JPS6378518A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6378518A JPS6378518A JP22335686A JP22335686A JPS6378518A JP S6378518 A JPS6378518 A JP S6378518A JP 22335686 A JP22335686 A JP 22335686A JP 22335686 A JP22335686 A JP 22335686A JP S6378518 A JPS6378518 A JP S6378518A
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- semiconductor substrate
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Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
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- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 8
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置の製造方法に係９、特に半導体装
置の酸化、拡散方法に関するものである。
置の酸化、拡散方法に関するものである。
第２図は従来の半導体製造装置を示す断面側面図である
。同図において１は炉心管、１ａは仁の炉心管１内に不
活性ガスを注入するガス流入口、２はこの炉心管１にか
ぶせて使用する延長管、３はこの延長管２の排気口、４
は炉心管１を囲むヒーター、５は半導体基板１０を搭載
するボート、６はこのボート５を炉心ｖ１内に挿入出す
る搬送レバであり、この搬送レバ６はボートローダ７に
よシ駆動されガードレール８に沿って移動する。
。同図において１は炉心管、１ａは仁の炉心管１内に不
活性ガスを注入するガス流入口、２はこの炉心管１にか
ぶせて使用する延長管、３はこの延長管２の排気口、４
は炉心管１を囲むヒーター、５は半導体基板１０を搭載
するボート、６はこのボート５を炉心ｖ１内に挿入出す
る搬送レバであり、この搬送レバ６はボートローダ７に
よシ駆動されガードレール８に沿って移動する。
９は炉心管１の蓋となるエンドリッドである。
次に動作について説明する。ボート５に搭載された半導
体基板１０は、搬送用レバ６に設置され、ボートローダ
７により炉心管反応部１１へ送入される。このとき炉体
入口１２はエンドリッド９により蓋をされる形となる（
第３図）。この状態で所定の温度に達すると、不活性ガ
スが流入口１ａよυ炉心管反応部１２に流入し、酸化、
拡散など所望の処理を始める。そして、処理が終ると、
またボートローダＴによシ外部へボート５が引き出され
る。
体基板１０は、搬送用レバ６に設置され、ボートローダ
７により炉心管反応部１１へ送入される。このとき炉体
入口１２はエンドリッド９により蓋をされる形となる（
第３図）。この状態で所定の温度に達すると、不活性ガ
スが流入口１ａよυ炉心管反応部１２に流入し、酸化、
拡散など所望の処理を始める。そして、処理が終ると、
またボートローダＴによシ外部へボート５が引き出され
る。
従来の半導体製造装置は以上のように構成されているの
で、ボート５の炉心管１内への挿入の際。
で、ボート５の炉心管１内への挿入の際。
空気を巻込んだり、また、ボート５が出たとき。
その時まだ半導体基板１０温度は高いので、空気中で余
分に酸化されたシしてデバイスの品質に悪影響を及ぼす
という問題点があった。
分に酸化されたシしてデバイスの品質に悪影響を及ぼす
という問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、炉内への空気の巻き込みを防ぐことができ
るとともに余分な酸化を防ぐことのできる半導体装置の
製造方法を得ることを目的とする。
れたもので、炉内への空気の巻き込みを防ぐことができ
るとともに余分な酸化を防ぐことのできる半導体装置の
製造方法を得ることを目的とする。
この発明に係わる半導体装置の製造方法は半導体基板を
搭載したボートを不活性ガスを注入した炉心管内に挿入
して半導体基板を酸化、拡散させる際、この半導体基板
を搭載したボートを延長管内で一時停止させるようにし
たものである。
搭載したボートを不活性ガスを注入した炉心管内に挿入
して半導体基板を酸化、拡散させる際、この半導体基板
を搭載したボートを延長管内で一時停止させるようにし
たものである。
この発明における半導体装置の製造方法はボート挿入時
ガス流入口よシネ活性ガスを送出し、炉内のガスを置換
する。ボートは延長管内で一時停止時巻き込んだ空気を
不活性ガスによシ十分置換されるまで停止した後、炉心
管内へ入る。このため余分な酸化や不必要な物質が半導
体基板内へ導入されるのを防ぐ。またボートが出る時ま
た延長管内で停止し、不活性ガス雰囲気で温度が十分下
がった後、炉体外へ出るので、ここでの酸化も防ぐこと
ができる。
ガス流入口よシネ活性ガスを送出し、炉内のガスを置換
する。ボートは延長管内で一時停止時巻き込んだ空気を
不活性ガスによシ十分置換されるまで停止した後、炉心
管内へ入る。このため余分な酸化や不必要な物質が半導
体基板内へ導入されるのを防ぐ。またボートが出る時ま
た延長管内で停止し、不活性ガス雰囲気で温度が十分下
がった後、炉体外へ出るので、ここでの酸化も防ぐこと
ができる。
以下、図面を用いてこの発明の詳細な説明する。
第１図はこの発明による半導体装置の製造方法の一実施
例を説明するだめの半導体装置の要部断面側面図であシ
、前述の図と同一または相当する部分には同一符号を付
しである。同図において、延長管２′は、半導体基板１
０の所要数を搭載するボート５を十分に収容できる程度
の長さを有し、その開口端側には複数の排気口３が設け
られている。また、これに対応して搬送レバ６′がボー
ト５を炉心管１内の所定位置に搬送できろ程度の長さを
有して形成されている。
例を説明するだめの半導体装置の要部断面側面図であシ
、前述の図と同一または相当する部分には同一符号を付
しである。同図において、延長管２′は、半導体基板１
０の所要数を搭載するボート５を十分に収容できる程度
の長さを有し、その開口端側には複数の排気口３が設け
られている。また、これに対応して搬送レバ６′がボー
ト５を炉心管１内の所定位置に搬送できろ程度の長さを
有して形成されている。
このような構成において、半導体基板１０を搭載したボ
ート５ｆｔボートローダＩの駆動によシ延長管２′内に
挿入するとともに、炉心管１内にガス注入口１ｍから不
活性ガスを注入する。次にボート５が延長管２′内に収
まった時点でボートローダ７の駆動を停止し、ボート５
を一時停止させる。
ート５ｆｔボートローダＩの駆動によシ延長管２′内に
挿入するとともに、炉心管１内にガス注入口１ｍから不
活性ガスを注入する。次にボート５が延長管２′内に収
まった時点でボートローダ７の駆動を停止し、ボート５
を一時停止させる。
この場合、延長管２′内の空気が不活性ガスに置換され
るまで十分に停止した後、再度ボートローダγを駆動さ
せてボート５を炉心管１内へ挿入させる。次に炉心管１
内および延長管２′内に不活性ガスが十分に注入され、
炉心管１内で所定の反応が行なわれるとともに、延長管
２′の排気口３よシ図示しないダクトから送出される。
るまで十分に停止した後、再度ボートローダγを駆動さ
せてボート５を炉心管１内へ挿入させる。次に炉心管１
内および延長管２′内に不活性ガスが十分に注入され、
炉心管１内で所定の反応が行なわれるとともに、延長管
２′の排気口３よシ図示しないダクトから送出される。
引き続き反応終了後も炉心管１および延長管２′内に不
活性ガスを注入し、次いで炉心管１内のボート５を延長
管２′内までボートローダ７を駆動させて引き出す。次
にこの延長管２′内に引き続き不活性ガスを供給し。
活性ガスを注入し、次いで炉心管１内のボート５を延長
管２′内までボートローダ７を駆動させて引き出す。次
にこの延長管２′内に引き続き不活性ガスを供給し。
この不活性ガス雰囲気中でボート５に搭載された半導体
基板１０が十分に冷却された後、ボート５を延長管２′
よシ外気へ引き出すことによシ、半導体基板１０の酸化
、拡散等の処置を完了する。
基板１０が十分に冷却された後、ボート５を延長管２′
よシ外気へ引き出すことによシ、半導体基板１０の酸化
、拡散等の処置を完了する。
以上説明したようにこの発明によれば、半導体装置の酸
化、拡散処理をまったく外気に晒すことなく、不活性ガ
ス雰囲気中で行なうので、従来よシ品質的には均一で高
性能なデバイスを生産できる効果がある。
化、拡散処理をまったく外気に晒すことなく、不活性ガ
ス雰囲気中で行なうので、従来よシ品質的には均一で高
性能なデバイスを生産できる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を説明するための半導体製
造装置を示す断面側面図、第２図は従来の半導体製造装
置を示す断面側面図、第３図は従来の半導体製造装置処
理時を示す断面側面図である。 １・・・・炉心管、１ａ ａｍ・・ガス流入口。 ２′・・・・延長管、３・・・・排気口、４・・・・ヒ
ータ、５・・・・ボート、６′ψ・・・搬送レバ、７−
・・・ボートローダ、８・・・Φガードレール、９拳・
・・エントリッ）’、１０・・・・半導体基板、１１・
・・・炉心管反応部、１２・・・・炉体入口。
造装置を示す断面側面図、第２図は従来の半導体製造装
置を示す断面側面図、第３図は従来の半導体製造装置処
理時を示す断面側面図である。 １・・・・炉心管、１ａ ａｍ・・ガス流入口。 ２′・・・・延長管、３・・・・排気口、４・・・・ヒ
ータ、５・・・・ボート、６′ψ・・・搬送レバ、７−
・・・ボートローダ、８・・・Φガードレール、９拳・
・・エントリッ）’、１０・・・・半導体基板、１１・
・・・炉心管反応部、１２・・・・炉体入口。
Claims (1)
- 炉心管および延長管を有する炉体内に不活性ガスを注入
し、該炉体内に半導体基板を搭載したボートを挿入出し
、半導体基板を酸化、拡散させる半導体装置において、
前記半導体基板を酸化、拡散処理を行なう際、半導体基
板を搭載したボートを延長管内で一時停止させることを
特徴とした半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22335686A JPS6378518A (ja) | 1986-09-20 | 1986-09-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22335686A JPS6378518A (ja) | 1986-09-20 | 1986-09-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6378518A true JPS6378518A (ja) | 1988-04-08 |
Family
ID=16796873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22335686A Pending JPS6378518A (ja) | 1986-09-20 | 1986-09-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6378518A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0470733U (ja) * | 1990-10-30 | 1992-06-23 | ||
| US6159873A (en) * | 1995-03-30 | 2000-12-12 | F.T.L. Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device and production apparatus of semiconductor device |
-
1986
- 1986-09-20 JP JP22335686A patent/JPS6378518A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0470733U (ja) * | 1990-10-30 | 1992-06-23 | ||
| US6159873A (en) * | 1995-03-30 | 2000-12-12 | F.T.L. Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device and production apparatus of semiconductor device |
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