JPS6053032A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
- Publication number
- JPS6053032A JPS6053032A JP16033883A JP16033883A JPS6053032A JP S6053032 A JPS6053032 A JP S6053032A JP 16033883 A JP16033883 A JP 16033883A JP 16033883 A JP16033883 A JP 16033883A JP S6053032 A JPS6053032 A JP S6053032A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ozone
- ultraviolet rays
- wafers
- process tube
- treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野〕
本発明は、処理技術、たとえば、−１（導体装置の製造
乙こおり、ｌる、熱処理に利用して有効な技術に関する
。
乙こおり、ｌる、熱処理に利用して有効な技術に関する
。
［背景技術］
半導体装置の装造において、ウェハに酸化処理、拡散処
理を施す場合、熱処理装置が使用されるが、酸化または
拡散処理の直前に最終洗浄を行うことが有り１であると
いうことが、本発明考によって明らかにされた。
理を施す場合、熱処理装置が使用されるが、酸化または
拡散処理の直前に最終洗浄を行うことが有り１であると
いうことが、本発明考によって明らかにされた。
［発明の目的〕
本発明の目的は、最終洗浄を処理の直前に行うことがで
きる処理装置を提供することにある。
きる処理装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
［発明の概要］
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、処理室の入口に紫外線オゾン発生装置を設け
ることにより、処理室に入る直前に紫外線およびオゾン
による洗浄を加えるようにしたものである。
ることにより、処理室に入る直前に紫外線およびオゾン
による洗浄を加えるようにしたものである。
［実施例１］
第１図は本発明の一実施例である熱処理装置を示す概略
構成図である。
構成図である。
本実施例において、この熱処理装置は、処理室としての
プロセスチューブ１を備えている。プロセスチューブ１
は石英等によりほぼ円筒形状に形成され、一端にはキャ
ップ（図示せず）により開閉される入口２が形成されて
いる。プロセスチューブ１の他端には、酸素（０２）
、水素（Ｎ２）、窒素（Ｎ２）および各種拡散源ガス（
たとえば、ＢＢ ｒ３、ＰＯＣ１３）等の処理ガスを導
入するためのガス導入路３が開設されている。プロセス
チューブ１の胴部には電気ヒータ４等の加熱手段が外装
されており、このヒータ４はプロセスデユープ１内の加
熱温度を制御するようになっている。
プロセスチューブ１を備えている。プロセスチューブ１
は石英等によりほぼ円筒形状に形成され、一端にはキャ
ップ（図示せず）により開閉される入口２が形成されて
いる。プロセスチューブ１の他端には、酸素（０２）
、水素（Ｎ２）、窒素（Ｎ２）および各種拡散源ガス（
たとえば、ＢＢ ｒ３、ＰＯＣ１３）等の処理ガスを導
入するためのガス導入路３が開設されている。プロセス
チューブ１の胴部には電気ヒータ４等の加熱手段が外装
されており、このヒータ４はプロセスデユープ１内の加
熱温度を制御するようになっている。
プロセスチューブ１の前段にはガイド５が入口２まで敷
設され、ガイド５上にはボート６が摺動自在に載置され
ている。ボート６は、処理対象物としてのウェハ７を複
数枚整列して保持した状態で操作棒８によってプロセス
チューブＪに出し入れされるようになっている。
設され、ガイド５上にはボート６が摺動自在に載置され
ている。ボート６は、処理対象物としてのウェハ７を複
数枚整列して保持した状態で操作棒８によってプロセス
チューブＪに出し入れされるようになっている。
ガイド５の真上には、紫外線オゾン発生装置９がプロセ
スチューブ１０λ口２に近接して設４ノられ、紫外線お
よびオゾンを下向きに照射するようになっている。紫外
線オゾン発生装置９は、低圧水銀灯（シリカガラス管）
にオゾン発生器を組み合わせてなる構造、または、１８
４９人、２５３７人の波長の光を発生する低圧水銀灯（
石英管）からなる構造を備えている。
スチューブ１０λ口２に近接して設４ノられ、紫外線お
よびオゾンを下向きに照射するようになっている。紫外
線オゾン発生装置９は、低圧水銀灯（シリカガラス管）
にオゾン発生器を組み合わせてなる構造、または、１８
４９人、２５３７人の波長の光を発生する低圧水銀灯（
石英管）からなる構造を備えている。
次に作用を説明する。
複数枚のウェハ７が整列されたボート６は操作棒８によ
りガイド５上に摺動されて入口２からプロセスチューブ
１に搬入される。このとき、紫外線オゾン発生装置９に
より紫外線およびオゾンが注がれているので、ウェハ７
はボート６の移動に伴って紫外線およびオゾンを順次浴
びて行く。この紫外線およびオゾンは洗浄作用、たとえ
ば有機物分解作用等を有しているので、ウェハ７は最終
洗浄される。すなわち、ウェハ７はこの洗浄後、プロセ
スチューブ１への収容以前にハンドリング等の作業を全
（受けない。
りガイド５上に摺動されて入口２からプロセスチューブ
１に搬入される。このとき、紫外線オゾン発生装置９に
より紫外線およびオゾンが注がれているので、ウェハ７
はボート６の移動に伴って紫外線およびオゾンを順次浴
びて行く。この紫外線およびオゾンは洗浄作用、たとえ
ば有機物分解作用等を有しているので、ウェハ７は最終
洗浄される。すなわち、ウェハ７はこの洗浄後、プロセ
スチューブ１への収容以前にハンドリング等の作業を全
（受けない。
このようにして、最終洗浄されたウェハ７はプロセスチ
ューブ１内において所定の熱処理を施される。このとき
、ウェハ７は最終洗浄されているので、その処理精度は
きわめて高いものになる。
ューブ１内において所定の熱処理を施される。このとき
、ウェハ７は最終洗浄されているので、その処理精度は
きわめて高いものになる。
ここで、紫外線およびオゾンの洗浄作用、たとえば紫外
線の化学光線としての作用およびオゾンの酸化作用がウ
ェハ７の表層に与える形響は、熱処理の精度向上の障害
とはならない。
線の化学光線としての作用およびオゾンの酸化作用がウ
ェハ７の表層に与える形響は、熱処理の精度向上の障害
とはならない。
［実施例２］
第２図は本発明の他の実施例を示ず楯略構成図である。
本実施例が前記実施例１と異なる点は、プし１セスチユ
ーブＩＡがウェハ７を枚葉処理して行くように構成され
た点にある。
ーブＩＡがウェハ７を枚葉処理して行くように構成され
た点にある。
すなわち、プロセスチューブＩＡば枚葉処理可能な長ざ
に形成され、その両端にば１．１−ド１′Ｊ・ツク（図
示・Ｕず）を備えた入口２八と出ｌ−１（図示せず）と
がそれぞれ形成されている。プ「２セスチユーブ１Δ内
にはガス導入路３Ａが挿入されるとともに、ウェハ７を
１枚ずつ整列した状態で搬送するコンヘア５Ａが入口２
人外から出口外にわたって敷設されている。
に形成され、その両端にば１．１−ド１′Ｊ・ツク（図
示・Ｕず）を備えた入口２八と出ｌ−１（図示せず）と
がそれぞれ形成されている。プ「２セスチユーブ１Δ内
にはガス導入路３Ａが挿入されるとともに、ウェハ７を
１枚ずつ整列した状態で搬送するコンヘア５Ａが入口２
人外から出口外にわたって敷設されている。
紫外線オゾン発生装置９はコンヘア５Ａの真上にプロセ
スチューブＩＡの入口２Ａに近接して設けられている。
スチューブＩＡの入口２Ａに近接して設けられている。
コンベア５Ａにより入口２ＡからプロセスチューブＩＡ
内に１枚ずつ搬入されて行くウェハ７は、紫外線オゾン
発生装置９の下の通過中、紫外線およびオゾンを順次浴
び、最終洗浄されてプロセスチューブＩＡ内へそのまま
入って行き、所定の熱処理を施される。
内に１枚ずつ搬入されて行くウェハ７は、紫外線オゾン
発生装置９の下の通過中、紫外線およびオゾンを順次浴
び、最終洗浄されてプロセスチューブＩＡ内へそのまま
入って行き、所定の熱処理を施される。
［効果］
（１）、紫外線オゾン発生装置を設けることにより、紫
外線およびオゾンによる洗浄作用を処理対象物に施する
ことができるため、処理精度を向上させることができる
。
外線およびオゾンによる洗浄作用を処理対象物に施する
ことができるため、処理精度を向上させることができる
。
（２）、処理室の入口に紫外線オゾン発生装置を設ける
ことにより、最終洗浄することができ、洗浄後の百ｌη
染が回避できる。
ことにより、最終洗浄することができ、洗浄後の百ｌη
染が回避できる。
（３）、処理室の入口に紫外線オゾン発生装置を設ける
ことにより、処理室への処理対象物搬入機構が共用でき
るため、専用の１１人、ＩＭ出機構を設けなくて済み、
占拠スペース、経済性等の点で有利である。
ことにより、処理室への処理対象物搬入機構が共用でき
るため、専用の１１人、ＩＭ出機構を設けなくて済み、
占拠スペース、経済性等の点で有利である。
以上本発明考乙こよってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
たとえば、紫外線オゾン発生装置の形状、構造等には限
定がなく、紫外線、オゾン浴のｌｈ５間、強さ等も適宜
選定することができる。
定がなく、紫外線、オゾン浴のｌｈ５間、強さ等も適宜
選定することができる。
処理対象物を紫外線オゾン発生装置に対し連続的に通過
させる場合に限らず、間欠停止させて断続的に通過させ
るようにしてもよい。
させる場合に限らず、間欠停止させて断続的に通過させ
るようにしてもよい。
［利用分野］
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置の製造に
おいて使用される熱処理装置に適用した場合について説
明したが、それに限定されるものではなく、たとえば、
ＣＶＤ装置、スパッタリング装置、レジスト塗布現像装
置等のような処理装置に通用できる。
をその背景となった利用分野である半導体装置の製造に
おいて使用される熱処理装置に適用した場合について説
明したが、それに限定されるものではなく、たとえば、
ＣＶＤ装置、スパッタリング装置、レジスト塗布現像装
置等のような処理装置に通用できる。
第１図は本発明の一実施例を示す４既略キ肖成図、第２
図は本発明の他の実施例を示１−概ｌｌ１８ ｆＭ成図
である。 １、ＩＡ・・・プロセスチューフ゛（処ｆｌ！ 室）、
２．２Ａ・・・入口、３，３Ａ・・・力゛ス導入！２Ｂ
、４・ ・ ・電気ピー外 ５・ ・・力゛イド、５Ａ
・ ・・コンヘア、６・・・ボー１−１７・・−ウエノ
＼（処理対象物）、８・・・操作棒、９・・・紫りＶ！
泉オゾン発生装置。 手続補正書（方式） 、１．１□、、 ５ｇ ２．、２４．。 特許庁長官殿 π件の表示 昭和５８ 年特許願第 １６０３３８ −弓発明の名称 処理装置 袖ｊ１ミをする者 １・ｌ′ｌさ方間（−特許出願人 ’ｌ’ｌ ｌ：１： ｒ５＋つ叩、式会シ１ 日 立
装 作 所代 理 人
図は本発明の他の実施例を示１−概ｌｌ１８ ｆＭ成図
である。 １、ＩＡ・・・プロセスチューフ゛（処ｆｌ！ 室）、
２．２Ａ・・・入口、３，３Ａ・・・力゛ス導入！２Ｂ
、４・ ・ ・電気ピー外 ５・ ・・力゛イド、５Ａ
・ ・・コンヘア、６・・・ボー１−１７・・−ウエノ
＼（処理対象物）、８・・・操作棒、９・・・紫りＶ！
泉オゾン発生装置。 手続補正書（方式） 、１．１□、、 ５ｇ ２．、２４．。 特許庁長官殿 π件の表示 昭和５８ 年特許願第 １６０３３８ −弓発明の名称 処理装置 袖ｊ１ミをする者 １・ｌ′ｌさ方間（−特許出願人 ’ｌ’ｌ ｌ：１： ｒ５＋つ叩、式会シ１ 日 立
装 作 所代 理 人
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、処理室の入口直前に紫外線オゾン発生装置が設けら
れていることを特徴とする処理装置。 ２、処理室が、熱処理炉であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の処理装置。 ３、処理室が、ハツチ処理するように構成されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載
の処理装置。 ４、処理室か、枚葉処理するように構成されていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の
処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16033883A JPS6053032A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16033883A JPS6053032A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | 処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6053032A true JPS6053032A (ja) | 1985-03-26 |
Family
ID=15712814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16033883A Pending JPS6053032A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6053032A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6212944U (ja) * | 1985-07-09 | 1987-01-26 | ||
| US5174881A (en) * | 1988-05-12 | 1992-12-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming a thin film on surface of semiconductor substrate |
| US5407867A (en) * | 1988-05-12 | 1995-04-18 | Mitsubishki Denki Kabushiki Kaisha | Method of forming a thin film on surface of semiconductor substrate |
| US5582649A (en) * | 1996-02-29 | 1996-12-10 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Wafer transfer apparatus for use in a film deposition furnace |
-
1983
- 1983-09-02 JP JP16033883A patent/JPS6053032A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6212944U (ja) * | 1985-07-09 | 1987-01-26 | ||
| US5174881A (en) * | 1988-05-12 | 1992-12-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming a thin film on surface of semiconductor substrate |
| US5407867A (en) * | 1988-05-12 | 1995-04-18 | Mitsubishki Denki Kabushiki Kaisha | Method of forming a thin film on surface of semiconductor substrate |
| US5582649A (en) * | 1996-02-29 | 1996-12-10 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Wafer transfer apparatus for use in a film deposition furnace |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2804700B2 (ja) | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 | |
| KR950004451A (ko) | 열처리방법 및 그의 장치 | |
| JPS6053032A (ja) | 処理装置 | |
| TWI292441B (ja) | ||
| JP2001176865A (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| JPS6341028A (ja) | 酸化膜形成方法 | |
| JPS62245634A (ja) | ポジ型レジスト膜の除去方法とその装置 | |
| JPS6260226A (ja) | 高速光酸化・窒化装置 | |
| JPH0684887A (ja) | 半導体ウェーハの保護膜形成方法及び同装置 | |
| JPH08335572A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS62252932A (ja) | 半導体ウエハの熱処理装置 | |
| JPH0897206A (ja) | 熱酸化膜形成方法 | |
| JPS6381920A (ja) | 処理装置 | |
| JPH04196533A (ja) | 半導体基板処理方法およびその装置 | |
| JP2003133319A (ja) | 高圧アニール装置 | |
| JPS60211913A (ja) | 処理装置 | |
| JPS6489514A (en) | Diffusion furnace for manufacturing semiconductor integrated circuit | |
| JPS6227724B2 (ja) | ||
| JPS61247035A (ja) | 表面処理装置 | |
| JPS62249423A (ja) | 処理装置 | |
| JPS5922114Y2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH04245421A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPS5925229A (ja) | 半導体基板の加熱方法 | |
| JPS6378518A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000306852A (ja) | ウエハ熱処理装置及びその熱処理方法 |