JPS63268303A - レベルシフト回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はレベルシフト回路に関する。

〔従来の技術〕

従来のこの種のレベルシフト回路は、例えば、電気通信
学会技術研究報告５ＳＤ８５−１１５（１９８６年１月
２１日発行）−Ｐ、４９〜５６ｒＧａＡｓモノリシツク
・フロントエンド・ＩＣの試作」に記載されているよう
に、次段の回路で要求される直流レベルに合致するよう
に、レベルシフトダイオードを縦続接続している。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述したレベルシフト回路では、ＩＣ全体での消費電力
及び、チップサイズを考慮するとレベルシフト用のダイ
オードとして、ゲート幅の大きいものを使うことができ
ない。一方、ゲート幅の小さいダイオードを用いるなら
ば、その抵抗分のために、レベルシフト回路での高周波
特性の劣化を招くという欠点がある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明のレベルシフト回路は、レベルシフト用のダイオ
ードと並列にコンデンサを設けている。

〔実施例〕

次に本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の第１の実施例をソース接地増幅器と共
に示す回路図である。

第１図においては、２つのソース接地増幅器１１．１２
と２つのレベルシフト回路２１．２２を交互に直結して
いる。

１段目のソース接地増幅回路１１は、その入力端子と接
地間に接続された抵抗器Ｒ２により電界効果トランジス
タＪ１のゲートバイアス及び入力側の整合を図っている
。この出力を１段目のレベルシフト回路２１に入力し、
同回路内のレベルシフトダイオードＤｉ、Ｄ２．Ｄ’３
．Ｃ４により、所望の直流レベルに落として、２段目の
ソース接地増幅器１２の入力としている。

本実施例における電界効果トランジスタ及びダイオード
のゲート幅はすべて５０マイクロメートルあり、ダイオ
ード１つあたりの電圧降下は約０．７Ｖとして、直列抵
抗分の小さい領域で用いている。

レベルシフトダイオードＤＩ、Ｄ２．Ｃ３，Ｃ４と並列
に、コンデンサＣ１を接続している。コンデンサＣ１の
無い場合及び容址が２ＰＦある場合に利得は共に２０ｄ
Ｂデシベルであり、利得が３デシベル低下する周波数は
それぞれ５．８ギガヘルツ及び７．０ギガヘルツとなり
、高周波特性を改善している。

第２図は本発明の第２の実施例を示すブロック図であり
、第１図のソース接地増幅器とレベルシフト回路とが３
つづつ使用されている。

本実施例では、３つのソース接地増幅回路３１．３２お
よび３３と３つのレベルシフト回路４１．４２および４
３を交互に直結した構成になっている。ソース接地増幅
器３１．３２および３３の詳細は、第１図におけるソー
ス接地増幅器１１および１．２同様とであり、またレベ
ルシフト回路４１．４２および４３の詳細は第１図にお
けるレベルシフト回路２１および２２と同様である。

このように、増幅回路と多段接続する場合には、レベル
シフト回路も多くなり、レベルシフト回路での周波数特
性が全体の周波数特性に与える影響が大きいが、本発明
のレベルシフト回路を用いることにより、全体の高周波
特性の改善ができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明のレベルシフト回路は、比
較的容量値の小さいコンデンサをレベルシフトダイオー
ドと並列に接続したことにより、高周波特性を改善する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図と第２図は本発明のそれぞれ第１の実施例と第２
の実施例を示す。 １１．１２，３１．３２．３３・・・ソース接地増幅器
、２１，２２，４１，４２．４３・・・レベルシフト回
路、ＤＩ、Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４・・・レベルシフトダイオ
ード、Ｊｌ、Ｊ２．Ｊ３・・・電界効果トランジスタ、
Ｒ１，Ｒ２・・・抵抗器、Ｃ１・・・コンデンサ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. レベルシフト用のダイオードと並列にコンデンサを接続
   することを特徴とするレベルシフト回路。