JP2686455B2 - 電気鋼用酸化マグネシウム被膜及び被覆方法 - Google Patents

電気鋼用酸化マグネシウム被膜及び被覆方法

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JP2686455B2 JP2235992A JP23599290A JP2686455B2 JP 2686455 B2 JP2686455 B2 JP 2686455B2 JP 2235992 A JP2235992 A JP 2235992A JP 23599290 A JP23599290 A JP 23599290A JP 2686455 B2 JP2686455 B2 JP 2686455B2
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Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は良好な絶縁性を与え且つ仕上げ高温焼鈍中に
方向性電気鋼に焼鈍セパレーターとして作用する被覆組
成物に関する。マグネシアは冷間圧延後の電気鋼の高温
焼鈍用のセパレーターとして広く使用されている。被膜
は通常脱炭後に塗布され、仕上げ高温焼鈍中にガラス被
膜を形成する。
従来技術の記載 主として酸化マグネシウムび水酸化マグネシウムより
なるマグネシア被膜がコイルラップの焼着を予防するた
めに高温焼鈍中電気鋼上にセパレーター被膜として広く
使用されている。ガラス被膜は鋼表面とマグネシアの間
の反応から形成される。マグネシア被膜は所定の物理的
特性を所持しなければならず、また、電気鋼の磁気特性
を全体的に向上しなければならない。これらの特性を全
て提供するために、従来から当業者は基本的なマグネシ
ア組成物の変成を広く行ってきた。
酸化マグネシウムは水が存在すると短期間に水酸化マ
グネシウムへ水和できる。水和の程度はマグネシアスラ
リーの粘度及び被膜を塗布するための操作の制御に大き
く影響する。被膜中の水の量はガラス被膜形成に悪影響
を及ぼす。水和を制御するために、従来から当業者はマ
グネシア粒子の寸法と分布とを変化させてきた。マグネ
シア粒子の寸法と分布の変化はマグネシア製造のための
焼成温度を調節することにより行ってきた。この研究は
米国特許第4,168,189号明細書[ハセルコーン(Haselko
rn)]に記載されている。
ガラス被膜の形成を向上するために多くの研究がマグ
ネシアの添加剤について行われてきた。薄い絶縁性ガラ
ス被膜は脱炭後の珪素鋼の表面上の酸化物被膜とマグネ
シアの間の昇温下での反応を必要とする。種々のシリカ
及びシリケート化合物を添加して前記反応を向上させて
いる。チタン、クロム及びマンガンの酸化物を添加して
粘着性及びガラス被膜を向上させている。燐酸塩添加剤
は被膜中で結合剤として作用し且つ吸湿性を向上するこ
とが教示されている。種々の被膜添加剤を使用して高温
焼鈍中に製造されるガラス被膜の外観、厚さ、耐酸化性
及び他の特性を改善されている。
また、マグネシアの組成を調節することにより珪素鋼
の磁気特性を向上させるための多くの研究が行われてい
る。マグネシアは大気相互作用及び結晶寸法制御に関す
る表面反応に大きな影響を及ぼす。米国特許第3,627,59
4号明細書では二酸化チタン及び酸化マンガンを添加し
ている。米国特許第3,676,227号明細書ではマグネシア
へ硼素化合物を添加している。
過去に、塩化物類が他の化合物と併用してマグネシア
へ添加されていた。米国特許第4,543,134号明細書ではS
b、Sr、TiまたはZrの塩化物をSb2(SO4のようなア
ンチモン化合物と共に添加して鋼帯表面をシールし且つ
大気と母材金属との反応を防止している。塩化物類を使
用して鋼帯表面上に形成されるシリカを増加し且つFeO
含量を低減させる。マグネシアのシール機能は抑制剤元
素の除去及び吸着を防止するアンチモン化合物によるも
のである。被膜中の塩素レベルは0.0025〜0.4%の範囲
である。
米国特許第3,841,925号明細書ではマグネシアへ塩素
寄与剤とメタ珪酸ナトリウムを添加して水和に対する抵
抗力を与え且つ無気孔絶縁性被膜を形成する。これらの
添加剤の臨界的なバランスは水和を遅延し且つ被膜によ
り長い滞留時間を提供する塩化ナトリウムと珪酸マグネ
シウムをマグネシア中に生ずることになる。マグネシア
はマグネシアの重量を基準として通常約0.22〜3.4%の
高レベルの塩素を含有する。
米国特許第4,287,006号明細書の第1図には、マグネ
シアの水和を制御するために1300℃以上の焼成温度を必
要とすることにより塩素を除去する重要性を明確に示す
ものである。米国特許第4,287,006号明細書の第7欄第2
7行には塩化マグネシウムや硫酸マグネシウムがガラス
被膜の形成を阻害するために塩化マグネシウムや硫酸マ
グネシウムが焼鈍セパレーターに含まれてはならないこ
とが記載されている。
米国特許第3,956,029号明細書には、塩素が母材金属
を侵食し且つ粗い表面を生ずる腐食性ガスを形成するた
めに、塩素はマグネシア被膜中に0.04%以下でなければ
ならないことが記載されている。不規則な被膜厚が生ず
ると、弱いガラス被膜を生ずることになり、結果として
ピーリングの問題が生ずる。
米国特許第3,941,623号明細書は、仕上げ高温焼鈍中
に酸化マグネシウムを水和しないで残っている水分の制
御方法を教示している。この特許は水分を消費させ且つ
露点を低下させるために焼鈍中に酸化物へ転化される金
属窒化物を使用するものである。これは鋼酸化物類を減
少し、且つ改善されたガラス被膜と(110)[001]方向
への結晶成長制御を提供する。
1100℃と1300℃の間の温度での仕上げ焼鈍中に電気鋼
を処理する際に焼鈍セパレーターとして使用される酸化
マグネシウムは多くの方法により変成されている。水和
制御、ガラス被膜−金属表面反応、表面での不純物除去
及びガラス被膜と母材金属中の優れた磁気特性の問題は
部分的に改善されたのに過ぎない。また、過去におけ
る、マグネシアへの添加は他の添加剤との相互作用のた
めに非常に複雑であった。
本発明は危険な作業環境を生ずることなく且つ安価に
使用できる焼鈍セパレーターに使用されるマグネシア添
加剤を提供することにある。マグネシア成分との相互作
用は余り複雑ではなく、高品質ガラス被膜及び磁気特性
に対する優れた改善の所望の利点を更に提供するもので
ある。添加剤を臨界的限度内で注意深く制御して所望の
組み合わせの特性を提供する。
発明の概要 本発明は金属塩化物(Mg、Na、K及びCaから選択され
た金属塩化物)をマグネシアへ添加すれば、メタ珪酸ナ
トリウムまたは硫酸アンチモンを併用しなくても改善さ
れた方向性及び磁気品質を提供できるとの知見に基づく
ものである。前記塩化物添加から由来する0.01〜0.2%
の範囲内の塩素レベルは先行技術マグネシアに匹敵する
優れたガラス被膜品質及び磁気特性向上をアンチモンの
環境的問題なしに得られることを見出した。本発明の塩
化物の添加はガラス被膜形成温度を低下し、低温で表面
をシールする。塩素と反応する他の添加剤を必要とせず
に塩化物を使用する被膜の気孔度の制御は塩化物を用い
る先行技術では予想できないものである。塩化物の添加
は拡散及び表面相互作用を制限することにより最終的な
結晶の配向性及び結晶寸法の改善された制御を提供す
る。また、塩素の供給源を提供するためのMg、Ca、Na及
び/またはKの使用はガラス被膜の品質及び電気鋼鋼帯
の磁気特性に臨界的なものである。マグネシア中の塩素
の合計量は添加される金属塩化物の量を最適化するよう
に考慮しなければならないことに注意することが重要で
ある。マグネシア製品は元来若干量塩素を含有すること
がありうるから、この塩素も金属塩化物の添加と組み合
わせて調節される。
また、本発明のマグネシアは水性サスペンジョンを安
定化し且つガラス被膜の品質及び電気鋼鋼帯の磁気特性
を改善するために二酸化チタンを添加してもよい。ま
た、硼素、クロム、シリカ及び燐酸カルシウム添加剤は
本発明の被膜組成物の任意成分である。また、本発明の
マグネシアは普通の結晶配向または高透磁性結晶配向に
ついての利点を最適化するために変成することができ
る。
また、本発明は仕上げ高温焼鈍前に粘着性絶縁性被膜
で珪素含有電気鋼帯鋼を被膜する方法を提供することに
ある。マグネシアの水性スラリーを脱炭済鋼帯へ従来通
り塗布し、加熱して水を除去し、被膜を乾燥し、約1000
℃以上で焼鈍してガラス被膜を形成し且つ所望の磁気特
性を発現させる。
発明の詳細な記載 本発明の焼鈍用セパレーターは水性スラリーの慣用の
処理により塗布することができるように制御されたレベ
ルの水和状態にあるマグネシアである。マグネシアスラ
リー中のマグネシアはある程度の水和水をもつから、こ
のことは高温焼鈍中に水和水を除去することが必要とな
る。乾燥後に水が残存すると最終ガラス被膜に気孔を生
ずる。制御された水和状態を有するマグネシアスラリー
を提供するために、主要量の粒子は200以下、好ましく
は100以下のクエン酸活性(CAA)をもつものでなければ
ならない。CAAは所定量のヒドロキシルイオンが所定重
量のクエン酸を中和するために必要とする時間により決
定されるマグネシアの活性の尺度である。試験方法は米
国特許第3,841,925号明細書の第4欄第22〜46行に詳細
に記載されている。また、本発明のマグネシアは200よ
り上、通常約500〜5000のCAAをもつ不活性マグネシアを
約45%まで含んでいてもよい。不活性マグネシアは比較
的ゆっくり水和するために水和を制御する傾向にあり、
また、安価である。有効に使用することができる不活性
マグネシアの量はガラス被膜の品質及び被膜の気孔度の
制御に関係する。
本発明のマグネシアは方向性電気鋼における良好なガ
ラス被膜形成性及び改善された磁気特性を提供するため
に0.01〜0.20重量%の臨界範囲内の塩素添加を必要とす
る。必要とする塩素レベルはマグネシア製品により部分
的に提供でき、少なくとも0.01%の金属塩化物と併用さ
れる。存在する塩素の合計量は0.01〜0.20%の範囲内に
制御しなければならない。
Mg、Na、K及びCaよりなる群から選択された金属化合
物中の塩素はマグネシアに最初に存在する塩素のレベル
に依存してMgOの重量を基準として0.01〜0.20重量%の
量でマグネシアへ添加される。塩化物として使用される
金属類は安全面、コスト及びガラス被膜にいかなる悪影
響を及ぼすことなしに改善された磁気特性を提供するよ
うに選択され、単独で使用しても、2種以上を併用して
もよい。本発明のマグネシアは主要量の粒子が200以下
のクエン酸活性をもつ。また、マグネシアは200以上、
通常500〜5000のクエン酸活性をもつ不活性マグネシア
粒子を約45%まで含有していてもよい。
本発明のマグネシア被膜は仕上げ高温焼鈍前に電気鋼
の冷間圧延済鋼帯へ塗布される。電気鋼鋼帯は通常4%
までの珪素、0.08%までの炭素及びAlN、MnS、MnSe、BN
他のような既知の結晶成長抑制剤を含有する方向性珪素
鋼である。高透磁性珪素鋼は通常796A/mで約1880以上の
透磁率を所持するものとみなされ、約0.01〜0.065%の
アルミニウムウを添加する結果として窒化アルミニウム
抑制剤系を含有する。米国特許第3,676,227号明細書は
この技術の代表的なものである。鋼帯の脱炭処理は約0.
003%以下の炭素レベル及び仕上げ高温焼鈍中にマグネ
シアと反応してフォルステライトのガラス被膜を形成す
る表面酸化物を生ずる。脱炭処理中に形成される酸化物
被膜は基本的には鉄カンラン石及びSiO2であり、若干の
酸化鉄が存在する。
本発明の塩化物添加は表面反応を変成し、従って塩化
物の添加レベルは注意深く制御しなければならない。0.
20%より多い合計塩素レベルは許容できる品質では高過
ぎるレベルの鉄を含むガラス被膜を形成する。過剰レベ
ルの塩素は表面の鉄含量により貧弱な耐酸化性及び表面
抵抗率を生ずる。また、ガラス被膜と母材金属の間の界
面は高レベルの塩素のために粗くなりすぎる。塩素は約
0.15%以下のレベル、より好ましくは約0.12%以下のレ
ベルで添加することが好ましい。電気鋼に磁気特性の向
上を付与するために、0.01%の最低レベルの塩素が存在
しなければならない。本発明において、金属塩化物とし
て添加される好適最最小量塩素は約0.015%(より好ま
しくは0.02%)であり、ガラス被膜の改善及び母材金属
の磁気特性の間の最適なバランスを提供する。
本発明において、塩化物は焼鈍中に表面をシールする
作用をして結晶成長抑制剤を制御する。これは2次結晶
成長の安定性に主要な役割を演ずる。米国特許第3,841,
925号明細書のようなマグネシアへの従来の塩化物の添
加においては、無気孔被膜の形成は塩化物と化学量論的
に釣り合ったメタ珪酸ナトリウムのような化合物との反
応によって提供されていた。該反応は気孔のない被膜を
形成し且つ水和を制御する珪酸マグネシウムと塩化ナト
リウムを生じた。本発明の範囲内の塩化マグネシウムを
用いた例は被膜には不適当であることが示されていた
(粘度が低く、スラリーが薄過ぎ、過度の気孔が生ず
る)。この特許において行われた研究は塩化マグネシウ
ムと反応する化学量論量より少ない量の珪酸ナトリウム
が絶縁特性が不足し且つ多孔質である被膜を生ずること
を明確に示すものである。本発明は臨界的な低レベルの
塩素は珪酸ナトリウムの添加を必要としないことを見出
した。
興味ある他の従来の研究は米国特許第4,543,134号明
細書におけるSb、Sr、TiまたはZrの塩化物と硫酸アンチ
モンの添加であった。塩素は0.0025〜0.4%の量で選択
された。0.05%以下の硫酸アンチモンを用いる場合に
は、この特許では磁気特性が向上しない旨教示されてい
る。本発明は、この特許に教示された硫酸アンチモンを
必要とせずに同様の改善を提供することにある。また、
本発明は塩素の添加するために前記特許の塩化物とは異
なる金属を使用するものである。
慣用の手段により本発明のマグネシアを塗布するため
に、マグネシアの水和を制御して作業可能な範囲で且つ
手頃な範囲の操作を提供するに十分安定な範囲の粘度を
もつスラリーを提供しなければならない。これはマグネ
シアスラリーの温度、マグネシアの粒子寸法及び種々の
添加剤の使用を制御することにより得られる。
マグネシアの温度は凍結する温度以上で約25%(75゜
F)以下、好適には約0〜7℃(32〜45゜F)に制御され
る。これはガラス被膜の品質や珪素鋼の磁気特性に悪影
響を及ぼす水和制御のための付加的な添加剤の必要性を
削除する。スラリーの温度範囲を維持するために、マグ
ネシアは冷却用コイルを備える断熱性容器中に保持され
る。マグネシアは冷水と混合されるが、長期間にわたり
貯蔵してはならない。マグネシアのこの冷却状態での保
持により、スラリーは被膜の厚さまたはガラス被膜の均
一性に影響を及ぼすほど顕著に水和することはない。マ
グネシアの温度と、水和が被膜の塗布に悪影響を及ぼす
ようになるまでのスラリーの貯蔵寿命との関係は普通の
関係である。温度か高ければ、より素早くスラリーを使
用しなければならない。
高透磁性珪素鋼用のマグネシアの粒子寸法及びクエン
酸はガラス被膜の品質に重要な役割を演ずる。粒子の主
要量は200以下、好ましくは100以下のCAAをもつ。マグ
ネシアは200より上、通常500〜5000のCAAをもつ不活性
のマグネシアを約45%まで含むことができる。普通の方
向性珪素鋼にはより大きな粒子寸法のマグネシアを使用
することができ、より不活性なマグネシアを含有するこ
とができる。大気との相互反応及び鋼上での表面反応を
調節する乾燥したマグネシア被膜の嵩密度すなわち充填
係数は粒子寸法分布及びCAAに依存する。また、水和の
程度は乾燥中にマグネシア粒子に影響を及ぼす。水和水
の量は粒子が大きくなる程減少する。粒子が粗過ぎる
と、スラリーが沈降する傾向にあり、仕上げ焼鈍中にシ
リカとの反応を受けなくなる。過度の水和のために被膜
が多孔質になるのを回避し且つ浸漬、吹付または計量ロ
ールにより水性スラリーとして塗布することができるマ
グネシアであるためには、上記の変数を全て制御しなけ
ればならない。本発明のマグネシア被膜は上述の条件下
で良好なガラス被膜を生じ、且つ従来の被膜に必要な硫
酸塩及び珪酸塩添加の必要性を削除することができる。
塩化物の添加は従来技術では扱われなかった他の重要
な問題をもつ。磁区微細化のためにレーザーけがき処理
が高透磁性方向性珪素鋼について必要となってきたこと
である。表面被膜の性質はガラス被膜を通過するレーザ
ーからのエネルギーの量及び磁区微細化中にガラス被膜
に生ずる損傷量に顕著な影響を及ぼす。本発明の塩化物
添加により開発された本発明のガラス被膜を制御して表
面損傷なしにレーザー処理できるガラス被膜を提供す
る。米国特許第4,456,812号明細書に教示されているよ
うなレーザー処理はガラス被膜へ損傷なしに磁区微細化
するために極めて有益であることが見出された。
本発明の化合物を使用する塩素添加を行ったマグネシ
アから製造されたガラス被膜の特性を評価するために、
一連の実験を行った。AlN抑制剤系を含有する高透磁性
珪素鋼の冷間圧延鋼帯に種々の量のMgCl2を含有するマ
グネシアを被覆した。結果を米国特許第4,543,134号明
細書に記載するような硫酸アンチモンを添加したマグネ
シアと比較し、第1表に示す。該鋼帯は厚さ0.23mm、幅
76mm及び長さ305mmであった。結果は5%のTiO2を含む
タテホ(Tateho)Al120マグネシアで被覆した10個のサ
ンプルの平均である。サンプルは4℃露点をもつ25%窒
素−75%水素雰囲気中1200℃まで加熱した。サンプルを
100%H2中で15時間にわたり1200℃で均熱処理し、仕上
げ焼鈍が完了した後、サンプルをけがき処理し、応力除
去焼鈍を行った。使用するマグネシアは0.02重量%の塩
素レベルのものであった。
マグネシアへの2種の添加剤の間の磁気特性の比較は
約0.015〜0.075%の塩素を添加した塩化マグネシウムの
添加が約0.03〜0.10%の合計塩素範囲内で同様量の塩化
物添加と共に硫酸アンチモンを添加したものと同様かま
たはより良好な磁気特性を生ずることを示す。0.20%ま
での塩素レベルは0.10%レベルまでの傾向に基づいて本
発明の塩化マグネシウム添加によるより良好な磁気特性
を生ずることを明確に示唆するものである。塩素レベル
が高いほど、塩化アンチモン添加剤より塩化マグネシウ
ムが好適である。
また、実験の一部として、他のサンプルで、ガラス被
膜の二次被膜密着性、耐酸化性及びフランクリン抵抗の
測定における比較評価を使用してガラス被膜品質を評価
した。
塩化物添加剤は全てMgCl2であり、MgOは0.011%のClを
含有する。
被膜の重量は全て0.23mmの高透磁性珪素鋼側面当り約6.
4g/m2である。
合計塩素の好適レベルは約0.015〜0.15%であること
が測定された。塩素のより好適なレベルは磁気特性の向
上と良好な物理特性をもつガラス被膜の良好なバランス
を提供する約0.015〜0.12%である。最適合計塩素レベ
ルは0.02〜0.10%であることが明らかである。
また、得られたガラス被膜は被膜損傷なしにレーザー
けがき処理が可能でなければならない。米国特許第4,45
6,812号明細書記載のレーザーけがき処理は本発明のガ
ラス被膜により改善された磁区微細化を行い且つ被膜損
傷を回避する。本発明のマグネシア組成物はレーザー処
理に対して改善された光学特性を提供する。Mg、Ca、K
またはNaの群から選択される金属を単独で、または併用
することができるが、MgまたはNaの使用が好適である。
TiO2を添加する場合には、マグネシアは15重量%まで、
好適には約5〜10重量%のTiO2を含有することができ
る。また、10重量%までの量でコロイドシリカを添加す
ることができる。高透磁性方向性珪素鋼について、シリ
カのレベルは約3〜7%が好適であり、硼素は約0.05〜
0.15%が好適である。また、クロムを適宜15重量%まで
添加することができる。クロムを添加する場合には、好
適なレベルは約2.5〜5%に制限される。
また、本発明のマグネシアは普通の方向性電気鋼用の
絶縁性被膜として使用することもできる。これらのマグ
ネシアはわずかに変化させることができ、約20%までの
燐酸塩添加剤好ましくは4〜15%の範囲内の燐酸カルシ
ウム添加剤、15%まで、好ましくは2〜10%のクロム添
加剤、10%まで、好ましくは約3〜7%のシリカ及び0.
15%まで、好ましくは最高0.10%の硼素を含有すること
ができる。
マグネシアから形成されるガラス被膜は被膜表面上に
塗布される絶縁性被膜をもつことができ、二次被膜は良
好な密着性を有する。
本発明の金属塩化物の添加は米国特許第3,941,622号
明細書に特許請求されるような珪酸塩溶液との沈澱反応
を必要としない。マグネシア−シリカ錯化合物は本発明
においては塗布されない。以下の第3表はマグネシウ
ム、カルシウム及びナトリウムについての本発明の範囲
内の金属塩化物添加の影響を示すものである。透磁性及
び鉄損は第3表に記載のレベルの塩化物の添加により顕
著に改善される。また、マグネシウムやナトリウムにつ
いてのより好適なレベルヘカルシウムを増加しても、付
加的な利点は何ら提供されず、事実、特性の僅かな劣化
が生ずることもある。カリウムについてのデータは記載
しなかったが、カリウムはナトリウムと同様な利点を得
るために必要なレベルでナトリウムと同様に挙動するも
のと思われる。ナトリウムとカリウムは金属界面を平滑
にする傾向にある。マグネシウムはこの点に関してより
中立的な傾向にある。カルシウムはガラス被膜の密着性
を改善することは明らかである。本発明の金属塩化物添
加剤は全て鋼帯表面を粗くする塩素レベルを提供する。
上述のように、塩素はガラス被膜形成温度を低下する。
マグネシアは第3表の第1行目の例に記載のようにもと
もと0.011%のような固有レベルの塩素をもつことに留
意することが重要である。この塩素レベルは系において
反応する塩素の合計レベルに寄与するものとして考慮し
なければならない。0.01%の塩素を提供する最低金属塩
化物の添加はマグネシアの塩素含量に拘わらず堅持しな
ければならない。好適なより高い塩素含量の一部はマグ
ネシアからの塩素を包含し、金属塩化物を併用する。
応力除去焼鈍は829℃(1525゜F)で、2時間95%N2−5
%H2中で行った。
ガラス被膜及び磁気特性を改善するために必要な金属
塩化物のレベルは選択する金属に依存して僅かに変化す
ることが判る。塩化カルシウムによる塩素の好適な最高
レベルは塩化マグネシウム、塩化ナトリウムまたは塩化
カリウム添加剤による塩素レベルよりも低いことが判
る。この差異の理由は完全には理解できないが、改善さ
れた特性は約0.015〜0.07%の好適なカルシウム添加に
より生ずる。本発明の他の金属塩化物添加による好適な
レベルは約0.015〜0.10%である。これらの添加レベル
を調節してマグネシア中に依存する塩素レベルを補うこ
とができる。
本発明を特定の実施態様を参照することにより説明し
たが、本発明の範囲を逸脱せずに多くの改変を行うこと
ができる。従属する特許請求の範囲の記載は本発明の精
神及び範囲内にあるような同等の改変を全て網羅するこ
とを意図するものである。

Claims (26)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】仕上げ高温焼鈍前に冷間圧延方向性珪素鋼
    を被覆するための25℃以下に維持されたマグネシアスラ
    リーであって、 a)主要量のマグネシア粒子のクエン酸活性が200以下
    のマグネシア; b)Mg、Ca、Na及び/またはKからなる群から選択され
    た金属塩化物からの少なくとも0.01重量%の塩素による
    ものであるマグネシアの重量を基準として0.01〜0.20重
    量%のマグネシア中の合計塩素レベル; c)15%までのTiO2; d)10%までのSiO2; e)15%までのCr;及び c)0.3%までの硼素より実質上なることを特徴とする
    マグネシアスラリー。
  2. 【請求項2】TiO2の添加量が5〜10重量%である請求項
    1記載のマグネシアスラリー。
  3. 【請求項3】マグネシアスラリーが0〜15℃に維持され
    てなる請求項1記載のマグネシアスラリー。
  4. 【請求項4】合計塩素量が0.01〜0.15重量%である請求
    項1記載のマグネシアスラリー。
  5. 【請求項5】金属塩化物の添加量が0.015〜0.12%の塩
    素レベルを生ずる量である請求項1記載のマグネシアス
    ラリー。
  6. 【請求項6】金属塩化物の添加量が0.02〜0.10%の塩素
    レベルを生ずる量である請求項1記載のマグネシアスラ
    リー。
  7. 【請求項7】金属塩化物がMg、Na及び/またはKの群か
    ら選択され、0.015〜0.10%の合計塩素レベルを生ずる
    量で添加されてなる請求項1記載のマグネシアスラリ
    ー。
  8. 【請求項8】金属塩化物がCaであり、0.015〜0.07%の
    合計塩素レベルを生ずる量で添加されてなる請求項1記
    載のマグネシアスラリー。
  9. 【請求項9】冷間圧延方向性珪素鋼がAlN抑制剤系を含
    む高透磁性珪素鋼であり、且つ3〜7%のSiO2及び0.05
    〜0.15%の硼素がマグネシアへ添加されている請求項1
    記載のマグネシアスラリー。
  10. 【請求項10】Crの添加量が2.5〜5%である請求項1
    記載のマグネシアスラリー。
  11. 【請求項11】冷間圧延方向性珪素鋼が普通の方向性珪
    素鋼であり、マグネシアが20%までの燐酸塩添加剤と0.
    15%までの硼素を含む請求項1記載のマグネシアスラリ
    ー。
  12. 【請求項12】燐酸塩添加剤が4〜15%の量の燐酸カル
    シウムであり、SiO2が3〜7%であり、Crが2〜10%で
    あり、硼素が0.10%までである請求項11記載のマグネシ
    アスラリー。
  13. 【請求項13】方向性珪素鋼上へ絶縁性被膜を製造する
    方法において、 a)前記珪素鋼を鋼帯へ冷間圧延し; b)脱炭焼鈍を施して前記鋼帯中の炭素レベルを0.003
    %以下に低減し; c)凝固点以上25℃までの温度にマグネシア浴を維持
    し; d)少なくとも0.01%がMg、Ca、Na及び/またはKの群
    から選択された金属塩化物添加剤によるものである0.01
    〜0.20重量%の合計塩素を含み且つ主要量のマグネシア
    粒子のクエン酸活性が200以下のマグネシア被膜を塗布
    し; e)マグネシアを乾燥して過剰の水を除去し;且つ f)仕上げ高温焼鈍を施してガラス被膜を形成し且つ改
    善された磁気特性を発現させることを特徴とする方向性
    珪素鋼上へ絶縁性被膜を製造する方法。
  14. 【請求項14】仕上げ高温焼鈍後に磁区微細化工程を行
    う請求項13記載の方法。
  15. 【請求項15】Mg、Na、Ca及び/またはKの群から選択
    される金属塩化物として0.015〜0.15%の塩素を添加す
    る請求項13記載の方法。
  16. 【請求項16】鋼帯上に被覆する前にマグネシアを0〜
    15℃に維持する請求項13記載の方法。
  17. 【請求項17】マグネシアがクエン酸活性200より上の
    不活性マグネシア粒子を45%まで含有する請求項13記載
    の方法。
  18. 【請求項18】マグネシアがクエン酸活性500〜5000を
    もつ粒子を45%まで含有する請求項13記載の方法。
  19. 【請求項19】金属塩化物とマグネシア中に存在する塩
    素レベルとを合わせて0.015〜0.12%の合計塩素レベル
    を提供する請求項13記載の方法。
  20. 【請求項20】金属塩化物とマグネシア中に存在する塩
    素レベルと合わせて0.02〜0.10%の合計塩素レベルを提
    供する請求項13記載の方法。
  21. 【請求項21】合計塩素が0.015〜0.10%であり、金属
    塩化物がMg、Na及び/またはKの群から選択される請求
    項13記載の方法。
  22. 【請求項22】金属塩化物がCaであり、0.015〜0.07%
    の塩素レベルを生ずる量で添加される請求項13記載の方
    法。
  23. 【請求項23】マグネシアが a)15%までのTiO2; b)10%までのSiO2; c)15%までのCr;及び d)0.3%までのB を含有する請求項13記載の方法。
  24. 【請求項24】方向性珪素鋼が普通の方向性珪素鋼であ
    り、マグネシアが20%までの燐酸塩及び0.15%までのB
    を含有する請求項23記載の方法。
  25. 【請求項25】マグネシアが4〜15%の燐酸カルシウ
    ム、2〜10%のCr、0.10%までのB及び3〜7%のSiO2
    を含有する請求項24記載の方法。
  26. 【請求項26】方向性珪素鋼が高透磁性方向性珪素鋼で
    あり、マグネシアが5〜10%のTiO2、3〜7%のSiO2
    2.5〜5%のCr及び0.05〜0.15%のBを含有する請求項2
    3記載の方法。
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