JP2687384B2 - タイミングパルス発生回路 - Google Patents
タイミングパルス発生回路Info
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
- G06F1/02—Digital function generators
- G06F1/025—Digital function generators for functions having two-valued amplitude, e.g. Walsh functions
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/745—Circuitry for generating timing or clock signals
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Description
【発明の詳細な説明】 以下の順序で本発明を説明する。
A 産業上の利用分野 B 発明の概要 C 従来の技術 D 発明が解決しようとする課題 E 課題を解決するための手段(第1図) F 作用 G 実施例 H 発明の効果 A 産業上の利用分野 本発明は、CCD撮像素子の動作を制御するタイミング
パルスを発生するタイミングパルス発生回路に関する。
パルスを発生するタイミングパルス発生回路に関する。
B 発明の概要 本発明は、CCD撮像素子の動作を制御するタイミング
パルスを発生するタイミングパルス発生回路において、
水平方向に繰り返すタイミングパルスと垂直方向に繰り
返すタイミングパルスとを、夫々別個のROMより得るよ
うにしたことにより、ROMの容量を削減できるようにし
たものである。
パルスを発生するタイミングパルス発生回路において、
水平方向に繰り返すタイミングパルスと垂直方向に繰り
返すタイミングパルスとを、夫々別個のROMより得るよ
うにしたことにより、ROMの容量を削減できるようにし
たものである。
C 従来の技術 第13図はCCD固体撮像装置の一例を示すものである。
同図例は、インターライン転送方式の例である。
同図例は、インターライン転送方式の例である。
同図において、(1)はCCD装置であり、(2)は電
荷検出信号の出力端子である。また、CCD装置(1)に
おいて、(3)はCCD固体撮像素子であり、(4)は受
光部、(5)は転送ゲート、(6)は垂下シフトレジス
タ、(7)は水平シフトレジスタ、(8)は電荷検出部
である。
荷検出信号の出力端子である。また、CCD装置(1)に
おいて、(3)はCCD固体撮像素子であり、(4)は受
光部、(5)は転送ゲート、(6)は垂下シフトレジス
タ、(7)は水平シフトレジスタ、(8)は電荷検出部
である。
垂直シフトレジスタ(6)には、端子(9)より、第
14図K〜Nに示すような4相の垂直転送クロックV1〜V4
が供給され、受光部(4)に蓄積された信号電荷の垂直
シフトレジスタ(6)への転送及び、このように垂直シ
フトレジスタ(6)に転送された信号電荷の水平シフト
レジスタ(7)への転送が行なわれる。即ち垂直転送ク
ロックV1及びV3は、レベルVL,VH,VTを持った3値レベル
クロックであり、垂直転送クロックV2及びV4は、レベル
VL,VHを持った2値レベルクロックである。垂直転送ク
ロックV1がレベルVTとなるのは奇数フィールドの最初の
垂直帰線期間内であり、垂直転送クロックV3がレベルVT
となるのは偶数フィールドの最初の垂直帰線期間内であ
る。なお、第14図A及びBは、夫々垂直同期パルスVD及
び水平同期パルスHDを示している。
14図K〜Nに示すような4相の垂直転送クロックV1〜V4
が供給され、受光部(4)に蓄積された信号電荷の垂直
シフトレジスタ(6)への転送及び、このように垂直シ
フトレジスタ(6)に転送された信号電荷の水平シフト
レジスタ(7)への転送が行なわれる。即ち垂直転送ク
ロックV1及びV3は、レベルVL,VH,VTを持った3値レベル
クロックであり、垂直転送クロックV2及びV4は、レベル
VL,VHを持った2値レベルクロックである。垂直転送ク
ロックV1がレベルVTとなるのは奇数フィールドの最初の
垂直帰線期間内であり、垂直転送クロックV3がレベルVT
となるのは偶数フィールドの最初の垂直帰線期間内であ
る。なお、第14図A及びBは、夫々垂直同期パルスVD及
び水平同期パルスHDを示している。
第15図は、受光部(4)、転送ゲート(5)及び垂直
シフトレジスタ(6)の関係を示したものである。同図
に示すように、垂直シフトレジスタ(6)には、受光部
(4)の受光素子SA,SBの半分のピッチで電極Va,Vb,Vc,
Vdが形成される。この場合垂直シフトレジスタ(6)の
電極Vb及びVdは、夫々受光部(4)の受光素子SB及びSA
に対応するように配置され、一方、垂直シフトレジスタ
(6)の電極Va及びVcは、夫々受光部(4)の受光素子
SA及びSBの双方に跨るように配置される。そして、この
垂直シフトレジスタ(6)の電極Va〜Vdに上述した4相
の垂直転送クロックV1〜V4が供給される。
シフトレジスタ(6)の関係を示したものである。同図
に示すように、垂直シフトレジスタ(6)には、受光部
(4)の受光素子SA,SBの半分のピッチで電極Va,Vb,Vc,
Vdが形成される。この場合垂直シフトレジスタ(6)の
電極Vb及びVdは、夫々受光部(4)の受光素子SB及びSA
に対応するように配置され、一方、垂直シフトレジスタ
(6)の電極Va及びVcは、夫々受光部(4)の受光素子
SA及びSBの双方に跨るように配置される。そして、この
垂直シフトレジスタ(6)の電極Va〜Vdに上述した4相
の垂直転送クロックV1〜V4が供給される。
このような構成において、奇数フィールドの最初の垂
直帰線期間内で垂直転送クロックV1がレベルVTとなる期
間に、受光素子SA及びSBに蓄積された信号電荷は、転送
ゲート(5)を介して垂直シフトレジスタ(6)の電極
Vaに対応する部分に転送される。そののち、垂直シフト
レジスタ(6)によって水平シフトレジスタ(7)に1
走査線分ずつ転送される。第16図A〜Fは、第17図A〜
Dに示す垂直転送クロックV1〜V4の時点t1〜t6における
信号電荷の転送位置を示したものであるが、この図から
も明らかなように、順次電位の井戸が移るようになさ
れ、垂直シフトレジスタ(6)の電極Vaの部分に転送さ
れた信号電荷(で図示)は垂直方向に転送される。ま
た、偶数フィールドの最初の垂直帰線期間内で垂直転送
クロックV3がレベルVTとなる期間に、受光素子SB及びSA
に蓄積された信号電荷は、転送ゲート(5)を介して垂
直シフトレジスタ(6)の電極Vcに対応する部分に転送
される。そののち、上述した奇数フィールドの場合と同
様に、垂直シフトレジスタ(6)によって1走査線分ず
つ転送される。
直帰線期間内で垂直転送クロックV1がレベルVTとなる期
間に、受光素子SA及びSBに蓄積された信号電荷は、転送
ゲート(5)を介して垂直シフトレジスタ(6)の電極
Vaに対応する部分に転送される。そののち、垂直シフト
レジスタ(6)によって水平シフトレジスタ(7)に1
走査線分ずつ転送される。第16図A〜Fは、第17図A〜
Dに示す垂直転送クロックV1〜V4の時点t1〜t6における
信号電荷の転送位置を示したものであるが、この図から
も明らかなように、順次電位の井戸が移るようになさ
れ、垂直シフトレジスタ(6)の電極Vaの部分に転送さ
れた信号電荷(で図示)は垂直方向に転送される。ま
た、偶数フィールドの最初の垂直帰線期間内で垂直転送
クロックV3がレベルVTとなる期間に、受光素子SB及びSA
に蓄積された信号電荷は、転送ゲート(5)を介して垂
直シフトレジスタ(6)の電極Vcに対応する部分に転送
される。そののち、上述した奇数フィールドの場合と同
様に、垂直シフトレジスタ(6)によって1走査線分ず
つ転送される。
第13図に戻って、水平シフトレジスタ(7)には、端
子(10),(11)より、第18図A,Bに示すような1画素
周期、例えば70ns周期の2相の水平転送クロックH1,H2
が供給され、信号電荷は、電荷検出部(8)を介して順
次取り出される。
子(10),(11)より、第18図A,Bに示すような1画素
周期、例えば70ns周期の2相の水平転送クロックH1,H2
が供給され、信号電荷は、電荷検出部(8)を介して順
次取り出される。
また、電荷検出部(8)の出力端は、コンデンサ(1
2)を介して接地させると共に、FET(13)のソースに接
続され、そのドレインには直流電圧ERが供給される。ま
た、このFET(13)のゲートには、端子(14)より水平
転送クロックH1,H2に同期したリセットパルスPG(第18
図Dに図示)がコンデンサ(15)を介して供給される。
また、電荷検出部(8)及びコンデンサ(12)の接続点
はFET(16)のゲートに接続され、このFET(16)のドレ
インには直流電圧Eが供給され、そのソースは出力端子
(2)に接続される。
2)を介して接地させると共に、FET(13)のソースに接
続され、そのドレインには直流電圧ERが供給される。ま
た、このFET(13)のゲートには、端子(14)より水平
転送クロックH1,H2に同期したリセットパルスPG(第18
図Dに図示)がコンデンサ(15)を介して供給される。
また、電荷検出部(8)及びコンデンサ(12)の接続点
はFET(16)のゲートに接続され、このFET(16)のドレ
インには直流電圧Eが供給され、そのソースは出力端子
(2)に接続される。
以上の構成において、リセットパルスPGが高レベルで
ある期間には、FET(13)はオンとなり、コンデンサ(1
2)は電圧ERまで充電され、リセットレベルとなる。一
方、リセットパルスPGが低レベルである期間には、FET
(13)はオフとなり、電荷検出部(8)からの信号電荷
に応じてコンデンサ(12)の両端電圧が低下する。その
ため、出力端子(2)は第18図Eに示すような電荷検出
出力電圧V0が出力される。この第18図EにおいてEPはプ
リチャージレベルであり、このプリチャージレベルに続
くレベルが信号レベルとなる。
ある期間には、FET(13)はオンとなり、コンデンサ(1
2)は電圧ERまで充電され、リセットレベルとなる。一
方、リセットパルスPGが低レベルである期間には、FET
(13)はオフとなり、電荷検出部(8)からの信号電荷
に応じてコンデンサ(12)の両端電圧が低下する。その
ため、出力端子(2)は第18図Eに示すような電荷検出
出力電圧V0が出力される。この第18図EにおいてEPはプ
リチャージレベルであり、このプリチャージレベルに続
くレベルが信号レベルとなる。
また、出力電圧V0より出力信号S0を検出して出力する
のに以下のように処理され、信号レベル部分にのってい
るリセット毎に異なるレベルとなるリセットノイズNRが
除去される。つまり、信号レベル部分にリセットノイズ
NRがのるとき、プリチャージレベル部分にも同レベルの
リセットノイズNRがのることに着目したものである。第
18図Eにおいて、破線はリセットノイズNRがのっている
状態を示している。
のに以下のように処理され、信号レベル部分にのってい
るリセット毎に異なるレベルとなるリセットノイズNRが
除去される。つまり、信号レベル部分にリセットノイズ
NRがのるとき、プリチャージレベル部分にも同レベルの
リセットノイズNRがのることに着目したものである。第
18図Eにおいて、破線はリセットノイズNRがのっている
状態を示している。
第13図において、出力端子(2)からの出力電圧V0は
出力回路(20)を構成するサンプルホールド回路(21)
に供給される。このサンプルホールド回路(21)には、
端子(26)より、信号レベル期間に対応したサンプリン
グパルスSHD(第18図Gに図示)が供給されて出力電圧V
0の信号レベル部分がサンプリングホールドされる。そ
して、そのホールド出力HSはオペアンプ(22)の反転入
力端子に供給される。
出力回路(20)を構成するサンプルホールド回路(21)
に供給される。このサンプルホールド回路(21)には、
端子(26)より、信号レベル期間に対応したサンプリン
グパルスSHD(第18図Gに図示)が供給されて出力電圧V
0の信号レベル部分がサンプリングホールドされる。そ
して、そのホールド出力HSはオペアンプ(22)の反転入
力端子に供給される。
また、出力電圧V0はサンプルホールド回路(23)に供
給される。このサンプルホールド回路(23)には、端子
(27)よりプリチャージレベル期間に対応したサンプリ
ングパルスSHP(第18図Fに図示)が供給されて、出力
電圧V0のプリチャージレベル部分がサンプリングホール
ドされる。そして、そのホールド出力HN1は、さらにサ
ンプルホールド回路(24)に供給される。このサンプル
ホールド回路(24)には、端子(26)よりサンプリング
パルスSHDが供給されて、ホールド出力HN1がサンプリン
グホールドされる。そして、そのホールド出力HN2はオ
ペアンプ(22)の非反転入力端子に供給される。
給される。このサンプルホールド回路(23)には、端子
(27)よりプリチャージレベル期間に対応したサンプリ
ングパルスSHP(第18図Fに図示)が供給されて、出力
電圧V0のプリチャージレベル部分がサンプリングホール
ドされる。そして、そのホールド出力HN1は、さらにサ
ンプルホールド回路(24)に供給される。このサンプル
ホールド回路(24)には、端子(26)よりサンプリング
パルスSHDが供給されて、ホールド出力HN1がサンプリン
グホールドされる。そして、そのホールド出力HN2はオ
ペアンプ(22)の非反転入力端子に供給される。
ここで、ホールド出力HS,HN1,HN2には、夫々サンプリ
ングパルスに対応して飛び込みパルスが出現する。
ングパルスに対応して飛び込みパルスが出現する。
以上の構成において、出力電圧V0に第18図Eの破線に
示すように各リセット毎に異なるレベルのリセットノイ
ズNRがのっているときには、図示せずもサンプルホール
ド回路(21),(23),(24)のホールド出力HS,HN1,H
N2にも、リセットノイズNRがのっている。したがって、
ホールド出力HSとHN1との差をとることによりリセット
ノイズNRを除去することができる。しかし、ホールド出
力HSとHN1とは出力電圧V0の異なる時点でのサンプリン
グによるものであるから、飛び込みパルスの出現時点に
位相差を生じ、単にホールド出力HSとHN1との差をとる
と、飛び込みパルスがそのまま現われる。この例では、
上述したようにホールド出力HN1がサンプリングパルスS
HDによってさらにサンプルホールドされるので、そのホ
ールド出力HN2中の飛び込みパルスは、ホールド出力HS
中の飛び込みパルスと同相となる。
示すように各リセット毎に異なるレベルのリセットノイ
ズNRがのっているときには、図示せずもサンプルホール
ド回路(21),(23),(24)のホールド出力HS,HN1,H
N2にも、リセットノイズNRがのっている。したがって、
ホールド出力HSとHN1との差をとることによりリセット
ノイズNRを除去することができる。しかし、ホールド出
力HSとHN1とは出力電圧V0の異なる時点でのサンプリン
グによるものであるから、飛び込みパルスの出現時点に
位相差を生じ、単にホールド出力HSとHN1との差をとる
と、飛び込みパルスがそのまま現われる。この例では、
上述したようにホールド出力HN1がサンプリングパルスS
HDによってさらにサンプルホールドされるので、そのホ
ールド出力HN2中の飛び込みパルスは、ホールド出力HS
中の飛び込みパルスと同相となる。
したがって、オペアンプ(22)より導出された出力端
子(25)には、リセットノイズNRが除去されると共に、
サンプリングホールド時における飛び込みパルスも十分
に抑圧された出力信号S0が得られる。
子(25)には、リセットノイズNRが除去されると共に、
サンプリングホールド時における飛び込みパルスも十分
に抑圧された出力信号S0が得られる。
この第13図例の撮像装置に供給される垂直転送クロッ
クV1〜V4、水平転送クロックH1,H2、リセットパルスP
G、サンプリングパルスSHD,SHPは、第19図に示すような
構成をもって形成される。即ち、(31)はタイミング発
生回路であり、このタイミング発生回路(31)には、水
晶発振器(32)より、例えば8fsc(fscは色副搬送波周
波数でNTSC方式では3.58MHz)の周波数を有する周波数
信号S1が供給される。そして、このタイミング発生回路
(31)より4fscの周波数を有する周波数信号S2が発生さ
れ、この周波数信号S2は同期信号発生器(33)に供給さ
れる。この同期信号発生器(33)では、周波数信号S2に
基づいて垂直同期パルスVD及び水平同期パルスHD(第14
図A及びBに図示)が形成され、これら同期パルスVD及
びHDは、タイミング発生回路(31)に供給される。
クV1〜V4、水平転送クロックH1,H2、リセットパルスP
G、サンプリングパルスSHD,SHPは、第19図に示すような
構成をもって形成される。即ち、(31)はタイミング発
生回路であり、このタイミング発生回路(31)には、水
晶発振器(32)より、例えば8fsc(fscは色副搬送波周
波数でNTSC方式では3.58MHz)の周波数を有する周波数
信号S1が供給される。そして、このタイミング発生回路
(31)より4fscの周波数を有する周波数信号S2が発生さ
れ、この周波数信号S2は同期信号発生器(33)に供給さ
れる。この同期信号発生器(33)では、周波数信号S2に
基づいて垂直同期パルスVD及び水平同期パルスHD(第14
図A及びBに図示)が形成され、これら同期パルスVD及
びHDは、タイミング発生回路(31)に供給される。
タイミング発生回路(31)からは、CCD固体撮像素子
(3)の受光部(4)より垂直シフトレジスタ(6)に
信号電荷を転送する期間(読み出し期間)を特定するセ
ンサーゲート信号XSG(第14図Fに図示)及び垂直転送
クロックV1′〜V4′(第14図G〜Jに図示)が発生さ
れ、夫々垂直クロックドライバ(34)に供給される。そ
して、この垂直クロックドライバ(34)より、垂直転送
クロックV1〜V4(第14図K〜Nに図示)がCCD装置
(1)の端子(9)に供給される。また、タイミング発
生回路(31)からは、パルスXPG(第18図Cに図示)が
発生されてインバータより構成されるリセットパルスド
ライバ(35)に供給され、このリセットパルスドライバ
(35)より、リセットパルスPG(第18図Dに図示)がCC
D装置(1)の端子(14)に供給される。また、タイミ
ング発生回路(31)からは、水平転送クロックH1,H2
(第18図A,Bに図示)が発生され、この水平転送クロッ
クH1,H2は水平クロックドライバ(36)を介してCCD装置
(1)の端子(10),(11)に供給される。さらに、タ
イミング発生回路(31)からは、サンプリングパルスSH
D,SHP(第18図F,Gに図示)が発生されて、出力回路(2
0)の端子(26),(27)に供給される。なお、第18図
において、TPGは、リセットパルスドライバ(35)によ
る遅延時間、TIM1,TIM2は、CCD装置(1)による遅延時
間を示している。
(3)の受光部(4)より垂直シフトレジスタ(6)に
信号電荷を転送する期間(読み出し期間)を特定するセ
ンサーゲート信号XSG(第14図Fに図示)及び垂直転送
クロックV1′〜V4′(第14図G〜Jに図示)が発生さ
れ、夫々垂直クロックドライバ(34)に供給される。そ
して、この垂直クロックドライバ(34)より、垂直転送
クロックV1〜V4(第14図K〜Nに図示)がCCD装置
(1)の端子(9)に供給される。また、タイミング発
生回路(31)からは、パルスXPG(第18図Cに図示)が
発生されてインバータより構成されるリセットパルスド
ライバ(35)に供給され、このリセットパルスドライバ
(35)より、リセットパルスPG(第18図Dに図示)がCC
D装置(1)の端子(14)に供給される。また、タイミ
ング発生回路(31)からは、水平転送クロックH1,H2
(第18図A,Bに図示)が発生され、この水平転送クロッ
クH1,H2は水平クロックドライバ(36)を介してCCD装置
(1)の端子(10),(11)に供給される。さらに、タ
イミング発生回路(31)からは、サンプリングパルスSH
D,SHP(第18図F,Gに図示)が発生されて、出力回路(2
0)の端子(26),(27)に供給される。なお、第18図
において、TPGは、リセットパルスドライバ(35)によ
る遅延時間、TIM1,TIM2は、CCD装置(1)による遅延時
間を示している。
D 発明が解決しようとする課題 ところで、タイミング発生回路(31)において、垂直
転送クロックV1′〜V4′、センサーゲート信号XSG等の
タイミングパルスを発生させる回路は、例えば論理回路
を用いて構成されている。このような構成のものでは、
発生するタイミングパルスがその論理構成によって一義
的に決まるため、発生させるタイミングパルスの変更、
修正をする場合には、変更、修正時に新たに設計を行な
う必要があり、容易ではなかった。
転送クロックV1′〜V4′、センサーゲート信号XSG等の
タイミングパルスを発生させる回路は、例えば論理回路
を用いて構成されている。このような構成のものでは、
発生するタイミングパルスがその論理構成によって一義
的に決まるため、発生させるタイミングパルスの変更、
修正をする場合には、変更、修正時に新たに設計を行な
う必要があり、容易ではなかった。
そこで、このような煩わしさがなく、発生させるタイ
ミングパルスを容易に変更、修正できるように、第20図
に示すようにROMを用いてタイミングパルスを発生させ
ることが考えられている。第20図において(41)はカウ
ンタ、(42)はROMである。ROM(42)の各アドレスには
タイミングパルスP1,P2,P3,……のデータが書き込まれ
ており、このROM(42)にはカウンタ(41)のカウント
出力がアドレス信号として供給され、このROM(42)か
らは、パルスP1,P2,P3,……が出力される。
ミングパルスを容易に変更、修正できるように、第20図
に示すようにROMを用いてタイミングパルスを発生させ
ることが考えられている。第20図において(41)はカウ
ンタ、(42)はROMである。ROM(42)の各アドレスには
タイミングパルスP1,P2,P3,……のデータが書き込まれ
ており、このROM(42)にはカウンタ(41)のカウント
出力がアドレス信号として供給され、このROM(42)か
らは、パルスP1,P2,P3,……が出力される。
この第20図例によれば、水平方向に繰り返すタイミン
グパルスと垂直方向に繰り返すタイミングパルスとを、
夫々共通のROM(42)より得るものであるため、ROM(4
2)の容量が膨大となる不都合があった。例えば、NTSC
方式の場合、2fsc=455fH(fHは水平周波数)の関係が
あると共に、525ライン/フレームの関係があるので、
カウンタ(41)のクロック端子CKに供給されるクロック
CLKの周波数が2fscであるときには、1個のタイミング
パルスを発生させるデータは、455×525=238875ビット
となる。そのため、ROM(42)の容量は、N個のタイミ
ングパルスを発生させるときには、N×238875ビット必
要となる。したがって、ROM(42)の容量は、1個のタ
イミングパルスに対応して262144ビットとされ、このと
きアドレスカウンタ262144のアドレスを指定できれば足
り、カウンタ(41)は18ビットカウンタとされる。
グパルスと垂直方向に繰り返すタイミングパルスとを、
夫々共通のROM(42)より得るものであるため、ROM(4
2)の容量が膨大となる不都合があった。例えば、NTSC
方式の場合、2fsc=455fH(fHは水平周波数)の関係が
あると共に、525ライン/フレームの関係があるので、
カウンタ(41)のクロック端子CKに供給されるクロック
CLKの周波数が2fscであるときには、1個のタイミング
パルスを発生させるデータは、455×525=238875ビット
となる。そのため、ROM(42)の容量は、N個のタイミ
ングパルスを発生させるときには、N×238875ビット必
要となる。したがって、ROM(42)の容量は、1個のタ
イミングパルスに対応して262144ビットとされ、このと
きアドレスカウンタ262144のアドレスを指定できれば足
り、カウンタ(41)は18ビットカウンタとされる。
本発明はこのような点を考慮し、メモリの容量を小さ
くできるようにすることを目的とするものである。
くできるようにすることを目的とするものである。
E 課題を解決するための手段 この発明のタイミングパルス発生回路は、タイミング
パルスを発生するタイミングパルス発生回路において、
水平周期の第1の基準パルスで制御される第1のアドレ
スカウンタと、この第1のアドレスカウンタの出力で読
み出しアドレスが制御される第1のROMと、水平周波数
に比して十分高い周波数を有する第2の基準パルスで制
御される第2のアドレスカウンタと、この第2のアドレ
スカウンタの出力で読み出しアドレスが制御されると共
に水平帰線期間内に出力されるべきタイミングパルスが
記憶された第2のROMとを有し、上記第1及び第2のROM
より上記タイミングパルスを得るものである。
パルスを発生するタイミングパルス発生回路において、
水平周期の第1の基準パルスで制御される第1のアドレ
スカウンタと、この第1のアドレスカウンタの出力で読
み出しアドレスが制御される第1のROMと、水平周波数
に比して十分高い周波数を有する第2の基準パルスで制
御される第2のアドレスカウンタと、この第2のアドレ
スカウンタの出力で読み出しアドレスが制御されると共
に水平帰線期間内に出力されるべきタイミングパルスが
記憶された第2のROMとを有し、上記第1及び第2のROM
より上記タイミングパルスを得るものである。
F 作用 上述構成においては、第1のROMからは垂直方向に繰
り返すタイミングパルスが得られると共に、第2のROM
からは水平方向に繰り返すタイミングパルスが得られる
ものであるので、これら第1及び第2のROMは、容量の
小さなもので構成し得る。
り返すタイミングパルスが得られると共に、第2のROM
からは水平方向に繰り返すタイミングパルスが得られる
ものであるので、これら第1及び第2のROMは、容量の
小さなもので構成し得る。
G 実施例 以下、図面を参照しながら本発明の一実施例について
説明する。
説明する。
第1図はタイミング発生回路を示すものである。同図
において、(51)は発振器であり、この発振器(51)か
らの、例えば8fscの周波数の周波数信号S1は、タイミン
グ発生回路(60)の端子(61)に供給される。また、タ
イミング発生回路(60)の端子(62)及び(63)には、
同期信号発生器(図示せず)より、夫々垂直同期パルス
VD及び水平同期パルスHDが供給され、これら同期パルス
VD,HD(第14図A,Bに図示)は、同期回路(64)に供給さ
れる。
において、(51)は発振器であり、この発振器(51)か
らの、例えば8fscの周波数の周波数信号S1は、タイミン
グ発生回路(60)の端子(61)に供給される。また、タ
イミング発生回路(60)の端子(62)及び(63)には、
同期信号発生器(図示せず)より、夫々垂直同期パルス
VD及び水平同期パルスHDが供給され、これら同期パルス
VD,HD(第14図A,Bに図示)は、同期回路(64)に供給さ
れる。
また、(65)は水平ROM回路である。端子(61)に供
給される周波数信号S1は、分周器(66)を介して分周器
(67)に供給され、この分周器(67)より出力される2f
scの周波数信号は、クロックCLKHとして水平ROM回路(6
5)に供給される。また、同期回路(64)からは、水平
周期のリセットパルスPRHが発生され、このリセットパ
ルスPRHは水平ROM回路(65)に供給される。そしてこの
水平ROM回路(65)からは、第14図C及びDに示すよう
な水平方向に繰り返すパルスSH1及びSH2が出力されると
共に垂直転送期間であり、水平転送クロックH1,H2を出
力しない期間を特定するパルスSH3が出力される。
給される周波数信号S1は、分周器(66)を介して分周器
(67)に供給され、この分周器(67)より出力される2f
scの周波数信号は、クロックCLKHとして水平ROM回路(6
5)に供給される。また、同期回路(64)からは、水平
周期のリセットパルスPRHが発生され、このリセットパ
ルスPRHは水平ROM回路(65)に供給される。そしてこの
水平ROM回路(65)からは、第14図C及びDに示すよう
な水平方向に繰り返すパルスSH1及びSH2が出力されると
共に垂直転送期間であり、水平転送クロックH1,H2を出
力しない期間を特定するパルスSH3が出力される。
この水平ROM回路(65)は、例えば第2図に示すよう
に構成される。同図において、(651)はアドレスカウ
ンタを構成する7ビットカウンタである。このカウンタ
(651)のクロック端子CKにクロックCLKHが供給される
と共に、そのリセット端子REにリセットパルスPRHが供
給される。このカウンタ(651)の7ビットのカウント
出力はROM(652)にアドレス信号として供給される。こ
のROM(652)の各アドレスには、水平方向に繰り返すタ
イミングパルスのデータが書き込まれている。NTSC方式
の場合、2fsc=455fHの関係があるので、クロックCLKH
の周波数は2fscであるから本来1個のタイミングパルス
を発生させるデータは、455ビットとなる。しかし、ビ
デオ信号へのノイズを考慮して、タイミングパルスのほ
とんどは水平帰線期間内で変化するので、本例において
は、このように変化する前後のデータのみがROM(652)
に書き込まれる。例えば、1個のタイミングパルスを発
生させるためにROM(652)に書き込まれるデータは128
ビットとされる。このように、水平方向に繰り返す1個
のタイミングパルスを発生させるためにROM(652)に書
き込まれるデータが128ビットであるので、アドレスカ
ウンタは128のアドレスを指定できれば足り、上述した
ように7ビットカウンタ(651)で構成される。なお、R
OM(652)には、タイミングパルスが変化する前後のデ
ータのみが書き込まれるので、このデータを対応するタ
イミングで読み出して出力させるために、図示せずも例
えば同期回路(64)より発生される制御信号によってカ
ウンタ(651)のカウント動作が制御される。
に構成される。同図において、(651)はアドレスカウ
ンタを構成する7ビットカウンタである。このカウンタ
(651)のクロック端子CKにクロックCLKHが供給される
と共に、そのリセット端子REにリセットパルスPRHが供
給される。このカウンタ(651)の7ビットのカウント
出力はROM(652)にアドレス信号として供給される。こ
のROM(652)の各アドレスには、水平方向に繰り返すタ
イミングパルスのデータが書き込まれている。NTSC方式
の場合、2fsc=455fHの関係があるので、クロックCLKH
の周波数は2fscであるから本来1個のタイミングパルス
を発生させるデータは、455ビットとなる。しかし、ビ
デオ信号へのノイズを考慮して、タイミングパルスのほ
とんどは水平帰線期間内で変化するので、本例において
は、このように変化する前後のデータのみがROM(652)
に書き込まれる。例えば、1個のタイミングパルスを発
生させるためにROM(652)に書き込まれるデータは128
ビットとされる。このように、水平方向に繰り返す1個
のタイミングパルスを発生させるためにROM(652)に書
き込まれるデータが128ビットであるので、アドレスカ
ウンタは128のアドレスを指定できれば足り、上述した
ように7ビットカウンタ(651)で構成される。なお、R
OM(652)には、タイミングパルスが変化する前後のデ
ータのみが書き込まれるので、このデータを対応するタ
イミングで読み出して出力させるために、図示せずも例
えば同期回路(64)より発生される制御信号によってカ
ウンタ(651)のカウント動作が制御される。
また、水平ROM回路(65)は、例えば第3図に示すよ
うに構成される。同図において、(651′)は8ビット
カウンタである。このカウンタ(651′)のクロック端
子CKには、クロックCLKHが供給されると共に、そのリセ
ット端子REには、リセットパルスPRHが供給される。ま
た、このカウンタ(651′)にはインターバルを決定す
る、クロックCLKHの個数nを示すデータDCKが供給さ
れ、このカウンタ(651′)はn進カウンタにセットさ
れる。
うに構成される。同図において、(651′)は8ビット
カウンタである。このカウンタ(651′)のクロック端
子CKには、クロックCLKHが供給されると共に、そのリセ
ット端子REには、リセットパルスPRHが供給される。ま
た、このカウンタ(651′)にはインターバルを決定す
る、クロックCLKHの個数nを示すデータDCKが供給さ
れ、このカウンタ(651′)はn進カウンタにセットさ
れる。
また、(652′)は5ビットカウンタである。このカ
ウンタ(652′)のクロック端子CKには、カウンタ(65
1′)のキャリー(桁上げ出力)が供給され、そのリセ
ット端子REには、リセットパルスPRHが供給される。こ
のカウンタ(652′)の5ビットのカウント出力はアド
レスROM(653′)及びデータROM(654′)にアドレス信
号として供給される。
ウンタ(652′)のクロック端子CKには、カウンタ(65
1′)のキャリー(桁上げ出力)が供給され、そのリセ
ット端子REには、リセットパルスPRHが供給される。こ
のカウンタ(652′)の5ビットのカウント出力はアド
レスROM(653′)及びデータROM(654′)にアドレス信
号として供給される。
アドレスROM(653′)の各アドレスには、タイミング
パルスが変化するある時点から次の時点までのインター
バルを決定するクロックCLKHの個数nを示すデータDCK
が書き込まれている。また、データROM(654′)の各ア
ドレスには、タイミングパルスのデータのうち、変化時
点のデータのみが書き込まれている。
パルスが変化するある時点から次の時点までのインター
バルを決定するクロックCLKHの個数nを示すデータDCK
が書き込まれている。また、データROM(654′)の各ア
ドレスには、タイミングパルスのデータのうち、変化時
点のデータのみが書き込まれている。
データROM(654′)からは、実際にはパルスSH1〜SH3
が出力されるのであるが、ここでは説明を簡略化するた
め、第4図A及びBに示すようなタイミングパルスP1及
びP2を発生させるとする。この場合、アドレスROM(65
3′)のアドレスX,X+1,X+2には、第5図に示すよう
に、データDCKとして「10」,「15」,「6」が書き込
まれている。また、データROM(654′)のアドレスX,X
+1,X+2には、第6図に示すように、パルスP1用のデ
ータとして、「1」,「1」,「0」が書き込まれると
共に、パルスP2用のデータとして「1」,「0」,
「0」が書き込まれている。
が出力されるのであるが、ここでは説明を簡略化するた
め、第4図A及びBに示すようなタイミングパルスP1及
びP2を発生させるとする。この場合、アドレスROM(65
3′)のアドレスX,X+1,X+2には、第5図に示すよう
に、データDCKとして「10」,「15」,「6」が書き込
まれている。また、データROM(654′)のアドレスX,X
+1,X+2には、第6図に示すように、パルスP1用のデ
ータとして、「1」,「1」,「0」が書き込まれると
共に、パルスP2用のデータとして「1」,「0」,
「0」が書き込まれている。
また、アドレスROM(653′)より出力されるデータDC
Kは上述した8ビットカウンタ(651′)に供給される。
Kは上述した8ビットカウンタ(651′)に供給される。
この第3図に示すような構成において、時点T1で例え
ばリセットされて、5ビットカウンタ(652′)のカウ
ント出力は「X」となり、アドレスROM(653′)より出
力されるデータDCKは「10」となるので、8ビットカウ
ンタ(651′)は10進カウンタにセットされると共に、
データROM(654′)より出力されるタイミングパルスP1
及びP2は、夫々高レベル“1"及び高レベル“1"となる。
つぎに、8ビットカウンタ(651′)は10進カウンタに
セットされているので、クロックCLKHが10個供給される
時点T2で8ビットカウンタ(651′)よりキャリーが出
力され、この時点T2で5ビットカウンタ(652′)のカ
ウント出力は「X+1」となり、アドレスROM(653′)
より出力されるデータDCKは「15」となるので、8ビッ
トカウンタ(651′)は15進カウンタにセットされると
共に、データROM(654′)より出力されるタイミングパ
ルスP1及びP2は、夫々高レベル“1"及び低レベル“0"と
なる。つぎに、8ビットカウンタ(651′)は、15進カ
ウンタにセットされているので、クロックCLKHが15個供
給される時点T3で8ビットカウンタ(651′)よりキャ
リーが出力され、この時点T3で5ビットカウンタ(65
2′)のカウント出力「X+2」となり、アドレスROM
(653′)より出力されるデータDCKは「6」となるの
で、8ビットカウンタ(651′)は6進カウンタにセッ
トされると共に、データROM(654′)より出力されるタ
イミングパルスP1及びP2は、夫々低レベル“0"及び低レ
ベル“0"となる。以下、上述したと同様に繰り返し動作
する。したがって、データROM(654′)からは、第4図
A及びBに示すようなタイミングパルスP1及びP2が得ら
れる。つまり、この第3図例のように、水平ROM回路(6
5)を構成しても、パルスSH1〜SH3が得られる。
ばリセットされて、5ビットカウンタ(652′)のカウ
ント出力は「X」となり、アドレスROM(653′)より出
力されるデータDCKは「10」となるので、8ビットカウ
ンタ(651′)は10進カウンタにセットされると共に、
データROM(654′)より出力されるタイミングパルスP1
及びP2は、夫々高レベル“1"及び高レベル“1"となる。
つぎに、8ビットカウンタ(651′)は10進カウンタに
セットされているので、クロックCLKHが10個供給される
時点T2で8ビットカウンタ(651′)よりキャリーが出
力され、この時点T2で5ビットカウンタ(652′)のカ
ウント出力は「X+1」となり、アドレスROM(653′)
より出力されるデータDCKは「15」となるので、8ビッ
トカウンタ(651′)は15進カウンタにセットされると
共に、データROM(654′)より出力されるタイミングパ
ルスP1及びP2は、夫々高レベル“1"及び低レベル“0"と
なる。つぎに、8ビットカウンタ(651′)は、15進カ
ウンタにセットされているので、クロックCLKHが15個供
給される時点T3で8ビットカウンタ(651′)よりキャ
リーが出力され、この時点T3で5ビットカウンタ(65
2′)のカウント出力「X+2」となり、アドレスROM
(653′)より出力されるデータDCKは「6」となるの
で、8ビットカウンタ(651′)は6進カウンタにセッ
トされると共に、データROM(654′)より出力されるタ
イミングパルスP1及びP2は、夫々低レベル“0"及び低レ
ベル“0"となる。以下、上述したと同様に繰り返し動作
する。したがって、データROM(654′)からは、第4図
A及びBに示すようなタイミングパルスP1及びP2が得ら
れる。つまり、この第3図例のように、水平ROM回路(6
5)を構成しても、パルスSH1〜SH3が得られる。
さらに、水平ROM回路(65)は例えば第7図に示すよ
うに構成される。同図において、(651″)は8ビット
カウンタである。このカウンタ(651″)のクロック端
子CKには、クロックCLKHが供給されると共に、そのリセ
ット端子REには、リセットパルスPRHが供給される。そ
して、このカウンタ(651″)の8ビットのカウント出
力は比較器(655″)に供給される。また、この比較器
(655″)にはアドレスROM(653′)より出力されるデ
ータDCKが供給される。そして、この比較器(655″)か
らは、カウンタ(655″)のカウント出力がデータDCKと
一致するとき一致検出パルスが出力され、この一致検出
パルスは5ビットカウンタ(652′)のクロック端子CK
に供給される。なお、この一致検出パルスが出力される
毎にカウンタ(651″)はリセットされる。その他、第
3図例と同様に構成される。
うに構成される。同図において、(651″)は8ビット
カウンタである。このカウンタ(651″)のクロック端
子CKには、クロックCLKHが供給されると共に、そのリセ
ット端子REには、リセットパルスPRHが供給される。そ
して、このカウンタ(651″)の8ビットのカウント出
力は比較器(655″)に供給される。また、この比較器
(655″)にはアドレスROM(653′)より出力されるデ
ータDCKが供給される。そして、この比較器(655″)か
らは、カウンタ(655″)のカウント出力がデータDCKと
一致するとき一致検出パルスが出力され、この一致検出
パルスは5ビットカウンタ(652′)のクロック端子CK
に供給される。なお、この一致検出パルスが出力される
毎にカウンタ(651″)はリセットされる。その他、第
3図例と同様に構成される。
この第7図例においても、その構成より明らかなよう
に、第3図例と同様の動作をする。
に、第3図例と同様の動作をする。
第1図に戻って、(69)は垂直ROM回路である。同期
回路(64)からは、水平周期のクロックCLKV及びフレー
ム周期のリセットパルスPRVが発生され、これらクロッ
クCLKV及びリセットパルスPRVは、垂直ROM回路(69)に
供給される。そして、この垂直ROM回路(69)からは、
第14図Eに示すように、奇数フィールド及び偶数フィー
ルドでのCCD固体撮像素子(3)の読み出し期間に対応
して低レベルとなる垂直方向に繰り返すパルスSV1が出
力される。
回路(64)からは、水平周期のクロックCLKV及びフレー
ム周期のリセットパルスPRVが発生され、これらクロッ
クCLKV及びリセットパルスPRVは、垂直ROM回路(69)に
供給される。そして、この垂直ROM回路(69)からは、
第14図Eに示すように、奇数フィールド及び偶数フィー
ルドでのCCD固体撮像素子(3)の読み出し期間に対応
して低レベルとなる垂直方向に繰り返すパルスSV1が出
力される。
この垂直ROM回路(69)は、例えば第8図に示すよう
に構成される。同図において、(691)はアドレスカウ
ンタを構成する5ビットカウンタである。このカウンタ
(691)のクロック端子CKにクロックCLKVが供給される
と共に、そのリセット端子REにリセットパルスPRVが供
給される。このカウンタ(691)の5ビットのカウント
出力はROM(692)にアドレス信号として供給される。こ
のROM(692)の各アドレスには、垂直方向に繰り返すタ
イミングパルスのデータが書き込まれている。NTSC方式
の場合、525ライン/フレームの関係があるので、本来
1個のタイミングパルスを発生させるデータは、525ビ
ットとなる。しかし、ビデオ信号へのノイズを考慮し
て、タイミングパルスのほとんどは垂直帰線期間内で変
化するので、本例においては、このように変化する前後
のデータのみがROM(692)に書き込まれる。例えば、1
個のタイミングパルスを発生させるためにROM(692)に
書き込まれるデータは32ビットとされる。このように、
垂直方向に繰り返す1個のタイミングパルスを発生させ
るためにROM(692)に書き込まれるデータが32ビットで
あるので、アドレスカウンタは32のアドレスを指定でき
れば足り、上述したように5ビットカウンタ(691)で
構成される。なお、ROM(692)には、タイミングパルス
が変化する前後のデータのみが書き込まれるので、この
データを対応するタイミングで読み出して出力させるた
めに、図示せずも例えば同期回路(64)より発生させる
制御信号によってカウンタ(691)のカウント動作が制
御される。
に構成される。同図において、(691)はアドレスカウ
ンタを構成する5ビットカウンタである。このカウンタ
(691)のクロック端子CKにクロックCLKVが供給される
と共に、そのリセット端子REにリセットパルスPRVが供
給される。このカウンタ(691)の5ビットのカウント
出力はROM(692)にアドレス信号として供給される。こ
のROM(692)の各アドレスには、垂直方向に繰り返すタ
イミングパルスのデータが書き込まれている。NTSC方式
の場合、525ライン/フレームの関係があるので、本来
1個のタイミングパルスを発生させるデータは、525ビ
ットとなる。しかし、ビデオ信号へのノイズを考慮し
て、タイミングパルスのほとんどは垂直帰線期間内で変
化するので、本例においては、このように変化する前後
のデータのみがROM(692)に書き込まれる。例えば、1
個のタイミングパルスを発生させるためにROM(692)に
書き込まれるデータは32ビットとされる。このように、
垂直方向に繰り返す1個のタイミングパルスを発生させ
るためにROM(692)に書き込まれるデータが32ビットで
あるので、アドレスカウンタは32のアドレスを指定でき
れば足り、上述したように5ビットカウンタ(691)で
構成される。なお、ROM(692)には、タイミングパルス
が変化する前後のデータのみが書き込まれるので、この
データを対応するタイミングで読み出して出力させるた
めに、図示せずも例えば同期回路(64)より発生させる
制御信号によってカウンタ(691)のカウント動作が制
御される。
また、第1図に戻って、水平ROM回路(65)より出力
されるパルスSH1及びSH2及び垂直ROM回路(69)より出
力されるパルスSV1は垂直茎ロック回路(68)に供給さ
れ、この垂直クロック回路(68)においては垂直転送ク
ロックV1′〜V4′(第14図G〜Jに図示)及びセンサー
ゲート信号XSG(第14図Fに図示)が形成され、夫々端
子(70)及び(71)に供給される。
されるパルスSH1及びSH2及び垂直ROM回路(69)より出
力されるパルスSV1は垂直茎ロック回路(68)に供給さ
れ、この垂直クロック回路(68)においては垂直転送ク
ロックV1′〜V4′(第14図G〜Jに図示)及びセンサー
ゲート信号XSG(第14図Fに図示)が形成され、夫々端
子(70)及び(71)に供給される。
また、端子(61)に供給される周波数信号S1は分周器
(72)で4fscの周波数を有する周波数信号S2′とされた
のち、ゲート回路(73)を介して位相調整回路(74)に
供給される。このゲート回路(73)には、水平ROM回路
(65)より出力されるパルスSH3がゲートパルスとして
供給されるので、位相調整回路(74)には、垂直転送期
間であり、水平転送クロックH1,H2を出力しない期間で
周波数信号S2′が供給されないようになされる。
(72)で4fscの周波数を有する周波数信号S2′とされた
のち、ゲート回路(73)を介して位相調整回路(74)に
供給される。このゲート回路(73)には、水平ROM回路
(65)より出力されるパルスSH3がゲートパルスとして
供給されるので、位相調整回路(74)には、垂直転送期
間であり、水平転送クロックH1,H2を出力しない期間で
周波数信号S2′が供給されないようになされる。
この位相調整回路(74)では、周波数信号S2′より水
平転送クロックH1,H2(第18図A,Bに図示)、リセットパ
ルスXPG(第18図Cに図示)、サンプリングパルスSHP,S
HD(第18図F,Gに図示)が形成され、夫々位相調整され
る。この場合、水平転送クロックH1,H2の位相調整は、
後述する水平クロックドライバでの群遅延をも考慮して
行なわれる。
平転送クロックH1,H2(第18図A,Bに図示)、リセットパ
ルスXPG(第18図Cに図示)、サンプリングパルスSHP,S
HD(第18図F,Gに図示)が形成され、夫々位相調整され
る。この場合、水平転送クロックH1,H2の位相調整は、
後述する水平クロックドライバでの群遅延をも考慮して
行なわれる。
位相調整部は、第9図に示すようにインバータ(91)
が直列接続されたインバータ列を用いて行なわれる。つ
まり、インバータの延長時間(プロパゲーションディレ
イタイム)を利用するものである。この場合、遅延時間
を安定して再現するため、各インバータ(91)の特性は
全く同一の特性のものとされると共に、各インバータ
(91)間の配線長は同一にされて各インバータ(91)の
出力につく容量(遅延時間を決める必要がある)が一定
となるようにされる。このとき、プロセスのばらつき
(特に配線の容量のばらつき)を解消するために、配線
は最短とされる。また、各インバータ列はインバータ
(91)のレイアウト及びインバータ(91)の配線長を含
めて1つのセルとして取り扱われる。即ち、各インバー
タ列は、相互に同一形状で、同一の特性で近接配置され
る。このような各インバータ列において、出力を取り出
す点を変更することで位相調整が行なわれる。第9図に
おいて、(92)は出力バッファである。
が直列接続されたインバータ列を用いて行なわれる。つ
まり、インバータの延長時間(プロパゲーションディレ
イタイム)を利用するものである。この場合、遅延時間
を安定して再現するため、各インバータ(91)の特性は
全く同一の特性のものとされると共に、各インバータ
(91)間の配線長は同一にされて各インバータ(91)の
出力につく容量(遅延時間を決める必要がある)が一定
となるようにされる。このとき、プロセスのばらつき
(特に配線の容量のばらつき)を解消するために、配線
は最短とされる。また、各インバータ列はインバータ
(91)のレイアウト及びインバータ(91)の配線長を含
めて1つのセルとして取り扱われる。即ち、各インバー
タ列は、相互に同一形状で、同一の特性で近接配置され
る。このような各インバータ列において、出力を取り出
す点を変更することで位相調整が行なわれる。第9図に
おいて、(92)は出力バッファである。
なお、上述していないが、タイミング発生回路(60)
の全体は同一基板上でIC化されて形成され、その配線は
多層配線とされる。この位相調整部の配線は最上層の配
線とされ、いわゆる2Alで行なわれる。したがって、2Al
マスク1枚の変更により、外部回路条件に合った位相に
調整される。
の全体は同一基板上でIC化されて形成され、その配線は
多層配線とされる。この位相調整部の配線は最上層の配
線とされ、いわゆる2Alで行なわれる。したがって、2Al
マスク1枚の変更により、外部回路条件に合った位相に
調整される。
また、位相調整回路(74)で位相調整されたリセット
パルスXPG、サンプリングパルスSHP,SHDは、夫々端子
(75),(76),(77)に供給される。また、位相調整
回路(74)で位相調整された水平転送クロックH1,H2
は、夫々水平クロックドライバ(781)及び(782)を介
して端子(79),(80)に供給される。この場合、水平
クロックドライバ(781),(782)は、夫々第10図に示
すように、インバータI1〜I5が直列接続されて構成され
る。この場合、インバータI1〜I5は、夫々第11図に示す
ように、PチャンネルMOSFETQPとNチャンネルMOSFETQN
とが接続されて構成されるが、インバータI1からI5とな
るに従って、FET QP,QN共にチャンネル幅が約3倍ずつ
増加されて形成され(チャンネル長は略一定)、ドライ
ブ能力が徐々に高められるようになされる。
パルスXPG、サンプリングパルスSHP,SHDは、夫々端子
(75),(76),(77)に供給される。また、位相調整
回路(74)で位相調整された水平転送クロックH1,H2
は、夫々水平クロックドライバ(781)及び(782)を介
して端子(79),(80)に供給される。この場合、水平
クロックドライバ(781),(782)は、夫々第10図に示
すように、インバータI1〜I5が直列接続されて構成され
る。この場合、インバータI1〜I5は、夫々第11図に示す
ように、PチャンネルMOSFETQPとNチャンネルMOSFETQN
とが接続されて構成されるが、インバータI1からI5とな
るに従って、FET QP,QN共にチャンネル幅が約3倍ずつ
増加されて形成され(チャンネル長は略一定)、ドライ
ブ能力が徐々に高められるようになされる。
また、第1図に戻って、分周器(66)より出力される
4fscの周波数の周波数信号S2は端子(81)に供給され
る。
4fscの周波数の周波数信号S2は端子(81)に供給され
る。
第12図は、第1図例のタイミング発生回路(60)を用
いた場合のCCD固体撮像装置を示したものであり、第19
図と対応する部分には同一符号を付して示している。
いた場合のCCD固体撮像装置を示したものであり、第19
図と対応する部分には同一符号を付して示している。
このように本例によれば、水平方向の繰り返しパルス
SH1〜SH3を水平ROM回路(65)より得ると共に、垂直方
向の繰り返しパルスSV1を垂直ROM回路(69)より得るよ
うにしているので、これら水平ROM回路(65)及び垂直R
OM回路(69)のROM(652)(653′)(654′)(692)
に書き込まれるデータ量は少なくなり、使用するROMの
容量を小さくすることができる。
SH1〜SH3を水平ROM回路(65)より得ると共に、垂直方
向の繰り返しパルスSV1を垂直ROM回路(69)より得るよ
うにしているので、これら水平ROM回路(65)及び垂直R
OM回路(69)のROM(652)(653′)(654′)(692)
に書き込まれるデータ量は少なくなり、使用するROMの
容量を小さくすることができる。
また、水平ROM回路(65)及び垂直ROM回路(69)を、
夫々第2図例及び第8図例のように構成するものによれ
ば、ROM(652)及び(692)にはタイミングパルスが変
化する前後のデータのみが書き込まれるので、書き込ま
れるデータ量はさらに少なくなり、ROM(652)及び(69
2)の容量を一層小さくすることができる。
夫々第2図例及び第8図例のように構成するものによれ
ば、ROM(652)及び(692)にはタイミングパルスが変
化する前後のデータのみが書き込まれるので、書き込ま
れるデータ量はさらに少なくなり、ROM(652)及び(69
2)の容量を一層小さくすることができる。
また、水平ROM回路(65)を、第3図例及び第7図例
のように構成するものによれば、アドレスROM(653′)
には、タイミングパルスの変化時点間のインバータのデ
ータDCKが書き込まれると共に、データROM(654′)に
は、タイミングパルスの変化時点のデータのみが書き込
まれるので、書き込みデータ量は少なくなり、ROM(65
3′),(654′)の容量を小さくすることができる。
のように構成するものによれば、アドレスROM(653′)
には、タイミングパルスの変化時点間のインバータのデ
ータDCKが書き込まれると共に、データROM(654′)に
は、タイミングパルスの変化時点のデータのみが書き込
まれるので、書き込みデータ量は少なくなり、ROM(65
3′),(654′)の容量を小さくすることができる。
また、タイミング発生回路(60)の全体は同一基板上
でIC化されて形成され、多層の配線とされる。そして、
位相調整回路(74)の配線は2Alで行なわれるので、水
平転送クロックH1,H2、リセットパルスXPG、サンプリン
グパルスSHP,SHDの位相を、2Alマスク1枚の変更により
外部回路条件に合った位相に調整することができ、位相
調整を容易に行なうことができる。
でIC化されて形成され、多層の配線とされる。そして、
位相調整回路(74)の配線は2Alで行なわれるので、水
平転送クロックH1,H2、リセットパルスXPG、サンプリン
グパルスSHP,SHDの位相を、2Alマスク1枚の変更により
外部回路条件に合った位相に調整することができ、位相
調整を容易に行なうことができる。
また、水平クロックドライバ(781),(782)がタイ
ミング発生回路(60)と同一基板上に形成されるので、
温度特性やICのばらつきに対しても、サンプリングパル
スSHP,SHDと水平転送クロックH1,H2との位相関係は一定
となり、CCD装置(1)における遅延時間だけを考慮す
るだけで、出力回路(20)におけるサンプリングを正確
に行なわせることができる。
ミング発生回路(60)と同一基板上に形成されるので、
温度特性やICのばらつきに対しても、サンプリングパル
スSHP,SHDと水平転送クロックH1,H2との位相関係は一定
となり、CCD装置(1)における遅延時間だけを考慮す
るだけで、出力回路(20)におけるサンプリングを正確
に行なわせることができる。
なお、プリセットパルスドライバ(35)もタイミング
発生回路(60)と同一基板上に形成することが考えられ
る。しかし、リセットパルスPGのレベルが充分でない
と、リセットが不充分となる。そこで、本例において
は、リセットパルスPGのレベルを充分とするのに、別電
源で動作する外部回路として構成した方が回路構成が簡
単となるため、あえてタイミング発生回路(60)と同一
基板上には形成していない。
発生回路(60)と同一基板上に形成することが考えられ
る。しかし、リセットパルスPGのレベルが充分でない
と、リセットが不充分となる。そこで、本例において
は、リセットパルスPGのレベルを充分とするのに、別電
源で動作する外部回路として構成した方が回路構成が簡
単となるため、あえてタイミング発生回路(60)と同一
基板上には形成していない。
H 発明の効果 以上述べた本発明によれば、水平方向に繰り返すタイ
ミングパルスと垂直方向に繰り返すタイミングパルスと
を別個のROMより得るようにしたので、ROMの書き込みデ
ータ量を少なくすることができ、ROMの容量を大幅に削
減することができる。なお、ROMよりタイミングパルス
を得るものであるので、ROMのデータの変更だけでタイ
ミングパルスの変更修正を容易に行なうことができる。
ミングパルスと垂直方向に繰り返すタイミングパルスと
を別個のROMより得るようにしたので、ROMの書き込みデ
ータ量を少なくすることができ、ROMの容量を大幅に削
減することができる。なお、ROMよりタイミングパルス
を得るものであるので、ROMのデータの変更だけでタイ
ミングパルスの変更修正を容易に行なうことができる。
第1図は本発明の一実施例を示す構成図、第2図〜第12
図はその説明のための図、第13図〜第20図は従来例の説
明のための図である。 (60)はタイミング発生回路、(64)は同期回路、(6
5)は水平ROM回路、(68)は垂直クロック回路、(69)
は垂直ROM回路、(74)は位相調整回路、(781)及び
(782)は水平クロックドライバである。
図はその説明のための図、第13図〜第20図は従来例の説
明のための図である。 (60)はタイミング発生回路、(64)は同期回路、(6
5)は水平ROM回路、(68)は垂直クロック回路、(69)
は垂直ROM回路、(74)は位相調整回路、(781)及び
(782)は水平クロックドライバである。
Claims (1)
- 【請求項1】タイミングパルスを発生するタイミングパ
ルス発生回路において、 水平周期の第1の基準パルスで制御される第1のアドレ
スカウンタと、 この第1のアドレスカウンタの出力で読み出しアドレス
が制御される第1のROMと、 水平周波数に比して十分高い周波数を有する第2の基準
パルスで制御される第2のアドレスカウンタと、 この第2のアドレスカウンタの出力で読み出しアドレス
が制御されると共に水平帰線期間内に出力されるべきタ
イミングパルスが記憶された第2のROMとを有し、 上記第1及び第2のROMより上記タイミングパルスを得
ることを特徴とするタイミングパルス発生回路。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63006202A JP2687384B2 (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | タイミングパルス発生回路 |
KR1019880017616A KR0137035B1 (ko) | 1988-01-14 | 1988-12-28 | 타이밍 펄스 발생 회로 |
US07/297,553 US4907089A (en) | 1988-01-14 | 1989-01-13 | Timing pulse generator |
EP89300334A EP0324650B1 (en) | 1988-01-14 | 1989-01-13 | Timing pulse generators |
DE68925984T DE68925984T2 (de) | 1988-01-14 | 1989-01-13 | Taktimpulsgeneratoren |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63006202A JP2687384B2 (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | タイミングパルス発生回路 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9003910A Division JP2943750B2 (ja) | 1997-01-13 | 1997-01-13 | タイミングパルス発生回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01181383A JPH01181383A (ja) | 1989-07-19 |
JP2687384B2 true JP2687384B2 (ja) | 1997-12-08 |
Family
ID=11631953
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63006202A Expired - Lifetime JP2687384B2 (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | タイミングパルス発生回路 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0324650B1 (ja) |
JP (1) | JP2687384B2 (ja) |
KR (1) | KR0137035B1 (ja) |
DE (1) | DE68925984T2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04236586A (ja) * | 1991-01-18 | 1992-08-25 | Sony Corp | 電荷転送装置及びこれを用いた固体撮像装置 |
US5237422A (en) * | 1991-08-14 | 1993-08-17 | Eastman Kodak Company | High speed clock driving circuitry for interline transfer ccd imagers |
JPH08298624A (ja) * | 1995-04-25 | 1996-11-12 | Sony Corp | Ccd撮像装置 |
US5627500A (en) * | 1995-12-26 | 1997-05-06 | Tektronix, Inc. | Phase modulator having individually placed edges |
WO2002029817A2 (en) * | 2000-10-06 | 2002-04-11 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Upscaled clock feeds memory to make parallel waves |
US7420606B2 (en) * | 2003-07-16 | 2008-09-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Timing generator, solid-state imaging device and camera system |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59190782A (ja) * | 1983-04-14 | 1984-10-29 | Tech Res & Dev Inst Of Japan Def Agency | 固体撮像装置の駆動方法 |
GB8504161D0 (en) * | 1985-02-19 | 1985-03-20 | Atkinson P | Speed control of induction motors |
-
1988
- 1988-01-14 JP JP63006202A patent/JP2687384B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1988-12-28 KR KR1019880017616A patent/KR0137035B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1989
- 1989-01-13 DE DE68925984T patent/DE68925984T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-01-13 EP EP89300334A patent/EP0324650B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0324650A2 (en) | 1989-07-19 |
JPH01181383A (ja) | 1989-07-19 |
KR0137035B1 (ko) | 1998-04-28 |
DE68925984T2 (de) | 1996-08-08 |
DE68925984D1 (de) | 1996-04-25 |
EP0324650B1 (en) | 1996-03-20 |
EP0324650A3 (en) | 1992-05-20 |
KR890012480A (ko) | 1989-08-26 |
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Legal Events
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EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
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