JPH04206816A - 半導体製造装置の電気炉 - Google Patents

半導体製造装置の電気炉

Info

Publication number
JPH04206816A
JPH04206816A JP33748990A JP33748990A JPH04206816A JP H04206816 A JPH04206816 A JP H04206816A JP 33748990 A JP33748990 A JP 33748990A JP 33748990 A JP33748990 A JP 33748990A JP H04206816 A JPH04206816 A JP H04206816A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
furnace
temperature
boat
thermocouple
semiconductor manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP33748990A
Other languages
English (en)
Inventor
Norihito Saigo
雑喉 礼人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP33748990A priority Critical patent/JPH04206816A/ja
Publication of JPH04206816A publication Critical patent/JPH04206816A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は電熱ヒーターにかかる電圧な熱電対の起電力
に応して制御する半導体製造装置の電気炉に関するもの
である。
〔従来の技術〕
第3図は従来の半導体製造装置に用いられる電気炉の断
面図で、図において、(1)は石英管、(2)は石英管
(1)を取り巻くヒーターコイル、(3)はウェハを積
載するポート、(4)はポート(3)を支持する保温筒
、(5)はエンドキャップ、(6)は熱電対、(7)は
温度制御を行うコントローラーユニットである。
次に動作について説明する。炉の温度は3分割されたヒ
ーター(2)によって、各ソーンか独立に制御されてい
る。その温度制御力法は、オートプロファイル方式を取
っている。熱電対(6)て観測した温度を炉内が所望の
温度になるように、あらかしめ記憶させた値になるよう
温度コントローラーユニッh(7)て制御をする。
〔発明か解決しようと)j−る課題〕
従来の半導体製造装置の電気炉は炉壁に配置した熱電対
て炉内の71′、X度を制御′1−るため、炉内の温度
が所望の値になるように補rFをかけなければならず、
また、炉内の温度を直接観測していないのて、炉内の温
度が1−れても瞬時に対応てきないという問題点があっ
た。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、炉内の温度を直接モニタリンクし温度制御て
きる゛ト導体製造装置の電気炉を得ることを1」的とす
る。
〔課題を解決1)−るためのf段〕 この発明に係る半導体製造装置の電気炉は、熱電対をボ
ート組み込んだものである。
〔作用〕
この発明における半導体製造装置の電気炉は、ウェハ真
近の温度をモニターして制御するため、温度補張を行う
必要がなく、炉温の変化に瞬時に対応できる。
〔実施例〕
以ト−1この発明の一実施例を図について説明する。第
1図において、(3)はウェハを積載するボート、(6
)はボート(3)の支柱の1つに埋め込まれた熱電対、
(5)はボート(3)を支持するエンドキャップである
。これらのボート、エンドキャップを用いた′電気炉の
全体図を第2図に示す。図において、(1)は石英管、
(2)はそれを取り巻くヒーターコイル、(3)はボー
ト、(6)はポー113)に埋め込まれた熱電対、(5
)はボート(3)を支持するエンドキャラブ、(7)は
ン品度コントローラーユニ・ントである。
次に動作について説明する。ボート(3)に埋め込まれ
た熱電対(6)によって炉内の温度を測定し、その熱起
電力が温度コントローラーユニット(7)へ伝えられ、
そわに応じた電圧かヒーター(2)にかけられ炉内の温
度を制御する。
なお、ト記実施例におけるr−S体製造装置の電気炉は
ウェハの−rオン江大の場合について説明したが、酸化
炉、拡散炉、CVD炉に応用できることは言うまてもな
い。
〔発明の効果〕
以北のようにこの発明によれば、熱電対をボート内に設
けたので、炉内の温度で直接制御でき補正を加える必要
がない。また、炉内の温度のずれに瞬時に対応できるな
どの効果かある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例であるボートの斜視図、第
2図は第1図のボートを用いた電気炉の断面図、第3図
は従来の電気炉の断面図である。 図において、(1)は石英管、(2)はヒーターコイル
、(3)はボート、(5)はエン]・キャップ、(6)
は熱電対、(7)は温度コントローラーユニットを示す
。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  石英管とそれを取り巻く電熱ヒーターと、ウェハを積
    載するためのボートと、それを支持するエンドキャップ
    と、熱電対と、温度を制御するユニットとを備えた半導
    体製造装置において、前記熱電対を前記ボートに組み込
    んだことを特徴とする半導体製造装置の電気炉。
JP33748990A 1990-11-30 1990-11-30 半導体製造装置の電気炉 Pending JPH04206816A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33748990A JPH04206816A (ja) 1990-11-30 1990-11-30 半導体製造装置の電気炉

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33748990A JPH04206816A (ja) 1990-11-30 1990-11-30 半導体製造装置の電気炉

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04206816A true JPH04206816A (ja) 1992-07-28

Family

ID=18309133

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33748990A Pending JPH04206816A (ja) 1990-11-30 1990-11-30 半導体製造装置の電気炉

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04206816A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990038729A (ko) * 1997-11-06 1999-06-05 윤종용 웨이퍼의 실제 온도를 측정하는 감지장치를 갖는 종형 확산로
CN102560681A (zh) * 2010-12-16 2012-07-11 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 测温装置及扩散炉

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990038729A (ko) * 1997-11-06 1999-06-05 윤종용 웨이퍼의 실제 온도를 측정하는 감지장치를 갖는 종형 확산로
CN102560681A (zh) * 2010-12-16 2012-07-11 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 测温装置及扩散炉
CN102560681B (zh) * 2010-12-16 2016-05-25 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 测温装置及扩散炉

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5603772A (en) Furnace equipped with independently controllable heater elements for uniformly heating semiconductor wafers
US20210116481A1 (en) System and method for controlling power to a heater
KR20120099592A (ko) 열처리 장치 및 그 제어 방법
KR20030076382A (ko) 열처리 방법 및 열처리 장치
JPH04206816A (ja) 半導体製造装置の電気炉
JP2583503B2 (ja) 熱処理装置
JP3757809B2 (ja) 温度調節器
JP3074312B2 (ja) 気相成長方法
JPH02218117A (ja) 熱処理装置
KR100849012B1 (ko) 열처리 장치 및 열처리 방법
JPH03165486A (ja) 処理液温度調節装置
JP3050401B2 (ja) 加熱装置
JP3629325B2 (ja) 試料温度制御方法
JP3074823B2 (ja) 半導体ウェハー用熱処理装置
JP4230716B2 (ja) 基板処理装置
JPH03145122A (ja) 半導体熱処理装置用温度制御装置
JPH11270554A (ja) 被加熱軸の軸受回転不良防止方法及び装置
JPH06104198A (ja) ランプアニール装置
JPH06188208A (ja) 拡散炉装置
JP2003126674A (ja) 高温高圧容器の温度制御方法
JPH06264152A (ja) 均熱炉の温度制御方法
JPS63124424A (ja) 試料の加熱方法
JPS61110713A (ja) 焼鈍炉の温度制御方式
JPH0218928A (ja) 拡散炉装置
JPS63102224A (ja) 半導体素子の製造炉