JP2695561B2 - 超電導体層を有する金属体からなる物品を製造する方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高温超伝導体に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】ベドノーツとミュラーによってＬａ−Ｂ
ａ−Ｃｕ酸化物系が超伝導性を持つことが発見されるや
世界的に研究が行われ、たちまちのうちに別種の酸化物
超伝導体（しばしば「高Ｔｃ」超伝導体と総称される）
が発見されることになった。Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ酸
化物超伝導体もこの高Ｔｃ超伝導体の中の一種である。
例えば、ジャパニーズ ジャーナル オブ アプライド
フィジックス第２７巻（１９８８年）Ｌ２０９のエイ
チ前田らの研究や米国特許４、８８０、７７１を参照さ
れたい。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】これまで「バルク」高
Ｔｃ超伝導体の大々的な商業的使用を阻んでいた問題点
の一つはこれらの物質のバルクサンプルの電流運搬能が
比較的低いことである。バルクサンプルでは多数の超伝
導体粒子または結晶子が比較的ち密な固体を形成してい
る。この電流運搬能は通常温度と磁界の関数である臨界
電流密度Ｊｃによって表される。

【０００４】従来の高Ｔｃ酸化物超伝導体のバルクサン
プルにおいてＪｃが低い値を持っていた理由として少な
くとも２つの問題があげられる（ここで「高Ｔｃ」とは
通常Ｔｃが約３０Ｋ、好ましくは７７Ｋより高いことを
意味する。「Ｔｃ」とは直流抵抗がゼロと実験限界値の
間となるような温度の中での最高温度を表す）。この２
つの内の一つとはいわゆる「弱いリンク」の問題であ
る。これは一つの超伝導体粒子から隣接する粒子へ抵抗
なく流れることの出来る電流の値が比較的低いことに関
係している。この電流はしばしば「粒子間」電流と呼ば
れている。もう一つの問題はいわゆる「フラックスフロ
ー」問題である。これはフラックスピン止めが弱いこと
により、ある一つの超伝導体粒子内で本質的に抵抗なく
流れることの出来る電流が比較的低いことに関係してい
る。しかし臨界電流密度の値が低いことは、高Ｔｃ酸化
物超伝導体の固有の性質ではない。というのも高Ｔｃ酸
化物超伝導体の薄膜においては１、０００、０００Ａ／
ｃｍ²のオーダーの電流密度が観察されているからであ
る。

【０００５】この弱いリンクの問題を解決することに関
しては、大きな進歩が既になされている。１９８８年の
アプライド フィジックス レターズ ５２（２４）
巻、２０７４ー２０７６頁、エス ジンらの報告、およ
び１９８９年のアプライドフィジックス レターズ５４
（６）巻５８４ー５８６頁、エス ジンらの報告を参照
されたい。この進展はいわゆる「メルトーテクスチャー
成長法」（ＭＴＧ）と呼ばれる（全面的または部分的）
溶融と配向させた再凝固を行うことにより、高度に組織
化した物質をつくる加工法の発見から生まれた。これに
よれば、従来製造されたバルク高Ｔｃ超伝導体よりも、
はるかに高い電流密度が達成できる。前記フラックスフ
ロー問題の克服に関しても進展がみられる。例えばネー
チャー３４２巻５５ー５７頁のアール ビー ファン
ドーバーらの報告、および１９８９年１１月２８日受理
されたエス ジンらの米国特許出願番号０７／４４２、
２８５を参照されたい。

【０００６】すでに銀被覆Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ酸化
物超伝導体線材がかなり高いＪｃを持つことが観察され
ている。例えば、ケー ハイネらは「パウダー イン
チューブ法」（米国特許４、９５２、５５４参照）によ
り短い銀被覆Ｂｉ₂Ｓｒ₂ＣａＣｕ₂Ｏ_8+x（２２１２）細
線をつくり、４．２Ｋ、磁界ゼロにおいて５．５ｘ１０
０００Ａ／ｃｍ²までのＪｃと４．２Ｋ、２６Ｔにおい
て１．５ｘ１００００Ａ／ｃｍ²までのＪｃを観察した
と報告している（アプライド フィジックスレターズ
５５（２３）巻、２４４１ー２４４３頁）。またクライ
オジェニックス、３０巻４２２ー４２６頁のジェー テ
ンブリンクらの報告も参照されたい。

【０００７】Ｊｃの増加に関し、大きな進展がなされて
いるものの、さらに増加が望まれている。現在の重要な
問題は長尺物の高Ｔｃ超伝導体を作る技術がないことが
である。例えば１９９１年１月７日のスーパーコンダク
ター ウィーク５（１）巻１頁では次のような報告がな
されている。「．．．（アレン）ヘルマン博士は、この
導電体の長さを増加させることは、依然としてある程度
まで問題であるとの（ダグラス）フィンモア博士に同意
している。しかし、氏は研究者たちが現在何メートルも
の銀被覆線を製作しつつあると指摘した。」導体にはメ
ートルではなくキロメートルの単位の長さが必要であ
る。一層困るのは引き続いて高Ｔｃ超伝導体の長尺物
（例えば１００ｍ以上）を連続加工することの出来る製
造技術が現在ないことである。

【０００８】例えば、パウダー イン チューブ法（ア
プライド フィジックス レターズ５７（２７）巻 ２
９４８−２９５０頁参照）を用いて長尺物の線材を作ろ
うとすると、原料「ビレット」の大断面積縮小が必要に
なる。具体的には、１ｍの長さの原料チューブから１ｋ
ｍの細線を手に入れるためには、断面積において１００
０対１の縮小が必要となる。粉体が詰まった金属管のよ
うな複合体でこれを行うのはしばしば困難である。他方
カセら（ジャパニーズ ジャーナル オブアプライド
フィジックス ２９（７）巻 Ｌ１０９６−Ｌ１０９９
を参照）によって用いられたドクターブレード法では原
則として長尺リボンを形成することが可能であるが、こ
のドクターブレード法では薄層（例えば１０μｍ未満）
を形成することがしばしば困難であり、この酸化物材の
界面により起こる組織化は銀・酸化物界面から数μｍの
深さに限定されているため、カセらの方法では一般的に
超伝導体物質を有効に使用することが出来ないのであ
る。求める高Ｊｃを達成するには組織化（特にｃ軸アラ
インメント)が必要なのである。

【０００９】さらに、超伝導体薄層（例えば厚さ１μｍ
未満）を作製するためには現在一般的にスパッタリン
グ、蒸着またはレーザーアブレーションといった比較的
高価で複雑な技法が用いられている。先行技術の技法に
よって比較的大きな面積を持つ（例えば１００ｃｍ²以
上）高品位超伝導体薄膜を製造するのは通常困難であ
る。

【００１０】長尺高Ｊｃ超伝導体を製造する能力がいか
に重要であるかとの見地から、本質的に無制限の長さを
持ち高Ｊｃである高Ｔｃ超伝導体リボンを効率よく製造
する技法、また簡単に連続プロセスで実現できる技法は
大変重要性となろう。本出願はかかる技法を明らかにす
るものである。本出願はまた比較的大面積を持つ薄超伝
導体シートを簡単に製造する方法をも明らかにするもの
である。

【００１１】「Ｊｃ］とはある所定の温度、所定の磁界
で超伝導体によって搬送される最大電流密度である。

【００１２】「リボン」とはここではその厚みｔが幅ｗ
よりはるかに小さい（通常少なくとも１０分の１以下）
ものであり、またｗが長さｌよりはるかに小さい（少な
くとも１０分の１以下）ものを言う。「シート状の」と
はｔがその他の二つのディメンションよりもはるかに小
さくこの二つのディメンションが通常は同じオーダーの
大きさであるものを指す。

【００１３】ここである物質の「理論密度」とはその物
質の単結晶の密度のことであり、その物質の空隙を持た
ない多結晶サンプルの密度と等しい。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は特許請求の範囲
に規定されるとおりである。幅広い観点からは本発明は
金属基板上の超伝導酸化物層からなる複合体からなる物
体の作製方法として具体的に表される。かかる物体は長
尺（例えば１００ｍ以上、または１ｋｍ以上）、あるい
は比較的大面積のシート状（例えば１００ｃｍ²以上、
または０．１ｍ²以上）の前記複合体を作製するのに使
用でき、また連続加工が容易にできるものである。本法
は比較的大きなＪｃで表される高電流搬送能を持つ複合
超伝導体を効率よく（即ち比較的小量の超伝導体物質を
使用して）製造するのに用いることが出来る。さらに広
い観点からは、本発明は連続した長尺（例えば１００ｍ
以上）の、あるいは大面積を持つ連続したシート（例え
ば１００ｃｍ²以上）状の比較的大電流搬送能（具体的
にはＪｃが温度２０Ｋ以下、磁界５Ｔ以下で１０、００
０Ａ／ｃｍ²以上、より好ましくは１００、０００Ａ／
ｃｍ²以上）を持つ複合超伝導体からなる物体として具
体的に表される。

【００１５】本発明の方法の好ましい実施例は金属基板
を準備し（前記金属は続く熱処理の間に基板が実質的に
酸化しない物を選ぶものとする。具体的には前記金属は
銀、または銀で被覆した卑金属である）、前記基板の主
たる表面の上にＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ含有酸化物粒子
からなる層を形成することからなる。前記酸化物層にお
ける酸化物物質の密度は比較的低く、通常前記酸化物物
質の理論密度の８０％以下である。前記の酸化物層は通
常、前記酸化物粒子（通常の大きさは１ー５μｍ）の他
に有機バインダー材を含み、ドクターブレード法を初め
とする、適当な厚膜堆積法によって製造することができ
る。いまここで好ましく使用される方法はスプレー堆積
法である。

【００１６】この好ましい実施例では前記酸化物層中の
酸化物物質の密度が理論密度の８０％以上に増加するよ
う、また続く溶融ステップ後の層の厚みが１０μｍ以下
になるように、前記基板を機械的に変形する（通常約８
００゜Ｃ以下の温度で圧延する）。この機械的変形プロ
セスはまた、リボン状複合体の長さを大きく（例えば５
０％以上）増加させ、またシート状複合体の面積を大き
く（例えば５０％以上）増加させる。本実施例にはさら
に、基板を実質的に溶融させずに基板上の超伝導体酸化
物を少なくとも部分的に溶融すること、および得られる
酸化物層の少なくとも５０％（望ましくは少なくとも７
５％）がｃ軸配向（つまり基板面に対してｃ軸が実質的
に垂直である）結晶子の形となるように、溶融酸化物物
質を再凝固させる過程が含まれる。

【００１７】本発明の方法では通常、溶融過程に先立ち
不要有機物を前記酸化物層から除去することも含まれ
る。通常は酸素含有雰囲気中での従来の加熱工程が用い
られる。この有機物除去は前記機械的変形過程の前、変
形過程の間、または変形過程に続いて行うことができ
る。しかしいずれの場合でも、基板上の酸化物層の溶融
に先立って、この除去が行われる。

【００１８】本発明の方法は薄い（例えば１μｍ未満、
好ましくは０.５μｍ未満）超伝導体フィルムを適当な
金属基板上に作製するのに使用できる。これには通常比
較的大規模の機械的変形が伴う。本発明の方法は従っ
て、大面積薄膜超伝導体物質を低コスト、高速で製造す
る技法として役立つ。具体的にはかかる物質は磁界シー
ルドとして有利に使用することが出来る。

【００１９】本発明の物品の好ましい実施例は金属基板
の主たる表面上に超伝導酸化物層が設けられている超伝
導体からなる物体からなる。前記基板の少なくとも前記
酸化物と接触している部分は銀からなり、前記超伝導体
酸化物はＢｉ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｃｕからなる。前記酸化物
層の密度はかかる酸化物の理論密度の８０％以上であ
り、層の厚みは１０μｍ以下である。前記超伝導体酸化
物層の少なくとも５０％の物質はｃ軸が基本的に基板に
垂直であるように配向された結晶子の形をとっている。
重要なのはこの超伝導体がリボン形で少なくとも１００
ｍの長さ持ち、あるいはシート形で少なくとも１００ｃ
ｍ²の面積を持つことである。この超伝導体層は２０Ｋ
以下の温度、５Ｔ以下の磁界での臨界電流密度Ｊｃが１
０、０００Ａ／ｃｍ²以上（好ましくは１００、０００
Ａ／ｃｍ²以上）である。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明の方法の具体的実施例は下
記の工程からなる。従来のＢｉ_1.6Ｐｂ_0.3Ｓｂ_0.1Ｓｒ₂
Ｃａ₂Ｃｕ₃Ｏ_x粉末、体積で約１０％の従来のバインダ
ー（ＣＬＡＤＡＮ Ｎｏ．７３１４０／その他の既知の
バインダー材も使用できる）、およびアセトンの混合物
をエアーブラシで２５μｍの厚さの銀箔の両面にスプレ
ーした。この混合物を空気中で乾燥させ、銀箔の両面に
３０〜７５μｍの厚みの層を形成した。この複合体を焼
成し（酸素中８００゜Ｃで４時間）前記バインダーを除
去した。室温まで冷却した後、この複合体を冷間圧延
（８パス）し断面積で約９０％の縮小を行った。圧延し
た複合体はリボン形で全体の厚みは約１５μｍ、各超伝
導体層の厚みは約３μｍであった。

【００２１】乾燥とバインダー除去の後であり、冷間圧
延前の各層の密度は実質的にＢｉ−Ｐｂ−Ｓｂ−Ｓｒ−
Ｃａ−Ｃｕ酸化物の理論密度の８０％未満であったが、
冷間圧延後の密度は理論密度の８０％以上となってい
た。このち密化が本発明の方法の重要な点であり、機械
的変形によるち密化を行わない場合、通常、超伝導性が
劣った超伝導体ができあがる。ここで劣った物性が観察
されるのはおそらくその再凝固された酸化物層における
ｃ軸の配向の程度が本発明の方法に従って製造される超
伝導体酸化物層に比べて低いことと関係している。さら
に、約１０μｍ以上の厚みを持つ超伝導体層は、超伝導
体／基板界面から離れた領域においてｃ軸組織化が通常
比較的乏しいため、本発明の好ましい実施例においては
超伝導体層の厚みは１０μｍ未満となっている。

【００２２】冷間圧延されたリボンは熱処理にかけら
れ、部分溶融加工が行われる。この熱処理は酸素含有雰
囲気（ＰＯ₂／ＰＮ₂〜０．０８；「Ｐ」は分圧を表す）
中で行われ、８２０゜Ｃまで加熱し、この温度で１２時
間保持し、約８８０゜Ｃまで比較的高速（約２５０゜Ｃ
／時）で加熱し、本質的には直ちに８３０゜Ｃまで連続
冷却（約６０゜Ｃ／時）を行うことからなる。この温度
で４０時間たった後、リボンを２００゜Ｃ以下まで炉冷
する。

【００２３】このように製造された複合体リボン上の超
伝導体層の厚みは、圧延した状態と比べるとすこし減っ
て（約３から２μｍまで）いた。この減少は超伝導体材
がよりち密化された事、またおそらくＢｉやＰｂのよう
な揮発性の成分が幾らか失われる事によるのであろう。
このリボンは約８０ＫのＴｃ（Ｒ＝０）を示した。これ
は、この超伝導体層がＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ含有超伝
導体酸化物系のいわゆる２２１２相を主として含むこと
を示すＸ線解析の結果と一致する。

【００２４】図１と２はこのようにして製造された複合
リボンの上層の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）による具体的
な顕微鏡写真である。図１はこの超伝導体層のち密な構
造をはっきりと表しており、図２は基底面、結晶子の層
状成長を示している。図３はこの複合体リボンの断面部
分表面の具体的なＳＥＭ顕微鏡写真であり、この銀基板
上の超伝導体層のｃ軸組織化がより一層示されている。

【００２５】上記の複合体リボンをさらにＸ線分析する
ことにより７５％以上の超伝導体物質がｃ軸アラインメ
ントを持ち、平均粒子の大きさは約１０μｍであること
がわかった。この（００１）配向粒子はしかし、そのａ
ーｂ軸の配向に関しては実質的にランダムであり、粒子
間に大角度境界を作り出す。この面内不配向（ミスオリ
エンテーション）が図４に図解されている。ここで数字
４０は基板を示し、数字４１０ー４１２はそれぞれ４２
０ー４２２の領域を占める具体的な結晶子であり、４３
０と４３１の線にそって大きな角度の結晶粒界を形成し
ている。（００１）配向結晶子間の大角度結晶粒界の存
在にも関わらず、この具体的複合体リボンは大きなＪｃ
を示した。これについては下記に詳しく述べる。

【００２６】本発明の方法に従えば隣接（００１）配向
結晶子間に大角度粒界を持つ複合組織で大Ｊｃが得られ
るにしても、具体的には溶融処理によって、この複合体
構造中の温度勾配を移動させる事により、結晶子の核形
成が制御できればさらによい結果を得ることが出来るで
あろう。これを行うための技法は既に知られている。例
えばエス ジンらのアプライド フィジックス レター
ズ５２巻２０７４頁（１９８８年）を参照されたい。具
体的には、これはこの複合体をホットゾーンの中を移動
させることによって行なうことができる。

【００２７】上記複合体リボンからサンプルを切取り、
この「トランスポート」Ｊｃを従来の技法で測定した。
結果を図５の曲線５０に、同様に製造した片面サンプル
の結果、曲線５１、５２および５３と共に示した。磁界
は基板に垂直に印加した。この幾何学的構成は最も著し
いフラックスラインの動きを起こすので、最も厳しい試
験を行うものとして知られている。図５から読み取れる
ように、１００、０００Ａ／ｃｍ²を越えるＪｃ値が観
察された。具体的にはこの両面サンプルは４．２Ｋ、基
板面に垂直な磁界Ｈ＝８ＴでＪｃが〜２．３ｘ１００、
０００Ａ／ｃｍ²を示した。この高いＪｃ値は通常約２
０Ｋまで維持された。しかし温度を約３０Ｋまで上げる
と、超伝導体における熱的に活性化されたフラックスク
リープの開始に起因するＪｃの厳しい下落が起こる（曲
線５３参照）。

【００２８】上記の具体的手順はこの技術分野の当業者
には明らかである様に、様々に変更することが出来る。
例えば、超伝導体層から有機物を除去する前に少なくと
も一部の機械的変形処理を行うことは、この層がバイン
ダーを含んでいると、変形処理の初期段階を通じて（す
なわち圧延機器を通る最初の２、３パスの間に）この層
の基板への接着がしばしば良くなるので多くの場合望ま
しい。

【００２９】この機械的変形処理は冷間圧延である必要
はなく、酸化物粉体の劣化が避けられるような温度を選
択するのであれば例えば温間圧延や熱間圧延であっても
よい。もし機械的変形処理中の温度が約８００゜Ｃより
低いのであれば通常はこれが当てはまるであろう。機械
的変形と熱処理を交互に繰り返してもよい。

【００３０】この機械的変形処理の初期段階は通常主に
この酸化物粉体のち密化の役割を果たし、後期段階は通
常この基板／酸化物複合体に対し主に変形と延伸（面積
を増加させる）を行う。このち密化並びに所望の薄膜化
（高Ｊｃ用）のためには少なくとも５０％（好ましくは
７５％以上あるいは９０％以上）厚みを減少させるよう
に機械的変形（通常圧延）を行うことが望ましい。別の
言い方をすれば少なくとも２０％、好ましくは５０％ま
たは１００％の長さ（面積）増が望ましい。

【００３１】とりわけＪｃの値は通常機械的変形の量、
フィルムの厚み、および、溶融段階の詳細を含む熱処理
条件に依存する。一般的に、酸化物が液状である時間は
比較的短い（具体的には３０分未満）ほうが、過剰な分
解及び／または揮発性成分の蒸発損失を最少にするた
め、望ましいと考えられている。溶融に先立つ処理過
程、および再凝固の後の処理過程は従来行われているも
のでよく、しばしばこの酸化物の化学量論に依存する。

【００３２】

【実施例】例１ 長さ１００ｍ以上の連続した超伝導体リボンをＢｉ−Ｓ
ｒ−Ｃａ−Ｃｕ酸化物を含有する層を連続的に供給され
る銀リボン（厚さ４０μｍ、幅５ｍｍ）の片面上にスプ
レーコーティングすることにより製造する。この酸化物
とこの酸化物層物質の有機成分は実質的には上記に記述
したものである。被覆した銀リボンは巻取りスプールに
巻取り、この複合体を複合体の全厚が２０μｍになるよ
う、繰り返し（４パス）冷間圧延し、圧延したリボンを
セラミックの巻取りスプールに巻取る。複合体リボンを
巻いたスプールを酸素中で４時間７００゜Ｃに加熱し、
この層に含まれる有機成分を除去する。続いて複合体リ
ボンを再び冷間圧延（４パス）し、巻取りスプールに巻
取り、スプールからマルチ−ゾーン管状炉を通じて酸素
含有雰囲気中に連続的に供給する。この酸化物材が３０
秒間液状であるように前記供給速度と前記の炉の温度プ
ロフィールを選択する。再凝固酸化物付銀リボンをセラ
ミック巻取りスプールに巻取り、６０時間８３０゜Ｃに
保持し、ゆっくりと室温まで冷却する。得られた超伝導
体リボンは最大２０Ｋの温度、Ｈが５Ｔ以下の条件でＪ
ｃが１０、０００Ａ／ｃｍ²以上である。この酸化物層
は５０％以上のｃ軸配向を持つ。

【００３３】例２ 超伝導体ソレノイドを、実質的には例１で説明したよう
に「両面」超伝導体リボンを作ることによって製造す
る。但し再凝固酸化物層で被覆された銀リボンは巻取る
層の間に銀シートをはさみ層間を隔離しつつセラミック
管状体上に巻取る。熱処理の終了後超伝導体リボンの端
に電流リード線をとりつける。

【００３４】例３ ６μｍの銀箔の両面に厚さ３００ｎｍの超伝導体層を実
質的には上記に記載した方法で製造した。ただし冷間圧
延と溶融処理はそれぞれ２回づつ繰り返した。Ｂｉ_1.6
Ｐｂ_0.3Ｓｂ_0.1Ｓｒ₂Ｃａ₂Ｃｕ₃Ｏ_x粉体の粒度は約１μ
ｍであった。得られた超伝導体層のＪｃは２０Ｋ以下の
温度、５Ｔ以下の磁界で１０、０００Ａ／ｃｍ²以上で
あった。

【００３５】

【発明の効果】高いＪｃおよびＴｃを持つ超伝導体リボ
ンを効率よく、また簡単に連続プロセスで製造すること
ができる。また比較的大面積を持つ薄い超伝導体シート
を簡単に製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の方法に従って作製された超伝導体層の
表面の顕微鏡写真である。

【図２】本発明の方法に従って作製された超伝導体層の
表面の顕微鏡写真である。

【図３】本発明の方法に従って作製された複合体リボン
の断面の顕微鏡写真である。

【図４】本発明の方法による具体的な複合体内での結晶
子の配向を示す図である。

【図５】本発明の方法に従って作製されたサンプルにお
ける臨界電流密度Ｊｃ対磁界Ｈについての具体的データ
を示す。

【符号の説明】

４０ 基板 ４１０−４１２ 結晶子 ４２０−４２２ 領域 ４３０、４３１ 結晶粒界を示す線 ５０ 両面サンプル ５１−５３ 片面サンプル

フロントページの続き (72)発明者 トーマス ヘンリー ティーフェル アメリカ合衆国 07060 ニュージャー ジー ノース プレインフィールド タ フト アヴェニュー 758

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の主表面上に３０Ｋ以上の臨界温度
   Ｔｃ、２０Ｋ以下の温度５Ｔ以下の磁界で、１Ｘ１０ ⁵
   Ａ／ｃｍ ² 以上の臨界電流密度Ｊｃ、およびａｂ面とこ
   のａｂ面に垂直なｃ軸からなる結晶構造を持つ超電導体
   酸化物層を有する物品を製造する方法において、 （ａ）基板を用意するステップと、 （ｂ）前記基板の主表面上にＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ含
   有酸化物からなる層を形成するステップと、 前記主表面上に形成された前記酸化物層は、Ｂｉ−Ｓｒ
   −Ｃａ−Ｃｕ含有酸化物粒子を含有し、前記層中の酸化
   物の密度が前記酸化物の理論密度の８０％未満であり、 （ｃ）前記の酸化物層を有する前記基板をＢｉ−Ｓｒ−
   Ｃａ−Ｃｕ含有超電導体酸化物層が生成するよう、酸素
   含有雰囲気中で熱処理するステップと、からなり、 前記基板は、前記（ｃ）ステップで実質的に酸化しない
   ように選択された金属製基板であり、 （ｄ）前記酸化物層中のＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ含有酸
   化物材の密度が、前記Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ含有酸化
   物の理論密度の８０％以上に増加し、前記酸化物層の厚
   みが１０μｍ未満になるように、前記酸化物層を有する
   基板を、その厚さが５０％以上減少するよう、機械的に
   変形するステップと、 （ｅ）金属基板を実質的に溶融することなく、ち密化層
   の酸化物を少なくとも部分的に溶融し、前記酸化物層の
   物質の少なくとも５０％が、ｃ軸が前記基板の主表面に
   対し垂直であるよう配向された結晶子となるよう溶融物
   質を再凝固化するステップとからなることを特徴とする
   超電導体層を有する金属体からなる物品を製造する方
   法。
2. 【請求項２】 前記（ｄ）ステップは、８００゜Ｃ以下
   の温度で圧延することからなることを特徴とする請求項
   １の方法。
3. 【請求項３】 前記主表面上に形成された酸化物層が、
   さらにバインダー材を含み、前記（ｅ）ステップに先立
   ち、前記の酸化物層を有する基板を前記の層からすべて
   のバインダー材をほぼ除去するに有効な時間、有効な温
   度に保持することを特徴とする請求項１の方法。
4. 【請求項４】 前記（ｄ）ステップの前に、前記バイン
   ダーの除去を行なうことを特徴とする請求項３の方法。
5. 【請求項５】 前記酸化物層を有する基板の前記の機械
   的変形が、圧延パスを一回以上行った後、バインダーを
   除去することを伴う、複数回の圧延パスからなることを
   特徴とする請求項４の方法。