KR0173781B1 - 전기강용 산화 마그네슘 코팅 및 코팅방법 - Google Patents

Abstract

고온의 최종 풀림 처리 후에 유리 막을 형성하는 배향된 입상 탈탄 규소강이 풀림 분리제(seperator)와 함께 제공된다. 풀림 분리제로서 사용되는 마그네시아는 Mg, Ca, Na 및 K로 구성되어 있는 군 중에서 선택된 적어도 0.01 %의 금속 염화물과 마그네시아의 중량을 기준으로 0.01-0.20중량%의 총 염소 함량을 갖는다. 염소 첨가는 최종 풀림 처리하는 동안 코팅 표면을 밀봉시켜 확산을 조절하고 2차 입자 성장을 안정화시키는 작용을 한다. 풀림 처리하는 동안에 형성되는 유리 막을 코팅 손상 없이 도메인 정련하기 위하여 레이저로 화선을 그을 수 있다. 마그네시아는 또한 인산염, TiO₂, SiO₂, Cr 및 B 첨가제를 함유할 수 있다. 마그네시아의 온도는 수화를 조절하고, 마그네시아 슬러리에 수화를 조절하기 위한 다른 첨가제에 첨가 필요성도 제거하기 위하여 25℃ 이하로 유지된다.

Description

전기강용 산화마그네슘 코팅 및 코팅 방법

본 발명은 입자 배향된 전기강(鋼)의 최종 고온 어닐링 중에 우수한 절연성을 제공하고 어닐링 분리자로 작용하는 코팅 조성물에 관한 것이다. 마그네시아는 냉간 압연 후에 전기강의 고온 어닐링용 분리자로서 광범위하게 사용된다. 본 발명의 코팅은 대개 탈탄 후에 도포되며, 최종 고온 어닐링 중에 유리 피막을 형성한다.

산화마그네슘 및 수산화마그네슘을 주성분으로 하는 마그네시아 코팅은 고온 어닐링 중에 코일 랩(lap)이 점착되는 것을 방지하기 위하여 전기강 위에 코팅되는 분리자로서 광범위하게 사용된다 유리 피막은 강 표면과 마그네시아 사이의 반응으로부터 형성된다. 마그네시아 코팅은 특정의 물리적 성질을 가져야 하고, 또한 전기강의 전체 자기적 특성을 향상시킬 수 있어야 한다. 이러한 성질 모두를 제공하기 위해 종래의 당업자들은 기초적인 마그네시아 조성물에 대하여 광범위한 개질을 시행해 왔다.

산화마그네슘은 물과 공존할 경우, 단기간내에 수산화마그네슘으로 수화될 수 있다 수화 정도는 마그네시아 슬러리의 점도 및 코팅 도포 공정의 조절에 큰 영향을 미친다. 코팅 중의 함수량은 유리 피막 형성에 악영향을 미칠 수 있다. 수화를 조절하기 위하여 종래의 당업자들은 마그네시아 입자의 크기 및 분포를 변화시켰다. 또한 마그네시아 제조시의 하소 온도를 조절하였다. 미합중국 특허 제4,168,189호(Haselkorn)에는 이러한 작업의 대표적인 예가 기재되어 있다.

유리 피막 형성을 증진시키기 위하여 마그네시아에 부가물을 첨가하는 많은 작업이 실행되어 왔다. 절연성 유리 피막은 탈탄 후 승온에서 마그네시아와 규소강 표면 위의 산화막 사이의 반응을 필요로 한다. 반응을 증진시키기 위해, 다양한 실리카 및 규산염 화합물을 첨가해 왔다. 접착성 및 유리 피막을 개선하기 위하여 티탄, 크롬 및 망간의 산화물을 첨가해 왔다. 인산염 첨가물은 코팅 내에서 결합제로 작용하며 흡습성을 개선시키는 것으로 알려져 있다. 고온 어닐링 중에 제조된 유리 피막의 외관, 두께, 내산화성 및 다른 성질을 향상시키기 위하여 다양한 코팅 첨가물이 사용된다.

또한, 마그네시아의 조성을 조절함으로써 규소강의 자성을 향상시키려는 중요한 작업이 수행되어 왔다. 마그네시아는 대기 상호 작용 및 입도 조절에 관련되는 표면 반응에 큰 영향력을 갖는다. 미합중국 특허 제3,627,594호에는 이산화티탄 및 산화마그네슘의 첨가가 기재되어 있다 미합중국 특허 제3,676,227호에는 마그네시아에 붕소 화합물을 첨가하는 것이 기재되어 있다.

종래에는 염화물을 다른 화합물과 조합하여 마그네시아에 첨가하였다. 미합중국 특허 제4,543,134호에서는 스트립(strip) 표면을 밀폐하고 대기가 기재 금속과 반응하는 것을 방지하기 위하여, Sb₂(SO₄)₃와 같은 안티몬 화합물과 함께 Sb, Sr, Ti 또는 Zr의 염화물을 첨가하였다. 염화물은 표면에 형성된 실리카를 증가시키고 FeO 함량을 감소시키기 위해 사용된다. 마그네시아 코팅의 밀폐 기능은 억제 요소의 제거 및 흡수를 방지하는 안티몬 화합물에 기인한다. 코팅 중의 염소의 함량은 0.0025 내지 0.4 % 범위이다.

미합중국 특허 제3,841,925호에서는 수화를 방지하고 무공성(nonporous) 절연 코팅을 형성하기 위해, 마그네시아에 염소 제공물 및 메타규산나트륨을 첨가하였다. 이들 첨가제 간의 정밀한 균형을 통하여, 수화를 지연시키고 코팅 체류 시간을 연장하는 염화나트륨 및 규산마그네슘을 함유하는 마그네시아가 얻어진다. 마그네시아는 높은 함량의 염소, 전형적으로는 마그네시아 중량을 기준으로 약 0.22 내지 3.4 %를 함유한다.

미합중국 특허 제4,287,006호의 제1도는 마그네시아의 수화 조절을 위해 하소 온도를 1300℃보다 높게 함으로써 염소 제거의 중요성을 명백히 보여주고 있다. 이 특허의 컬럼 7, 제27행에는 염화마그네슘 또는 황산마그네슘이 유리 피막의 형성을 방해하므로, 어닐링 분리자가 이들을 함유해서는 안된다고 명시되어 있다.

미합중국 특허 제3,956,029호에는 염소가 기재 금속을 공격하여 표면을 거칠게 만드는 부식성 기체를 발생하므로, 염소는 마그네시아 코팅 중에 0.04 % 이하로 함유되어야 한다고 명시되어 있다. 얻어진 불균일한 코팅 두께는 결과적으로 후에 박리되는 문제점이 있는 불량한 유리 피막을 생성한다

미합중국 특허 제3,941,623호에는 최종 고온 어닐링 중의 산화마그네슘의 수화에서 남은 수분의 조절에 관하여 기재되어 있다. 이 특허에서는 어닐링 처리 중에 물을 소모하고 결로점을 낮추기 위하여, 후속적으로 산화물로 전환되는 금속 질화물을 사용한다. 이것은 강철 산화물을 환원시키고, 개선된 유리 피막을 제공하고, (110)[001] 방향으로 입자를 성장시킨다

1100℃ 내지 1300℃의 온도에서 최종 어닐링하는 전기강 처리에 있어서, 어닐링 분리자로 사용되는 산화마그네슘은 다수의 방법으로 변형되어 왔다. 수화 조절, 유리 피막과 금속 표면의 반응, 표면의 불순물 제거 및 유리 피막 및 기재 금속에서의 우수한 자성에 관한 문제점들은 매우 복잡하여 그 일부만이 성공적으로 해결되었다. 또한 종래의 마그네시아에 첨가된 첨가물은 다른 첨가물과 상호 작용 때문에 사실상 매우 복잡하다.

본 발명은 불안전한 환경 작업 조건을 발생시키지 않으며 가격이 저렴한 어닐링 분리자로서 사용되는 마그네시아 첨가물을 제공한다. 마그네시아 성분들과의 상호 작용은 덜 복잡하면서도, 고품질의 유리 피막 및 자성의 현저한 향상 등의 바람직한 장점을 제공한다. 원하는 특성 조합을 제공하기 위하여, 첨가물들을 임계값 내에서 주의 깊게 조절해야 한다.

본 발명자들은 금속 염화물(Mg, Na, K 및 Ca 중에서 선택됨)을 마그네시아에 첨가하면 메타규산나트륨 또는 황산안티몬의 조합 첨가 없이도 배향 및 자성이 향상됨을 발견하였다. 염화물 첨가시 염소의 함량을 0.01 내지 0.2 % 범위내로 하면 안티몬의 환경 문제를 일으키지 않으면서 선행 기술의 마그네시아와 동등한 우수한 유리 피막 특성 및 자성의 향상이 얻어지는 것으로 밝혀졌다. 본 발명의 염화물 첨가는 유리 피막의 형성 온도를 낮추므로 낮은 온도에서 표면을 밀폐하게 된다. 염소와 반응하는 다른 첨가물의 필요성 없이 염화물을 사용하여 코팅 다공성을 조절하는 것은 염화물을 사용하는 선행 기술에 비추어 볼 때 예상 밖의 것이다. 염화물을 첨가하면 확산 및 표면 상호 작용이 제한되어 최종 입자 배향 및 입도의 조절이 향상된다. 또한 염소원을 제공하기 위한 Mg, Ca, Na 및/또는 K의 사용도 유리 피막의 품질 및 전기강 스트립의 자성에 있어 중요하다. 금속 염화물의 첨가량을 최적화하기 위해서는 마그네시아 중의 전체 염소 함량을 고려해야 함에 주목하는 것이 중요하다. 마그네시아 제품은 본래 약간의 염소 함량을 가지고 있으며, 이는 금속 염화물 첨가와 조합하여 조정될 수 있다.

본 발명의 마그네시아는 수현탁액을 안정화시키고 유리 피막의 품질 및 강 스트립의 자기적 특성을 향상시키기 위해 이산화티탄 첨가물을 함유할 수도 있다. 붕소, 크롬, 실리카 및 인산칼슘 첨가물은 본 코팅 조성물에 있어서는 임의적이다. 본 발명의 마그네시아는 정규 배향 입자 또는 고투자율 배향 입자의 잇점을 극대화하기 위하여 변화를 줄 수도 있다.

본 발명은 또한 최종 고온 어닐링에 선행하여 규소 함유 전기강 스트립을 점착성 전기 절연 코팅으로 도포하는 방법을 제공한다. 마그네시아의 수성 슬러리를 탈탄된 스트립에 통상적인 방법으로 도포하고 가열하여 수분을 제거하고, 코팅을 건조시키고 약 1,000℃ 보다 높은 온도에서 어닐링하여 유리 피막을 형성하고 자성을 바람직하게 증진시킨다.

본 발명의 어닐링 분리자는 수성 슬러리가 통상의 방법으로 도포되도록 수화도가 조절된 마그네시아를 말한다. 마그네시아 슬러리를 고온 어닐링 중에 제거될 수화수를 필요로 할 정도의 수화도를 가질 것이다. 건조 후의 잔류수가 최종 유리에서의 다공성을 야기할 것이다. 수화가 조절된 마그네시아 슬러리를 제공하기 위해서, 대부분의 입자는 시트르산 활성(CAA)가 200 이하, 바람직하기로는 100 이하이어야 한다. CAA는 소정량의 히드록시 이온이 주어진 중량의 시트르산을 중화시키는데 걸리는 시간에 의해 결정된 마그네시아 활성의 척도이다. 이 시험은 미합중국 특허 제3,841,295호의 컬럼 4 제22행-제46행에 전면 개시되어 있다. 또한 본 발명의 마그네시아는 CAA가 200 보다 큰, 통상적으로는 약 500 내지 5,000 인 불활성 마그네시아를 약 45 % 이하로 함유할 수 있다. 불활성 마그네시아는 보다 느리게 수화되므로 수화를 조절하는 경향이 있고 또한 가격이 저렴하다. 효과적으로 사용될 수 있는 불활성 마그네시아의 양은 유리 피막의 품질 및 피막 중의 다공성 조절과 관련된다.

본 발명의 마그네시아에는 양호한 유리 피막 형성 및 입자 배향 전기강 내의 개선된 자성을 제공하기 위해 염소를 0.01 내지 0.20 중량%의 임계 범위로 첨가해야 한다. 필요한 염소 함량은 0.01 % 이상의 금속 염화물과 함께 마그네시아 제품에 의해 부분적으로 제공될 수 있다. 존재하는 전체 염소 함량은 0.01 내지 0.20% 범위 내로 조절되어야 한다.

Mg, Na, K 및 Ca의 군에서 선택된 금속의 화합물 중의 염소를 초기에 마그네시아에 존재하는 염소 함량에 따라서 MgO 중량에 기초하여 0.01 내지 0.20 중량% 양으로 마그네시아에 첨가할 수 있다. 염화물과 함께 사용되는 금속은 안전성, 가격 및 유리 피막에 어떤 역작용도 없이 개선된 자성을 제공하도록 선택되며, 단독 또는 조합으로 사용될 수 있다. 본 발명의 마그네시아는 대부분의 입자에 대하여 시트르산 활성도가 200 미만일 것이다. 마그네시아는 또한 시트르산 활성도가 200 보다 큰, 통상적으로 500 내지 5,000인 불활성 마그네시아 입자를 약 45% 이하로·함유할 수 있다.

본 발명의 마그네시아 코팅은 최종 고온 어닐링 전에 냉간 압연된 전기강 스트립에 도포된다. 전기강 스트립은 전형적으로는 4 % 이하의 규소, 0.08 % 이하의 탄소 및 AlN, MnS, MnSe 및 BN 등과 같은 공지의 입자 성장 억제제를 함유하는 입자 배향 규소강이다 고투자율 규소강은 일반적으로 796 A/m에서 1880 이상의 투자율을 갖는 것으로 간주되고, 약 0.01 내지 0.065 %의 알루미늄을 첨가하는 결과로서 질화알루미늄 억제제 시스템을 갖는다. 미합중국 특허 제3,676,227호는 이러한 기술이 개시된 대표적인 것이다. 스트립의 탈탄으로 약 0.003 % 미만의 탄소 함량 및 표면 산화물이 생성되며, 이것은 최종 고온 어닐링 동안에 마그네시아와 함께 반응하여 고토 감람석(forsterite)의 유리 피막을 형성한다. 탈탄시에 형성되는 산화물 피막은 기본적으로는 약간의 산화철이 존재하는 철감람석 및 SiO₂이다.

본 발명의 염화물 첨가는 표면 반응을 변형시키며, 그 양은 주의 깊게 조절되어야 한다 전체 염소 함량이 0.20 % 이상이면 철의 함량이 너무 높아서 허용될 수 없는 품질의 유리 피막이 생성된다 또한, 과량의 염소 함량은 표면 상의 철함량 때문에 열등한 내산화성 및 불량한 표면 비저항을 초래한다. 또한 유리 피막과 기재 금속의 계면은 염소가 고함량이 되면 너무 거칠게 된다. 염소는 바람직하게는 약 0.15 % 미만, 더욱 바람직하게는 약 0.12 % 미만의 양으로 첨가된다. 전기강의 자기적 특성을 향상시키기 위해서는 최소 0.01 %의 염소 함량이 존재하여야 한다. 본 발명의 금속 염화물로서 첨가되는 바람직한 염소의 최소량은 유리 피막의 개선 및 기재 금속의 자기적 특성 사이의 최적 균형을 제공하는 약 0.015 % (더욱 바람직하게는 0.02 %)이다.

본 발명의 염화물은 입자 성장 억제제를 조절하기 위하여 어닐링 동안에 표면을 밀봉시키는 작용을 한다. 이것은 제2의 입자 성장의 안정성에 있어서 중요한 역할을 한다. 미합중국 특허 제3,841,925호에서와 같이 마그네시아에 염화물을 첨가하는 종래 기술에서, 무공성 코팅의 형성은 염화물에 대해 화학량론적으로 균형화된 메타규산나트륨과 같은 화합물과의 반응에 의하여 제공되었다. 반응은 규산마그네슘과 염화나트륨을 생성하였으며, 이것은 무공성 코팅을 형성하고 수화를 조절하였다. 본 발명의 범위에 속하는 염화마그네슘을 사용하는 실시예는 코팅에 부적합한 것으로 나타났다(점성이 매우 낮아서 슬러리를 너무 얇고 지나친 다공성을 생성한다). 이 특허에서 수행한 연구에서는 염화마그네슘과 반응하는 화학량론 당량 미만의 규산나트륨의 양은 절연성이 결여되고 다공성인 코팅을 생성할 것이라는 것을 명백하게 나타낸다. 본 발명에서는 염소의 함량이 보다 낮으면 규산나트륨을 첨가할 필요가 없다는 것을 발견하였다.

이 분야의 다른 종전의 연구는 미합중국 특허 제4,543,134호에서 황산안티몬과 함께 Sb, Sr, Ti 또는 Zr 염화물을 첨가한 것이다. 염소는 0.0025 내지 0.4 %의 양으로 선택되었다. 이 특허는 0.05 % 미만의 황산안티몬으로 자성은 향상되지 않을 것이라는 것을 시사하였다. 본 발명은 상기 특허에서 요구되었던 황산안티몬의 첨가없이 동일한 향상을 제공한다. 본 발명은 또한 염소의 첨가를 제공하기 위하여 다른 금속들을 사용한다.

본 발명의 마그네시아를 통상적인 방법으로 도포하기 위하여, 마그네시아의 수화는 사용 가능한 범위의 점도 및 합리적인 공정 범위를 제공하기에 충분한 안정도를 갖는 슬러리를 제공하도록 조절되어야 한다. 이것은 마그네시아 슬러리의 온도, 마그네시아의 입자 크기 및 다양한 첨가제의 사용을 조절함으로써 달성된다

마그네시아의 온도는 빙점 이상으로부터 약 25 ℃(75 ℉) 이하이며, 바람직하게는 약 0 내지 7 ℃(32 내지 45 ℉)가 되도록 조절한다. 이것은 유리 피막 품질 또는 규소강의 자기적 특성에 악영향을 미칠 수 있는 수화 조절을 위한 추가의 첨가제를 필요없게 한다. 슬러리의 온도 범위를 유지하기 위하여, 마그네시아는 냉동 코일이 있는 절연 용기 내에 유지된다. 마그네시아는 냉각수와 혼합되고, 오랫동안 저장하지 않는다. 마그네시아의 이러한 냉각 조건을 유지함으로써, 슬러리는 유리 피막의 코팅 두께 또는 균일성에 영향을 미치는 심각한 정도로 수화되지 않는다 마그네시아의 온도는 수화가 코팅의 도포에 악영향을 미치기 전의 저장 수명에 대한 일반적인 관련성을 갖는다. 온도가 높을수록, 그것은 더욱 빠르게 사용되어야 한다 고투자율 규소강에 대한 마그네시아의 입자 크기 및 시트르산 활성은 유리 피막 품질에 있어서 중요한 역할을 한다 입자의 대부분은 CAA가 200 이하, 바람직하게는 100 이하일 것이다. 마그네시아는 CAA가 200 보다 큰, 통상적으로는 500 내지 5000인 불활성 마그네시아를 약 45 % 이하로 함유할 수 있다. 정규 입자 배향 규소강은 보다 큰 입자 크기를 갖는 마그네시아를 사용하고, 보다 많은 불활성 마그네시아를 가질 수 있다. 건조된 마그네시아 코팅의 벌크 밀도 또는 밀집 계수는 입자 크기 분포, 및 대기와의 상호 작용과 강 위의 표면 반응을 조절하기 위한 CAA에 달려 있다. 또한 수화의 정도는 건조하는 동안에 마그네시아 입자에 영향을 미친다. 수화수의 양은 입자 크기가 커짐에 따라 줄어들 것이다. 너무 조대한 입자는 슬러리에서 침강되고, 최종 어닐링 중 실리카와 반응하지 않는 경향이 있을 것이다. 과도한 수화에 기인한 다공성 코팅을 갖는 것을 방지하고, 침지, 분무 또는 계량식 로울에 의해 수성 슬러리로서 코팅될 수 있는 마그네시아를 얻기 위해 이러한 모든 변수들을 조절해야 한다. 본 발명의 마그네시아 코팅은 이러한 조건하에서 양호한 유리 피막을 형성하고, 선행 기술의 코팅에서 요구되는 황산염 또는 규산영을 첨가할 필요가 없을 것이다.

염화물 첨가는 선행 기술에서 제시된 바 없는 또 다른 중요성을 갖는다. 영역(domain) 정련을 위한 레이저 화선 긋기(scribing)는 고투자율의 입자 배향 규소강에 필요한 실시 방법이 되었다. 표면 피막의 성질은 유리 피막을 통과하는 레이저의 에너지량 및 영역 정련 중의 유리 피막의 손상된 양에 상당한 영향을 미친다. 본 발명의 염화물 첨가에 의해 만들어진 유리 피막은 표면 손상 없이 레이저 처리될 수 있는 유리 피막을 제공하도록 조절된다. 미합중국 특허 제4,456,812호에 개시된 것과 같은 레이저 처리법은 유리 피막에 손상을 주지 않고 영역 정련을 제공하는 데 매우 유리한 것으로 밝혀졌다.

본 발명의 화합물을 사용하여 염소 첨가된 마그네시아로부터 제조된 유리 피막의 물성을 평가하기 위해서, 일련의 실험을 수행하였다. AlN 억제제 시스템을 갖는 고투자율 규소강의 냉간 압연 스트립을 여러가지 양의 MgCl₂를 함유하는 마그네시아로 코팅 하였다. 얻어진 결과를 미합중국 특허 제4,543,134호에 기재된 바와 같이 황산안티몬을 첨가한 마그네시아와 비교하여 표 1에 나타내었다. 재료는 두께가 0.23 ㎜, 너비가 76 ㎜ 및 길이가 305 ㎜이었다. 결과는 5 % TiO₂를 함유하는 타테호(Tateho) Al120 마그네시아가 도포된 샘플 10개에 대한 평균이다.

샘플들을 4℃의 결로점을 갖는 25 % 질소-75 % 수소 분위기 중에서 1200 ℃까지 가열하였다. 샘플들을 100 % H₂중에서 15시간 동안 1200 ℃까지 침액시켰다. 최종 어닐링을 끝마친 후, 샘플들을 세척하고 응력 제거 어닐링시켰다. 사용한 마그네시아의 염소 함량은 0.02 중량%였다.

마그네시아에 대한 두 첨가제 사이의 자성의 비교 결과, 염소를 약 0.015 내지 0.075 %로 첨가하는 염화마그네슘 첨가는 전체 염소가 약 0.03 내지 0.10 %인 범위 내에서 황산안티몬과 함께 동일한 함량의 염화물 첨가와 동등하거나 보다 뛰어난 자성을 가짐을 나타냈다. 0.20 % 이하의 염소 함량은 0.10 % 이하의 함량에 근거한 본 발명의 염화마그네슘 첨가에 따라 보다 우수한 자성을 제공할 것이라는 것이 명확히 제시된다. 염소 함량이 높을수록, 염화안티몬 첨가제보다는 염화마그네슘이 더욱 바람직하다.

연구의 일부로서, 다른 샘플들을 2차 코팅 접착성, 내산화성 및 유리 피막 상의 플랭클린(Franklin) 비저항 측정에 관한 비교 평가를 사용하여 유리 피막 품질에 대해 평가하였다. 그 결과를 표 2에 나타냈다.

바람직한 전체 염소 함량은 약 0.015 내지 약 0.15 %인 것으로 측정되었다. 보다 바람직한 전체 염소 함량은 약 0.015 내지 약 0.12 %로서, 이것은 양호한 물리적 성질을 갖는 유리 피막과 자기적 특성 개선에 대한 양호한 균형을 제공한다.

최적의 전체 염소 함량은 0.02 내지 0.10 %로 나타난다.

생성되는 유리 피막은 또한 코팅에 손상을 주지 않고 레이저 화선 긋기할 수 있어야 한다. 미합중국 특허 제4,456,812호에 기재된 레이저 화선 긋기 방법은 본 발명의 유리 피막에 개선된 영역 정련을 제공하며, 코팅에 손상을 주지 않는다. 본 발명의·마그네시아 조성물은 레이저 처리에 대해 개선된 광학 특성을 제공한다. Mg, Ca, K 또는 Na 군으로부터 선택된 금속 중 어느 것도 단독 또는 조합으로 사용될 수 있지만, Mg 및 Na를 사용하는 것이 바람직하다. 마그네시아는 첨가시 TiO를 15 중량% 이하, 바람직하기로는 약 5 내지 10 %로 함유할 수 있다. 또한 콜로이드성 실리카를 10 중량% 이하로 첨가할 수 있다. 투자율이 높은 입자 배향 규소강을 위해서, 실리카의 함량은 약 3 내지 7 %가 바람직하며, 붕소의 함량은 약 0.05 내지 0.15 %가 바람직하다. 또한, 임의로 크롬을 15 중량% 이하로 첨가할 수 있으며, 첨가시 함량을 약 2.5 내지 약 5 %로 제한하는 것이 바람직하다.

본 발명의 마그네시아는 또한 정규 입자 배향 전기강의 절연 코팅으로서 사용될 수 있다. 이러한 마그네시아는 인산칼슘을 사용하여 인산염을 약 20 % 이하, 바람직하기로는 4 내지 15 %, 크롬을 15 % 이하, 바람직하기로는 2 내지 10 %, 실리카를 10 % 이하, 바람직하기로는 약 3 내지 7 %, 붕소를 0.15 % 이하, 바람직하기로는 0.10 % 이하로 함유하도록 약간 변화시킬 수 있다.

본 발명의 마그네시아로부터 형성된 유리 피막은 표면 위에 도포된 절연 코팅을 가질 수 있으며, 이 제2의 코팅은 양호한 접착성을 가질 것이다.

본 발명에서 금속 염화물의 첨가는 미합중국 특허 제3,941,622호에 특허 청구된 바와 같이 규산염 용액과의 침전 반응을 필요로 하지 않는다. 마그네시아-실리카 복합체는 본 발명의 공정에 사용하지 않는다. 하기 표 3은 본 발명의 범위내에서 마그네슘, 칼슘 및 나트륨에 대한 금속 염화물의 첨가 영향을 나타낸 것이다. 투자율 및 철손은 이러한 함량의 염화물을 첨가함으로써 상당히 개선된다. 그 결과는 또한 칼슘 함량을 마그네슘 및 나트륨의 경우에서는 보다 바람직한 것으로 나타난 수준으로 증가시키는 것이 추가의 잇점을 제공하지 못하며, 실제로는 특성을 약간 열화시킬 수 있다는 것을 보여준다. 칼륨에 대한 데이타는 없지만, 상기와 유사한 잇점들을 얻기 위해 필요한 수준에서 나트륨과 유사하게 거동할 것으로 기대된다. 나트륨 및 칼륨 모두는 금속 계면을 매끄럽게 하는 경향이 있다.

이 점에 있어서, 마그네슘은 중간 정도의 수준에 있다. 칼슘은 유리 피막의 접착력을 개선시키는 것으로 보인다. 본 발명의 모든 금속 염화물 첨가제는 스트립 표면을 거칠게 한다. 전술한 바와 같이, 염소도 역시 유리 피막의 형성 온도를 저하시킨다. 마그네시아가 표 3의 첫번째 예에 제시된 0.011 %와 같이 본래 염소 함량을 가질 수 있다는 점에 주목하는 것이 중요하다. 이 염소 함량은 계에서 반응하는 전체 염소 함량에 포함되는 것으로 간주해야 한다. 0.01 %의 염소 함량을 제공하기 위한 최소한의 금속 염화물 첨가는 마그네시아 중의 염소 함량에 무관하게 이루어져야 한다. 보다 높은 바람직한 염소 함량 중 일부는 금속 염화물과 함께 마그네시아 중의 염소를 포함할 수 있다.

응력 제거 어닐링 : 829 ℃(1525 ℉)에서 95 % N₂-5 % H₂중에 2시간 동안 수행.

유리 피막 및 자성을 개선시키는데 요구되는 금속 염화물의 함량은 선택된 금속에 약간 변화하는 것으로 나타난다. 염화칼슘을 사용하는 경우 염소의 바람직한 최대 함량은 염화마그네슘, 염화나트륨 또는 염화칼륨을 첨가하는 경우보다 더 낮은 것으로 나타난다. 이러한 차이에 대한 이유는 완전히 이해되지 않지만, 개선된 성질은 약 0.015 내지 0.07 %의 바람직한 칼슘 첨가로 얻어진다. 본 발명의 다른 금속 염화물 첨가의 바람직한 함량은 약 0.015 내지 0.10 %이다. 이러한 첨가량은 마그네시아 공급원에 존재하는 염소의 함량과 상보적으로 조절될 수 있다.

본 발명은 특정 실시 태양에 관련하여 기재되었으나, 본 발명의 범위를 벗어나지 않으면서 다양한 변형이 이루어질 수 있다는 것을 이해할 것이다. 첨부된 청구범위는 본 발명의 진정한 정신 및 범위 내에서 모든 그러한 균등한 변형을 포함하는 것으로 의도된다.

Claims (26)

1. a) 입자의 시트르산 활성이 대부분 200 미만인 마그네시아, b) 상기 마그네시아의 중량을 기준으로 0.01 내지 0.20 중량%의 상기 마그네시아 중의 총 염소 함량(이 염소 함량 중 0.01 중량% 이상은 Mg, Ca, Na 및/또는 K로 구성되는 군 중에서 선택된 금속의 염화물로부터 제공된 것임), c) 15 % 이하의 TiO₂, d) 10 % 이하의 SiO₂, e) 15 % 이하의 Cr 및 f) 0.3 % 이하의 B 를 주성분으로 하고 25 ℃ 이하로 유지되는, 최종 고온 어닐링 전에 냉간 압연 배향 규소강을 코팅하기 위한 마그네시아 슬러리.
2. 제1항에 있어서, 5 내지 10 중량%의 TiO₂가 첨가된 것인 마그네시아 슬러리.
3. 제1항에 있어서, 상기 마그네시아가 0 내지 15 ℃의 온도로 유지되는 마그네시아 슬러리.
4. 제1항에 있어서, 상기 총 염소 함량이 0.015 내지 0.15 %인 마그네시아 슬러리.
5. 제1항에 있어서, 상기 금속 염화물이 0.015 내지 0.12 %의 염소 함량을 제공하는 양으로 첨가된 것인 마그네시아 슬러리.
6. 제1항에 있어서, 상기 금속 염화물이 0.02 내지 0.10 %의 염소 함량을 제공하는 양으로 첨가된 것인 마그네시아 슬러리.
7. 제1항에 있어서, 상기 금속 염화물이 Mg, Na 및/또는 K로부터 선택된 금속의 염화물이고, 0.015 내지 0.10 %의 총 염소 함량을 제공하는 양으로 첨가된 것인 마그네시아 슬러리.
8. 제1항에 있어서, 상기 금속 염화물이 Ca의 염화물이고, 0.015 내지 0.07 %의 총 염소 함량을 제공하는 양으로 첨가된 것인 마그네시아 슬러리.
9. 제1항에 있어서, 상기 강이 AlN 억제제 계를 갖는 고투자율의 규소강이고, 3 내지 7 %의 SiO₂및 0.05 내지 0.15 %의 붕소가 상기 마그네시아에 첨가된 것인 마그네시아 슬러리.
10. 제1항에 있어서, 2.5 내지 5 %의 Cr이 첨가된 것인 마그네시아 슬러리.
11. 제1항에 있어서, 상기 강이 정규 입자 배향 규소강이고, 상기 마그네시아에 20 % 이하의 인산염 첨가제 및 0.15 % 이하의 붕소가 첨가된 것인 마그네시아 슬러리.
12. 제11항에 있어서, 상기 인산염 첨가제가 4 내지 15 % 양의 인산칼슘이고, 상기 SiO₂는 3 내지 7 %이고, 상기 Cr은 2 내지 10 %이고, 상기 붕소는 0.10 % 이하인 마그네시아 슬러리.
13. (a) 규소강을 스트립(strip)으로 냉간 압연시키는 단계, (b) 상기 스트립의 탄소 함량이 0.003 % 이하로 감소되도록 위해 탈탄 어닐링시키는 단계, (c) 마그네시아가 담긴 욕조를 빙점 이상에서 25 ℃ 이하의 온도로 유지시키는 단계, (d) 총 염소 함량이 0.01 내지 0.20 중량%이고, 이 중 0.01 % 이상은 Mg, Ca, Na 및/또는 K 중에서 선택된 금속의 염화물을 첨가함으로써 제공되며, 마그네시아 입자의 대부분이 200 미만의 시트르산 활성을 갖는 마그네시아 코팅을 도포하는 단계, (f) 상기 마그네시아 코팅을 건조하여 과량의 물을 제거하는 단계, 및 (f) 최종 고온 어닐링을 행하여 유리 피막을 형성하고 개선된 자성을 얻는 단계를 포함하는, 배향 규소강 상에 전기 절연 코팅을 생성시키는 방법.
14. 제13항에 있어서, 상기 최종 어닐링 후에 레이저 영역(domain) 정련 단계가 사용되는 방법.
15. 제13항에 있어서, 0.015 내지 0.15 %의 염소가 Mg, Na, Ca 및/또는 K로 구성된 군 중에서 선택된 금속의 염화물로서 첨가되는 방법.
16. 제13항에 있어서, 상기 마그네시아가 상기 강 스트립 상에 코팅되기 전에 0 내지 15 ℃로 유지되는 방법.
17. 제13항에 있어서, 상기 마그네시아 입자의 45 % 이하가 시트르산 활성이 200 보다 큰 불활성 마그네시아 입자인 방법.
18. 제13항에 있어서, 상기 마그네시아 입자의 45 % 이하가 시트르산 활성이 400 내지 5000인 입자인 방법.
19. 제13항에 있어서, 상기 금속 염화물이 상기 마그네시아 입자 중에 존재하는 염소 함량과 함께 0.015 내지 0.12 %의 총 염소 함량을 제공하는 방법.
20. 제13항에 있어서, 상기 금속 염화물이 상기 마그네시아 입자 중에 존재하는 염소 함량과 함께 0.02 내지 0.10 %의 총 염소 함량을 제공하는 방법.
21. 제13항에 있어서, 상기 총 염소 함량이 0.015 내지 0.10 %이고, 상기 금속 염화물이 Mg, Na 및/또는 K로 구성되는 군 중에서 선택된 금속의 염화물인 방법.
22. 제13항에 있어서, 상기 금속이 Ca이고, 0.015 내지 0.07 %의 염소 함량을 제공하는 양으로 첨가되는 방법.
23. 제13항에 있어서, 상기 마그네시아가 a) 15 % 이하의 TiO₂, b) 10 % 이하의 SiO₂, c) 15 % 이하의 Cr 및 d) 0.3 % 이하의 B 를 포함하는 방법.
24. 제23항에 있어서, 상기 강이 정규 입자 배향 규소강이고, 상기 마그네시아가 20 % 이하의 인산염 및 0.15 % 이하의 붕소를 포함하는 방법.
25. 제24항에 있어서, 상기 마그네시아가 4 내지 15 %의 인산칼슘, 2 내지 10 %의 Cr, 0.10 % 이하의 B 및 3 내지 7 %의 SiO₂를 포함하는 방법.
26. 제23항에 있어서, 상기 강이 고투자율의 입자 배향 규소강이고, 상기 마그네시아가 5 내지 10 %의 TiO₂, 3 내지 7 %의 SiO₂, 2.5 내지 5 %의 Cr 및 0.05 내지 0.15 %의 B를 포함하는 방법.