JPH04365320A - 半導体装置用拡散炉 - Google Patents
半導体装置用拡散炉Info
- Publication number
- JPH04365320A JPH04365320A JP16871891A JP16871891A JPH04365320A JP H04365320 A JPH04365320 A JP H04365320A JP 16871891 A JP16871891 A JP 16871891A JP 16871891 A JP16871891 A JP 16871891A JP H04365320 A JPH04365320 A JP H04365320A
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- JP
- Japan
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- furnace
- semiconductor
- core tube
- semiconductor wafer
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- Pending
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 42
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 33
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 12
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置用拡散炉に関
し、特に熱処理用拡散炉の改良に関する。
し、特に熱処理用拡散炉の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体装置用拡散炉は、
図２に示すように、ヒーター２で加熱した直径２０ｃｍ
の炉心管１の入出炉口７から石英ボート３上の半導体ウ
ェハー６を入炉後、ガス流出口８よりガスを流出し、直
径２０ｃｍの炉心管１内で熱処理を行っている。
図２に示すように、ヒーター２で加熱した直径２０ｃｍ
の炉心管１の入出炉口７から石英ボート３上の半導体ウ
ェハー６を入炉後、ガス流出口８よりガスを流出し、直
径２０ｃｍの炉心管１内で熱処理を行っている。
【０００３】この際、直径２０ｃｍの炉心管１の入出炉
口７より石英ボート３上の半導体ウェハー６を入炉し、
ガス流出口８よりガスを流出して熱処理を行った後、同
一の入出炉口７より出炉する。
口７より石英ボート３上の半導体ウェハー６を入炉し、
ガス流出口８よりガスを流出して熱処理を行った後、同
一の入出炉口７より出炉する。
【０００４】従って、石英ボート３上の半導体ウェハー
６は、先に入炉したものは後に出炉し、後に入炉したも
のは先に出炉している。
６は、先に入炉したものは後に出炉し、後に入炉したも
のは先に出炉している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体装置
用拡散炉は、ヒーター２で加熱した直径２０ｃｍの炉心
管１の入出炉口７から、石英ボート３上の半導体ウェハ
ー６を入炉後、ガス流出口８よりガスを流出して熱処理
をする際、同一の入出炉口７より半導体ウェハー６を入
出炉させるので、先に入炉した半導体ウェハーは後に出
炉し、後に入炉した半導体ウェハーは先に出炉すること
となり、１００枚以上の半導体ウェハーを熱処理する場
合、各半導体ウェハーの熱処理時間が異なるという欠点
がある。
用拡散炉は、ヒーター２で加熱した直径２０ｃｍの炉心
管１の入出炉口７から、石英ボート３上の半導体ウェハ
ー６を入炉後、ガス流出口８よりガスを流出して熱処理
をする際、同一の入出炉口７より半導体ウェハー６を入
出炉させるので、先に入炉した半導体ウェハーは後に出
炉し、後に入炉した半導体ウェハーは先に出炉すること
となり、１００枚以上の半導体ウェハーを熱処理する場
合、各半導体ウェハーの熱処理時間が異なるという欠点
がある。
【０００６】本発明の目的は、各半導体ウェハーの熱酸
化膜等のバラツキをなくした半導体装置用拡散炉を提供
することにある。
化膜等のバラツキをなくした半導体装置用拡散炉を提供
することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
、本発明に係る半導体装置用拡散炉においては、炉心管
と、ボートとを有する半導体装置用拡散炉であって、炉
心管は、両端開口に入炉口と出炉口とを分離して設けた
ものであり、ボートは、半導体ウェハーを支持し、炉心
管の入炉口から入炉して該炉心管内を通過し、該炉心管
の出炉口から出炉するものである。
、本発明に係る半導体装置用拡散炉においては、炉心管
と、ボートとを有する半導体装置用拡散炉であって、炉
心管は、両端開口に入炉口と出炉口とを分離して設けた
ものであり、ボートは、半導体ウェハーを支持し、炉心
管の入炉口から入炉して該炉心管内を通過し、該炉心管
の出炉口から出炉するものである。
【０００８】
【作用】本発明では、先に入炉した半導体ウェハーは先
に出炉し、後に入炉した半導体ウェハーは後に出炉する
ことにより、各半導体ウェハーの熱処理時間を均一にす
るようにしたものである。
に出炉し、後に入炉した半導体ウェハーは後に出炉する
ことにより、各半導体ウェハーの熱処理時間を均一にす
るようにしたものである。
【０００９】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。
。
【００１０】図１（ａ）は、本発明の一実施例を示す要
部を断面した平面図、図１（ｂ）は、要部を断面した側
面図である。
部を断面した平面図、図１（ｂ）は、要部を断面した側
面図である。
【００１１】図１（ａ），（ｂ）において、炉心管１は
半円型に形成され、その外周が半円型のヒーター２にて
覆われており、入炉口４と出炉口５とが両端開口にそれ
ぞれ分離して形成されている。実施例では、炉心管１は
内径２ｍ，外形２ｍ２０ｃｍの半円型に形成されている
。また、石英ボート３は円型に形成され、半円型の炉心
管２内を通過して回転可能に設置され、ウェハーを入炉
口４より入炉し、出炉口５より出炉するようにしてある
。
半円型に形成され、その外周が半円型のヒーター２にて
覆われており、入炉口４と出炉口５とが両端開口にそれ
ぞれ分離して形成されている。実施例では、炉心管１は
内径２ｍ，外形２ｍ２０ｃｍの半円型に形成されている
。また、石英ボート３は円型に形成され、半円型の炉心
管２内を通過して回転可能に設置され、ウェハーを入炉
口４より入炉し、出炉口５より出炉するようにしてある
。
【００１２】図１（ａ）に示すように、半導体装置用拡
散炉の内径２ｍ，外形２ｍ２０ｃｍの半円型炉心管１を
ヒーター２で加熱したあと、図１（ｂ）に示すように円
型石英ボート３上の半導体ウェハー６を入炉口４より入
炉する。
散炉の内径２ｍ，外形２ｍ２０ｃｍの半円型炉心管１を
ヒーター２で加熱したあと、図１（ｂ）に示すように円
型石英ボート３上の半導体ウェハー６を入炉口４より入
炉する。
【００１３】次に内径２ｍ，外形２ｍ２０ｃｍの半円型
炉心管１の中で、円型石英ボート３を移動しながら、半
導体ウェハー６をガス流出口８よりガスを流出して熱処
理し、その後、出炉口５より出炉する。
炉心管１の中で、円型石英ボート３を移動しながら、半
導体ウェハー６をガス流出口８よりガスを流出して熱処
理し、その後、出炉口５より出炉する。
【００１４】本実施例によれば、内径２ｍ，外形２ｍ２
０ｃｍの半円型炉心管１の入炉口４より入炉した半導体
ウェハー６は、図１（ｂ）に示す先頭の半導体ウェハー
６ａが最初に熱処理され、最後尾の半導体ウェハー６ｂ
が最後に熱処理され、出炉口５より先頭の半導体ウェハ
ー６ａが最初に出炉し、最後尾の半導体ウェハー６ｂが
最後に出炉する。
０ｃｍの半円型炉心管１の入炉口４より入炉した半導体
ウェハー６は、図１（ｂ）に示す先頭の半導体ウェハー
６ａが最初に熱処理され、最後尾の半導体ウェハー６ｂ
が最後に熱処理され、出炉口５より先頭の半導体ウェハ
ー６ａが最初に出炉し、最後尾の半導体ウェハー６ｂが
最後に出炉する。
【００１５】従って、内径２ｍ，外形２ｍ２０ｃｍの半
円型の炉心管１内で熱処理される半導体ウェハー６の熱
処理時間が均一になり、半導体ウェハー６の熱処理時間
のバラツキを防止できる。
円型の炉心管１内で熱処理される半導体ウェハー６の熱
処理時間が均一になり、半導体ウェハー６の熱処理時間
のバラツキを防止できる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体装
置用拡散炉の炉心管を半円型にし、さらに入炉口と出炉
口を別にすることにより、先に入炉した半導体ウェハー
は、先に出炉し、後に入炉した半導体ウェハーは後に出
炉する。
置用拡散炉の炉心管を半円型にし、さらに入炉口と出炉
口を別にすることにより、先に入炉した半導体ウェハー
は、先に出炉し、後に入炉した半導体ウェハーは後に出
炉する。
【００１７】従って、炉心管内で熱処理される半導体ウ
ェハーの熱処理時間が均一になり、半導体ウェハーの熱
処理時間のバラツキを防止できる効果がある。
ェハーの熱処理時間が均一になり、半導体ウェハーの熱
処理時間のバラツキを防止できる効果がある。
【図１】（ａ）は、本発明の一実施例を示す要部を断面
した平面図、（ｂ）は、図１（ａ）の要部を断面した側
面図である。
した平面図、（ｂ）は、図１（ａ）の要部を断面した側
面図である。
【図２】従来の半導体装置用拡散炉の要部断面図である
。
。
１ 半円型炉心管
２ ヒーター
３ 石英ボート
４ 入炉口
５ 出炉口
６ 半導体ウェハー
７ 入出炉口
８ ガス流出口
Claims (1)
- 【請求項１】 炉心管と、ボートとを有する半導体装
置用拡散炉であって、炉心管は、両端開口に入炉口と出
炉口とを分離して設けたものであり、ボートは、半導体
ウェハーを支持し、炉心管の入炉口から入炉して該炉心
管内を通過し、該炉心管の出炉口から出炉するものであ
ることを特徴とする半導体装置用拡散炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16871891A JPH04365320A (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 半導体装置用拡散炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16871891A JPH04365320A (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 半導体装置用拡散炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04365320A true JPH04365320A (ja) | 1992-12-17 |
Family
ID=15873160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16871891A Pending JPH04365320A (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 半導体装置用拡散炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04365320A (ja) |
-
1991
- 1991-06-13 JP JP16871891A patent/JPH04365320A/ja active Pending
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