JP2710343B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JP2710343B2
JP2710343B2 JP17225088A JP17225088A JP2710343B2 JP 2710343 B2 JP2710343 B2 JP 2710343B2 JP 17225088 A JP17225088 A JP 17225088A JP 17225088 A JP17225088 A JP 17225088A JP 2710343 B2 JP2710343 B2 JP 2710343B2
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boat
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和隆 池田
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九州日本電気株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造方法に関する。
〔従来の技術〕
従来の拡散炉装置を第3図に示す。第3図において、
1は炉芯管、2はヒータ3の熱を受けて炉芯管1を均一
に加熱する均熱管、5は炉芯管1に設けたガス導入口、
4は複数の半導体基板6を並列に保持するボート、7は
複数のボート4を搭載するマザーボートである。従来の
装置において、マザーボート7に熱センサがなく、しか
もマザーボート7の入出炉のスピードは固定となってお
り、又、炉内で処理する温度より低い温度で入出炉し、
炉内にて処理温度まで上昇させ処理するようになってい
た。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の拡散炉装置はマザーボート7上の総熱
量差に応じて入出炉のスピードがコントロールされてい
ないために、マザーボート7上の位置で半導体基板6の
受ける総熱量が異なり、熱酸化膜膜厚のバラツキ,特性
のバラツキが大きくなるという欠点がある。
本発明の目的は前記課題を解決した半導体装置の製造
方法を提供することにある。
〔発明の従来技術に対する相違点〕
上述した従来の拡散炉装置に対し、本発明は一定間隔
に熱センサを持つマザーボートを有し、入炉開始から出
炉終了まで積算熱量を算出し、入出炉スピードをコント
ロールすることにより、マザーボート上のどの位置でも
半導体基板の受ける総熱量を一定にできるという相違点
がある。
〔課題を解決するための手段〕
前記目的を達成するため、本発明に係る半導体装置の
製造方法は、各種ガス雰囲気中で半導体基板上に熱処理
叉は不純物拡散する半導体装置の製造方法において、 炉心管内に半導体基板を入出炉させるマザーボート上
に複数の熱センサを定間隔に設置し、 前記熱エンサからの出力に基づいて入炉開始から出炉
終了までのマザーボート上の熱センサが受ける積算熱量
を算出し、 前記マザーボート上の熱センサが受ける総熱量が一定
になるように、マザーボートの出炉スピードをコントロ
ールするとともに、炉の加熱用ヒータの加熱温度をコン
トロールして、マザーボートを出炉させるものである。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図により説明する。
(参考例) 第1図は本発明の参考例を示す縦断面図である。
図において、1はガス導入口5をもつ炉芯管、2はヒ
ータ3の熱を受けて炉芯管1を均一に加熱する均熱管、
4は複数の半導体基板6を並列に保持するボート、7は
複数のボート4を搭載して炉芯管1内に出入するマザー
ボートである。
参考例はマザーボート7上に熱センサ8を一定間隔毎
に、具体的には搭載された各ボート4に隣接させてその
長さ方向に沿って配列し、さらに熱センサ8の出力に基
いて入炉開始から出炉終了までの積算熱量を算出し、マ
ザーボート7の出炉スピードをマザーボート7上の熱セ
ンサ8が受ける総熱量が一定になるようにコントロール
するボートスピードコントローラ9を装備したものであ
る。
参考例によれば、マザーボート7の炉芯管1への入炉
開始から出炉終了までの積算熱量をマザーボート7の熱
センサ8からの出力に基いて算出し、その値に応じてマ
ザーボート7の入出炉スピードをコントロールする。
(実施例1) 第2図は本発明の実施例1を示す縦断面図である。
本発明の実施例1はマザーボート7上に熱センサ8一
定間隔毎に有するとともに、ヒータ3と炉芯管1の間に
熱センサ8を有する。本発明の実施例1によれば、両熱
センサ8からの出力に基いて入炉開始から出炉終了まで
のマザーボート7上の熱センサ8が受ける積算熱量を算
出し、マザーボート7上の熱センサ8が受ける総熱量が
一定になるように、マザーボード7の入出炉スピードを
コントロールするとともに、ヒータ3の温度を温度コン
トローラ10でコントロールしながら入出炉するため、炉
内位置での総熱量差がなくなるという利点がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は一定間隔に熱センサを持
つマザーボートを有し、熱センサからの出力に基づいて
入炉開始から出炉終了までのマザーボート上の熱センサ
が受ける積算熱量を算出し、マザーボート上の熱センサ
が受ける総熱量が一定になるように、マザーボートの出
炉スピードをコントロールするとともに、炉の加熱用ヒ
ータの加熱温度をコントロールして、マザーボートを出
炉させるため、マザーボート上のどの位置でも半導体基
板の受ける総熱量が一定となり、熱酸化膜膜厚バラツキ
おび特性のバラツキが小さくなるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の参考例を示す縦断面図、第2図は本発
明の実施例1を示す縦断面図、第3図は従来例を示す縦
断面図である。 1……炉芯管、2……均熱管 3……ヒータ、4……ボート 5……ガス導入口、6……半導体基板 7……マザーボート、8……熱センサ 9……ボートスピードコントローラ 10……温度コントローラ

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】各種ガス雰囲気中で半導体基板上に熱処理
    叉は不純物拡散する半導体装置の製造方法において、 炉心管内に半導体基板を入出炉させるマザーボート上に
    複数の熱センサを定間隔に設置し、 前記熱センサからの出力に基づいて入炉開始から出炉終
    了までのマザーボート上の熱センサが受ける積算熱量を
    算出し、 前記マザーボート上の熱センサが受ける総熱量が一定に
    なるように、マザーボートの出炉スピードをコントロー
    ルするとともに、炉の加熱用ヒータの加熱温度をコント
    ロールして、マザーボートを出炉させることを特徴とす
    る半導体装置の製造方法。
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