JP2708404B2 - 高圧発生装置 - Google Patents

高圧発生装置

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JP2708404B2
JP2708404B2 JP60292609A JP29260985A JP2708404B2 JP 2708404 B2 JP2708404 B2 JP 2708404B2 JP 60292609 A JP60292609 A JP 60292609A JP 29260985 A JP29260985 A JP 29260985A JP 2708404 B2 JP2708404 B2 JP 2708404B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高圧発生装置に係り、特にフライバックト
ランスの高圧レギュレーションを改善した高圧発生装置
に関する。 〔従来の技術〕 従来の技術として、例えば、特開昭52−69522号公報
に記載されたものが知られている。これは、第6図に示
されるように、コイル7、コンデンサ8及び抵抗9より
成る共振回路をフライバックトランス6の1次巻線と直
列に接続し、高圧出力波形の高調波成分を抵抗9にて減
衰させ、フライバックトランス出力波形頭部を第3図の
点線で示すようにほぼ平坦にして高圧ダイオード10の導
通範囲を広げ、高圧レギュレーションを改善しようとす
るものである。 また、別の従来技術として、フライバックトランスの
1次巻線と並列に可飽和トランスを接続し、高圧負荷に
よりインダクタンスを変化させ、帰線期間パルス幅変化
により高圧安定化を図るものがある。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、前者のものは、高圧負荷の全域にわた
って高調波成分を減衰させることになるため、高圧出力
は高圧負荷の増加に従って低下することになり、高圧負
荷の全域にわたって高圧出力を安定化させることは困難
であった。 後者のものは、インダクタンスの変化が数百μH〜数
mHにも及び、トランスが大型で高価になってしまい、
又、インダクタンスによるリンギングも発生し画面に妨
害を与え易くなる欠点がある。 本発明は、上記従来技術の問題に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、低コスト、小型かつ簡易構成下
で、フライバックトランスの出力波形のリンギング成分
を小さくするとともに、負荷変動の影響を抑えて高圧出
力を一定にできる高圧発生装置を提供することにある。 〔問題点を解決するための手段〕 上記目的を達成するための本発明に係る高圧発生装置
は、基本波に奇数高調波が合成された高圧パルスを出力
するフライバックトランス(6)と、該フライバックト
ランス(6)の1次巻線が直列接続され、かつ前記フラ
イバックトランス(6)の高圧負荷が増大するに従って
インダンクタンス値が減少する特性を備えた2次巻線を
有する過飽和トランス(12)と、前記フライバックトラ
ンス(6)の2次巻線に接続され、前記高圧パルスの少
なくとも正極側のピーク部を整流する整流器(10)と、
を備え、 前記過飽和トランス(12)の2次巻線にコンデンサ
(8)と抵抗(9)の直列回路を並列に接続して共振回
路を構成し、該共振回路は、前記高圧負荷が第1の状態
のときにはその共振周波数が前記奇数高調波の周波数と
略同じとなり、前記高圧負荷が前記第1の状態よりも大
きい第2の状態のときには該共振周波数が前記奇数高調
波の周波数よりも高くなるように構成され、前記高圧負
荷が第1の状態のときは前記高圧パルスに合成される高
調波成分を減衰し、前記第2の状態のときは該高調波成
分の減衰度を減少せしめて前記高圧負荷が第1及び第2
の状態で略一定となるように構成したことを特徴とする
ものである。 〔作用〕 上記共振回路は、高圧負荷が第1の状態、すなわち低
負荷時においてはフライバックパルスに重畳される高調
波成分の周波数と共振し、そのインピーダンスが最大に
なるため、高調波成分が大きく減衰される。このとき、
基本波(フライバックパルス)も共振回路により減衰さ
れるが、その周波数は高調波成分の周波数の1/5〜1/9で
あるため、減衰量は高調波成分のそれに比べ充分に小さ
い。 高圧負荷が第1の状態から第2の状態、すなわち高負
荷に変化すると共振回路中の過飽和トランスの2次イン
ダクタンス値が上昇するため、共振回路の共振周波数が
高くなる。このため、高負荷時では共振回路は高調波成
分と共振せず、そのインピーダンスが低負荷時に比べ減
少するので、高調波成分の共振回路による減衰量は減少
してその振幅が増大する。また、基本波の周波数におけ
る共振回路のインピーダンスも低負荷時に比べ減少する
ので、基本波の減衰量も減少し、その振幅が増大する。 従って、本発明によれば、高圧負荷の上昇に伴って高
圧出力が低下しても、その低下分を高調波成分及び基本
波の振幅の増大により補うようになるため、高圧出力を
全負荷にわたって安定させることが可能となる。 〔発明の実施例〕 以下、本発明を図面を用いて説明する。 第1図は、本発明に係る高圧発生装置の一実施例を示
す回路図である。第1図において、1は水平出力トラン
ジスタ、2はダンパーダイオード、3は共振コンデン
サ、4は水平偏向コイル、5はS字補正コンデンサ、6
はフライバックトランス、8はコンデンサ、9は抵抗、
10は高圧整流ダイオード、11は電源コンデンサ、12は可
飽和トランスである。上記コンデンサ8と抵抗9は互い
に直列に接続され、この直列回路を上記可飽和トランス
12の2次巻線に並列接続することにより、フライバック
トランス出力の高調波成分を減衰させる共振回路を構成
している。 本実施例に適用される可飽和トランス12は、第2図に
示すように、その1次巻線に流れる電流が増大するに従
って2次インダクタンスが減少する特性を備えており、
その2次インダクタンスは、高圧負荷が低い(1次巻線
に流れる電流が小さい)ときにおいては、共振回路の共
振周波数がフライバックパルスに重畳される奇数次の高
調波成分の周波数とほぼ等しくなるような値となる。 次に、本実施例の動作について、高圧負荷が低い場合
と高い場合とに分けて説明する。 (1)低負荷時 低負荷時、可飽和トランス12のB点に流入する電源電
流、すなわち可飽和トランス12の1次巻線電流は小さい
ため、共振回路の共振周波数はフライバックパルスに重
畳される高調波成分の周波数に等しくなる。よって、共
振回路のインピーダンスは高調波成分の周波数において
最大となり、高調波成分は共振回路により大きく減衰さ
れる。 一方、フライバックパルス周波数における共振回路の
インピーダンスは、高調波成分の周波数におけるインピ
ーダンスよりも充分に低いため、フライバックパルスは
共振回路によりあまり減衰されない。 従って、フライバック出力は、第3図の点線で示すよ
うに高調波成分の減衰によりピーク値が下がり、その上
部が平坦になる。高圧は、第3図に示す波形を高圧整流
ダイオード10で整流して得られるため、高圧レギュレー
ション特性は改善される。 (2)高負荷時 高負荷時は、可飽和トランス12のB点に流入する電源
電流、すなわち可飽和トランス12の1次巻線電流が増加
するため、可飽和トランス12の2次インダクタンスは減
少し、共振回路の共振周波数が高くなる。このため、共
振回路は、高調波成分の周波数では共振点を外れるた
め、その周波数におけるインピーダンスは低負荷時のも
のよりも低くなる。よって、高調波成分が受ける損失、
すなわち高調波成分の減衰量は低負荷時よりも小さくな
る。 一方、フライバックパルス周波数における共振回路の
インピーダンスは、低負荷時よりも小さくなるため、フ
ライバックパルスが共振回路によって受ける損失は、低
負荷時よりも更に小さくなる。 従って、フライバック出力は、第3図の実線で示すよ
うに、フライバックパルス及び高調波成分の増加により
ピーク値が増大する。 本実施例に基づく高圧負荷−高圧特性の実験結果を第
5図に示す。実験では、コンデンサ0.01μF、抵抗27
Ω、可飽和トランス、2次巻線インダクタンス68μH〜
20μH変化で、高圧レギュレーションが第6図に示す従
来技術のもの(インダクタンスが変化しない高調波減衰
回路を備えるもの)よりも約1.5KV改善された。 このように本実施例によれば、高圧負荷の変動に応じ
て上記の如く動作するため、第5図の点線で示すような
安定した高圧負荷−高圧特性を得ることができ、高圧レ
ギュレーションが改善できる。 ここで、可飽和トランス12の1次巻線電流は高圧負荷
に応じた電流でよいため、ブラウン管ビーム電流に応じ
たA.B.L(自動輝度制限)検出電圧を利用し駆動しても
よい。 第4図は、本発明を画面歪防止回路として用いた場合
の回路例を示すものである。図面歪は、画面が明るい部
分で高圧が低下し偏向感度が上昇して画面サイズが広が
ってしまう現象である。上記説明より、可飽和トランス
12の1次巻線に画面明るさに応じた電流を流し、高圧補
正することにより画面歪が補正できることが明らかであ
る。 〔発明の効果〕 本発明によれば、低コストかつ小型・簡易な回路構成
下でも容易に高圧出力の一定化を実現でき、同時に、水
平走査期間でのリンキング発生も抑えられる。
【図面の簡単な説明】 第1図は、本発明に係る高圧発生装置一実施例を示す回
路図、第2図は、本発明に係る高圧発生装置に用いられ
る可飽和トランスの特性図、第3図は、高圧出力の波形
図、第4図は、本発明を画面歪補正回路のとして用いた
場合の回路図、第5図は、本発明係る高圧発生装置及び
従来の高圧発生装置の電圧降下の特性図、第6図は、従
来の高圧発生装置の回路図である。 1……水平出力トランジスタ、2……ダンパーダイオー
ド、3……共振コンデンサ、4……水平偏向コイル、5
……S字補正コンデンサ、6……フライバックトラン
ス、7……コイル、8……コンデンサ、9……抵抗、10
……高圧整流ダイオード、11……電源コンデンサ、12…
…可飽和トランス。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭52−69522(JP,A) 特開 昭47−30222(JP,A) 特開 昭56−14777(JP,A) 特開 昭49−66228(JP,A) 特開 昭54−31225(JP,A) 実開 昭49−32525(JP,U)

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 1.基本波に奇数高調波が合成された高圧パルスを出力
    するフライバックトランス(6)と、 該フライバックトランス(6)の1次巻線が直列接続さ
    れ、かつ前記フライバックトランス(6)の高圧負荷が
    増大するに従ってインダクタンス値が減少する特性を備
    えた2次巻線を有する過飽和トランス(12)と、 前記フライバックトランス(6)の2次巻線に接続さ
    れ、前記高圧パルスの少なくとも正極側のピーク部を整
    流する整流器(10)と、を備え、 前記過飽和トランス(12)の2次巻線にコンデンサ
    (8)と抵抗(9)の直列回路を並列に接続して共振回
    路を構成し、 該共振回路は、前記高圧負荷が第1の状態のときにはそ
    の共振周波数が前記奇数高調波の周波数と略同じとな
    り、前記高圧負荷が前記第1の状態よりも大きい第2の
    状態のときには該共振周波数が前記奇数高調波の周波数
    よりも高くなるように構成され、 前記高圧負荷が第1の状態のときは前記高圧パルスに合
    成される高調波成分を減衰し、前記第2の状態のときは
    該高調波成分の減衰度を減少せしめて前記高圧負荷が第
    1及び第2の状態で略一定となるように構成したことを
    特徴とする高圧発生装置。
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