JP2682415B2 - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JP2682415B2
JP2682415B2 JP5323602A JP32360293A JP2682415B2 JP 2682415 B2 JP2682415 B2 JP 2682415B2 JP 5323602 A JP5323602 A JP 5323602A JP 32360293 A JP32360293 A JP 32360293A JP 2682415 B2 JP2682415 B2 JP 2682415B2
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善亮 深澤
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路に関し、
特にその増幅回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体集積回路のカスコード接続
増幅回路としては、図４に示す回路がある。この回路
は、初段ソース接地ＦＥＴＱ1 と、後段ゲート接地ＦＥ
ＴＱ2 とをカスコード接続した構成を有している。この
場合、ドレイン電圧ＶDDは、チョークコイルＬ１を介し
て後段ＦＥＴＱ2 に２段分の電圧が印加される。ゲート
バイアス電位は、ＦＥＴＱ1 にはマイナス電位ＶG1を、
ＦＥＴＱ2 にはプラス電位ＶG2が印加される。ＦＥＴＱ
1 のドレイン電圧ＶP1はＦＥＴＱ2 を介して、ドレイン
電圧ＶDDからＦＥＴＱ2 のドレイン−ソース間電位分下
がった電圧が加えられる。ＦＥＴＱ2 のドレイン−ソー
ス間電位は、ゲート電圧ＶG1，ＶG2と各ＦＥＴの静特性
によって決定される。回路電流も各ゲート電位ＶG1，Ｖ
G2と各ＦＥＴの静特性によって決定されて１段分のドレ
イン電流となる。
【０００３】この回路の総合利得は、図３の特性線ｃに
示すように、ほぼ初段ソース接地ＦＥＴＱ1 の利得と、
後段ゲート接地ＦＥＴＱ2 の利得の和となる。
【０００４】また総合利得を大きくとった多段接続増幅
器としては、図５に示すように、ソース接地ＦＥＴ
Ｑ1 ，Ｑ3 をカスコード接続した構成がある。この図５
では、総合利得が図３の特製線ｄのように、初段ソース
接地ＦＥＴＱ1 と後段ソース接地ＦＥＴＱ3 の合成利得
となり、ほぼソース接地２段分となる。初段ＦＥＴ
Ｑ1 、後段ＦＥＴＱ3 へのドレイン電圧は、それぞれチ
ョークコイルＬ1 ，Ｌ2 を介して印加され、ゲートバイ
アス電圧ＶG1，ＶG2は、それぞれマイナス電位が印加さ
れ、回路電流は各ＦＥＴＱ1 ，Ｑ3 の各ドレイン電流の
和になり２段分のドレイン電流になる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のソース
接地とゲート接地のカスコード接続で構成される多段増
幅回路では、ゲート接地の利得は本来小さいものなの
で、多段増幅にもかかわらずその段数に比べて、回路の
総合利得を大きくすることは困難であった。
【０００６】また、従来のソース接地のカスコード接続
で構成される多段増幅回路は、ドレイン電圧ＶDDを各段
のＦＥＴＱ1 ，Ｑ3 のドレインに印加する構成をとって
いるためそのドレイン電圧は１段分の低い電圧しか印加
できないという問題があった。同時に回路電流は各ＦＥ
Ｔのドレイン電流の総和となり、段数分の大きな回路電
流が流れるという問題があった。
【０００７】本発明の目的は、これらの問題を解決し、
高いドレイン電圧を印加でき、低い回路電流で動作し、
高い総合利得が得られる半導体集積回路を提供すること
にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
の構成は、第１および第２のシングルゲートＦＥＴが高
周波的に高インピーダンス回路を介して直流的に縦列接
続され、前記第１のＦＥＴのソースが高周波バイパスキ
ャシタを介して接地され、前記第２のＦＥＴがソース接
地されて増幅器を構成し、前記第１のＦＥＴはそのゲー
トを入力端子とし、そのソースが前記高インピーダンス
回路を介して前記第２のＦＥＴのドレインに接続され、
前記第１のＦＥＴのドレインは直流阻止キャパシタを介
して前記第２のＦＥＴのゲートに接続されたことを特徴
とする。
【０００９】
【００１０】
【実施例】図１は本発明に関連する半導体集積回路の回
路図である。初段ＦＥＴＱ1 はソース接地で、ＦＥＴＱ
1 のドレインに高インピーダンス回路１０の端子４に接
続される。この高インピーダンス回路１０の端子３には
次段ＦＥＴＱ2 のソースが接続され、初段Ｑ1 と後段Ｑ
2 とは高インピーダンス回路を介して直流的に縦列接続
された構成となっている。
【００１１】この高インピーダンス回路１０の具体例と
しては、チョークコイル（Ｌ１）や１／４波長の長さを
もった伝送経路で構成され、５００Ω以上あることが望
ましい。
【００１２】ＦＥＴＱ2 のソースにソースキャパシタＣ
S が接地との間に設けられることにより、ＦＥＴＱ2 は
交流的にソース接地と等価となる。ドレイン電圧ＶDDは
チョークコイルＬ1 を介してＦＥＴＱ2 のドレインにＦ
ＥＴ２段分の電圧が印加される。ゲート電圧はＤG1にマ
イナス電圧、ＤG2にプラス電圧が印加される。ＦＥＴＱ
1 のドレイン電圧ＶD1はＦＥＴＱ2 を介してドレイン電
圧ＶDDからＦＥＴＱ2のドレインソース電位差分下がっ
た電圧が加えられる。ＦＥＴＱ2 のドレインソース間電
位はゲート電圧ＶG1，ＶG2とＧＥＴＱ1 ，Ｑ2 の静特性
によって決定される。ドレイン電流もゲート電圧ＶG1，
ＶG2とＦＥＴＱ1 ，Ｑ2 の静特性によって決定され、１
段分のドレイン電流が回路電流となる。
【００１３】入力端子１から入力された交流信号は初段
ＦＥＴＱ1 で増幅され、このＦＥＴＱ1 のドレインから
出力される。ＦＥＴＱ1 の出力信号は高インピーダンス
回路１０のため、ＦＥＴＱ2 のソース側を通過すること
なく、次段ＦＥＴＱ2 で増幅された後に、ＦＥＴＱ2 の
ドレインから出力される。そのため回路の総合利得は、
初段ソース接地ＦＥＴＱ1 の利得と、後段ソース接地Ｆ
ＥＴＱ2 の利得と合成となり、図３の特性線ｅに示すよ
うに、ほぼソース接地２段分の利得となる。
【００１４】図２は本発明の一実施例の回路図である。
本実施例は、図１に示した初段ＦＥＴＱ1 と後段ＦＥＴ
Ｑ2 の関係が逆になったものである。直流的には同様の
動作をし、２段分のドレイン電圧をかけ、１段分の回路
電流で動作するが、信号レベルの大きい次段ＦＥＴが直
接接地されているので、その大信号動作安定性が良好で
ある。
【００１５】入力端子１より入力された交流信号は、ソ
ースキャパシタＣS のためソース接地になるＦＥＴＱ1
により増幅され、ＦＥＴＱ1 のドレインより出力され
る。ＦＥＴＱ1 から出力された信号はＦＥＴＱ2 のゲー
トに入力され、ＦＥＴＱ2 によって増幅され、ＦＥＴＱ
2 のドレインより出力される。
【００１６】出力された信号は、高インピーダンス回路
１０のため、ＦＥＴＱ1 のソース側へは全て出力端子２
から出力される。そのため回路の総合利得は、図１の場
合と同じく図３の特性線ｅのように、ソース接地ＦＥＴ
２段分となる。図１の場合には、初段ＦＥＴＱ１で増幅
された大信号が、容量Ｃ２で交流的に接地された次段Ｆ
ＥＴＱ２に入力されるので、この容量Ｃ２による何らか
のインピーダンスを生じて利得が低下するが、大信号動
作する次段ＦＥＴＱ２が直接接地されているので、高周
波動作で要求される出力電力が低下することはない。例
えばゲート幅５ｍｍのＦＥＴを使用し、ドレイン電圧Ｖ
DD＝２１Ｖ，回路電流ＩDD＝２００ｍＡとした場合、そ
の総合利得（ゲイン）Ｓ21＝３３．４ｄＢが得られた。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、多段に直
流的に縦列接続したソース接地ＦＥＴ増幅回路の前段の
ソースと次段のドレインの間に高インピーダンス回路を
有することにより、段数分の高いドレイン電圧を印加で
き、段数によらず１段分の低い回路電流で動作できると
共に、ソース接地ＦＥＴの利得の段数分だけ高い回路利
得を得られると共に、高周波動作で要求される出力電力
が低下することはないという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に関連する半導体集積回路の回路図。
【図２】本発明の半導体集積回路の一実施例の回路図。
【図３】本実施例および従来例の利得特性図。
【図４】従来の半導体集積回路の一例の回路図。
【図５】従来の半導体集積回路の他例の回路図。
【符号の説明】
１ 入力端子 ２ 出力端子 ３，４ 接続端子 １０ 高インピーダンス回路 Ｑ1 初段ＦＥＴ Ｑ2 ，Ｑ3 後段ＦＥＴ Ｌ1 ，Ｌ2 チョークコイル Ｃ1 〜Ｃ3 直流阻止用キャパシタ ＲG1，ＲG2 ゲートバイアス抵抗 ＣS ソースキャパシタ ＣG ゲートキャパシタ

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１および第２のシングルゲートＦＥＴ
    が高周波的に高インピーダンス回路を介して直流的に縦
    列接続され、前記第１のＦＥＴのソースが高周波バイパ
    スキャシタを介して接地され、前記第２のＦＥＴがソー
    ス接地されて増幅器を構成し、前記第１のＦＥＴはその
    ゲートを入力端子とし、そのソースが前記高インピーダ
    ンス回路を介して前記第２のＦＥＴのドレインに接続さ
    れ、前記第１のＦＥＴのドレインは直流阻止キャパシタ
    を介して前記第２のＦＥＴのゲートに接続されたことを
    特徴とする半導体集積回路。
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US7256654B2 (en) * 2005-04-12 2007-08-14 Raytheon Company Amplifying a signal using a current shared power amplifier
KR100703595B1 (ko) * 2005-10-17 2007-04-06 성균관대학교산학협력단 개선된 선형특성을 갖는 캐스코드형 증폭기
JP2008103889A (ja) * 2006-10-18 2008-05-01 Niigata Seimitsu Kk 低雑音増幅器

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP3069917U (ja) * 1999-12-24 2000-07-04 三貴物産株式会社 植木鉢用受皿

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