
備を担当した作業者が随時に工程遂行装置の設定情報及
び設定されたプログラムを確かめて工程エラーを防止し
たが、これは非効率的な確認方法であって正確に工程遂
行エラーがチックされなかった。従って、工程を遂行す
るにおいて非効率的な問題点があった。
【００１３】本発明は前述した従来の問題点を解決する
ために案出されたもので、その目的は、工程遂行のため
に工程遂行装置に伝送された情報が誤送されたり正確に
認識できなかった場合、これを確かめて工程進行を遮断
できる半導体素子製造工程の制御方法を提供することで
ある。
【００１４】本発明の他の目的は特定工程遂行のための
工程遂行装置に設定されたプログラム情報を確かめて命
令した工程が設定されない場合、工程遂行を中止させう
る半導体素子製造工程の制御方法を提供することであ
る。
【００１５】本発明の更に他の目的は工程遂行装置にプ
ログラム設定エラーが生じた場合、これを作業者が認識
できるようにメッセージを表示させる半導体素子製造工
程の制御方法を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】前述した請求項１記載の
第１の発明による半導体素子製造工程の制御システム
は、工程プログラム情報と製造するウェーハ情報とが入
力されると当該情報を伝送する主ホストコンピュタと、
前記主ホストコンピュータから伝送された工程プログラ
ム情報とウェーハ情報を読み取って前記工程プログラム
情報及び動作開始命令を伝送するホストコンピュータ
と、前記ホストコンピュータから前記動作開始命令と工
程プログラム情報が受信されると前記工程プログラム情
報を前記ホストコンピュータにバックアップさせる工程
遂行装置と、前記工程遂行装置から伝送された工程プロ
グラム情報のバックアップと前記主ホストコンピュタか
ら伝送された工程プログラム情報とが異なるときに限り
動作待機命令を工程遂行装置に伝送し、当該伝送される
動作待機命令により当該工程遂行装置の動作を中止させ
る制御手段とを備えたことを要旨とする。従って、工程
遂行のために工程遂行装置に伝送された情報が誤送され
たり正確に認識できなかった場合、これを確かめて工程
進行を遮断できる。また、特定工程遂行のための工程遂
行装置に設定されたプログラム情報を確かめて命令した
工程が設定されない場合、工程遂行を中止できる。
【００１７】請求項２記載の第２の発明は、工程プログ
ラム情報と製造するウェーハ情報が入力されれば前記情
報を伝送する主ホストコンピュタと、前記主ホストコン
ピュータとデータバスより接続されており、前記主ホス
トコンピュータから伝送された工程プログラム情報とウ
ェーハ情報を読み取って前記工程プログラム情報及び動
作開始命令を伝送し、前記伝送された工程プログラム情
報のバックアップが受信されればバックアップされた工
程プログラム情報が伝送されたものと同一であるかを判
断してエラー発生時動作待機命令を伝送するホストコン
ピュータと、前記ホストコンピュータとデータバスより
接続されており、前記ホストコンピュータから前記動作
開始命令と工程プログラム情報が受信されれば前記工程
プログラム情報を前記ホストコンピュータにバックアッ
プさせ、前記ホストコンピュータから動作待機命令が受
信されれば動作を中止する工程遂行装置とを含めて構成
されることを要旨とする。従って、工程遂行のために工
程遂行装置に伝送された情報が誤送されたり正確に認識
できなかった場合、これを確かめて工程進行を遮断でき
る。また、特定工程遂行のための工程遂行装置に設定さ
れたプログラム情報を確かめて命令した工程が設定され
ない場合、工程遂行を中止できる。
【００１８】請求項３記載の第３の発明は、前記工程遂
行装置は拡散炉であることを要旨とする。
【００１９】請求項４記載の第４の発明は、前記工程遂
行装置は化学気相蒸着装置であることを要旨とする。
【００２０】請求項５記載の第５の発明は、主ホストコ
ンピュータ、ホストコンピュータ及び工程遂行装置より
構成された半導体素子製造工程の制御方法において、前
記主ホストコンピュータにユーザーが工程プログラム情
報及び製造するウェーハ情報を入力すれば、前記情報が
前記ホストコンピュータに入力され、当該情報を読み取
って動作開始命令と前記工程プログラム情報が前記ホス
トコンピュータから前記工程遂行装置に伝送される過程
と、前記工程プログラム情報が前記工程遂行装置から前
記ホストコンピュータにバックアップされる過程と、前
記バックアップされた工程プログラム情報が前記伝送さ
れた工程プログラム情報と同一かを前記ホストコンピュ
ータで判断される過程と、前記バックアップされた工程
プログラム情報が前記伝送された工程プログラム情報と
異なると前記ホストコンピュータから動作待機命令が伝
送されて前記工程遂行装置の動作が中止され、前記バッ
クアップされた工程プログラム情報が前記伝送された工
程プログラム情報と等しければ前記工程遂行装置の動作
を進める過程とを含めて構成されることを要旨とする。
従って、工程遂行のために工程遂行装置に伝送された情
報が誤送されたり正確に認識できなかった場合、これを
確かめて工程進行を遮断できる。また、特定工程遂行の
ための工程遂行装置に設定されたプログラム情報を確か
めて命令した工程が設定されない場合、工程遂行を中止
できる。
【００２１】請求項６記載の第６の発明は、前記動作待
機命令が前記ホストコンピュータから前記工程遂行装置
に出力される時にエラーメッセージが前記ホストコンピ
ュータから前記主ホストコンピュータに出力されること
を要旨とする。従って、工程遂行装置にプログラム設定
エラーが生じた場合、これを作業者が認識できるように
メッセージを表示できる。
【００２２】請求項７記載の第７の発明は、前記エラー
メッセージが前記主ホストコンピュータにより音響とし
て出力されることを要旨とする。従って、工程遂行装置
にプログラム設定エラーが生じた場合、これを作業者が
認識できるようにメッセージを表示できる。
【００２３】請求項８記載の第８の発明は、前記エラー
メッセージが前記主ホストコンピュータにより視覚的に
表示されることを要旨とする。従って、工程遂行装置に
プログラム設定エラーが生じた場合、これを作業者が認
識できるようにメッセージを表示できる。
【００２４】請求項９記載の第９の発明は、前記動作開
始命令及び前記工程プログラム情報が前記ホストコンピ
ュータに伝送され所定待機時間を有してから前記工程遂
行装置の工程が進められることを要旨とする。
【００２５】請求項１０記載の第１０の発明は、前記ホ
ストコンピュータは前記所定待機時間内に前記バックア
ップされた情報を判断して前記動作待機命令を伝送する
ことを要旨とする。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づき本発
明による半導体素子製造工程の制御システム及びその制
御方法の望ましい実施形態を説明する。
【００２７】図１によれば、本発明による半導体素子製
造工程の制御システムの実施形態は主ホストコンピュー
タ１０が多数のホストコンピュータ２０、２２とデータ
バスにより接続されており、各ホストコンピュータ２
０、２２は該当工程を行うための多数の設備、すなわ
ち、拡散炉３０と化学気相蒸着装置（以下、ＣＶＤ装置
という。）３２のような工程遂行装置とデータバスによ
り接続されている。
【００２８】主ホストコンピュータ１０は、ホストコン
ピュータ２０とプログラム及び該当情報を通信して半導
体素子を製造するための個別工程制御動作を行えるよう
にしている。前記ホストコンピュータ２０は、主ホスト
コンピュータ１０と交換される情報に基づき個別工程遂
行装置で特定工程が行われるように制御する。すると、
拡散炉３０及びＣＶＤ装置３２のような工程遂行装置
は、設定されたプログラムのうちホストコンピュタ２０
から入力された情報による該当プログラムを駆動して特
定工程を行う。
【００２９】本発明の実施形態は工程遂行装置として拡
散炉３０が主ホストコンピュータ１０及びホストコンピ
ュータ２０の制御により工程が行われることに限って説
明しているが、本発明の技術的思想が前記実施形態に限
られない。
【００３０】そして、拡散炉３０では拡散程度を相違に
する多様な拡散工程が行われ、この工程が遂行できるよ
うに多数のプログラムが予め拡散炉３０に設定されてい
る。言い換えれば、図５のように拡散工程による酸化膜
の厚さを相違に形成する工程に対するプログラムが前述
したようにＰＰＩＤ１とＰＰＩＤ２とに設定されうる。
【００３１】ここで、ＰＰＩＤ１は３０００オングスト
ロームの酸化膜を酸化工程により形成させるためのプロ
グラムであり、それによる工程条件は温度が１０００℃
でありＯ2 の量は８ｌ（リットル）である。そして、Ｐ
ＰＩＤ２は８００オングストロームの酸化膜を酸化工程
により形成させるためのプログラムであり、それによる
工程条件は温度が９００オングストロームでありＯ2 の
量は１０ｌ（リットル）である。
【００３２】前述した本発明による半導体素子製造工程
の制御システムの実施形態において主ホストコンピュー
タ１０は、作業者の設定によりＰＰＩＤ１またはＰＰＩ
Ｄ２工程のように予め設定されたプログラムのうち所望
の工程を拡散炉３０で行えるように工程命令及びそのた
めの情報、すなわちウェーハ量に対する情報をホストコ
ンピュータ２０に伝送する。ここで、工程命令は工程を
行うための装置に対するコード値及び該当装置で行われ
るプログラムに対する名称（ＰＰＩＤ１、ＰＰＩＤ２）
を含む。
【００３３】すると、ホストコンピュタ２０は伝送され
る工程命令及び情報に基づき該当工程遂行装置、すなわ
ち、拡散炉３０にＰＰＩＤ値及び動作開始命令を伝送す
る。これにより、拡散炉３０は、動作開始命令により該
当ＰＰＩＤ値を有するプログラムを行うための初期化状
態にモードを設定した後、受信されたＰＰＩＤ値をホス
トコンピュータ２０にバックアップする。
【００３４】前記ホストコンピュータ２０は、拡散炉３
０からバックアップされるＰＰＩＤ値を伝送されたＰＰ
ＩＤ値と比較して同一かを判断する。二つのＰＰＩＤ値
が同一ならば現在の拡散炉３０は所望の工程を行えるよ
うに設定された状態なので、別途の命令を拡散炉３０に
伝送せず、二つのＰＰＩＤ値が同一でなければ現在の拡
散炉３０が所望の工程を行えるように設定された状態で
ないので、ホストコンピュータ２０は動作待機命令を拡
散炉３０に伝送する。
【００３５】すると、拡散炉３０は動作待機命令がホス
トコンピュータ２０から受信された場合、現在設定され
たモードを待機状態に設定し工程進行を中止する。
【００３６】ここで、待機状態とは全ての工程進行を中
止し作業者の措置が取られた後リセットが行われるまで
待つ動作を指す。
【００３７】これにより、システム上の問題、通信障害
による問題及びソフトウェア的に生ずる問題により拡散
炉３０で行われるプログラムが過って設定された場合動
作を中止させるので、誤動作による不良発生または原資
材浪費などのような問題を招かない。
【００３８】図２ないし図４に基づき本発明による半導
体素子製造工程の制御動作について詳細に説明する。
【００３９】図２は主ホストコンピュータ１０で行われ
る工程命令またはＰＰＩＤエラー状況を確かめるための
動作を示す流れ図であり、図３はホストコンピュータ２
０で主ホストコンピュータ１０及び拡散炉３０との受信
により情報を通信する動作とＰＰＩＤを確認する動作を
示す流れ図であり、図４は拡散炉３０でホストコンピュ
ータ２０から伝送されたＰＰＩＤに当たるプログラムに
よる工程を行い、受信されたＰＰＩＤをホストコンピュ
ータ２０にバックアップさせる動作に対する流れ図であ
る。
【００４０】まず、図２によれば、作業者は主ホストコ
ンピュータ１０を操作して特定工程を行わせるためのプ
ログラム及びウェーハ情報を入力し、それにより主ホス
トコンピュータ１０は段階Ｓ２を行って操作者による工
程命令の入力を認識し、段階Ｓ４を行ってウェーハ量に
対する情報及びＰＰＩＤ情報を伝送する。段階Ｓ４の遂
行後主ホストコンピュータ１０は段階Ｓ６を行ってホス
トコンピュータ２０と通信し続けながらその他の制御動
作を行う。そして、ホストコンピュータ２０と通信する
途中に段階Ｓ８を行ってＰＰＩＤエラーに対する情報が
入力されたかを確認する。
【００４１】ここで、ＰＰＩＤエラーとはホストコンピ
ュータ２０から伝送されたＰＰＩＤと拡散炉３０で受信
されたＰＰＩＤが一致しない場合、これを作業者に知ら
せるために伝送される情報である。
【００４２】仮にホストコンピュータ２０から主ホスト
コンピュータ１０に前記ＰＰＩＤエラーに対する情報が
入力されたとすれば、段階Ｓ１０を行ってエラーが生じ
たことを作業者が認識できるようにメッセージを出力す
る。この際、メッセージ出力方法は音響メッセージまた
は視覚的メッセージを出力する方法のうち製作者の意図
により設定されうるが、通常ホストコンピュータ２０は
ディスプレイ装置を備えており、作業者はディスプレイ
装置を確かめながら工程制御及びその他の工程進行状況
を確認するので、ＰＰＩＤに対する特定メッセージを表
示させる方法が望ましい。
【００４３】前述した図２の主ホストコンピュータ１０
の動作と関連して、図３においてホストコンピュータ２
０は段階Ｓ１２を行いながら主ホストコンピュータ１０
と通信を行い、通信中に段階Ｓ１４のように図２の段階
Ｓ４によるウェーハ量及びＰＰＩＤ情報を受信したとす
れば段階Ｓ１６を行って拡散炉３０にウェーハ量及びＰ
ＰＩＤ情報と動作開始命令を伝送する。
【００４４】前記ホストコンピュータ２０は段階Ｓ１６
で伝送動作を行った後、段階Ｓ１８で拡散炉３０から伝
送されるバックアップされるＰＰＩＤ情報を受信し、段
階Ｓ２０を行って拡散炉３０に伝送されたＰＰＩＤ情報
とホストコンピュータ２０にバックアップされたＰＰＩ
Ｄ情報が同一かを判断する。
【００４５】前記拡散炉３０に伝送されたＰＰＩＤ情報
とホストコンピュータ２０にバックアップされたＰＰＩ
Ｄ情報が同一でなければ、ホストコンピュータ２０は段
階Ｓ２２を行って拡散炉３０に待機命令を伝送した後段
階Ｓ２４を行って主ホストコンピュータ１０にＰＰＩＤ
エラーメッセージを伝送して主ホストコンピュータ１０
でホストコンピュータ２０と通信する途中にＰＰＩＤエ
ラーのエラーを判断する段階Ｓ８が行えるようにする。
【００４６】前述した図３のホストコンピュータ２０の
動作と関連して、図４において拡散炉３０は段階Ｓ２６
でホストコンピュータ２０と通信し、通信する途中に段
階Ｓ２８を行ってホストコンピュータ２０から図３の段
階Ｓ１６で伝送されたウェーハ量、ＰＰＩＤ情報及び動
作開始命令を受信する。これらの情報が受信されれば拡
散炉３０は入力情報による初期化設定動作を行い、この
際拡散炉３０で行われる工程は入力されるＰＰＩＤ情報
に応じて決定され、初期化動作は該当ＰＰＩＤプログラ
ムに基づいて行われる。この初期化状態を設定した後、
拡散炉３０は段階Ｓ３０を行ってホストコンピュータ２
０に現在設定されたＰＰＩＤ情報をバックアップして伝
送する。前記段階Ｓ３０を行った後拡散炉３０は、ホス
トコンピュータ２０からバックアップされたＰＰＩＤが
正確か否かによる動作待機命令が入力されたかを段階Ｓ
３２で確認した後、動作待機命令が入力されたら段階Ｓ
３４を行って工程遂行動作を中止する待機状態と設定
し、所定時間内に動作待機命令が入力されなければ段階
Ｓ３８を行って該当工程を遂行する。
【００４７】結局、ホストコンピュータ２０はＰＰＩＤ
変更命令を拡散炉３０のような工程遂行装置に伝送する
毎に伝送されたＰＰＩＤに対する内容をバックアップさ
れた後、これを比較して一致していなければ伝送が正確
に行われていないと判断して工程遂行装置の動作を待機
状態と設定する。
【００４８】すると、作業者は主ホトスコンピュータ１
０を用いて半導体素子を製造する全工程を制御する途中
にＰＰＩＤエラーメッセージが表示されれば工程遂行装
置の設定状態を確かめてからリセットさせれば正確な工
程が行える。
【００４９】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、シス
テムエラー、通信障害、ソフトウェア的な問題により生
ずる工程遂行装置の工程エラーが自動的に確認できるの
で、該当工程が行われる前に工程遂行装置の動作を中止
させることにより工程エラーによる不良及び品質劣化が
生じない。よって、不良率が改善され、システム管理に
おいて自動化がなされ作業性を向上できる。
【００５０】以上の本発明は前述した実施形態について
のみ詳述されたか、本発明の技術思想の範囲内で多様な
変形及び修正の可能なことは当業者にとって明らかであ
り、かかる変形及び修正は特許請求範囲に属することは
勿論である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体素子製造工程のシステムの
実施形態を示したブロック図である。
【図２】図１の主ホストコンピュータで行われる動作を
示す流れ図である。
【図３】図１のホストコンピュータで行われる動作を示
す流れ図である。
【図４】図１の拡散炉で行われる動作を示す流れ図であ
る。
【図５】拡散炉で相異なるプログラムにより設定された
工程が交番に行われることを示す工程図である。
【符号の説明】
１０ 主ホストコンピュータ ２０、２２ ホストコンピュータ ３０ 拡散炉 ３２ ＣＶＤ装置 Ｓ２〜Ｓ３８ 段階

Claims (10)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 工程プログラム情報と製造するウェーハ
    情報とが入力されると当該情報を伝送する主ホストコン
    ピュタと、 前記主ホストコンピュータから伝送された工程プログラ
    ム情報とウェーハ情報を読み取って前記工程プログラム
    情報及び動作開始命令を伝送するホストコンピュータ
    と、 前記ホストコンピュータから前記動作開始命令と工程プ
    ログラム情報が受信されると前記工程プログラム情報を
    前記ホストコンピュータにバックアップさせる工程遂行
    装置と、 前記工程遂行装置から伝送された工程プログラム情報の
    バックアップと前記主ホストコンピュタから伝送された
    工程プログラム情報とが異なるときに限り動作待機命令
    を工程遂行装置に伝送し、当該伝送される動作待機命令
    により当該工程遂行装置の動作を中止させる制御手段
    と、 を備えたことを特徴とする半導体素子製造工程の制御シ
    ステム。
  2. 【請求項２】 工程プログラム情報と製造するウェーハ
    情報が入力されれば前記情報を伝送する主ホストコンピ
    ュタと、 前記主ホストコンピュータとデータバスより接続されて
    おり、前記主ホストコンピュータから伝送された工程プ
    ログラム情報とウェーハ情報を読み取って前記工程プロ
    グラム情報及び動作開始命令を伝送し、前記伝送された
    工程プログラム情報のバックアップが受信されればバッ
    クアップされた工程プログラム情報が伝送されたものと
    同一であるかを判断してエラー発生時動作待機命令を伝
    送するホストコンピュータと、 前記ホストコンピュータとデータバスより接続されてお
    り、前記ホストコンピュータから前記動作開始命令と工
    程プログラム情報が受信されれば前記工程プログラム情
    報を前記ホストコンピュータにバックアップさせ、前記
    ホストコンピュータから動作待機命令が受信されれば動
    作を中止する工程遂行装置とを含めて構成されることを
    特徴とする半導体素子製造工程の制御システム。
  3. 【請求項３】 前記工程遂行装置は拡散炉であることを
    特徴とする請求項１および請求項２記載の半導体素子製
    造工程の制御システム。
  4. 【請求項４】 前記工程遂行装置は化学気相蒸着装置で
    あることを特徴とする請求項１および請求項２記載の半
    導体素子製造工程の制御システム。
  5. 【請求項５】 主ホストコンピュータ、ホストコンピュ
    ータ及び工程遂行装置より構成された半導体素子製造工
    程の制御方法において、 前記主ホストコンピュータにユーザーが工程プログラム
    情報及び製造するウェーハ情報を入力すれば、前記情報
    が前記ホストコンピュータに入力され、当該情報を読み
    取って動作開始命令と前記工程プログラム情報が前記ホ
    ストコンピュータから前記工程遂行装置に伝送される過
    程と、 前記工程プログラム情報が前記工程遂行装置から前記ホ
    ストコンピュータにバックアップされる過程と、 前記バックアップされた工程プログラム情報が前記伝送
    された工程プログラム情報と同一かを前記ホストコンピ
    ュータで判断される過程と、 前記バックアップされた工程プログラム情報が前記伝送
    された工程プログラム情報と異なると前記ホストコンピ
    ュータから動作待機命令が伝送されて前記工程遂行装置
    の動作が中止され、前記バックアップされた工程プログ
    ラム情報が前記伝送された工程プログラム情報と等しけ
    れば前記工程遂行装置の動作を進める過程とを含めて構
    成されることを特徴とする半導体素子製造工程の制御方
    法。
  6. 【請求項６】 前記動作待機命令が前記ホストコンピュ
    ータから前記工程遂行装置に出力される時にエラーメッ
    セージが前記ホストコンピュータから前記主ホストコン
    ピュータに出力されることを特徴とする請求項１、請求
    項２および請求項５記載の半導体素子製造工程の制御方
    法。
  7. 【請求項７】 前記エラーメッセージが前記主ホストコ
    ンピュータにより音響として出力されることを特徴とす
    る請求項６記載の半導体素子製造工程の制御方法。
  8. 【請求項８】 前記エラーメッセージが前記主ホストコ
    ンピュータにより視覚的に表示されることを特徴とする
    請求項６記載の半導体素子製造工程の制御方法。
  9. 【請求項９】 前記動作開始命令及び前記工程プログラ
    ム情報が前記ホストコンピュータに伝送され所定待機時
    間を有してから前記工程遂行装置の工程が進められるこ
    とを特徴とする請求項１、請求項２および請求項５記載
    の半導体素子製造工程の制御方法。
  10. 【請求項１０】 前記ホストコンピュータは前記所定待
    機時間内に前記バックアップされた情報を判断して前記
    動作待機命令を伝送することを特徴とする請求項９記載
    の半導体素子製造工程の制御方法。
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