JP2643990B2 - 拡散炉装置 - Google Patents
拡散炉装置Info
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- JP2643990B2 JP2643990B2 JP16933688A JP16933688A JP2643990B2 JP 2643990 B2 JP2643990 B2 JP 2643990B2 JP 16933688 A JP16933688 A JP 16933688A JP 16933688 A JP16933688 A JP 16933688A JP 2643990 B2 JP2643990 B2 JP 2643990B2
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- Japan
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- temperature
- furnace
- sub
- diffusion furnace
- heater
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は横置きの反応炉内でウェハースに対し酸化拡
散の処理を行う拡散炉装置に関する。
散の処理を行う拡散炉装置に関する。
従来、この種の拡散炉装置は、反応炉の横方向のフロ
ント側，センター側，リヤ側の温度コントロールは行っ
ていたが、炉の縦方向すなわち上下方向での温度コント
ロールは行えるようにはなっていなかった。
ント側，センター側，リヤ側の温度コントロールは行っ
ていたが、炉の縦方向すなわち上下方向での温度コント
ロールは行えるようにはなっていなかった。
上述した従来の拡散炉装置は炉の縦方向すなわち上下
方向のそれぞれの温度を測定する機能をもっていなかっ
た。また、その温度差が分かってもその差を零とするこ
とができるヒータ構造になっておらず、炉の縦方向の温
度差については、コントロールできなかった。そのため
に炉の縦方向の上下での温度差が生じると、ウェハース
に酸化膜を付ける際、膜厚がウェハースの面内でバラつ
いてしまうという問題があった。
方向のそれぞれの温度を測定する機能をもっていなかっ
た。また、その温度差が分かってもその差を零とするこ
とができるヒータ構造になっておらず、炉の縦方向の温
度差については、コントロールできなかった。そのため
に炉の縦方向の上下での温度差が生じると、ウェハース
に酸化膜を付ける際、膜厚がウェハースの面内でバラつ
いてしまうという問題があった。
本発明の目的は前記課題を解決した拡散炉装置を提供
することにある。
することにある。
上述した従来の拡散炉装置に対し、本発明は反応管の
上下の温度を測定し、その上下の温度差を零にコントロ
ールするという相違点を有する。
上下の温度を測定し、その上下の温度差を零にコントロ
ールするという相違点を有する。
前記目的を達成するため、本発明はメインヒータによ
り加熱される横置きの反応炉内でウェハースに対し酸化
拡散の処理を行う拡散炉装置において、横置きの反応炉
内の上部と下部の温度を測定するセンサと、前記反応炉
の上部と下部とを別個独立に加熱するサブヒータと、前
記センサの出力に基づいて前記サブヒータによる炉温度
の制御を行うコントローラとを有するものである。
り加熱される横置きの反応炉内でウェハースに対し酸化
拡散の処理を行う拡散炉装置において、横置きの反応炉
内の上部と下部の温度を測定するセンサと、前記反応炉
の上部と下部とを別個独立に加熱するサブヒータと、前
記センサの出力に基づいて前記サブヒータによる炉温度
の制御を行うコントローラとを有するものである。
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１） 第１図（ａ）は本発明の実施例１を示す概略図、
（ｂ）は同縦断面図である。
（ｂ）は同縦断面図である。
メインヒータ１は反応管３の外周にスパイラル状に巻
かれており、半導体基板２はメインヒータ１内の反応管
３の中に入れられ熱処理される。反応管３の外周には上
部と下部とを別個独立に局部的に加熱するサブヒータ６
が取付けられ、また反応管３内には、反応管３の上下の
温度差を測定する２組の熱電対（センサ）４が取付けら
れている。ここでの温度は温度コントローラ５でモニタ
ーされ、温度差が生じている場合は、上下にあるサブヒ
ータ６の温度の低い側を発熱させることにより、上下の
温度差をコントロールすることができる。
かれており、半導体基板２はメインヒータ１内の反応管
３の中に入れられ熱処理される。反応管３の外周には上
部と下部とを別個独立に局部的に加熱するサブヒータ６
が取付けられ、また反応管３内には、反応管３の上下の
温度差を測定する２組の熱電対（センサ）４が取付けら
れている。ここでの温度は温度コントローラ５でモニタ
ーされ、温度差が生じている場合は、上下にあるサブヒ
ータ６の温度の低い側を発熱させることにより、上下の
温度差をコントロールすることができる。
（実施例２） 第２図は本発明の実施例２を示す概略図である。
本実施例では反応管３内に複数の熱電対４が取付けら
れ、かつ複数のサブヒータ６が反応管３の外周に一定ピ
ッチで取付けてある。
れ、かつ複数のサブヒータ６が反応管３の外周に一定ピ
ッチで取付けてある。
この実施例では、熱電対４とサブヒータ６が複数本取
付けられており、例えば下側を熱する際もサブヒータ６
の１本のみを発熱させるのでなく、効果的に複数のサブ
ヒータ６に、ある比を持たせて電流を流すことによりス
ムーズに効率良く温度を上昇させ、安定させることがで
きる利点がある。
付けられており、例えば下側を熱する際もサブヒータ６
の１本のみを発熱させるのでなく、効果的に複数のサブ
ヒータ６に、ある比を持たせて電流を流すことによりス
ムーズに効率良く温度を上昇させ、安定させることがで
きる利点がある。
以上説明したように本発明の拡散炉装置は反応管の上
下の温度を測定し、その差が零となるように炉温をコン
トロールすることにより、温度差によるウェハース面内
での熱履歴の差や酸化膜厚等のバラツキを防止できると
いう効果がある。
下の温度を測定し、その差が零となるように炉温をコン
トロールすることにより、温度差によるウェハース面内
での熱履歴の差や酸化膜厚等のバラツキを防止できると
いう効果がある。
第１図（ａ）は本発明の実施例１を示す概略図、第１図
（ｂ）は同縦断面図、第２図は本発明の実施例２を示す
概略図である。 １……メインヒータ、２……半導体基板 ３……反応管 ４……炉温測定用熱電対（センサ） ５……温度コントローラ、６……サブヒータ
（ｂ）は同縦断面図、第２図は本発明の実施例２を示す
概略図である。 １……メインヒータ、２……半導体基板 ３……反応管 ４……炉温測定用熱電対（センサ） ５……温度コントローラ、６……サブヒータ
Claims (1)
- 【請求項１】メインヒータにより加熱される横置きの反
応炉内でウェハースに対し酸化拡散の処理を行う拡散炉
装置において、横置きの反応炉内の上部と下部の温度を
測定するセンサと、前記反応炉の上部と下部とを別個独
立に加熱するサブヒータと、前記センサの出力に基づい
て前記サブヒータによる炉温度の制御を行うコントロー
ラとを有することを特徴とする拡散炉装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16933688A JP2643990B2 (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | 拡散炉装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16933688A JP2643990B2 (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | 拡散炉装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0218928A JPH0218928A (ja) | 1990-01-23 |
| JP2643990B2 true JP2643990B2 (ja) | 1997-08-25 |
Family
ID=15884668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16933688A Expired - Lifetime JP2643990B2 (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | 拡散炉装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2643990B2 (ja) |
-
1988
- 1988-07-07 JP JP16933688A patent/JP2643990B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0218928A (ja) | 1990-01-23 |
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