JPH01260815A - 半導体基板の加熱処理装置 - Google Patents
半導体基板の加熱処理装置Info
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- JPH01260815A JPH01260815A JP9012188A JP9012188A JPH01260815A JP H01260815 A JPH01260815 A JP H01260815A JP 9012188 A JP9012188 A JP 9012188A JP 9012188 A JP9012188 A JP 9012188A JP H01260815 A JPH01260815 A JP H01260815A
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- semiconductor substrate
- heat treatment
- furnace tube
- tube
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造装置に係り、％に半導体基板
上へのシリコン叡化膜生成、あるいはり／等の不純物尋
人等に利用される半導体基板の加熱処理装置に関する。
上へのシリコン叡化膜生成、あるいはり／等の不純物尋
人等に利用される半導体基板の加熱処理装置に関する。
従来の半導体基板の加熱処理装置について第４図を用い
て説明する。
て説明する。
この加熱処理装置は、中央部の炉芯管１の外側に均熱管
２を配置し、さらにその外側ヒータ３を巻いた構造とな
りている。半導体基板６はボート４の上にのせられ、炉
芯管１の内部で炉芯管１の一端に形成されたガス導入口
５よシ導入されたガス雰朋気中で熱処理される。また、
半導体基板６は、炉芯管１の他端よシ炉芯管１内部に導
入され熱処理後、同じ他端よシ炉芯管１外に取り出され
る。さらに従来の加熱処理装置の炉芯管１は、通常円筒
形の一重構造となっておシ、単に熱処理中に半導体基板
６を力学的にささえガス雰囲気を保持するためだけに用
いられていた。
２を配置し、さらにその外側ヒータ３を巻いた構造とな
りている。半導体基板６はボート４の上にのせられ、炉
芯管１の内部で炉芯管１の一端に形成されたガス導入口
５よシ導入されたガス雰朋気中で熱処理される。また、
半導体基板６は、炉芯管１の他端よシ炉芯管１内部に導
入され熱処理後、同じ他端よシ炉芯管１外に取り出され
る。さらに従来の加熱処理装置の炉芯管１は、通常円筒
形の一重構造となっておシ、単に熱処理中に半導体基板
６を力学的にささえガス雰囲気を保持するためだけに用
いられていた。
前述したように従来の加熱処理装置では、半導体基板６
が炉芯管１の他端のみを通じて人出炉されるために、ボ
ート４上に配置された半導体基板６の位置の差に応じて
熱履歴の差が生じ、これによシ生成された半導体装置の
特性にばらつきを生じせしめ、ひいては半導体装置の収
率を低下させるという欠点がある。
が炉芯管１の他端のみを通じて人出炉されるために、ボ
ート４上に配置された半導体基板６の位置の差に応じて
熱履歴の差が生じ、これによシ生成された半導体装置の
特性にばらつきを生じせしめ、ひいては半導体装置の収
率を低下させるという欠点がある。
従来の技術では前記欠点を解消すべく、低温で入炉させ
、炉芯管１内に半導体基板６を配置したまま、昇温させ
る等の工夫を行っているが、本質的に熱履歴差の問題を
解決するに至りていないばかりではなく、処理時間が長
くかり、また短時間の微妙な熱処理に対応できないとい
う欠点が生じている。さらに従来の装置では、本質的に
バッチ処理のみが可能であシ、連続生産の要望に対応で
きない。
、炉芯管１内に半導体基板６を配置したまま、昇温させ
る等の工夫を行っているが、本質的に熱履歴差の問題を
解決するに至りていないばかりではなく、処理時間が長
くかり、また短時間の微妙な熱処理に対応できないとい
う欠点が生じている。さらに従来の装置では、本質的に
バッチ処理のみが可能であシ、連続生産の要望に対応で
きない。
本発明の目的は、前記問題点を解消し、半導体基板の熱
履歴の差を実質的釦なくし、連続処理をも可能とする半
導体基板の加熱処理装置を提供することにある。
履歴の差を実質的釦なくし、連続処理をも可能とする半
導体基板の加熱処理装置を提供することにある。
本発明の半導体基板の加熱処理装置の構成は、半導体基
板を炉芯管内に入れる入口と、前記半導体基板を前記炉
芯管内から出す出口とが、別々に設けられていることを
特徴とする。
板を炉芯管内に入れる入口と、前記半導体基板を前記炉
芯管内から出す出口とが、別々に設けられていることを
特徴とする。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の半導体基板の加熱処理
装置の断面図である。同図において、不活性雰囲気中で
の半導体基板６の加熱処理の状態が示されている。本実
施例の加熱処理装置は、外側炉芯管１と、多数の穴のお
いた内側の炉芯管１′と、均熱管２とヒータ３とを含み
、構成される。
装置の断面図である。同図において、不活性雰囲気中で
の半導体基板６の加熱処理の状態が示されている。本実
施例の加熱処理装置は、外側炉芯管１と、多数の穴のお
いた内側の炉芯管１′と、均熱管２とヒータ３とを含み
、構成される。
ここで、不活性ガスは一端のガス導入口５よシ導入され
、多数の細穴７を通って半導体基板６に供給される。半
導体基板６は炉芯管１′ の一端にある入口より導入さ
れ、他端にある出口よシ装置外へ出される。
、多数の細穴７を通って半導体基板６に供給される。半
導体基板６は炉芯管１′ の一端にある入口より導入さ
れ、他端にある出口よシ装置外へ出される。
本実施例は、通常の炉芯管の内側に、多数の穴のあいた
もう１つの炉芯管を配置した二重構造の炉芯管を有し、
雰囲気ガスは外側と内側との炉芯管の間に外部から導入
され、さらに内側の炉芯管の多数の穴よシ、半導体基板
へ向って圧送され、また従来の炉芯管が１端間口の構造
罠なっているのに対し、本実施例の炉芯管は両端開口の
構造とがっている。
もう１つの炉芯管を配置した二重構造の炉芯管を有し、
雰囲気ガスは外側と内側との炉芯管の間に外部から導入
され、さらに内側の炉芯管の多数の穴よシ、半導体基板
へ向って圧送され、また従来の炉芯管が１端間口の構造
罠なっているのに対し、本実施例の炉芯管は両端開口の
構造とがっている。
第２図は本発明の第２の実施例の半導体基板の加熱処理
装置の断面図である。第３図は第２図のＡ−Ａ’ 線
の断面図である。これら図において、本実施例の処理装
置の炉芯管の構造は、その形状が円筒形から長方形にな
ったこと以外は、前記第１の実施例と同様である。本第
２の実施例では、半導体基板６の不純物（リン）を拡散
させる為に加熱処理を行っている。ここで、半導体基板
６は１枚ごとに横にして石英ボート４の上に置かれて、
炉芯管ｌ、１′の一端から他端まで送られる。不純物ガ
スは炉芯管１，１′の細穴７から半導体基板６に向りて
圧送される。
装置の断面図である。第３図は第２図のＡ−Ａ’ 線
の断面図である。これら図において、本実施例の処理装
置の炉芯管の構造は、その形状が円筒形から長方形にな
ったこと以外は、前記第１の実施例と同様である。本第
２の実施例では、半導体基板６の不純物（リン）を拡散
させる為に加熱処理を行っている。ここで、半導体基板
６は１枚ごとに横にして石英ボート４の上に置かれて、
炉芯管ｌ、１′の一端から他端まで送られる。不純物ガ
スは炉芯管１，１′の細穴７から半導体基板６に向りて
圧送される。
本実施例においては、半導体基板６間の熱履歴差が解消
されるばか夛でなく、半導体基板６内に導入された不純
物濃度の面内均一性が飛躍的に向上する。
されるばか夛でなく、半導体基板６内に導入された不純
物濃度の面内均一性が飛躍的に向上する。
以上説明したように１本発明は、特に両端開口の二重構
造の炉芯管を用いることＫよシ、炉芯管の一方の開口端
よシ半導体基板を加熱処理装置内に導入し、他方の開口
端へと搬送する間に加熱処理を行うことができるため、
本質的に半導体基板間の熱履歴差が生じ得ないという効
果がある。さらに１本発明は、加熱処理が連続的である
場合、加熱処理装置の稼動効率が飛躍的に向上するとい
う効果がある。
造の炉芯管を用いることＫよシ、炉芯管の一方の開口端
よシ半導体基板を加熱処理装置内に導入し、他方の開口
端へと搬送する間に加熱処理を行うことができるため、
本質的に半導体基板間の熱履歴差が生じ得ないという効
果がある。さらに１本発明は、加熱処理が連続的である
場合、加熱処理装置の稼動効率が飛躍的に向上するとい
う効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の半導体基板の加熱処理
装置の断面図、第２図は本発明の第２の実施例２の断面
図、第３図は第２図の処理装置のＡ −Ａ’ 線の断
面図、第４図は従来の加熱処理装置の断面図である。 １．１′・・・・・・炉芯管、２・・・・・・均熱管、
３・・・・・・ヒーター、４・・・・・・ボート、５・
・・・・・ガス導入口、６・旧・・半導体基板、７・・
・・・・内側炉芯管にあけた細穴。 代理人 弁理士 内 原 晋
装置の断面図、第２図は本発明の第２の実施例２の断面
図、第３図は第２図の処理装置のＡ −Ａ’ 線の断
面図、第４図は従来の加熱処理装置の断面図である。 １．１′・・・・・・炉芯管、２・・・・・・均熱管、
３・・・・・・ヒーター、４・・・・・・ボート、５・
・・・・・ガス導入口、６・旧・・半導体基板、７・・
・・・・内側炉芯管にあけた細穴。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 半導体基板を炉芯管内に入れる入口と、前記半導体基
板を前記炉芯管内から出す出口とが、別々に設けられて
いることを特徴とする半導体基板の加熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9012188A JPH01260815A (ja) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | 半導体基板の加熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9012188A JPH01260815A (ja) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | 半導体基板の加熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01260815A true JPH01260815A (ja) | 1989-10-18 |
Family
ID=13989677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9012188A Pending JPH01260815A (ja) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | 半導体基板の加熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01260815A (ja) |
-
1988
- 1988-04-11 JP JP9012188A patent/JPH01260815A/ja active Pending
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