JPH08213335A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH08213335A JPH08213335A JP3764495A JP3764495A JPH08213335A JP H08213335 A JPH08213335 A JP H08213335A JP 3764495 A JP3764495 A JP 3764495A JP 3764495 A JP3764495 A JP 3764495A JP H08213335 A JPH08213335 A JP H08213335A
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- gas
- tube
- flow path
- reaction
- semiconductor manufacturing
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Abstract
(57)【要約】
【目的】反応炉を有する半導体製造装置に於いて、ヒー
タ等から発する汚染物質によるウェーハの汚染、保護管
の存在による炉内温度の追従遅れを防止する。 【構成】反応管３を囲繞する保護管１０により流路１３
を形成し、該流路にガスを流通させることで汚染物質を
ガスと共に排除し、又保護管を石英製とすることで炉の
温度追従性を改善した。
タ等から発する汚染物質によるウェーハの汚染、保護管
の存在による炉内温度の追従遅れを防止する。 【構成】反応管３を囲繞する保護管１０により流路１３
を形成し、該流路にガスを流通させることで汚染物質を
ガスと共に排除し、又保護管を石英製とすることで炉の
温度追従性を改善した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は重金属等の汚染物質によ
るウェーハ汚染を低減させ、又炉の温度追従性を改善し
た半導体製造装置に関するものである。
るウェーハ汚染を低減させ、又炉の温度追従性を改善し
た半導体製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造の工程の１つにシリコンウェ
ーハに不純物の拡散、或は化学気相成長による薄膜の生
成、或はアニール処理等がある。これら工程は反応炉内
にウェーハを装入し、所定の温度に維持した状態で反応
ガスを導入して行われる。
ーハに不純物の拡散、或は化学気相成長による薄膜の生
成、或はアニール処理等がある。これら工程は反応炉内
にウェーハを装入し、所定の温度に維持した状態で反応
ガスを導入して行われる。
【０００３】図１２により従来の半導体製造用反応炉を
説明する。
説明する。
【０００４】立設された中空のヒータ１内に保護管２、
更に保護管２内に反応管３が設けられている。該反応管
３に沿って反応ガス供給管４が設けられ、該反応ガス供
給管４は反応管３に反応管３の天井で連通し、又前記反
応管３の下端には排気管５が連通されている。前記反応
管３内には多数のウェーハ３０が装填されたボート６が
装入される様になっており、該ボート６はボートキャッ
プ７を介して炉口蓋８に載設され、該炉口蓋８は図示し
ないボートエレベータにより昇降される様になってい
る。
更に保護管２内に反応管３が設けられている。該反応管
３に沿って反応ガス供給管４が設けられ、該反応ガス供
給管４は反応管３に反応管３の天井で連通し、又前記反
応管３の下端には排気管５が連通されている。前記反応
管３内には多数のウェーハ３０が装填されたボート６が
装入される様になっており、該ボート６はボートキャッ
プ７を介して炉口蓋８に載設され、該炉口蓋８は図示し
ないボートエレベータにより昇降される様になってい
る。
【０００５】ウェーハ３０の処理は、前記ヒータ１によ
り炉内が所定温度に加熱された状態で、多数のウェーハ
３０を装填したボート６が前記反応管３に装入され、前
記排気管５よりヒータ１内が排気された後、前記反応ガ
ス供給管４より反応ガスが導入されて行われる。
り炉内が所定温度に加熱された状態で、多数のウェーハ
３０を装填したボート６が前記反応管３に装入され、前
記排気管５よりヒータ１内が排気された後、前記反応ガ
ス供給管４より反応ガスが導入されて行われる。
【０００６】ウェーハの処理に於いて、炉内が均一温度
であることが要求されると共に雰囲気は微細な塵埃、金
属原子等のない高清浄度が要求される。炉内温度の不均
一は処理ウェーハの装填位置の相違に起因する不均一に
つながり、又微細な塵埃、金属原子等はウェーハを汚染
し、ウェーハ処理の絶縁特性等の品質を低下させるので
ある。
であることが要求されると共に雰囲気は微細な塵埃、金
属原子等のない高清浄度が要求される。炉内温度の不均
一は処理ウェーハの装填位置の相違に起因する不均一に
つながり、又微細な塵埃、金属原子等はウェーハを汚染
し、ウェーハ処理の絶縁特性等の品質を低下させるので
ある。
【０００７】前記保護管２は炉内温度を安定、均一化す
る為に設けられており、材質としてはＳｉＣが用いら
れ、又該保護管２はヒータ１の温度上昇に伴い発生した
汚染物質が反応管３内に浸入するのを防ぐ機能も有す
る。
る為に設けられており、材質としてはＳｉＣが用いら
れ、又該保護管２はヒータ１の温度上昇に伴い発生した
汚染物質が反応管３内に浸入するのを防ぐ機能も有す
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記ＳｉＣ
を材質とする保護管２では、保護管２自体が汚染物質発
生源となっており、更にＦｅ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｚ
ｎ、Ｃ、Ｐ、Ｂ等の原子の透過を遮断することができ
ず、これら原子によるウェーハ汚染を防止することがで
きない。又、ＳｉＣは比熱が大きい材質であり、該Ｓｉ
Ｃの保護管２では昇温降温速度が遅く、炉内温度制御に
於ける追従性の遅れが生じ、又ウェーハの総合的な処理
時間が長くなり、スループットを向上させるという点で
問題があった。
を材質とする保護管２では、保護管２自体が汚染物質発
生源となっており、更にＦｅ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｚ
ｎ、Ｃ、Ｐ、Ｂ等の原子の透過を遮断することができ
ず、これら原子によるウェーハ汚染を防止することがで
きない。又、ＳｉＣは比熱が大きい材質であり、該Ｓｉ
Ｃの保護管２では昇温降温速度が遅く、炉内温度制御に
於ける追従性の遅れが生じ、又ウェーハの総合的な処理
時間が長くなり、スループットを向上させるという点で
問題があった。
【０００９】本発明は斯かる実情に鑑み、ヒータ等から
発する汚染物質によるウェーハの汚染、保護管の存在に
よる炉内温度の追従遅れを防止しようとするものであ
る。
発する汚染物質によるウェーハの汚染、保護管の存在に
よる炉内温度の追従遅れを防止しようとするものであ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、反応管の周囲
に該反応管を囲繞する流路を形成し、該流路にガスを流
通させ、或は流通させるガスが反応物質と化合する活性
ガスであり、或は反応管を囲繞する保護管により流路を
形成し、或はガス導入管を保護管に沿って設け、ガスを
側壁、天井の少なくとも一方から流路に流入させ、或は
ガス導入ノズルを流路に挿設し、ガス導入ノズルの複数
箇所よりガスを流入させる様にし、或は流路に整流板を
設け、或は保護管を囲繞する外流路を形成し、該外流路
に不活性ガスを供給し、或は流路を流れるガスを検知す
るガス検知器を外流路に設け、更に或は保護管を石英製
としたことを特徴とするものである。
に該反応管を囲繞する流路を形成し、該流路にガスを流
通させ、或は流通させるガスが反応物質と化合する活性
ガスであり、或は反応管を囲繞する保護管により流路を
形成し、或はガス導入管を保護管に沿って設け、ガスを
側壁、天井の少なくとも一方から流路に流入させ、或は
ガス導入ノズルを流路に挿設し、ガス導入ノズルの複数
箇所よりガスを流入させる様にし、或は流路に整流板を
設け、或は保護管を囲繞する外流路を形成し、該外流路
に不活性ガスを供給し、或は流路を流れるガスを検知す
るガス検知器を外流路に設け、更に或は保護管を石英製
としたことを特徴とするものである。
【００１１】
【作用】反応管の周囲に該反応管を囲繞する流路を形成
し、該流路にガスを流通させることで、汚染物質をガス
と共に排除し、又流路にガスを分散導入し、又整流板を
設けることで流路に均等にガスが流れる様にし、又流路
を囲繞する外流路を形成し、不活性ガスを供給すること
でガスが漏洩した場合の安全を確保し、更にガス検知器
によりガスの漏洩を迅速に検知し、又保護管を石英製と
したので温度の追従性に優れている。
し、該流路にガスを流通させることで、汚染物質をガス
と共に排除し、又流路にガスを分散導入し、又整流板を
設けることで流路に均等にガスが流れる様にし、又流路
を囲繞する外流路を形成し、不活性ガスを供給すること
でガスが漏洩した場合の安全を確保し、更にガス検知器
によりガスの漏洩を迅速に検知し、又保護管を石英製と
したので温度の追従性に優れている。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００１３】図１に於いて第１の実施例を説明する。
尚、図１に於いて図１２中で示したものと同一のものに
は同符号を付してある。
尚、図１に於いて図１２中で示したものと同一のものに
は同符号を付してある。
【００１４】立設された中空のヒータ１内に保護管１
０、更に保護管１０内に反応管３を設ける。前記保護管
１０は少なくとも反応管３のヒータ１に囲まれた部分を
覆う形状をしており、前記保護管１０は材質が石英であ
り、図２、図３に見られる様に内壁管１１、外壁管１２
により形成される２重管であり、前記内壁管１１、外壁
管１２間に前記内壁管１１を囲繞する流路１３を形成
し、該流路１３にガス流入口１４、ガス流出口１５を連
通し、前記ガス流入口１４には図示しない活性ガス供給
源を接続する。
０、更に保護管１０内に反応管３を設ける。前記保護管
１０は少なくとも反応管３のヒータ１に囲まれた部分を
覆う形状をしており、前記保護管１０は材質が石英であ
り、図２、図３に見られる様に内壁管１１、外壁管１２
により形成される２重管であり、前記内壁管１１、外壁
管１２間に前記内壁管１１を囲繞する流路１３を形成
し、該流路１３にガス流入口１４、ガス流出口１５を連
通し、前記ガス流入口１４には図示しない活性ガス供給
源を接続する。
【００１５】前記反応管３に沿って反応ガス供給管４が
設けられ、該反応ガス供給管４は反応管３に反応管３の
天井で連通し、又前記反応管３の下端には排気管５が連
通されている。前記反応管３内には多数のウェーハ３０
が装填されたボート６が装入される様になっており、該
ボート６はボートキャップ７を介して炉口蓋８に載設さ
れ、該炉口蓋８は図示しないボートエレベータにより昇
降される様になっている。
設けられ、該反応ガス供給管４は反応管３に反応管３の
天井で連通し、又前記反応管３の下端には排気管５が連
通されている。前記反応管３内には多数のウェーハ３０
が装填されたボート６が装入される様になっており、該
ボート６はボートキャップ７を介して炉口蓋８に載設さ
れ、該炉口蓋８は図示しないボートエレベータにより昇
降される様になっている。
【００１６】以下、作用を説明する。
【００１７】前記ヒータ１により炉内が所定温度に加熱
された状態で、多数のウェーハ３０を装填したボート６
が前記反応管３に装入され、前記排気管５よりヒータ１
内が排気された後、前記反応ガス供給管４より反応ガス
が導入されて行われる。
された状態で、多数のウェーハ３０を装填したボート６
が前記反応管３に装入され、前記排気管５よりヒータ１
内が排気された後、前記反応ガス供給管４より反応ガス
が導入されて行われる。
【００１８】又、前記流路１３には、前記ガス流入口１
４より活性ガス、例えばＨＣｌ、ＴＣＡ、Ｃｌ、Ｏ2 等
を流入させ、前記ガス流入口１４を通って前記ガス流出
口１５より流出させる。活性ガスを前記流路１３に流通
させることで、ヒータ１より発生したＦｅ、Ｃｕ等の重
金属、或はＣ、Ｐ、Ｂ等を、 Ｆｅ＋ＨＣｌ →ＦｅＣｌ2 ＋Ｈ2 ↑ Ｃ＋Ｏ2 →ＣＯ2 ↑ Ｃｕ＋２ＨＣｌ→ＣｕＣｌ2 ＋Ｈ2 ↑ 等の反応により酸化若しくは還元してＦｅＣｌ2 、ＣＯ
2 、ＣｕＣｌ2 等の物質に変化させて不活性化し、ガス
の流れと共に前記ガス流出口１５より排出させる。前記
流路１３に活性ガス流を形成することで汚染物質が反応
管３を透過するのを防止し、又ＦｅＣｌ2 、ＣＯ2 、Ｃ
ｕＣｌ2 等が反応管３を透過したとしても不活性化して
いるのでウェーハ汚染の原因となることはない。
４より活性ガス、例えばＨＣｌ、ＴＣＡ、Ｃｌ、Ｏ2 等
を流入させ、前記ガス流入口１４を通って前記ガス流出
口１５より流出させる。活性ガスを前記流路１３に流通
させることで、ヒータ１より発生したＦｅ、Ｃｕ等の重
金属、或はＣ、Ｐ、Ｂ等を、 Ｆｅ＋ＨＣｌ →ＦｅＣｌ2 ＋Ｈ2 ↑ Ｃ＋Ｏ2 →ＣＯ2 ↑ Ｃｕ＋２ＨＣｌ→ＣｕＣｌ2 ＋Ｈ2 ↑ 等の反応により酸化若しくは還元してＦｅＣｌ2 、ＣＯ
2 、ＣｕＣｌ2 等の物質に変化させて不活性化し、ガス
の流れと共に前記ガス流出口１５より排出させる。前記
流路１３に活性ガス流を形成することで汚染物質が反応
管３を透過するのを防止し、又ＦｅＣｌ2 、ＣＯ2 、Ｃ
ｕＣｌ2 等が反応管３を透過したとしても不活性化して
いるのでウェーハ汚染の原因となることはない。
【００１９】該実施例に於いて、流路１３内に活性ガス
を均等に流通させる構成例を図４〜図７に示す。
を均等に流通させる構成例を図４〜図７に示す。
【００２０】図４に於いて、外壁管１２に沿って活性ガ
ス導入管１７を設け、該活性ガス導入管１７の下端にガ
ス流入口１４を連通し、又活性ガス導入管１７は前記外
壁管１２の天井に形成したシャワー板１８を介して流路
１３内に連通させる。又、ガス流出口１５は流路１３の
下端に連通する。而してシャワー板１８より流路１３に
流入した活性ガスは流路１３を降下してガス流出口１５
より流出する。尚、外壁管１２の壁面に通孔１９を所要
間隔で穿設し、活性ガス導入管１７と流路１３を壁面で
連通させ、通孔１９からも活性ガスを分散流入させる様
にしてもよい。又、通孔１９を設ける場合は前記シャワ
ー板１８を省略し、壁面からのみ活性ガスを流入させる
様にしてもよい。
ス導入管１７を設け、該活性ガス導入管１７の下端にガ
ス流入口１４を連通し、又活性ガス導入管１７は前記外
壁管１２の天井に形成したシャワー板１８を介して流路
１３内に連通させる。又、ガス流出口１５は流路１３の
下端に連通する。而してシャワー板１８より流路１３に
流入した活性ガスは流路１３を降下してガス流出口１５
より流出する。尚、外壁管１２の壁面に通孔１９を所要
間隔で穿設し、活性ガス導入管１７と流路１３を壁面で
連通させ、通孔１９からも活性ガスを分散流入させる様
にしてもよい。又、通孔１９を設ける場合は前記シャワ
ー板１８を省略し、壁面からのみ活性ガスを流入させる
様にしてもよい。
【００２１】図５は流路１３内に活性ガス導入ノズル２
０を挿設した場合を示しており、該活性ガス導入ノズル
２０には所要の間隔で分散孔２１が穿設されている。従
って、分散流入した活性ガスは内壁管１１の周面に沿っ
て或は天井面に沿って分散して流れ、ガス流出口１５よ
り排出される。
０を挿設した場合を示しており、該活性ガス導入ノズル
２０には所要の間隔で分散孔２１が穿設されている。従
って、分散流入した活性ガスは内壁管１１の周面に沿っ
て或は天井面に沿って分散して流れ、ガス流出口１５よ
り排出される。
【００２２】図６は流路１３内に１対の整流板２２を保
護管１０の軸心を通る平面内に設置したものであり、上
端が内壁管１１の天井面で途切れた形状である。従っ
て、ガス流入口１４から流入した活性ガスは内壁管１１
の外面に沿って上昇し、前記整流板２２の上端を回込み
内壁管１１の反対側の外面に沿って下降して前記ガス流
出口１５より排出される。
護管１０の軸心を通る平面内に設置したものであり、上
端が内壁管１１の天井面で途切れた形状である。従っ
て、ガス流入口１４から流入した活性ガスは内壁管１１
の外面に沿って上昇し、前記整流板２２の上端を回込み
内壁管１１の反対側の外面に沿って下降して前記ガス流
出口１５より排出される。
【００２３】図７は整流板２２を３対設けたものであ
り、整流板２２ａは上端が欠切され、整流板２２ｂは下
端が欠切され、整流板２２ｃは上端が欠切した形状であ
り、ガス流入口１４より流入した活性ガスは流路１３内
をジグザグ状に流れてガス流出口１５より流出してい
く。
り、整流板２２ａは上端が欠切され、整流板２２ｂは下
端が欠切され、整流板２２ｃは上端が欠切した形状であ
り、ガス流入口１４より流入した活性ガスは流路１３内
をジグザグ状に流れてガス流出口１５より流出してい
く。
【００２４】尚、本発明は反応管３の周囲に流路を形成
し、該流路にガスを流通させることが特徴であり、流路
の形成は種々考えられる。
し、該流路にガスを流通させることが特徴であり、流路
の形成は種々考えられる。
【００２５】図８は他の実施例を示しており、前述した
保護管１０を一重管としたものであり、該保護管１０と
前記反応管３管で流路１３を形成せしめる。
保護管１０を一重管としたものであり、該保護管１０と
前記反応管３管で流路１３を形成せしめる。
【００２６】前記保護管１０の下端には反応管３との間
隙を閉塞する端板１６を設け、保護管１０の下端にガス
流入口１４を設け、該ガス流入口１４と対向する位置に
ガス流出口１５を設け、前記ガス流入口１４から活性ガ
スを流入させ、流路１３を経て前記ガス流出口１５より
排出する様にしている。
隙を閉塞する端板１６を設け、保護管１０の下端にガス
流入口１４を設け、該ガス流入口１４と対向する位置に
ガス流出口１５を設け、前記ガス流入口１４から活性ガ
スを流入させ、流路１３を経て前記ガス流出口１５より
排出する様にしている。
【００２７】該他の実施例に於いても上記実施例と同様
流路１３内に活性ガスを均等に流通させる手段を設ける
ことができる。
流路１３内に活性ガスを均等に流通させる手段を設ける
ことができる。
【００２８】図９は前述した図４に対応するものであ
り、一重の保護管１０に活性ガス導入管１７を設けたも
のであり、活性ガス導入管１７の上部は保護管１０の天
井に沿って設けられ、保護管１０の天井の活性ガス導入
管１７との境界部に連通孔２３が設けられたものであ
る。ガス流入口１４、活性ガス導入管１７を経てから連
通孔２３より流路１３に流入した活性ガスは流路１３を
降下してガス流出口１５より排出される。尚、保護管１
０の壁面にも通孔１９を設け、壁面からも分散して活性
ガスを流路１３に流入させる様にしてもよい。又、通孔
１９を設けた場合は、連通孔２３を省略してもよいこと
は勿論である。
り、一重の保護管１０に活性ガス導入管１７を設けたも
のであり、活性ガス導入管１７の上部は保護管１０の天
井に沿って設けられ、保護管１０の天井の活性ガス導入
管１７との境界部に連通孔２３が設けられたものであ
る。ガス流入口１４、活性ガス導入管１７を経てから連
通孔２３より流路１３に流入した活性ガスは流路１３を
降下してガス流出口１５より排出される。尚、保護管１
０の壁面にも通孔１９を設け、壁面からも分散して活性
ガスを流路１３に流入させる様にしてもよい。又、通孔
１９を設けた場合は、連通孔２３を省略してもよいこと
は勿論である。
【００２９】図１０に示すものは上記図５で示したもの
と同様であり、流路１３に分散孔２１を有する活性ガス
導入ノズル２０を挿設したものである。
と同様であり、流路１３に分散孔２１を有する活性ガス
導入ノズル２０を挿設したものである。
【００３０】図１１に示すものは本発明の応用例を示す
ものであり、流路１３の外側に更に保護管１０を囲繞す
る外流路２４を形成し、該外流路２４に窒素ガス、アル
ゴンガス等の不活性ガスを充満、若しくは流通させる様
にしたものである。又、外流路２４に対してガス検知器
２５を設け、前記流路１３を流通する活性ガスの漏洩を
検出可能としたものである。
ものであり、流路１３の外側に更に保護管１０を囲繞す
る外流路２４を形成し、該外流路２４に窒素ガス、アル
ゴンガス等の不活性ガスを充満、若しくは流通させる様
にしたものである。又、外流路２４に対してガス検知器
２５を設け、前記流路１３を流通する活性ガスの漏洩を
検出可能としたものである。
【００３１】該応用例に於いて、活性ガスをＨ2 、Ｓｉ
Ｈ4 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、Ｓｉ2 Ｈ6等の爆発性のガスと
した場合は防爆効果が発揮され、ＨＣｌ、Ｃｌ2 、Ｃｌ
Ｆ3、ＰＨ3 、ＮＨ3 、Ｆ2 、ＮＦ3 、ＴＣＡ、ＴＥＯ
Ｓ、ＢＣｌ2 、Ｎ2 Ｏ、ＮＯx 等の毒性ガスである場合
は希釈して毒性を弱め、更に前記ガス検知器２５により
活性ガスの漏洩の監視を行っており、漏洩があれば直ち
に活性ガスの供給停止、更に警報を発する等して迅速な
対応を可能にする。
Ｈ4 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、Ｓｉ2 Ｈ6等の爆発性のガスと
した場合は防爆効果が発揮され、ＨＣｌ、Ｃｌ2 、Ｃｌ
Ｆ3、ＰＨ3 、ＮＨ3 、Ｆ2 、ＮＦ3 、ＴＣＡ、ＴＥＯ
Ｓ、ＢＣｌ2 、Ｎ2 Ｏ、ＮＯx 等の毒性ガスである場合
は希釈して毒性を弱め、更に前記ガス検知器２５により
活性ガスの漏洩の監視を行っており、漏洩があれば直ち
に活性ガスの供給停止、更に警報を発する等して迅速な
対応を可能にする。
【００３２】尚、流路１３を流通するガスは必ずしも活
性ガスである必要はなく、不活性ガスを流通させ、汚染
物質をガスと共に排出する様にしてもよい。更に、上記
実施例は縦形炉を有する半導体製造装置について説明し
たが横型炉を有する半導体製造装置でも同様に実施でき
ることは言う迄もない。
性ガスである必要はなく、不活性ガスを流通させ、汚染
物質をガスと共に排出する様にしてもよい。更に、上記
実施例は縦形炉を有する半導体製造装置について説明し
たが横型炉を有する半導体製造装置でも同様に実施でき
ることは言う迄もない。
【００３３】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、汚染物
質を除去することが可能であり、ウェーハ処理に於い
て、重金属汚染量を容易に１．０×１０10atoms/cm2 以
下とすることができ、又保護管の材質として石英を使用
するので、反応炉内の昇温、降温特性が大幅に向上し、
更に高価なＳｉＣ管を使用しないので装置の価格の低減
を図れる。
質を除去することが可能であり、ウェーハ処理に於い
て、重金属汚染量を容易に１．０×１０10atoms/cm2 以
下とすることができ、又保護管の材質として石英を使用
するので、反応炉内の昇温、降温特性が大幅に向上し、
更に高価なＳｉＣ管を使用しないので装置の価格の低減
を図れる。
【図１】本発明の一実施例を示す概略構成図である。
【図２】該実施例に於ける保護管の斜視図である。
【図３】該保護管の断面図である。
【図４】該護管内に形成された流路についての説明図で
ある。
ある。
【図５】該保護管内に形成された流路についての説明図
である。
である。
【図６】該保護管内に形成された流路についての説明図
である。
である。
【図７】該保護管内に形成された流路についての説明図
である。
である。
【図８】他の実施例を示す概略構成図である。
【図９】該他の実施例に於ける保護管と反応管との間に
形成された流路についての説明図である。
形成された流路についての説明図である。
【図１０】該他の実施例に於ける保護管と反応管との間
に形成された流路についての説明図である。
に形成された流路についての説明図である。
【図１１】本発明の応用例を示す概略構成図である。
【図１２】従来例を示す概略構成図である。
１ ヒータ ３ 反応管 ５ 排気管 １０ 保護管 １１ 内壁管 １２ 外壁管 １３ 流路 １４ ガス流入口 １５ ガス流出口 ２０ 活性ガス導入ノズル ２２ 整流板 ２５ ガス検知器 ３０ ウェーハ
Claims (10)
- 【請求項１】 反応管の周囲に該反応管を囲繞する流路
を形成し、該流路にガスを流通させたことを特徴とする
半導体製造装置。 - 【請求項２】 流通させるガスが反応物質と化合する活
性ガスである請求項１の半導体製造装置。 - 【請求項３】 反応管を囲繞する保護管を設け、該保護
管を内壁管、外壁管で形成される２重管とし、内壁管、
外壁管で流路を形成した請求項１の半導体製造装置。 - 【請求項４】 反応管を囲繞する保護管を設け、反応管
と保護管との間で流路を形成した請求項１の半導体製造
装置。 - 【請求項５】 ガス導入管を保護管に沿って設け、ガス
を側壁、天井の少なくとも一方から流路に流入させる請
求項１〜請求項４の半導体製造装置。 - 【請求項６】 ガス導入ノズルを流路に挿設し、ガス導
入ノズルの複数箇所よりガスを流入させる様にした請求
項１〜請求項４の半導体製造装置。 - 【請求項７】 流路に整流板を設けた請求項３の半導体
製造装置。 - 【請求項８】 保護管を囲繞する外流路を形成し、該外
流路に不活性ガスを供給した請求項３又は請求項４の半
導体製造装置。 - 【請求項９】 流路を流れるガスを検知するガス検知器
を外流路に設けた請求項８の半導体製造装置。 - 【請求項１０】 保護管を石英製とした請求項３又は請
求項４の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3764495A JPH08213335A (ja) | 1995-02-02 | 1995-02-02 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3764495A JPH08213335A (ja) | 1995-02-02 | 1995-02-02 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08213335A true JPH08213335A (ja) | 1996-08-20 |
Family
ID=12503367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3764495A Pending JPH08213335A (ja) | 1995-02-02 | 1995-02-02 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08213335A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013150636A1 (ja) * | 2012-04-05 | 2013-10-10 | 国立大学法人東北大学 | シリコンウェーハの原子オーダー平坦化表面処理方法及び熱処理装置 |
| US9157681B2 (en) | 2010-02-04 | 2015-10-13 | National University Corporation Tohoku University | Surface treatment method for atomically flattening a silicon wafer and heat treatment apparatus |
| JPWO2013150636A1 (ja) * | 2012-04-05 | 2015-12-14 | 国立大学法人東北大学 | シリコンウェーハの原子オーダー平坦化表面処理方法及び熱処理装置 |
-
1995
- 1995-02-02 JP JP3764495A patent/JPH08213335A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9157681B2 (en) | 2010-02-04 | 2015-10-13 | National University Corporation Tohoku University | Surface treatment method for atomically flattening a silicon wafer and heat treatment apparatus |
| WO2013150636A1 (ja) * | 2012-04-05 | 2013-10-10 | 国立大学法人東北大学 | シリコンウェーハの原子オーダー平坦化表面処理方法及び熱処理装置 |
| JPWO2013150636A1 (ja) * | 2012-04-05 | 2015-12-14 | 国立大学法人東北大学 | シリコンウェーハの原子オーダー平坦化表面処理方法及び熱処理装置 |
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