JP2701643B2 - 半導体容器 - Google Patents
半導体容器Info
- Publication number
- JP2701643B2 JP2701643B2 JP3117292A JP3117292A JP2701643B2 JP 2701643 B2 JP2701643 B2 JP 2701643B2 JP 3117292 A JP3117292 A JP 3117292A JP 3117292 A JP3117292 A JP 3117292A JP 2701643 B2 JP2701643 B2 JP 2701643B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ground
- semiconductor
- container
- terminal
- side walls
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体容器に関し、特に
超高周波電力増幅用の半導体装置の半導体容器に関す
る。
超高周波電力増幅用の半導体装置の半導体容器に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、高周波トランジスタの接
地インダクタンスと高周波利得との間には深い関係があ
り、利得増大のためには接地インダクタンスを小さくす
る必要がある。すなわち、接地ボンディング線の長さを
短くしなければならない。
地インダクタンスと高周波利得との間には深い関係があ
り、利得増大のためには接地インダクタンスを小さくす
る必要がある。すなわち、接地ボンディング線の長さを
短くしなければならない。
【０００３】一方、高周波利得を低下させないために
は、トランジスタにより増幅した高周波電力信号、すな
わち電磁波を出力端子以外の部分から半導体容器外に放
射させないことが必要である。
は、トランジスタにより増幅した高周波電力信号、すな
わち電磁波を出力端子以外の部分から半導体容器外に放
射させないことが必要である。
【０００４】このような課題を満足させる構造として、
従来の半導体容器は、図２（Ａ）〜（Ｃ）に示すよう
に、アルミナセラミックの基板１と、接地金線１５の接
続部を含む接地端子４Ａ，４Ｂと、入力端子５と、出力
端子６と、基板１上の入力端子５および出力端子６をそ
れぞれ電気的に接続するためメタライズされた入力およ
び出力側の金線接続部７，８と、トランジスタチップ１
４を搭載するために表面をメタライズされたチップ搭載
部９と、キャップ１２を気密封止するためのメタライズ
された接着用金属１１とを備えて構成されていた。
従来の半導体容器は、図２（Ａ）〜（Ｃ）に示すよう
に、アルミナセラミックの基板１と、接地金線１５の接
続部を含む接地端子４Ａ，４Ｂと、入力端子５と、出力
端子６と、基板１上の入力端子５および出力端子６をそ
れぞれ電気的に接続するためメタライズされた入力およ
び出力側の金線接続部７，８と、トランジスタチップ１
４を搭載するために表面をメタライズされたチップ搭載
部９と、キャップ１２を気密封止するためのメタライズ
された接着用金属１１とを備えて構成されていた。
【０００５】ここで、図２（Ａ）は従来の半導体容器の
平面図、（Ｂ）はＡ−Ｂ断面図、（Ｃ）は従来の半導体
容器にトランジスタチップを搭載し封止した完成品のＡ
−Ｂ断面図である。
平面図、（Ｂ）はＡ−Ｂ断面図、（Ｃ）は従来の半導体
容器にトランジスタチップを搭載し封止した完成品のＡ
−Ｂ断面図である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
容器は、キャップを気密封止するとき、封止用ろう材が
容器の接地端子側の側面に沿って流れ、接地金線に触れ
てこれを溶断するという事故を発生するという欠点があ
った。
容器は、キャップを気密封止するとき、封止用ろう材が
容器の接地端子側の側面に沿って流れ、接地金線に触れ
てこれを溶断するという事故を発生するという欠点があ
った。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体容器は、
互いに対向する第一および第二の側壁にそれぞれ入力お
よび出力端子を前記第一および第二の側壁と直交し互い
に対向する第三および第四の側壁に第一および第二の接
地用端子をそれぞれ有する外郭体と、前記外郭体の底面
を形成し一主面に半導体チップ搭載部と前記入力および
出力端子に対する電気的接続用の入力および出力接続部
と前記第一および第二の接地端子に対する電気的接続用
の第一および第二の接地接続部を形成したセラミック基
板を備える半導体容器において、前記第一および第二の
接地接続部をそれぞれ上面に形成し前記基板上にそれぞ
れ前記第三および第四の側壁に並行して予め定めた凹部
を形成するよう配置した矩形断面の第一および第二の棒
状突起体を備えて構成されている。
互いに対向する第一および第二の側壁にそれぞれ入力お
よび出力端子を前記第一および第二の側壁と直交し互い
に対向する第三および第四の側壁に第一および第二の接
地用端子をそれぞれ有する外郭体と、前記外郭体の底面
を形成し一主面に半導体チップ搭載部と前記入力および
出力端子に対する電気的接続用の入力および出力接続部
と前記第一および第二の接地端子に対する電気的接続用
の第一および第二の接地接続部を形成したセラミック基
板を備える半導体容器において、前記第一および第二の
接地接続部をそれぞれ上面に形成し前記基板上にそれぞ
れ前記第三および第四の側壁に並行して予め定めた凹部
を形成するよう配置した矩形断面の第一および第二の棒
状突起体を備えて構成されている。
【０００８】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【０００９】図１は本発明の半導体容器の一実施例を示
す、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はＡ−Ｂ断面図、（Ｃ）は
トランジスタチップを搭載し封止した完成品のＡ−Ｂ断
面図である。
す、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はＡ−Ｂ断面図、（Ｃ）は
トランジスタチップを搭載し封止した完成品のＡ−Ｂ断
面図である。
【００１０】本実施例の半導体容器は、図１に示すよう
に、従来例と同様のアルミナセラミックの基板１と、接
地端子４Ａ，４Ｂと、入力端子５と、出力端子６と、入
力および出力側の金線接続部７，８と、トランジスタチ
ップ１４を搭載するために表面をメタライズされたチッ
プ搭載部９と、キャップ１２を気密封止するためのメタ
ライズされた接着用金属１１とに加えて、基板１上に接
地端子４Ａ，４Ｂを設けた側壁に並行して凹部１６を形
成するよう配置した矩形断面のセラミック棒状体２Ａ，
２Ｂと、セラミック棒状体２Ａ，２Ｂにメタライズを施
して形成した接地金線１５の接続用の接地金線接続部３
Ａ，３Ｂとを備えて構成されている。
に、従来例と同様のアルミナセラミックの基板１と、接
地端子４Ａ，４Ｂと、入力端子５と、出力端子６と、入
力および出力側の金線接続部７，８と、トランジスタチ
ップ１４を搭載するために表面をメタライズされたチッ
プ搭載部９と、キャップ１２を気密封止するためのメタ
ライズされた接着用金属１１とに加えて、基板１上に接
地端子４Ａ，４Ｂを設けた側壁に並行して凹部１６を形
成するよう配置した矩形断面のセラミック棒状体２Ａ，
２Ｂと、セラミック棒状体２Ａ，２Ｂにメタライズを施
して形成した接地金線１５の接続用の接地金線接続部３
Ａ，３Ｂとを備えて構成されている。
【００１１】次に、本実施例の半導体容器の組立工程に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００１２】まず、基板１のチップ搭載部９にトランジ
スタチップ１４を搭載する。次に、接地端子４Ａ，４Ｂ
をそれぞれ接地金線接続部３Ａ，３Ｂにろう材によりメ
タライズ層を介して電気的に接続する。次に、入力端子
５および出力端子６をろう材によりそれぞれ対応する金
線接続部７，８に接続する。次に、トランジスタチップ
１４の入力および出力の各電極と対応する入力および出
力側の金線接続部７，８とを金線で接続する。また、ト
ランジスタチップ１４の接地電極と接地金線接続部３と
を接地金線１５により接続する。次にキャップ１２を取
付け、加熱して封着用のろう材１３を溶着することによ
り封止する。
スタチップ１４を搭載する。次に、接地端子４Ａ，４Ｂ
をそれぞれ接地金線接続部３Ａ，３Ｂにろう材によりメ
タライズ層を介して電気的に接続する。次に、入力端子
５および出力端子６をろう材によりそれぞれ対応する金
線接続部７，８に接続する。次に、トランジスタチップ
１４の入力および出力の各電極と対応する入力および出
力側の金線接続部７，８とを金線で接続する。また、ト
ランジスタチップ１４の接地電極と接地金線接続部３と
を接地金線１５により接続する。次にキャップ１２を取
付け、加熱して封着用のろう材１３を溶着することによ
り封止する。
【００１３】ここで、セラミック棒状体２Ａ，２Ｂの厚
さ、すなわち凹部１６の深さを約１５０μｍ、凹部１６
の幅を０．１ｍｍ以上とする。この理由は、接地端子側
の封着ろう材の容積がほぼ、１．３×０．５×０．０５
ｍｍ3 であり、そのうち約６０％が容器の接地端子側の
側面に沿って流れたとしても、接地金線１５に届いて接
触することがないようにするためである。
さ、すなわち凹部１６の深さを約１５０μｍ、凹部１６
の幅を０．１ｍｍ以上とする。この理由は、接地端子側
の封着ろう材の容積がほぼ、１．３×０．５×０．０５
ｍｍ3 であり、そのうち約６０％が容器の接地端子側の
側面に沿って流れたとしても、接地金線１５に届いて接
触することがないようにするためである。
【００１４】以上、本発明の実施例を説明したが、本発
明は上記実施例に限られることなく種々の変形が可能で
ある。たとえば、セラミック棒状体を基板と一体成型
し、チップ搭載部と両側の接地金線接続部を含めた接地
端子とを一体に金属で成型することにより部品点数を削
減するとともに、電磁波に対する遮蔽効果を一層向上す
ることも、本発明の主旨を逸脱しない限り適用できるこ
とは勿論である。
明は上記実施例に限られることなく種々の変形が可能で
ある。たとえば、セラミック棒状体を基板と一体成型
し、チップ搭載部と両側の接地金線接続部を含めた接地
端子とを一体に金属で成型することにより部品点数を削
減するとともに、電磁波に対する遮蔽効果を一層向上す
ることも、本発明の主旨を逸脱しない限り適用できるこ
とは勿論である。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体容
器は、接地接続部を上面に形成し基板上に接地端子側の
側壁に並行して凹部を形成するよう配置した矩形断面の
棒状突起体を備えることにより、接地端子側の封着ろう
材が容器の側面に沿って流れてても、接地金線に届いて
接触し溶断するという事故を防止できるという効果があ
る。
器は、接地接続部を上面に形成し基板上に接地端子側の
側壁に並行して凹部を形成するよう配置した矩形断面の
棒状突起体を備えることにより、接地端子側の封着ろう
材が容器の側面に沿って流れてても、接地金線に届いて
接触し溶断するという事故を防止できるという効果があ
る。
【図１】本発明の半導体容器の一実施例を示す平面図お
び断面図およびトランジスタチップを搭載し封止した完
成品の断面図である。
び断面図およびトランジスタチップを搭載し封止した完
成品の断面図である。
【図２】従来の半導体容器の一例を示す平面図おび断面
図およびトランジスタチップを搭載し封止した完成品の
断面図である。
図およびトランジスタチップを搭載し封止した完成品の
断面図である。
１ 基板 ２Ａ，２Ｂ セラミック棒状体 ３Ａ，３Ｂ 接地金線接続部 ４Ａ，４Ｂ 接地端子 ５ 入力端子 ６ 出力端子 ７，８ 金線接続部 ９ チップ搭載部 １０ メタライズ層 １１ 接着用金属 １２ キャップ １３ 封着ろう材 １４ トランジスタチップ １５ 接地金線 １６ 凹部
Claims (3)
- 【請求項１】 互いに対向する第一および第二の側壁に
それぞれ入力および出力端子を前記第一および第二の側
壁と直交し互いに対向する第三および第四の側壁に第一
および第二の接地用端子をそれぞれ有する外郭体と、前
記外郭体の底面を形成し一主面に半導体チップ搭載部と
前記入力および出力端子に対する電気的接続用の入力お
よび出力接続部と前記第一および第二の接地端子に対す
る電気的接続用の第一および第二の接地接続部を形成し
たセラミック基板を備える半導体容器において、 前記第一および第二の接地接続部をそれぞれ上面に形成
し前記基板上にそれぞれ前記第三および第四の側壁に並
行して予め定めた凹部を形成するよう配置した矩形断面
の第一および第二の棒状突起体を備えることを特徴とす
る半導体容器。 - 【請求項２】 前記第一および第二の棒状突起体は前記
基板と一体に成型することを特徴とする請求項１記載の
半導体容器。 - 【請求項３】 前記チップ搭載部と前記第一および第二
の接地接続部と前記第一および第二の接地端子とを一体
に金属で成型することことを特徴とする請求項１記載の
半導体容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3117292A JP2701643B2 (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 半導体容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3117292A JP2701643B2 (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 半導体容器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05235186A JPH05235186A (ja) | 1993-09-10 |
| JP2701643B2 true JP2701643B2 (ja) | 1998-01-21 |
Family
ID=12324029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3117292A Expired - Fee Related JP2701643B2 (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 半導体容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2701643B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6291354B2 (ja) * | 2014-05-28 | 2018-03-14 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板 |
-
1992
- 1992-02-19 JP JP3117292A patent/JP2701643B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05235186A (ja) | 1993-09-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5382829A (en) | Packaged microwave semiconductor device | |
| JP3500268B2 (ja) | 高周波用入出力端子ならびにそれを用いた高周波用半導体素子収納用パッケージ | |
| JPS6325710B2 (ja) | ||
| JPS6114668B2 (ja) | ||
| JPH0786460A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07321140A (ja) | 半導体装置 | |
| JP4874177B2 (ja) | 接続端子及びこれを用いたパッケージ並びに電子装置 | |
| JP2701643B2 (ja) | 半導体容器 | |
| JP3178452B2 (ja) | 半導体装置用パッケージとその実装構造 | |
| JP2511136Y2 (ja) | 電子部品用メタルパッケ―ジ | |
| JPH0287701A (ja) | 高周波集積回路用パッケージ | |
| JP2000183488A (ja) | ハイブリッドモジュール | |
| JP2589344B2 (ja) | 高周波半導体装置 | |
| JP2740294B2 (ja) | 高周波半導体用容器 | |
| JPH0752760B2 (ja) | 半導体装置用パッケ−ジ | |
| JPH05226496A (ja) | 電子部品用パッケージ | |
| JPS6236290Y2 (ja) | ||
| JP2002314190A (ja) | 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置 | |
| JPH03270054A (ja) | 高周波高出力半導体装置 | |
| JPS63228647A (ja) | マイクロ波集積回路装置 | |
| JP2000323595A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07307420A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2596339B2 (ja) | 半導体素子パッケージ | |
| JPS6336688Y2 (ja) | ||
| JPS63288034A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970902 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081003 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |