JP2692427B2 - C−mos対数if増幅器 - Google Patents
C−mos対数if増幅器Info
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- JP2692427B2 JP2692427B2 JP3147769A JP14776991A JP2692427B2 JP 2692427 B2 JP2692427 B2 JP 2692427B2 JP 3147769 A JP3147769 A JP 3147769A JP 14776991 A JP14776991 A JP 14776991A JP 2692427 B2 JP2692427 B2 JP 2692427B2
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- JP
- Japan
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- amplifier
- rectifier
- coupling capacitor
- capacitor
- mos
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- Amplifiers (AREA)
- Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、C−MOS集積回路上
に形成されるC−MOS対数IF増幅器に関する。
に形成されるC−MOS対数IF増幅器に関する。
【0002】
【従来の技術】周知のように、対数IF増幅器は、多段
に縦続接続されるIF増幅器と、各IF増幅器の出力を
それぞれ受ける整流器と、全ての整流器の出力を加算す
る加算器とで構成されるが、従来の対数IF増幅器は、
一般にバイポーラ集積回路上に形成される。これは、バ
イポーラトランジスタはノイズ特性が良好で、受信機入
力で見た場合の感度劣化が少ないこと、又、トランジス
タ自体も駆動能力が高いので、低インピーダンスあるい
は大きな容量値でも駆動できること、等の特徴がある。
に縦続接続されるIF増幅器と、各IF増幅器の出力を
それぞれ受ける整流器と、全ての整流器の出力を加算す
る加算器とで構成されるが、従来の対数IF増幅器は、
一般にバイポーラ集積回路上に形成される。これは、バ
イポーラトランジスタはノイズ特性が良好で、受信機入
力で見た場合の感度劣化が少ないこと、又、トランジス
タ自体も駆動能力が高いので、低インピーダンスあるい
は大きな容量値でも駆動できること、等の特徴がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、C−MOS集
積回路にも種々の利点があり、C−MOS対数IF増幅
器の開発が望まれているが、その場合、整流器をどのよ
うに構成するかという問題の他に、次のような問題があ
る。即ち、C−MOS対数IF増幅器を構成する場合、
C−MOSトランジスタは1/f(周波数)ノイズが大
きいので、IF帯の低域をカットしないと受信機入力で
見た場合の感度劣化が大きくなる。この低域をカットす
るHPF(High PassFilter)特性は多段に接続されるI
F増幅器間をコンデンサで結合とすることで等価的に得
られるが、その容量値は1/fノイズを抑圧するため小
さいことが望まれる。一方、コンデンサ結合とすると、
対数IF増幅器を構成する整流器では信号波形が微分さ
れるので、整流器出力の直流値が変動し易くなる。従っ
て、直線性の良い対数特性を得るためには、整流器の入
力周波数帯域は低域まで広げておくこと、即ち、結合コ
ンデンサは大きな値のものを用いる必要がある。そうす
ると、IF増幅器に対しては1/fノイズを増大せしめ
ることとなって駆動能力の低下が問題となる。
積回路にも種々の利点があり、C−MOS対数IF増幅
器の開発が望まれているが、その場合、整流器をどのよ
うに構成するかという問題の他に、次のような問題があ
る。即ち、C−MOS対数IF増幅器を構成する場合、
C−MOSトランジスタは1/f(周波数)ノイズが大
きいので、IF帯の低域をカットしないと受信機入力で
見た場合の感度劣化が大きくなる。この低域をカットす
るHPF(High PassFilter)特性は多段に接続されるI
F増幅器間をコンデンサで結合とすることで等価的に得
られるが、その容量値は1/fノイズを抑圧するため小
さいことが望まれる。一方、コンデンサ結合とすると、
対数IF増幅器を構成する整流器では信号波形が微分さ
れるので、整流器出力の直流値が変動し易くなる。従っ
て、直線性の良い対数特性を得るためには、整流器の入
力周波数帯域は低域まで広げておくこと、即ち、結合コ
ンデンサは大きな値のものを用いる必要がある。そうす
ると、IF増幅器に対しては1/fノイズを増大せしめ
ることとなって駆動能力の低下が問題となる。
【0004】本発明の目的は、IF増幅器の帯域では低
域をカットし、整流器の帯域では低域まで広げるように
することで、C−MOS集積回路上に支障なく形成でき
るC−MOS対数IF増幅器を提供することにある。
域をカットし、整流器の帯域では低域まで広げるように
することで、C−MOS集積回路上に支障なく形成でき
るC−MOS対数IF増幅器を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明のC−MOS対数IF増幅器は次の如き構成
を有する。即ち、第1発明のC−MOS対数IF増幅器
は、第1の結合コンデンサを介して多段に縦続接続され
るIF増幅器と; 各段の前記IF増幅器から第2の結
合コンデンサを介して信号供給を受ける整流器と; 全
整流器の出力を加算する加算器と; を備え、前記第1
の結合コンデンサと第2の結合コンデンサとはそれぞ
れ、前記第1の結合コンデンサの容量よりも前記第2の
結合コンデンサの容量を大として前記IF増幅器におけ
る周波数帯域の低域カットと前記整流器における周波数
帯域の低域拡大とを両立せしめること; を特徴とする
ものである。
に、本発明のC−MOS対数IF増幅器は次の如き構成
を有する。即ち、第1発明のC−MOS対数IF増幅器
は、第1の結合コンデンサを介して多段に縦続接続され
るIF増幅器と; 各段の前記IF増幅器から第2の結
合コンデンサを介して信号供給を受ける整流器と; 全
整流器の出力を加算する加算器と; を備え、前記第1
の結合コンデンサと第2の結合コンデンサとはそれぞ
れ、前記第1の結合コンデンサの容量よりも前記第2の
結合コンデンサの容量を大として前記IF増幅器におけ
る周波数帯域の低域カットと前記整流器における周波数
帯域の低域拡大とを両立せしめること; を特徴とする
ものである。
【0006】また、第2発明のC−MOS対数IF増幅
器は、前記第1の発明の構成において、多段に縦続配置
される前記IF増幅器が前記第1の結合コンデンサと前
記第2の結合コンデンサとの2個の結合コンデンサを直
列接続してなる直列コンデンサで相接続され、かつ前記
整流器のそれぞれが前記直列コンデンサの含む2個の結
合コンデンサを相接続した中点から信号供給を受けるも
のとした構成を備えたことを特徴とするものである。
器は、前記第1の発明の構成において、多段に縦続配置
される前記IF増幅器が前記第1の結合コンデンサと前
記第2の結合コンデンサとの2個の結合コンデンサを直
列接続してなる直列コンデンサで相接続され、かつ前記
整流器のそれぞれが前記直列コンデンサの含む2個の結
合コンデンサを相接続した中点から信号供給を受けるも
のとした構成を備えたことを特徴とするものである。
【0007】
【作用】次に、前記の如く構成される本発明のC−MO
S対数IF増幅器の作用を説明する。本発明のC−MO
S対数IF増幅器では、IF増幅器の段間結合コンデン
サと整流器の結合コンデンサとをそれぞれ容量が異なら
しめ、段間結合コンデンサの容量を整流器の結合コンデ
ンサの容量よりも大とする組合せのものを用い(第1発
明)、また、IF増幅器の各段の結合を前記段間結合コ
ンデンサと整流器の結合コンデンサとを直列接続したコ
ンデンサで行い、整流器への信号供給は直列接続される
コンデンサを相接続する中点から行う(第2発明)。そ
の結果、IF増幅器の帯域では低域をカットし、整流器
の帯域では低域まで広げることができる。
S対数IF増幅器の作用を説明する。本発明のC−MO
S対数IF増幅器では、IF増幅器の段間結合コンデン
サと整流器の結合コンデンサとをそれぞれ容量が異なら
しめ、段間結合コンデンサの容量を整流器の結合コンデ
ンサの容量よりも大とする組合せのものを用い(第1発
明)、また、IF増幅器の各段の結合を前記段間結合コ
ンデンサと整流器の結合コンデンサとを直列接続したコ
ンデンサで行い、整流器への信号供給は直列接続される
コンデンサを相接続する中点から行う(第2発明)。そ
の結果、IF増幅器の帯域では低域をカットし、整流器
の帯域では低域まで広げることができる。
【0008】斯くして、本発明によれば、IF増幅器の
1/fノイズを低減させNFの劣化を最小に抑制でき、
且つ、整流器の入力帯域を低域まで伸ばし対数特性の直
線性を確保できる。即ち、C−MOS対数IF増幅器を
実現できる。
1/fノイズを低減させNFの劣化を最小に抑制でき、
且つ、整流器の入力帯域を低域まで伸ばし対数特性の直
線性を確保できる。即ち、C−MOS対数IF増幅器を
実現できる。
【0009】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図1は、本発明の第1の実施例に係るC−MOS
対数IF増幅器を示す。図1に示す実施例は、IF増幅
器の段間結合コンデンサと整流器の入力側の結合コンデ
ンサとを直列接続して運用する場合を例とし、図1にお
いて、IF増幅器Ai(i=1、2、3、……)はIF
信号を順次増幅するため多段に縦続配置されるが、各段
のIF増幅器は直列接続されたコンデンサCAiと、C Ai
よりも低容量のコンデンサCBiによって接続される。そ
して、整流器BiはコンデンサCAiと同CBi との相接続
点としての中点から信号供給を受け、加算器Cに出力す
る。
する。図1は、本発明の第1の実施例に係るC−MOS
対数IF増幅器を示す。図1に示す実施例は、IF増幅
器の段間結合コンデンサと整流器の入力側の結合コンデ
ンサとを直列接続して運用する場合を例とし、図1にお
いて、IF増幅器Ai(i=1、2、3、……)はIF
信号を順次増幅するため多段に縦続配置されるが、各段
のIF増幅器は直列接続されたコンデンサCAiと、C Ai
よりも低容量のコンデンサCBiによって接続される。そ
して、整流器BiはコンデンサCAiと同CBi との相接続
点としての中点から信号供給を受け、加算器Cに出力す
る。
【0010】ここに、整流器Biは、C−MOSで構成
されるものであれば任意の整流器で良いが、本実施例で
は例えば図2に示す2乗回路を用いる。これは本出願人
の開発に係るもので、特開昭63−024377号公報
に詳記されているので、再述はしないが、これを用いれ
ばこの整流器Biは2乗両波整流器となる。
されるものであれば任意の整流器で良いが、本実施例で
は例えば図2に示す2乗回路を用いる。これは本出願人
の開発に係るもので、特開昭63−024377号公報
に詳記されているので、再述はしないが、これを用いれ
ばこの整流器Biは2乗両波整流器となる。
【0011】さて、整流器Biの入力は、トランジスタ
のゲートに入力するので、その入力インピーダンスは高
インピーダンスになっており、ゲートの直流バイアスも
高インピーダンスにできる。従って、コンデンサCAiと
同CBiの合成容量Ci は、整流器の入力インピーダンス
を無視して、次の数式1で近似できる。一方、整流器と
の結合コンデンサは、図1に示すように、CAiである。
このことは、コンデンサC Ai と同C Bi との合成容量C i
がいずれのコンデンサの容量よりも低容量となってIF
増幅器を段間接続し、かつ、整流器に対しては、コンデ
ンサC Bi よりも大容量のコンデンサC Ai を介して入力が
供給される状態が確立されることを意味する。
のゲートに入力するので、その入力インピーダンスは高
インピーダンスになっており、ゲートの直流バイアスも
高インピーダンスにできる。従って、コンデンサCAiと
同CBiの合成容量Ci は、整流器の入力インピーダンス
を無視して、次の数式1で近似できる。一方、整流器と
の結合コンデンサは、図1に示すように、CAiである。
このことは、コンデンサC Ai と同C Bi との合成容量C i
がいずれのコンデンサの容量よりも低容量となってIF
増幅器を段間接続し、かつ、整流器に対しては、コンデ
ンサC Bi よりも大容量のコンデンサC Ai を介して入力が
供給される状態が確立されることを意味する。
【0012】
【数1】
【0013】また、帯域の低域は、それぞれの結合コン
デンサによる微分特性(HPF特性)によって決まるの
で、IF増幅器Aiの低域カットオフ周波数fcIFiと整
流器Biの低域カットオフ周波数fcRECTiとの比は、次
の数式2で示され、fcRECTiに対してfcIFiを高くでき
る。例えば、IF周波数を一般的な455kHzとすれ
ば、IF増幅器Aiの低域カットオフ周波数f cIFi を、
C−MOSトランジスタの1/fノイズが顕著に現れな
くなる100kHzとIF周波数455kHzとの間に
設定し、かつ、整流器Biの低域カットオフ周波数f
cRECTi を結合コンデンサによる微分特性が顕著に現れな
い100kHz以下の周波数に設定することができる。
デンサによる微分特性(HPF特性)によって決まるの
で、IF増幅器Aiの低域カットオフ周波数fcIFiと整
流器Biの低域カットオフ周波数fcRECTiとの比は、次
の数式2で示され、fcRECTiに対してfcIFiを高くでき
る。例えば、IF周波数を一般的な455kHzとすれ
ば、IF増幅器Aiの低域カットオフ周波数f cIFi を、
C−MOSトランジスタの1/fノイズが顕著に現れな
くなる100kHzとIF周波数455kHzとの間に
設定し、かつ、整流器Biの低域カットオフ周波数f
cRECTi を結合コンデンサによる微分特性が顕著に現れな
い100kHz以下の周波数に設定することができる。
【0014】
【数2】
【0015】即ち、IF増幅器Aiの負荷容量はCi で
あるが、仮に、CAi=CBi=C0 とすれば、数式1から
Ci =(1/2)C0 となり、IF増幅器の段間結合コ
ンデンサの容量は整流器との結合コンデンサの容量の半
分となる。また、数式2からfcIFi=2fcRECTiとな
り、整流器の低域側帯域はIF増幅器の半分まで下げら
れることになる。この場合には例えば、IF増幅器Ai
の低域カットオフ周波数f cIFi を200kHzに設定す
れば、整流器Biの低域カットオフ周波数f cRECTi は1
00kHzとなり、上述したように、C−MOSトラン
ジスタの1/fノイズが顕著に現れなくなるIF増幅器
Aiの低域カットオフ周波数f cIFi に設定でき、かつ、
結合コンデンサによる微分特性が顕著に現れない整流器
Biの低域カットオフ周波数f cRECTi に設定できること
になる。
あるが、仮に、CAi=CBi=C0 とすれば、数式1から
Ci =(1/2)C0 となり、IF増幅器の段間結合コ
ンデンサの容量は整流器との結合コンデンサの容量の半
分となる。また、数式2からfcIFi=2fcRECTiとな
り、整流器の低域側帯域はIF増幅器の半分まで下げら
れることになる。この場合には例えば、IF増幅器Ai
の低域カットオフ周波数f cIFi を200kHzに設定す
れば、整流器Biの低域カットオフ周波数f cRECTi は1
00kHzとなり、上述したように、C−MOSトラン
ジスタの1/fノイズが顕著に現れなくなるIF増幅器
Aiの低域カットオフ周波数f cIFi に設定でき、かつ、
結合コンデンサによる微分特性が顕著に現れない整流器
Biの低域カットオフ周波数f cRECTi に設定できること
になる。
【0016】なお、上記実施例から明らかなように、I
F増幅器の段間を直列コンデンサで接続するのではな
く、段間を1個のコンデンサで接続し、整流器への接続
は、容量のより大きい別のコンデンサを用い、両コンデ
ンサの容量を異ならしめるようにしても同様な効果が得
られる。この場合の構成を、図3の第2の実施例に示
す。
F増幅器の段間を直列コンデンサで接続するのではな
く、段間を1個のコンデンサで接続し、整流器への接続
は、容量のより大きい別のコンデンサを用い、両コンデ
ンサの容量を異ならしめるようにしても同様な効果が得
られる。この場合の構成を、図3の第2の実施例に示
す。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のC−MO
S対数IF増幅器によれば、IF増幅器の段間結合コン
デンサと整流器の結合コンデンサとをそれぞれ容量が異
なるものを用い(第1発明)、また、IF増幅器の各段
の結合を直列接続したコンデンサで行い、整流器への信
号供給は直列接続されるコンデンサの中点から行う(第
2発明)ようにしたので、IF増幅器の帯域では低域を
カットし、整流器の帯域では低域まで広げることができ
る。従って、本発明によれば、C−MOS集積回路上に
支障なく形成できるC−MOS対数IF増幅器を提供で
きる効果がある。
S対数IF増幅器によれば、IF増幅器の段間結合コン
デンサと整流器の結合コンデンサとをそれぞれ容量が異
なるものを用い(第1発明)、また、IF増幅器の各段
の結合を直列接続したコンデンサで行い、整流器への信
号供給は直列接続されるコンデンサの中点から行う(第
2発明)ようにしたので、IF増幅器の帯域では低域を
カットし、整流器の帯域では低域まで広げることができ
る。従って、本発明によれば、C−MOS集積回路上に
支障なく形成できるC−MOS対数IF増幅器を提供で
きる効果がある。
【図1】本発明の第1の実施例に係るC−MOS対数I
F増幅器の構成を示すブロック図である。
F増幅器の構成を示すブロック図である。
【図2】図1における整流器の一例を示す回路図であ
る。
る。
【図3】
本発明の第2の実施例に係るC−MOS対数I
F増幅器の構成を示すブロック図である。
F増幅器の構成を示すブロック図である。
A1 IF増幅器 A2 IF増幅器 A3 IF増幅器 A4 IF増幅器 A5 IF増幅器 B1 整流器 B2 整流器 B3 整流器 B4 整流器 B5 整流器 C 加算器
Claims (2)
- 【請求項1】 第1の結合コンデンサを介して多段に縦
続接続されるIF増幅器と; 各段の前記IF増幅器か
ら第2の結合コンデンサを介して信号供給を受ける整流
器と; 全整流器の出力を加算する加算器と; を備
え、前記第1の結合コンデンサと第2の結合コンデンサ
とはそれぞれ、前記第1の結合コンデンサの容量よりも
前記第2の結合コンデンサの容量を大として前記IF増
幅器における周波数帯域の低域カットと前記整流器にお
ける周波数帯域の低域拡大とを両立せしめること; を
特徴とするC−MOS対数IF増幅器。 - 【請求項2】 多段に縦続配置される前記IF増幅器が
前記第1の結合コンデンサと前記第2の結合コンデンサ
との2個の結合コンデンサを直列接続してなる直列コン
デンサで相接続され、かつ前記整流器のそれぞれが前記
直列コンデンサの含む2個の結合コンデンサを相接続し
た中点から信号供給を受けるものとしたことを特徴とす
る請求項1記載のC−MOS対数IF増幅器。
Priority Applications (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3147769A JP2692427B2 (ja) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | C−mos対数if増幅器 |
SG1996006520A SG48040A1 (en) | 1991-05-23 | 1992-05-22 | Logarithmic intermediate-frequency amplifier |
EP92108690A EP0514929B1 (en) | 1991-05-23 | 1992-05-22 | Logarithmic intermediate-frequency amplifier |
EP96119203A EP0766382A2 (en) | 1991-05-23 | 1992-05-22 | Pseudo-logarithmic intermediate-frequency amplifier |
CA002069243A CA2069243C (en) | 1991-05-23 | 1992-05-22 | Logarithmic intermediate-frequency amplifier |
ES92108690T ES2136066T3 (es) | 1991-05-23 | 1992-05-22 | Amplificador logaritmico de frecuencia intermedia. |
US07/886,950 US5467046A (en) | 1991-05-23 | 1992-05-22 | Logarithmic intermediate-frequency amplifier |
DE69230014T DE69230014T2 (de) | 1991-05-23 | 1992-05-22 | Logarithmischer Verstärker für Zwischenfrequenzsignale |
KR1019920008783A KR960015009B1 (ko) | 1991-05-23 | 1992-05-23 | 대수 중간 주파수 증폭기 |
AU17144/92A AU658182B2 (en) | 1991-05-23 | 1992-05-25 | Logarithmic intermediate-frequency amplifier |
AU10112/95A AU677470B2 (en) | 1991-05-23 | 1995-01-10 | Logarithmic intermediate-frequency amplifier |
HK98109750A HK1009059A1 (en) | 1991-05-23 | 1998-08-06 | Logarithmic intermediate-frequency amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3147769A JP2692427B2 (ja) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | C−mos対数if増幅器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04345313A JPH04345313A (ja) | 1992-12-01 |
JP2692427B2 true JP2692427B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=15437764
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3147769A Expired - Lifetime JP2692427B2 (ja) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | C−mos対数if増幅器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2692427B2 (ja) |
-
1991
- 1991-05-23 JP JP3147769A patent/JP2692427B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04345313A (ja) | 1992-12-01 |
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