JPH08124871A - 半導体基板の処理装置 - Google Patents
半導体基板の処理装置Info
- Publication number
- JPH08124871A JPH08124871A JP26057494A JP26057494A JPH08124871A JP H08124871 A JPH08124871 A JP H08124871A JP 26057494 A JP26057494 A JP 26057494A JP 26057494 A JP26057494 A JP 26057494A JP H08124871 A JPH08124871 A JP H08124871A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- wall
- processing chamber
- processing
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板の処理装置において、処理室内へ
の汚染物質の侵入を阻止し、処理室内の清浄度の悪化を
防止すること。 【構成】 第１の導入管１７から処理室１内に処理ガス
を導入する。そして、第２の導入管１８から処理室１と
第１の外壁１５との間に酸化ガスを供給し、第３の導入
管１９から前記第１の外壁１５と第２の外壁１６との間
に還元ガスを供給する。加熱装置１０などから放出され
た重金属などの汚染物質が前記処理室１内に侵入するに
は、第２の外壁１６と第１の外壁１５とを通過する必要
がある。このとき、汚染物質のうち、酸化されるものは
酸化ガスで酸化されて第２の排出管２１から機外に排出
され、還元されるものは還元ガスで還元されて第３の排
出管２２から機外に排出される。したがって、処理室１
内には汚染物質が到達しない。
の汚染物質の侵入を阻止し、処理室内の清浄度の悪化を
防止すること。 【構成】 第１の導入管１７から処理室１内に処理ガス
を導入する。そして、第２の導入管１８から処理室１と
第１の外壁１５との間に酸化ガスを供給し、第３の導入
管１９から前記第１の外壁１５と第２の外壁１６との間
に還元ガスを供給する。加熱装置１０などから放出され
た重金属などの汚染物質が前記処理室１内に侵入するに
は、第２の外壁１６と第１の外壁１５とを通過する必要
がある。このとき、汚染物質のうち、酸化されるものは
酸化ガスで酸化されて第２の排出管２１から機外に排出
され、還元されるものは還元ガスで還元されて第３の排
出管２２から機外に排出される。したがって、処理室１
内には汚染物質が到達しない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板を熱処理す
るための装置に関する。
るための装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造プロセスにおい
て、熱酸化処理や拡散処理等を行うための熱処理装置
が、例えば特開平６−１９６４２８号公報（Ｈ０１Ｌ２
１／２２）に示されており、これを図３に基づいて説明
する。１は縦型円筒状の石英製処理室であり、下面に半
導体基板の出入口２を有している。前記処理室１の壁面
は、外壁３と内壁４との二重構造に構成され、外壁３と
内壁４との間にはガス通路５が形成されている。６は前
記ガス通路５を左右領域に（ガス通路５ａとガス通路５
ｂとに）区画する区画壁、７・・・は前記内壁４の全面
に多数形成された透孔、８は前記処理室１の下部に、前
記ガス通路５ａ内と連通するように形成されたガス導入
部、９は前記処理室１の下部における前記導入部８と対
称位置に設けられたガス排出部で、前記ガス通路５ｂと
連通している。１０は前記処理室１を内包するように配
設された円筒状の加熱装置であり、ドーナツ状のヒータ
１１〜１４を積み重ねることにより構成されている。
て、熱酸化処理や拡散処理等を行うための熱処理装置
が、例えば特開平６−１９６４２８号公報（Ｈ０１Ｌ２
１／２２）に示されており、これを図３に基づいて説明
する。１は縦型円筒状の石英製処理室であり、下面に半
導体基板の出入口２を有している。前記処理室１の壁面
は、外壁３と内壁４との二重構造に構成され、外壁３と
内壁４との間にはガス通路５が形成されている。６は前
記ガス通路５を左右領域に（ガス通路５ａとガス通路５
ｂとに）区画する区画壁、７・・・は前記内壁４の全面
に多数形成された透孔、８は前記処理室１の下部に、前
記ガス通路５ａ内と連通するように形成されたガス導入
部、９は前記処理室１の下部における前記導入部８と対
称位置に設けられたガス排出部で、前記ガス通路５ｂと
連通している。１０は前記処理室１を内包するように配
設された円筒状の加熱装置であり、ドーナツ状のヒータ
１１〜１４を積み重ねることにより構成されている。
【０００３】このような構成において、半導体基板Ａ・
・・の熱処理は、前記加熱装置１０により処理室１内が
６００℃〜８００℃程度の安定温度になるまで加熱した
後、処理室１内に半導体基板Ａ・・・を挿入し、処理室
１内の温度を処理温度まで引き上げ、処理ガスを導入す
る。処理ガスが前記導入部８からガス通路５ａ内に導入
されると、導入部８が設けられている側の領域に存在す
る透孔７・・・から処理室１内に噴出する。更にこの処
理ガスはほぼ水平方向に流れて反対側の領域に存在する
透孔７・・・に至り、この間に基板Ａ・・・と反応す
る。その後は、ガス通路５ｂを通過し、排出部９から排
出される。
・・の熱処理は、前記加熱装置１０により処理室１内が
６００℃〜８００℃程度の安定温度になるまで加熱した
後、処理室１内に半導体基板Ａ・・・を挿入し、処理室
１内の温度を処理温度まで引き上げ、処理ガスを導入す
る。処理ガスが前記導入部８からガス通路５ａ内に導入
されると、導入部８が設けられている側の領域に存在す
る透孔７・・・から処理室１内に噴出する。更にこの処
理ガスはほぼ水平方向に流れて反対側の領域に存在する
透孔７・・・に至り、この間に基板Ａ・・・と反応す
る。その後は、ガス通路５ｂを通過し、排出部９から排
出される。
【０００４】処理後は処理室１内を引き出し温度まで低
下させ、基板Ａ・・・を処理室１から引き出す。
下させ、基板Ａ・・・を処理室１から引き出す。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来例にあっては、前
記加熱装置などから重金属などの汚染物質が放出され、
それが処理室の壁を通過して、処理室内に侵入し、室内
の清浄度を低下させる問題がある。本発明は、斯かる問
題点に鑑み、このような汚染物質が処理室内に侵入する
ことを防止して、室内の清浄度を保つことを目的とす
る。
記加熱装置などから重金属などの汚染物質が放出され、
それが処理室の壁を通過して、処理室内に侵入し、室内
の清浄度を低下させる問題がある。本発明は、斯かる問
題点に鑑み、このような汚染物質が処理室内に侵入する
ことを防止して、室内の清浄度を保つことを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明における半導体基
板の処理装置は、半導体基板を出し入れ可能に構成され
た処理室と、この処理室に処理ガスを導入するための導
入部Ａと、前記処理室の外壁面を、間隔をおきながらｎ
重（ｎ≧１）に覆う壁面と、前記相対する壁面の間にガ
スを導入するための導入部Ｂと、前記処理ガスやガスを
排出するための排出部とを備え、少なくとも１つの導入
部Ｂに酸化性ガス又は還元性ガスを導入するものであ
る。
板の処理装置は、半導体基板を出し入れ可能に構成され
た処理室と、この処理室に処理ガスを導入するための導
入部Ａと、前記処理室の外壁面を、間隔をおきながらｎ
重（ｎ≧１）に覆う壁面と、前記相対する壁面の間にガ
スを導入するための導入部Ｂと、前記処理ガスやガスを
排出するための排出部とを備え、少なくとも１つの導入
部Ｂに酸化性ガス又は還元性ガスを導入するものであ
る。
【０００７】また、本発明における半導体基板の処理装
置は、半導体基板を出し入れ可能に構成された処理室
と、この処理室に処理ガスを導入するための導入部Ａ
と、前記処理室の外壁面を、間隔をおきながらｎ重（ｎ
≧２）に覆う各壁面と、前記相対する壁面の間にガスを
導入するための各導入部Ｂと、前記処理ガスやガスを排
出するための排出部とを備え、前記各導入部Ｂのうち、
少なくとも２つの導入部Ｂの一方に酸化性ガスを、他方
に還元性ガスを導入するものである。
置は、半導体基板を出し入れ可能に構成された処理室
と、この処理室に処理ガスを導入するための導入部Ａ
と、前記処理室の外壁面を、間隔をおきながらｎ重（ｎ
≧２）に覆う各壁面と、前記相対する壁面の間にガスを
導入するための各導入部Ｂと、前記処理ガスやガスを排
出するための排出部とを備え、前記各導入部Ｂのうち、
少なくとも２つの導入部Ｂの一方に酸化性ガスを、他方
に還元性ガスを導入するものである。
【０００８】
【作用】即ち、請求項１の発明にあっては、汚染物質が
処理室内に達する前に、酸化性ガス又は還元性ガスによ
って、酸化又は還元され、機外に排出される。また、請
求項２の発明にあっては、汚染物質が酸化されるもので
も還元されるものであっても、酸化されるものは酸化ガ
スで酸化し、還元されるものは還元ガスで還元し、機外
に排出する。
処理室内に達する前に、酸化性ガス又は還元性ガスによ
って、酸化又は還元され、機外に排出される。また、請
求項２の発明にあっては、汚染物質が酸化されるもので
も還元されるものであっても、酸化されるものは酸化ガ
スで酸化し、還元されるものは還元ガスで還元し、機外
に排出する。
【０００９】
【実施例】本発明を具現化した実施例を図１に基づいて
説明する。但し、従来例と同様の個所には同符号を用
い、説明を省略する。１５は処理室１の外壁面を覆うよ
うに設けられた第１の外壁であり、前記処理室１の外壁
面との間に所定の間隔を有している。１６は前記第１の
外壁１５の外側を覆うように設けられた第２の外壁であ
り、前記第１の外壁１５の外側面との間に所定の間隔を
有している。すなわち、前記処理室１は前記第１の外壁
１５と第２の外壁１６とにより２重に覆われていること
になる。
説明する。但し、従来例と同様の個所には同符号を用
い、説明を省略する。１５は処理室１の外壁面を覆うよ
うに設けられた第１の外壁であり、前記処理室１の外壁
面との間に所定の間隔を有している。１６は前記第１の
外壁１５の外側を覆うように設けられた第２の外壁であ
り、前記第１の外壁１５の外側面との間に所定の間隔を
有している。すなわち、前記処理室１は前記第１の外壁
１５と第２の外壁１６とにより２重に覆われていること
になる。
【００１０】１７は前記処理室１内に通じる第１の導入
管、１８は前記処理室１と第１の外壁１５との間に通じ
る第２の導入管、１９は前記第１の外壁１５と第２の外
壁１６との間に通じる第３の導入管、２０は前記処理室
１内の処理ガスを排出するための第１の排出管、２１は
前記処理室１と第１の外壁１５との間の気体を排出する
ための第２の排出管、２２は前記第１の外壁１５と第２
の外壁１６との間の気体を排出するための第３の排出管
である。
管、１８は前記処理室１と第１の外壁１５との間に通じ
る第２の導入管、１９は前記第１の外壁１５と第２の外
壁１６との間に通じる第３の導入管、２０は前記処理室
１内の処理ガスを排出するための第１の排出管、２１は
前記処理室１と第１の外壁１５との間の気体を排出する
ための第２の排出管、２２は前記第１の外壁１５と第２
の外壁１６との間の気体を排出するための第３の排出管
である。
【００１１】このような構成において、半導体基板Ａ・
・・の熱処理方法は従来と同様であり、前記第１の導入
管１７から処理室１内に処理ガスを導入する。本実施例
にあっては、前記第２の導入管１８から前記処理室１と
第１の外壁１５との間に酸化ガスを供給し、前記第３の
導入管１９から前記第１の外壁１５と第２の外壁１６と
の間に還元ガスを供給する。
・・の熱処理方法は従来と同様であり、前記第１の導入
管１７から処理室１内に処理ガスを導入する。本実施例
にあっては、前記第２の導入管１８から前記処理室１と
第１の外壁１５との間に酸化ガスを供給し、前記第３の
導入管１９から前記第１の外壁１５と第２の外壁１６と
の間に還元ガスを供給する。
【００１２】加熱装置１０などから放出された重金属な
どの汚染物質が前記処理室１内に侵入するには、前記第
２の外壁１６と第１の外壁１５とを通過する必要があ
る。このとき、図２に示す通り、汚染物質のうち、酸化
されるものは酸化ガスで酸化されて第２の排出管２１か
ら機外に排出され、還元されるものは還元ガスで還元さ
れて第３の排出管２２から機外に排出される。したがっ
て、処理室１内には汚染物質が到達しない。
どの汚染物質が前記処理室１内に侵入するには、前記第
２の外壁１６と第１の外壁１５とを通過する必要があ
る。このとき、図２に示す通り、汚染物質のうち、酸化
されるものは酸化ガスで酸化されて第２の排出管２１か
ら機外に排出され、還元されるものは還元ガスで還元さ
れて第３の排出管２２から機外に排出される。したがっ
て、処理室１内には汚染物質が到達しない。
【００１３】以上の実施例以外にも以下のような変形例
が考えられる。 １）内側に酸化ガスを、外側に還元ガスを流したが、こ
れを逆にする。 ２）酸化ガスと還元ガスとを同時ではなく交互に流す。 ３）第１の外壁１５と第２の外壁１６とにより２重構造
にして、酸化ガスと還元ガスの流通経路を１経路ずつ形
成したが、これを更に多重構造にして、酸化ガスや還元
ガスの流通経路を増やす。これにより、汚染物質の排除
能力が強化される。
が考えられる。 １）内側に酸化ガスを、外側に還元ガスを流したが、こ
れを逆にする。 ２）酸化ガスと還元ガスとを同時ではなく交互に流す。 ３）第１の外壁１５と第２の外壁１６とにより２重構造
にして、酸化ガスと還元ガスの流通経路を１経路ずつ形
成したが、これを更に多重構造にして、酸化ガスや還元
ガスの流通経路を増やす。これにより、汚染物質の排除
能力が強化される。
【００１４】４）多重構造の任意の２経路を選択して、
酸化ガスと還元ガスとを流す。 ５）第２の外壁１６を省略し、第１の外壁１５のみにし
て、酸化ガス又は還元ガスの一方のみを流す。上記実施
例に比べて、汚染物質の排除効果は劣るが、装置の構造
は簡略化される。 ６）第１の外壁１５のみにして、酸化ガスと還元ガスを
交互に流す。
酸化ガスと還元ガスとを流す。 ５）第２の外壁１６を省略し、第１の外壁１５のみにし
て、酸化ガス又は還元ガスの一方のみを流す。上記実施
例に比べて、汚染物質の排除効果は劣るが、装置の構造
は簡略化される。 ６）第１の外壁１５のみにして、酸化ガスと還元ガスを
交互に流す。
【００１５】
【発明の効果】請求項１の発明にあっては、汚染物質が
処理室内に達する前に、酸化性ガス又は還元性ガスによ
って、酸化又は還元し、機外に排出するので、処理室内
に汚染物質が侵入しにくく、処理室内の清浄度の悪化を
抑制できる。また、請求項２の発明にあっては、請求項
１の効果に加え、汚染物質の遮断効果が更に良好であ
る。
処理室内に達する前に、酸化性ガス又は還元性ガスによ
って、酸化又は還元し、機外に排出するので、処理室内
に汚染物質が侵入しにくく、処理室内の清浄度の悪化を
抑制できる。また、請求項２の発明にあっては、請求項
１の効果に加え、汚染物質の遮断効果が更に良好であ
る。
【図１】本発明の実施例における半導体基板の処理装置
の内部機構図である。
の内部機構図である。
【図２】図１に示す処理装置の要部断面図である。
【図３】従来例における半導体基板の処理装置の内部機
構図である。
構図である。
Ａ 半導体基板 １ 処理室 １５ 第１の外壁（壁面） １６ 第２の外壁（壁面） １７ 第１の導入管（導入部Ａ） １８ 第２の導入管（導入部Ｂ） １９ 第３の導入管（導入部Ｂ） ２０ 第１の排出管（排出部） ２１ 第２の排出管（排出部） ２２ 第３の排出管（排出部）
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板を出し入れ可能に構成された
処理室と、この処理室に処理ガスを導入するための導入
部Ａと、前記処理室の外壁面を、間隔をおきながらｎ重
（ｎ≧１）に覆う壁面と、前記相対する壁面の間にガス
を導入するための導入部Ｂと、前記処理ガスやガスを排
出するための排出部とを備え、少なくとも１つの導入部
Ｂに酸化性ガス又は還元性ガスを導入することを特徴と
した半導体基板の処理装置。 - 【請求項２】 半導体基板を出し入れ可能に構成された
処理室と、この処理室に処理ガスを導入するための導入
部Ａと、前記処理室の外壁面を、間隔をおきながらｎ重
（ｎ≧２）に覆う各壁面と、前記相対する壁面の間にガ
スを導入するための各導入部Ｂと、前記処理ガスやガス
を排出するための排出部とを備え、前記各導入部Ｂのう
ち、少なくとも２つの導入部Ｂの一方に酸化性ガスを、
他方に還元性ガスを導入することを特徴とした半導体基
板の処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26057494A JPH08124871A (ja) | 1994-10-25 | 1994-10-25 | 半導体基板の処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26057494A JPH08124871A (ja) | 1994-10-25 | 1994-10-25 | 半導体基板の処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08124871A true JPH08124871A (ja) | 1996-05-17 |
Family
ID=17349845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26057494A Pending JPH08124871A (ja) | 1994-10-25 | 1994-10-25 | 半導体基板の処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08124871A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100417469B1 (ko) * | 1999-09-20 | 2004-02-11 | 주성엔지니어링(주) | 2중 챔버벽을 구비한 반도체 소자 제조장치 |
-
1994
- 1994-10-25 JP JP26057494A patent/JPH08124871A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100417469B1 (ko) * | 1999-09-20 | 2004-02-11 | 주성엔지니어링(주) | 2중 챔버벽을 구비한 반도체 소자 제조장치 |
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