JP2697904B2 - 光電デバイスの製造方法 - Google Patents
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- H01S5/2277—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching double channel planar buried heterostructure [DCPBH] laser
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Description
【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は亜鉛供給源の存在下にｐ型拡散領域を形成す
るために、少なくとも部分的に実質的に純粋なリン化イ
ンジウムからなる単結晶半導体本体中に亜鉛を拡散させ
ることにより、前記半導体本体を具える光電デバイスを
製造する方法に関するものである。
るために、少なくとも部分的に実質的に純粋なリン化イ
ンジウムからなる単結晶半導体本体中に亜鉛を拡散させ
ることにより、前記半導体本体を具える光電デバイスを
製造する方法に関するものである。
ここに「実質的に純粋な」とは「存在するドーパント
は別にして」という意味である。
は別にして」という意味である。
（背景技術） 冒頭に記載した種類の方法は例えば「アイ．イー．イ
ー．イー．トランス．オン・エレクトル．デブ．（I.E.
E.E.Trans.on Electr.Dev.）第ED−29巻，第９号,1982
年９月，第1408〜1413頁から既知である。
ー．イー．トランス．オン・エレクトル．デブ．（I.E.
E.E.Trans.on Electr.Dev.）第ED−29巻，第９号,1982
年９月，第1408〜1413頁から既知である。
亜鉛供給源は例えばリン化亜鉛（Zn3P2）からなり、
このリンは拡散処理中に半導体本体からリンが蒸発する
のを妨害する作用をする。
このリンは拡散処理中に半導体本体からリンが蒸発する
のを妨害する作用をする。
既知の拡散処理には、大部分の場合にリン化インジウ
ム中のアクセプタ亜鉛の正味濃度が低すぎて半導体本体
に低いオーム接点を提供することができないという問題
がある。
ム中のアクセプタ亜鉛の正味濃度が低すぎて半導体本体
に低いオーム接点を提供することができないという問題
がある。
本発明は上述の問題を少くとも可成りの程度まで回避
できる方法を提供することにある。
できる方法を提供することにある。
（発明の開示） 本発明は、拡散処理に追加した処理中に、リン化イン
ジウム中のアクセプタ濃度を一層高くすることができる
とことを見い出したことに基づく。
ジウム中のアクセプタ濃度を一層高くすることができる
とことを見い出したことに基づく。
従って、本発明は、冒頭に記載した方法において、前
記拡散処理の後に前記半導体本体を亜鉛供給源の不存在
下に熱処理し、該熱処理中に前記半導体の表面に前記ｐ
型領域の区域において亜鉛を浸透させることを特徴とす
る。
記拡散処理の後に前記半導体本体を亜鉛供給源の不存在
下に熱処理し、該熱処理中に前記半導体の表面に前記ｐ
型領域の区域において亜鉛を浸透させることを特徴とす
る。
ここに使用した「半導体本体の表面に浸透させる」と
いう表現において、熱処理中の表面は前の工程において
半導体本体中に亜鉛が拡散する際に通過する表面と同じ
表面であることを意味するが、また操作温度において亜
鉛浸透性である層例えば酸化ケイ素層を前記表面上に存
在させることができることを意味する。
いう表現において、熱処理中の表面は前の工程において
半導体本体中に亜鉛が拡散する際に通過する表面と同じ
表面であることを意味するが、また操作温度において亜
鉛浸透性である層例えば酸化ケイ素層を前記表面上に存
在させることができることを意味する。
本発明方法においては、亜鉛供給源が存在していない
ため、また拡散により形成する半導体本体の表面層のみ
に亜鉛が存在するために、リン化インジウム本体の表面
層におけるアクセプタ濃度が熱処理中に例えば約1018cm
-3から約1019cm-3に増大するという驚くべき作用が達成
される。
ため、また拡散により形成する半導体本体の表面層のみ
に亜鉛が存在するために、リン化インジウム本体の表面
層におけるアクセプタ濃度が熱処理中に例えば約1018cm
-3から約1019cm-3に増大するという驚くべき作用が達成
される。
熱処理はリン化インジウムが分解する危険がないほど
短い時間とすることができる。
短い時間とすることができる。
半導体本体の熱処理は400〜600℃の温度で行うのが好
ましい。
ましい。
拡散工程中に、ｎ型リン化インジウム本体中に亜鉛を
拡散させることによりpn接合を形成するのが好ましい。
本発明方法においては一層高いアクセプタ濃度を達成す
ることができる。
拡散させることによりpn接合を形成するのが好ましい。
本発明方法においては一層高いアクセプタ濃度を達成す
ることができる。
前記拡散処理中に、十分に低い接触抵抗を有するオー
ム接点を形成するのに十分な高い電荷キャリヤ濃度を有
するｐ型領域を得るのに十分な高い濃度でリン化インジ
ウム部分中に亜鉛を拡散させるのが好ましい。所要に応
じて、InGaAsP四成分層をリン化インジウム（InP）の上
に使用する費用のかかる操作をこのようにして回避する
ことができる。
ム接点を形成するのに十分な高い電荷キャリヤ濃度を有
するｐ型領域を得るのに十分な高い濃度でリン化インジ
ウム部分中に亜鉛を拡散させるのが好ましい。所要に応
じて、InGaAsP四成分層をリン化インジウム（InP）の上
に使用する費用のかかる操作をこのようにして回避する
ことができる。
このような四成分層はリン化インジウムと接触させる
ために使用することが多く、それはこのなかにおけるア
クセプタの溶解度が大きく、また四成分層とリン化イン
ジウムとの間の接触抵抗が低いからである。
ために使用することが多く、それはこのなかにおけるア
クセプタの溶解度が大きく、また四成分層とリン化イン
ジウムとの間の接触抵抗が低いからである。
それにもかかわらず、所定の光電構造体を得るため
に、前記四成分層またはInGaAs三成分層を使用するのが
望ましいことがある。しかし、前記四成分層中に亜鉛を
拡散させた場合には、リン化インジウム中のアクセプタ
濃度が減少するため、ｐ型リン化インジウムの電気抵抗
が増大することが分った。
に、前記四成分層またはInGaAs三成分層を使用するのが
望ましいことがある。しかし、前記四成分層中に亜鉛を
拡散させた場合には、リン化インジウム中のアクセプタ
濃度が減少するため、ｐ型リン化インジウムの電気抵抗
が増大することが分った。
従って、拡散処理中に、ｐ型リン化インジウム層の上
に設けられたInGaAsP四成分層中またはInGaAs三成分層
中に亜鉛を拡散させる場合には、拡散処理の次に亜鉛供
給源の不存在下に熱処理を行うのが好ましい。
に設けられたInGaAsP四成分層中またはInGaAs三成分層
中に亜鉛を拡散させる場合には、拡散処理の次に亜鉛供
給源の不存在下に熱処理を行うのが好ましい。
熱処理によってリン化インジウム中のアクセプタ濃度
が再び増大するため、リン化インジウムの電気抵抗が減
少する。
が再び増大するため、リン化インジウムの電気抵抗が減
少する。
（実施例） 次に本発明を図面を参照して実施例について説明す
る。
る。
実施例１ 本発明方法によって製造した光電デバイスはこの例で
はセミプレーナ型ホトダイオードである。
はセミプレーナ型ホトダイオードである。
このセミプレーナ型ホトダイオードは単結晶半導体本
体１（第1a図参照）を具え、この半導体本体１は厚さ20
0μｍのn+型リン化インジウム基板２である部分と、こ
の基板２上に形成され〜３×1014cm-3のドナー濃度を有
するエピタキシャルｎ型リン化インジウム層３である部
分とからなる。この層３に〜２×1015cm-3のドナー濃度
を有する厚さ３μｍ（直径80μｍ）のエピタキシャルｎ
型In0.53Ga0.47As層４を設ける。窒化ケイ素マスク（図
示せず）を使用し、ZnAs2粉末とZnP2粉末とInP粉末との
混合物からなる亜鉛供給源の存在下に、従来方法によっ
てp+型拡散領域５（第1b図参照）を形成するために、55
0℃において半導体本体１中に亜鉛を拡散させた。
体１（第1a図参照）を具え、この半導体本体１は厚さ20
0μｍのn+型リン化インジウム基板２である部分と、こ
の基板２上に形成され〜３×1014cm-3のドナー濃度を有
するエピタキシャルｎ型リン化インジウム層３である部
分とからなる。この層３に〜２×1015cm-3のドナー濃度
を有する厚さ３μｍ（直径80μｍ）のエピタキシャルｎ
型In0.53Ga0.47As層４を設ける。窒化ケイ素マスク（図
示せず）を使用し、ZnAs2粉末とZnP2粉末とInP粉末との
混合物からなる亜鉛供給源の存在下に、従来方法によっ
てp+型拡散領域５（第1b図参照）を形成するために、55
0℃において半導体本体１中に亜鉛を拡散させた。
亜鉛拡散の後に基板３の表面６における正味アクセプ
タ濃度は２〜４×1018cm-3であり（領域５の深さ1.2μ
ｍ）、層４の表面７における正味アクセプタ濃度は５〜
７×1019cm-3（領域４の深さ0.4μｍ）である。拡散処
理の後に亜鉛供給源の不存在下に熱処理し、該熱処理中
に表面６にｐ型領域５の区域において亜鉛を浸透させる
場合には、本発明によって表面６におけるアクセプタ濃
度を著しく増大することができる。窒素と水素との混合
物中で400〜600℃例えば500℃の温度において15分間加
熱処理することにより、表面６における正味アクセプタ
濃度は８〜10×1018cm-3に増大するが、表面７における
正味アクセプタ濃度は実際上変化しない。
タ濃度は２〜４×1018cm-3であり（領域５の深さ1.2μ
ｍ）、層４の表面７における正味アクセプタ濃度は５〜
７×1019cm-3（領域４の深さ0.4μｍ）である。拡散処
理の後に亜鉛供給源の不存在下に熱処理し、該熱処理中
に表面６にｐ型領域５の区域において亜鉛を浸透させる
場合には、本発明によって表面６におけるアクセプタ濃
度を著しく増大することができる。窒素と水素との混合
物中で400〜600℃例えば500℃の温度において15分間加
熱処理することにより、表面６における正味アクセプタ
濃度は８〜10×1018cm-3に増大するが、表面７における
正味アクセプタ濃度は実際上変化しない。
表面６における白金との固有接触抵抗は１〜２×1014
Ωcm2から５〜７×10-5Ωcm2に低下する。従来方法によ
り、表面６および８にそれぞれ白金接点および金−ゲル
マニウム−ニッケル接点を設け、仕上げをしてホトダイ
オードを形成する。この際、操作中光がInGaAs層４に吸
収される。この例から、本発明方法を使用して、十分に
低い接触抵抗を有するオーム接点を形成するのに十分な
高い電荷キャリヤ濃度を有するｐ型領域を得ることがで
きることが明らかである。さらに、この例においては、
pn接合がｎ型リン化インジウム本体中に形成した。
Ωcm2から５〜７×10-5Ωcm2に低下する。従来方法によ
り、表面６および８にそれぞれ白金接点および金−ゲル
マニウム−ニッケル接点を設け、仕上げをしてホトダイ
オードを形成する。この際、操作中光がInGaAs層４に吸
収される。この例から、本発明方法を使用して、十分に
低い接触抵抗を有するオーム接点を形成するのに十分な
高い電荷キャリヤ濃度を有するｐ型領域を得ることがで
きることが明らかである。さらに、この例においては、
pn接合がｎ型リン化インジウム本体中に形成した。
次の実施例から、ｐ型リン化インジウム層に対する接
点を形成するために本発明方法を使用することができる
ことが明らかである。
点を形成するために本発明方法を使用することができる
ことが明らかである。
実施例２ 本発明方法によって製造した光電デバイスはこの例で
は電流の流れが半導体本体の表面に極限されている発光
ダイオードである。
は電流の流れが半導体本体の表面に極限されている発光
ダイオードである。
この発光ダイオードは単結晶半導体本体21（第２図参
照）を具え、この半導体本体21は２×1018cm-3のドナー
濃度を有する厚さ100μｍのn+型リン化インジウム基板2
2である部分と、この基板22上に設けられ〜５×1017cm
-3のドナー濃度を有する厚さ１μｍのエピタキシャルｎ
型リン化インジウム層23である部分とからなる。
照）を具え、この半導体本体21は２×1018cm-3のドナー
濃度を有する厚さ100μｍのn+型リン化インジウム基板2
2である部分と、この基板22上に設けられ〜５×1017cm
-3のドナー濃度を有する厚さ１μｍのエピタキシャルｎ
型リン化インジウム層23である部分とからなる。
層23には1017〜1019cm-3のアクセプタ濃度を有する厚
さ１μｍの活性エピタキシャルInGaAsP層24を設ける。
層24は例えば1.3μｍにおいて発光することができる組
成を有する。
さ１μｍの活性エピタキシャルInGaAsP層24を設ける。
層24は例えば1.3μｍにおいて発光することができる組
成を有する。
層24の上には８〜10×1017cm-3のアクセプタ濃度を有
する厚さ1.8μｍのエピタキシャルｐ型リン化インジウ
ム層25を設ける。層25には８×1017cm-3のドナー濃度を
有する厚さ0.6μｍのエピタキシャルｎ型InGaAsP層26で
ある阻止層および３×1018cm-3のアクセプタ濃度を有す
る厚さ0.3μｍのエピタキシャルｐ型InGaAs層27を逐次
設ける。
する厚さ1.8μｍのエピタキシャルｐ型リン化インジウ
ム層25を設ける。層25には８×1017cm-3のドナー濃度を
有する厚さ0.6μｍのエピタキシャルｎ型InGaAsP層26で
ある阻止層および３×1018cm-3のアクセプタ濃度を有す
る厚さ0.3μｍのエピタキシャルｐ型InGaAs層27を逐次
設ける。
亜鉛供給源の存在下に従来方法、例えば実施例１記載
の方法により、半導体本体21中に亜鉛を拡散させて、半
導体本体21の表面29の直径25μｍの部分28の上にｐ型拡
散領域30を形成した。
の方法により、半導体本体21中に亜鉛を拡散させて、半
導体本体21の表面29の直径25μｍの部分28の上にｐ型拡
散領域30を形成した。
ｐ型拡散領域30（表面濃度５×1018cm-3）はｐ型リン
化インジウム層25のなかにまで延び、表面29からの深さ
は約1.5μｍであった。亜鉛拡散前におけるｐ型リン化
インジウム層25中の正味アクセプタ濃度は８〜10×1017
cm-3であった。亜鉛拡散後における層25中の正味アクセ
プタ濃度は３〜６×1017cm-3であった。本発明方法によ
り拡散処理後に亜鉛供給源の不存在下に半導体本体21を
熱処理し、この際表面29をｐ型領域30の区域において熱
処理しかつこの熱処理中にｐ型領域30の区域において表
面29に亜鉛を浸透させた場合には、層25中の正味アクセ
プタ濃度を３〜６×1017cm-3から８〜10×1017cm-3に増
大することができた。この熱処理は475℃で行い、15分
間継続した。
化インジウム層25のなかにまで延び、表面29からの深さ
は約1.5μｍであった。亜鉛拡散前におけるｐ型リン化
インジウム層25中の正味アクセプタ濃度は８〜10×1017
cm-3であった。亜鉛拡散後における層25中の正味アクセ
プタ濃度は３〜６×1017cm-3であった。本発明方法によ
り拡散処理後に亜鉛供給源の不存在下に半導体本体21を
熱処理し、この際表面29をｐ型領域30の区域において熱
処理しかつこの熱処理中にｐ型領域30の区域において表
面29に亜鉛を浸透させた場合には、層25中の正味アクセ
プタ濃度を３〜６×1017cm-3から８〜10×1017cm-3に増
大することができた。この熱処理は475℃で行い、15分
間継続した。
表面29の全体にわたって白金接点層を設けることがで
きる。発光を領域30によって画成された層25の部分に限
定しておくことができ、その放射は例えば基板22上に設
けられる接点層の開口を通して放出させることができ
る。
きる。発光を領域30によって画成された層25の部分に限
定しておくことができ、その放射は例えば基板22上に設
けられる接点層の開口を通して放出させることができ
る。
この実施例および前の実施例においては、拡散領域は
リン化インジウムまであるいはそのなかまで延びてい
る。次の実施例から本発明が上述の場合に限定されるも
のではないことが明らかである。
リン化インジウムまであるいはそのなかまで延びてい
る。次の実施例から本発明が上述の場合に限定されるも
のではないことが明らかである。
実施例３ 本発明方法によって製造した光電デバイスはこの実施
例では二チャンネルを有するプレーナ型埋込みヘテロ構
造レーザーである（第３図参照）。
例では二チャンネルを有するプレーナ型埋込みヘテロ構
造レーザーである（第３図参照）。
第３図に示すように、このレーザーを、厚さ100μｍ
のｎ型リン化インジウム基板40と、厚さ４μｍのリン化
インジウム層41と、厚さ0.15μｍのInGaAsP層42と、そ
れぞれ厚さ１μｍおよび0.5μｍのｐ型リン化インジウ
ム層43および44と、厚さ0.5μｍのｎ型リン化インジウ
ム層45と、厚さ１μｍのｐ型リン化インジウム層46と、
厚さ１μｍのｐ型InGaAsP層47とから構成した。（上述
の層の厚さは活性領域50からの距離で示した。） 層47に対する接点を形成するために、亜鉛供給源の存
在下に半導体本体49中に亜鉛を拡散させることにより、
半導体本体49において層47の上にｐ型拡散領域48を形成
した。
のｎ型リン化インジウム基板40と、厚さ４μｍのリン化
インジウム層41と、厚さ0.15μｍのInGaAsP層42と、そ
れぞれ厚さ１μｍおよび0.5μｍのｐ型リン化インジウ
ム層43および44と、厚さ0.5μｍのｎ型リン化インジウ
ム層45と、厚さ１μｍのｐ型リン化インジウム層46と、
厚さ１μｍのｐ型InGaAsP層47とから構成した。（上述
の層の厚さは活性領域50からの距離で示した。） 層47に対する接点を形成するために、亜鉛供給源の存
在下に半導体本体49中に亜鉛を拡散させることにより、
半導体本体49において層47の上にｐ型拡散領域48を形成
した。
亜鉛拡散前において、正味アクセプタ濃度はｐ型InGa
AsP層47では３×1018cm-3であり、ｐ型リン化インジウ
ム層46では２×1018cm-3であった。亜鉛拡散後におい
て、正味アクセプタ濃度はｐ型InGaAsp層47（表面50に
おいて）では２×1019cm-3であり、ｐ型リン化インジウ
ム層46では２×1017cm-3であった。従って、アクセプタ
濃度は層47では増大したが、層46では減少した。
AsP層47では３×1018cm-3であり、ｐ型リン化インジウ
ム層46では２×1018cm-3であった。亜鉛拡散後におい
て、正味アクセプタ濃度はｐ型InGaAsp層47（表面50に
おいて）では２×1019cm-3であり、ｐ型リン化インジウ
ム層46では２×1017cm-3であった。従って、アクセプタ
濃度は層47では増大したが、層46では減少した。
本発明に係る拡散処理の後に半導体本体49を亜鉛供給
源の不存在下に熱処理し、この熱処理中に半導体本体の
表面50にｐ型領域48の区域において亜鉛を浸透させた場
合には、ｐ型InGaAsP層47における（表面50における）
アクセプタ濃度は2.5×1019cm-3になり、ｐ型リン化イ
ンジウム層46におけるアクセプタ濃度は２×1016cm-3に
戻った。
源の不存在下に熱処理し、この熱処理中に半導体本体の
表面50にｐ型領域48の区域において亜鉛を浸透させた場
合には、ｐ型InGaAsP層47における（表面50における）
アクセプタ濃度は2.5×1019cm-3になり、ｐ型リン化イ
ンジウム層46におけるアクセプタ濃度は２×1016cm-3に
戻った。
熱処理は475℃で行い、30分間継続した。
本発明は上述の実施例に限定されるものではなく、本
発明の範囲を逸脱することなく多くの変更を行うことが
できることは当業者にとって明らかである。
発明の範囲を逸脱することなく多くの変更を行うことが
できることは当業者にとって明らかである。
例えば、半導体本体は全体をリン化インジウムから構
成することができる。
成することができる。
第1a図および第1b図は本発明方法の第１の例による逐次
の製造段階における光電デバイスの部分断面図、 第２図は本発明方法の第２の例による製造段階における
光電デバイスの部分断面図、 第３図は本発明方法の第３の例による製造段階における
光電デバイスの部分断面図である。 １……単結晶半導体本体 ２……n+型リン化インジウム基板（リン化インジウム基
板部分） ３……ｎ型リン化インジウム層（リン化インジウム層部
分） ４……ｎ型InGaAs層 ５……p+型拡散領域 ６……層３の表面 ７……層４の表面 ８……表面 21……単結晶半導体本体 22……n+型リン化インジウム基板 23……ｎ型リン化インジウム層 24……ｎ型InGaAsP層 25……ｐ型リン化インジウム層 26……InGaAsP層（阻止層） 27……ｐ型InGaAsP層 28……半導体本体21の表面の部分 29……半導体本体21の表面（全表面） 30……ｐ型拡散領域 40……ｎ型リン化インジウム基板 41……リン化インジウム層 42……InGaAsP層 43,44……ｐ型リン化インジウム層 45……ｎ型リン化インジウム層 46……ｐ型リン化インジウム層 47……ｐ型InGaAsP層 48……ｐ型拡散領域 49……半導体本体 50……活性領域（半導体本体の表面）
の製造段階における光電デバイスの部分断面図、 第２図は本発明方法の第２の例による製造段階における
光電デバイスの部分断面図、 第３図は本発明方法の第３の例による製造段階における
光電デバイスの部分断面図である。 １……単結晶半導体本体 ２……n+型リン化インジウム基板（リン化インジウム基
板部分） ３……ｎ型リン化インジウム層（リン化インジウム層部
分） ４……ｎ型InGaAs層 ５……p+型拡散領域 ６……層３の表面 ７……層４の表面 ８……表面 21……単結晶半導体本体 22……n+型リン化インジウム基板 23……ｎ型リン化インジウム層 24……ｎ型InGaAsP層 25……ｐ型リン化インジウム層 26……InGaAsP層（阻止層） 27……ｐ型InGaAsP層 28……半導体本体21の表面の部分 29……半導体本体21の表面（全表面） 30……ｐ型拡散領域 40……ｎ型リン化インジウム基板 41……リン化インジウム層 42……InGaAsP層 43,44……ｐ型リン化インジウム層 45……ｎ型リン化インジウム層 46……ｐ型リン化インジウム層 47……ｐ型InGaAsP層 48……ｐ型拡散領域 49……半導体本体 50……活性領域（半導体本体の表面）
Claims (5)
- 【請求項１】亜鉛供給源の存在下にｐ型拡散領域を形成
するために、少なくとも部分的に実質的に純粋なリン化
インジウムからなる単結晶半導体本体中に亜鉛を拡散さ
せることにより、前記半導体本体を具える光電デバイス
を製造するに当り、 前記拡散処理の後に前記半導体本体を亜鉛供給源の不存
在下に熱処理し、該熱処理中に前記半導体の表面に前記
ｐ型領域の区域において亜鉛を浸透させることを特徴と
する光電デバイスの製造方法。 - 【請求項２】前記半導体本体の熱処理を400〜600℃の温
度で行う請求項１記載の方法。 - 【請求項３】前記拡散処理中に、十分に低い接触抵抗を
有するオーム接点を形成するのに十分な高い電荷キャリ
ヤ濃度を有するｐ型領域を得るのに十分な高い濃度でリ
ン化インジウム部分中に亜鉛を拡散させる請求項１また
は２記載の方法。 - 【請求項４】前記拡散処理中にpn接合を得るためにｎ型
リン化インジウム本体中に亜鉛を拡散させる請求項３記
載の方法。 - 【請求項５】前記拡散処理中にｐ型リン化インジウム層
上に位置するInGaAsP四成分層またはInGaAs三成分層中
に亜鉛を拡散させる請求項１または２記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8801631 | 1988-06-27 | ||
| NL8801631A NL8801631A (nl) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | Werkwijze voor het vervaardigen van een optoelektronische inrichting. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0272680A JPH0272680A (ja) | 1990-03-12 |
| JP2697904B2 true JP2697904B2 (ja) | 1998-01-19 |
Family
ID=19852532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16281289A Expired - Lifetime JP2697904B2 (ja) | 1988-06-27 | 1989-06-27 | 光電デバイスの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5506186A (ja) |
| EP (1) | EP0357095B1 (ja) |
| JP (1) | JP2697904B2 (ja) |
| DE (1) | DE68915491T2 (ja) |
| NL (1) | NL8801631A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3181262B2 (ja) * | 1998-06-04 | 2001-07-03 | スタンレー電気株式会社 | 平面実装型ｌｅｄ素子およびその製造方法 |
| JP4941625B2 (ja) * | 2005-02-28 | 2012-05-30 | 住友電気工業株式会社 | フォトダイオードの作製方法 |
| KR100858617B1 (ko) * | 2007-05-10 | 2008-09-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE137169C (ja) * | ||||
| US3984267A (en) * | 1974-07-26 | 1976-10-05 | Monsanto Company | Process and apparatus for diffusion of semiconductor materials |
| JPS5472669A (en) * | 1977-11-22 | 1979-06-11 | Mitsubishi Electric Corp | Impurity diffusing method of closing tube type |
| NL7811683A (nl) * | 1978-11-29 | 1980-06-02 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. |
| JPS5637623A (en) * | 1979-09-04 | 1981-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for impurity diffusion |
| JPS5642335A (en) * | 1979-09-14 | 1981-04-20 | Fujitsu Ltd | Zinc diffusion to 3-5 group compound semiconductor |
| JPS58107689A (ja) * | 1981-12-21 | 1983-06-27 | Nec Corp | ＩｎＰへの不純物拡散方法 |
| JPS6053018A (ja) * | 1983-09-02 | 1985-03-26 | Hitachi Ltd | 化合物半導体への不純物拡散方法 |
| US4502898A (en) * | 1983-12-21 | 1985-03-05 | At&T Bell Laboratories | Diffusion procedure for semiconductor compound |
| JPS6199327A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-17 | Fujitsu Ltd | ＩｎＰ系の化合物半導体へのＺｎ拡散方法 |
| JPS61136225A (ja) * | 1984-12-07 | 1986-06-24 | Nec Corp | ＩｎＰへの不純物拡散方法 |
| US4592793A (en) * | 1985-03-15 | 1986-06-03 | International Business Machines Corporation | Process for diffusing impurities into a semiconductor body vapor phase diffusion of III-V semiconductor substrates |
| JPS622530A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体基板への不純物熱拡散方法 |
| US4662063A (en) * | 1986-01-28 | 1987-05-05 | The United States Of America As Represented By The Department Of The Navy | Generation of ohmic contacts on indium phosphide |
-
1988
- 1988-06-27 NL NL8801631A patent/NL8801631A/nl not_active Application Discontinuation
-
1989
- 1989-06-21 EP EP89201627A patent/EP0357095B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-21 DE DE68915491T patent/DE68915491T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-06-27 JP JP16281289A patent/JP2697904B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-09-30 US US07/770,731 patent/US5506186A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5506186A (en) | 1996-04-09 |
| DE68915491T2 (de) | 1994-12-22 |
| EP0357095B1 (en) | 1994-05-25 |
| JPH0272680A (ja) | 1990-03-12 |
| DE68915491D1 (de) | 1994-06-30 |
| EP0357095A1 (en) | 1990-03-07 |
| NL8801631A (nl) | 1990-01-16 |
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