JPH0218928A - 拡散炉装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は横置きの反応炉内でウェハースに対し酸化拡散
の処理を行う拡散炉装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種の拡散炉装置は、反応炉の横方向のフロン
ト側、センター側、リヤ側の温度コントロールは行って
いたが、炉の縦方向すなわち上下方向での温度コントロ
ールは行えるようにはなっていなかった。

〔発明が解決しようとする１１題〕 上述した従来の拡散炉装置は炉の縦方向すなわち上下方
向のそれぞれの温度を測定する機能をもっていなかった
。また、その温度差が分かってもその差を零とすること
ができるヒータ構造になっておらず、炉の縦方向の温度
差については、コントロールできなかった。そのために
炉の縦方向の上下での温度差が生じると、ウェハースに
酸化膜を付ける際、膜厚がウェハースの面内でバラつい
てしまうという問題があった。

本発明の目的は前記課題を解決した拡散炉装置を提供す
ることにある。

〔発明の従来技術に対する相違点〕

上述した従来の拡散炉装置に対し、本発明は反応管の上
下の温度を測定し、その上下の温度差を零にコントロー
ルするという相違点を有する。

〔課題を解決するための手段〕

前記目的を達成するため、本発明はメインヒータにより
加熱される横置きの反応炉内でウェハースに対し酸化拡
散の処理を行う拡散炉装置において、横置きの反応炉内
の上部と下部の温度を測定するセンサと、前記反応炉の
上部と下部とを別個独立に加熱するサブヒータと、前記
センサの出力に基づいて前記サブヒータによる炉温度の
制御を行うコントローラとを有するものである。

〔実施例〕

以下１本発明の実施例を図により説明する。

（実施例１） 第１図（ａ）は本発明の実施例１を示す概略図、（ｂ）
は同縦断面図である。

メインヒータ１は反応管３の外周にスパイラル状に巻か
れており、半導体基板２はメインヒータ１内の反応管３
の中に入れられ熱処理される。反応管３の外周には上部
と下部とを別個独立に局部的に加熱するサブヒータ６が
取付けられ、また反応管３内には、反応管３の上下の温
度差を測定する２組の熱電対（センサ）４が取付けられ
ている。

ここでの温度は温度コントローラ５でモニターされ、温
度差が生じている場合は、上下にあるサブヒータ６の温
度の低い側を発熱させることにより、上下の温度差をコ
ントロールすることができる。

（実施例２） 第２図は本発明の実施例２を示す概略図である。

本実施例では反応管３内に複数の熱電対４が取付けられ
、かつ複数のサブヒータ６が反応管３の外周に一定ピッ
チで取付けである。

この実施例では、熱電対４とサブヒータ６が複数本取付
けられており、例えば下側を熱する際もサブヒータ６の
１本のみを発熱させるのでなく、効果的に複数のサブヒ
ータ６に、ある比を持たせて電流を流すことによりスム
ーズに効率良く温度を上昇させ、安定させることができ
る利点がある。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明の拡散炉装置は反応管の上下
の温度を測定し、その差が零となるように炉温をコント
ロールすることにより、温度差によるウェハース面内で
の熱履歴の差や酸化膜厚等のバラツキを防止できるとい
う効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は本発明の実施例１を示す概略図、第１図
（ｂ）は同縦断面図、第２図は本発明の実施例２を示す
概略図である。 １・・・メインヒータ　　　　２・・・半導体基板３・
・・反応管 ４・・・炉温測定用熱電対（センサ） ５・・・温度コントローラ　　６・・・サブヒータ特許
出願人　　九州日本電気株式会社 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）メインヒータにより加熱される横置きの反応炉内
   でウェハースに対し酸化拡散の処理を行う拡散炉装置に
   おいて、横置きの反応炉内の上部と下部の温度を測定す
   るセンサと、前記反応炉の上部と下部とを別個独立に加
   熱するサブヒータと、前記センサの出力に基づいて前記
   サブヒータによる炉温度の制御を行うコントローラとを
   有することを特徴とする拡散炉装置。