JP2660169B2 - 3級n−アルケニルカルボン酸アミド類の製造用触媒及び3級n−アルケニルカルボン酸アミド類の製造方法 - Google Patents

3級n−アルケニルカルボン酸アミド類の製造用触媒及び3級n−アルケニルカルボン酸アミド類の製造方法

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    • Y02P20/52Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】本発明は、3級N−アルケニルカルボン酸
アミド類の製造用触媒及び3級N−アルケニルカルボン
酸アミド類の製造方法に関する。
【0002】N−アルケニル−N′−アルキル−アミド
化合物及びN−アルケニル−2−ピロリドンは、凝集
剤、試薬、石油採掘剤、繊維処理剤、樹脂添加剤等の原
料として広範な用途のあるポリN−ビニル−アミン類の
原料モノマーとして有用な化合物である。
【0003】3級N−アルケニルカルボン酸アミド類の
製造方法として、以下に示す方法が開示されている。
【0004】a) N−ビニル−N′−アルキル−アミ
ド化合物の製造方法 N,N′−ジアルキルアミド化合物とアセチレンとを塩
基性触媒の存在下に高温、高圧で反応させることによっ
てN−ビニル−N′−アルキル−アミド化合物を製造す
る方法が良く知られている(レッペ法)。しかし、この
方法は、2モルのN,N′−ジアルキルアミド化合物と
1モルのアセチレンとの反応によるビスエチリデンタイ
プの副生物を生ずるため、概して低収率であり、またア
セチレンの分解爆発の危険を伴う。
【0005】別法としては、N−ハロゲン化エチル−
N′−アルキルアミド化合物の脱ハロゲン化水素反応に
よる方法や、N−アセトキシ化エチル化合物の脱酢酸反
応による方法等が知られている。しかし、これらの方法
は、原料の入手が容易でなく、原料を合成するのに多大
な費用を要する場合もあり、また、N−ビニル化反応の
際に多量の脱離副生成物が生じ、これらの回収、処理に
も多大な労力、費用を要するので、工業的に優れた製造
法でない。
【0006】従って、工業的に入手容易な有機カルボン
酸或いはそのエステル化合物と2−アルキルアミノ−1
−エタノール化合物との反応、または、N−N′−ジア
ルキルアミド化合物とオキシランまたはエチレンカーボ
ネート類との反応、によって容易に製造できるN−(2
−ヒドロキシエチル)−N′−アルキル−アミド化合物
を原料として用い、分子内脱水反応によって高収率でN
−ビニル−N′−アルキル−アミド化合物を製造できた
ならば、それは低コスト、省労力型で工業的に優れたN
−ビニル−N′−アルキル−アミド化合物の製造方法に
なり得る。
【0007】b) N−ビニル−2−ピロリドンの製造
方法 現在、N−ビニル−2−ピロリドンは、下記反応式
(7)に示した2−ピロリドンとアセチレンとを触媒の
存在下に反応する方法(レッペ法)により工業生産され
ている。
【0008】
【化9】
【0009】この方法は、加圧下にアルカリ触媒を用い
て液相反応で実施されているが、欠点として、アセチレ
ンが高圧下で分解爆発を起こす危険があること、反応収
率の低下を防ぐために、触媒調製工程や、2−ピロリド
ン転化率の制御などのような反応制御が複雑であるこ
と、などの問題を有する。
【0010】これに対して、アセチレンを用いないN−
ビニル−2−ピロリドン製造法として、γ−ブチロラク
トンとモノエタノールアミンとの反応によって収率よく
得られるN−(2−ヒドロキシエチル)−2−ピロリド
ンを原料として用いる各種の方法が試みられている。
【0011】下記反応式(8)に示した方法、すなわ
ち、N−(2−ヒドロキシエチル)−2−ピロリドンと
チオニルクロライドとの反応によって得られるN−(2
−クロロエチル)−2−ピロリドンを脱塩化水素する方
法(USP2,775,599号公報)や、下記反応式
(9)に示した方法、すなわちN−(2−ヒドロキシエ
チル)−2−ピロリドンと無水酢酸との反応によつて得
られる酢酸エステル中間体を脱酢酸する方法などが提案
されている。しかし、これらの中間体を経由する方法で
は、N−(2−ヒドロキシエチル)−2−ピロリドンと
当量の副原料が必要である上に、中間体製造費用も多大
であり、しかも副原料由来の副生成物が多量に発生する
という問題があるので、これらは、工業的な観点から、
優れた製造方法でない。
【0012】
【化10】
【0013】この様な問題点を解消する方法として、下
記反応式(10)で表される方法、すなわち、N−(2
−ヒドロキシエチル)−2−ピロリドンを気相で触媒存
在下に分子内脱水反応させてN−ビニル−2−ピロリド
ンを製造する方法が提案されている。
【0014】
【化11】
【0015】この方法では、用いる触媒が高い活性及び
高い選択性を発揮することに加えて経時的に安定な触媒
活性を維持することが重要である。この反応の触媒とし
ては、米国特許第2,669,570号に活性アルミナ
が、特開昭47−18862号公報に酸化セリウム、酸
化亜鉛、酸化クロムなどが、特公昭47−40792号
公報に酸化ジルコニウム、酸化トリウム、特開昭48−
44251号公報に酸化ランタン、酸化ネオジムなど
が、特開平6−256306号公報にIIb族(亜鉛、
カドミウム、水銀)、IIIb族(スカンジウム、イッ
トリウム)、IVb族(チタン、ジルコニウム、ハフニ
ウム)、VIb族(クロム、モリブデン、タングステ
ン)の金属の酸化物以外の酸性不均質触媒が、それぞれ
開示されている。
【0016】しかし、米国特許第2,669,570号
に開示の活性アルミナを用いる方法は、特公昭47−4
0792号公報の参考例によると、N−(2−ヒドロキ
シエチル)−2−ピロリドンの反応率(転化率)が3
1.7モル%という低い値であり、反応したN−(2−
ヒドロキシエチル)−2−ピロリドンに対するN−ビニ
ル−2−ピロリドンの収率(選択率)が62.8モル%
という低い値であり、重合物の副生率が22.8モル%
という高い値であるので、経済性及び生成物の分離精製
などの工業的な観点からは、優れた方法でない。その他
の触媒では、酸化ジルコニウムが最も高性能であり、特
公昭47−40792号公報の実施例6には、N−(2
−ヒドロキシエチル)−2−ピロリドンの転化率88.
6モル%において、N−ビニル−2−ピロリドンが選択
率92.6モル%で、2−ピロリドンが選択率5.6モ
ル%で、得られることが開示されている。この触媒性能
は比較的高水準であるが、工業的に効率的な製造方法と
しては、より高い選択率で経時的に安定した活性を発揮
する触媒の開発が望まれる。尚、上記発明(特公昭47
−40792号公報)の反応条件下で酸化ジルコニウム
を触媒として用いて行った本発明者らの実験では、後述
の比較例2に示す通り、N−(2−ヒドロキシエチル)
−2ピロリドンの転化率は84.7モル%と高水準であ
ったが、N−ビニル−2−ピロリドンの選択率は71.
0モル%と必ずしも満足なものでなかった。
【0017】前記したように、特開平6−256306
号公報には、IIb族(亜鉛、カドミウム、水銀)、I
IIb族(スカンジウム、イットリウム)、IVb族
(チタン、ジルコニウム、ハフニウム)、VIb族(ク
ロム、モリブデン、タングステン)の金属の酸化物以外
の酸性不均質触媒を用いる方法が開示されている。しか
し、この開示は、他の先行技術に記載されている触媒元
素の一部を積極的にクレームから排除しただけのもので
あって、排除されなかった元素がすべて有効であるかの
如き思惑に基づくものであるから、不当に広すぎて不明
確である。触媒は、周知のように、同一の元素を含む触
媒でも、組成、焼成温度等により反応成績は大きく変化
するものであるにもかかわらず、この公報には、これら
触媒についての具体的な記載は全くない。該公報の実施
例には、触媒としてはH3PO4及びLa(H2PO4)3
二例のみについて具体的に示されているにすぎない。N
−(2−ヒドロキシエチル)−2−ピロリドンの脱水反
応におけるN−ビニル−2−ピロリドンの選択率は80
〜90%と比較的良好であるが、この程度では工業的に
は満足できるものでない。また、この触媒は活性の経時
的安定性についても、十分ではない。
【0018】以上のように、N−(2−ヒドロキシエチ
ル)−2−ピロリドンを気相で触媒を用いて分子内脱水
反応させ、N−ビニル−2−ピロリドンを製造する方法
を工業的に実施するには、高性能、とりわけ高い選択率
でN−ビニル−2−ピロリドンが生成する触媒が望まれ
るが、満足な性能を示す触媒は未だに開発されていない
のが現状である。
【0019】本発明の目的は、副原料を一切用いずに、
3級N−(2−ヒドロキシアルキル)カルボン酸アミド
類から気相分子内脱水反応によって3級N−アルケニル
カルボン酸アミド類を製造する方法に使用したときに極
めて高選択的及び高収率を得ることができる触媒を提供
することにある。
【0020】また、本発明の他の目的は、副原料を一切
用いずに、3級N−(2−ヒドロキシアルキル)カルボ
ン酸アミド類から気相分子内脱水反応によって3級N−
アルケニルカルボン酸アミド類を極めて高選択的及び高
収率で得ることができ而かもその際に副原料由来の廃棄
物を生じない、簡便で合理的な、3級N−アルケニルカ
ルボン酸アミド類の製造方法を提供することにある。
【0021】本発明者らは、前述の従来技術における種
々の問題点を解決し、簡便で効率よく3級N−アルケニ
ルカルボン酸アミド類を製造し得る方法を見い出すため
に、3級N−(2−ヒドロキシアルキル)カルボン酸ア
ミド類を気相分子内脱水反応させる触媒について鋭意検
討したところ、アルカリ金属元素および/またはアルカ
リ土金属元素と珪素とを含有してなる酸化物が3級N−
(2−ヒドロキシアルキル)カルボン酸アミド類から高
選択的及び高収率で長期にわたり安定的に3級N−アル
ケニルカルボン酸アミド類を得るのに有効な触媒である
ことを見い出した。
【0022】斯くして、本発明によればアルカリ金属元
素および/またはアルカリ土類金属元素と珪素とを含有
してなる酸化物であることを特徴とする3級N−アルケ
ニルカルボン酸アミド類製造用触媒が提供される。本発
明によれば、また、3級N−(2−ヒドロキシアルキ
ル)カルボン酸アミド類から気相分子内脱水反応によっ
て3級N−アルケニルカルボン酸アミド類を得る際に、
前記触媒を用いることを特徴とする3級N−アルケニル
カルボン酸アミド類の製造方法が提供される。
【0023】以下に本発明を詳しく説明する。
【0024】本発明の触媒は、N−(2−ヒドロキシエ
チル)−2−ピロリドン、並びに、下記一般式(2)及
び(4)で表される3級N−(2−ヒドロキシアルキ
ル)カルボン酸アミド類から気相分子内脱水反応によっ
て対応する3級N−アルケニルカルボン酸アミド類を製
造する反応において極めて有効に作用する。
【0025】
【化12】
【0026】(式中、R1及びR2は独立した基で、R1
及びR2は炭素数1〜6個の炭化水素基からなる群より
選ばれる何れか1種である。)
【0027】
【化13】
【0028】(式中、R、R及びRは独立した基
で、R及びRは炭素数1〜6個の炭化水素基からな
る群より選ばれる何れか1種であり、Rは水素および
炭素数1〜6の炭化水素基からなる群より選ばれる何れ
か一種である。)本発明における反応原料としては、前
記のあらゆる種類の3級N−(2−ヒドロキシアルキ
ル)カルボン酸アミド類が用いられる。具体的には、N
−メチル−アセトアミド、N−エチル−アセトアミド、
N−プロピル−アセトアミド、N−ブチル−アセトアミ
ドのN−2−ヒドロキシエチル化合物およびN−
2−ヒドロキシプロピル化合物;N−メチル−プロ
ピルアミド、N−エチル−プロピルアミド、N−プロピ
ル−プロピルアミド、N−ブチル−プロピルアミドのN
2−ヒドロキシエチル化合物およびN−2−ヒ
ドロキシプロピル化合物;N−(2−ヒドロキシエチ
ル)−2−ピロリドン等が好適であるがこれらに限られ
るものではない。これらN−2−ヒドロキシエチル
化合物からは対応する3級N−ビニルカルボン酸アミド
化合物が得られ、N−2−ヒドロキシプロピル化合
物からは対応する3級N−(1−プロペニル)カルボン
酸アミドおよび3級N−(2−プロペニル)カルボン酸
アミドが得られる。
【0029】本発明の触媒は、この種の反応でよく問題
となる触媒上への炭素(コーク)の析出、いわゆるコー
キングが非常に少なく、長期間連続して反応しても活性
は殆ど低下しない。また、コーキングが進行した場合、
反応を停止し、触媒に酸素分子を含む気体を通じてコー
クを燃焼除去した後、再び反応を継続することができ
る。
【0030】本発明の触媒の反応成績面での最大の特徴
は、従来技術の触媒にはない極めて高い3級N−アルケ
ニルカルボン酸アミド類の選択率にある。これは主に、
該触媒が、原料である3級N−(2−ヒドロキシアルキ
ル)カルボン酸アミド類の分解脱カルボニル反応を抑制
する事によりもたらされている。N−ビニル−2−ピロ
リドン製造を例に取れば、N−(2−ヒドロキシエチ
ル)−2−ピロリドンの2−ピロリドンとアセトアルデ
ヒドへのいわゆる分解反応が従来触媒に比べて大幅に抑
制される。
【0031】本発明の触媒は、アルカリ金属元素および
/またはアルカリ土類金属元素と珪素とを含有してなる
酸化物であり、好ましくは一般式(1) MaSibcd (1) (式中、Mはアルカリ金属元素及びアルカリ土類金属元
素からなる群より選ばれる少なくとも1つの元素、Si
は珪素、Xはホウ素、アルミニウム及びリンからなる群
より選ばれる少なくとも1つの元素、Oは酸素を表す。
添字a、b、c及びdは、それぞれの元素の原子数を表
し、a=1のときb=1〜500、c=0〜1の範囲を
とり、dはa、b及びcの値及び各種構成元素の結合状
態により定まる数値である。)で表される酸化物であ
る。アルカリ金属元素および/またはアルカリ土類金属
元素と珪素との割合は、1:1〜500好ましくは1:
5〜200である。また、アルカリ金属元素および/ま
たはアルカリ土類金属元素と必要に応じて添加するホウ
素、アルミニウム及びリンからなる群より選ばれる1種
以上の元素X成分との割合は、1:0〜1が適当であ
る。
【0032】触媒調製法は特に限定されるものでなく、
従来公知のあらゆる方法で調製することができる。触媒
の必須元素であるアルカリ金属元素および/またはアル
カリ土類金属元素の原料としては、酸化物、水酸化物、
ハロゲン化物、塩類(炭酸塩、硝酸塩、カルボン酸塩、
リン酸塩、硫酸塩等)および金属等を用いることができ
る。もう一つの必須成分である珪素の原料としては、酸
化珪素、珪酸、珪酸塩類(アルカリ金属珪酸塩、アルカ
リ土類金属珪酸塩等)、珪素含有モレキュラーシーブズ
(アルミノシリケート、シリコアルミノフォスフェート
等)、および有機珪酸エステルなどを用いることができ
る。更に、必要に応じて添加されるX成分の原料として
は、酸化物、水酸化物、ハロゲン化物、塩類(炭酸塩、
硝酸塩、カルボン酸塩、リン酸塩、硫酸塩等)および金
属などを用いることができる。
【0033】本発明の触媒の好ましい調製法を具体的に
例示すれば、次のとおりである。
【0034】(1) アルカリ金属元素および/または
アルカリ土類金属元素の原料と珪素の原料を水に溶解も
しくは懸濁させ、撹拌下に加熱濃縮し、乾燥し、焼成す
ることによって触媒を得る方法。
【0035】(2) アルカリ金属元素および/または
アルカリ土類金属元素の原料の水溶液中にあらかじめ成
型した酸化珪素を浸した後、加熱乾固し、乾燥し、焼成
することによって触媒を得る方法。
【0036】(3) 各種珪酸塩あるいは有機珪酸エス
テルに、アルカリ金属元素および/またはアルカリ土類
金属元素の原料の水溶液を加えて混合した後、乾燥し、
焼成することによって触媒を得る方法。
【0037】(4) 珪素含有モレキュラーシーブズ
に、アルカリ金属元素および/またはアルカリ土類金属
元素をイオン交換法により担持した後、乾燥し、焼成す
ることによって触媒を得る方法。
【0038】X成分は触媒調製途中、乾燥以前の工程の
どこで添加しても良い。例えば、アルカリ金属元素およ
び/またはアルカリ土類金属元素の原料および/または
珪素の原料としてX成分を始めから含有するものを用い
る方法とか、X成分の原料を触媒調製時に個別に添加す
る方法とか、を採ることができる。
【0039】また、本発明の触媒は、アルミナ、シリコ
ンカーバイド等のような公知の担体に担持したり、これ
ら担体と混合して用いることもできる。
【0040】触媒の焼成温度は、触媒の組成や、用いる
触媒原料の種類にもよるが、300〜1000℃の広い
範囲をとることができ、好ましくは400〜800℃の
範囲である。
【0041】本発明の3級N−アルケニルカルボン酸ア
ミド類の製造方法は、3級N−(2−ヒドロキシアルキ
ル)カルボン酸アミド類から気相分子内脱水反応によっ
て3級N−アルケニルカルボン酸アミド類を製造する際
に、前記の組成の触媒を用いることを特徴とするもので
ある。
【0042】本発明の方法は、固定床流通型、流動床型
及び移動床型のいずれの型の反応器でも実施できる。反
応は、原料である3級N−(2−ヒドロキシアルキル)
カルボン酸アミド類が、気相状態を維持しうる反応圧力
および反応温度で行う。反応温度は、300〜500
℃、好ましくは350〜450℃の範囲が適当である。
反応温度が300℃より低いと、原料である3級N−
(2−ヒドロキシアルキル)カルボン酸アミド類の転化
率が大幅に低下するため、生産性の低下を招く。反応温
度が500℃より高いと、副反応の割合が増大して目的
物である3級N−アルケニルカルボン酸アミド類の選択
率が著しく低下したり、コーキング速度増大による活性
低下が顕著になる等の不都合を招く。
【0043】反応圧力は、原料である3級N−(2−ヒ
ドロキシアルキル)カルボン酸アミド類の分圧が5〜6
00mmHg、好ましくは10〜300mmHgの範囲
で制御され得る限り、特に制限はない。原料の分圧が5
mmHgより小さい場合、反応自体は支障なく実施でき
るが、生成物の捕集が困難になったり、捕集装置が大き
くなる等、生産効率が低下する。原料の分圧が600m
mHgより大きい場合、副反応の割合が増大して目的物
である3級N−アルケニルカルボン酸アミド類の選択率
が低下する。具体的には、 (1) 窒素、ヘリウム、アルゴン、炭化水素などのよ
うな反応に不活性な物質による希釈によって原料の分圧
がコントロールされたガスを触媒に通じて反応させる方
法(反応圧力は任意)。
【0044】(2) 反応原料のみを触媒に通じ、反応
系を減圧にすることによって原料の分圧をコントロール
しながら反応させる方法。
【0045】等が好ましい。
【0046】また、原料である3級N−(2−ヒドロキ
シアルキル)カルボン酸アミド類の単位触媒容積当たり
の供給量を表す空間速度(GHSV)は、原料の種類
や、反応条件、反応方法などによって多少異なるが、供
給した3級N−(2−ヒドロキシアルキル)カルボン酸
アミド類の標準状態(25℃、1気圧の気体としての容
積)基準で1〜1000h-1、好ましくは10〜500
-1の範囲である。空間速度が1h-1より小さいと、接
触時間が長いことに因って逐次反応が進行するために目
的物の選択率が低下し、一方、空間速度が1000h-1
より大きいと接触時間が不足するために転化率の低下を
招く等の不利益を招く。
【0047】以下に、実施例により本発明を具体的に説
明するが、本発明はこれらにより何等限定されるもので
はない。
【0048】なお、実施例中の転化率、選択率及び単流
収率は次の定義に従う。
【0049】転化率(モル%)=100×(消費した3
級N−(2−ヒドロキシアルキル)カルボン酸アミドの
モル数)/(供給した3級N−(2−ヒドロキシアルキ
ル)カルボン酸アミドのモル数) 選択率(モル%)=100×(生成した3級N−アルケ
ニルカルボン酸アミドのモル数)/(消費した3級N−
(2−ヒドロキシアルキル)カルボン酸アミドのモル
数) 単流収率(モル%)=100×(生成した3級N−アル
ケニルカルボン酸アミドのモル数)/(供給した3級N
−(2−ヒドロキシアルキル)カルボン酸アミドのモル
数) 以下に示す実施例1〜35は、3級N−(2−ヒドロキ
シエチル)カルボン酸アミド類の分子内脱水反応による
3級N−ビニルカルボン酸アミド類の製造についての実
施例である。
【0050】
【実施例】実施例1 (触媒調製)水酸化リチウム1水和物0.7gを水10
0gに溶解した溶液中に、球状シリカゲル(5〜10メ
ッシュ)30gを2時間浸せきした。その後、湯浴上で
加熱乾固し、空気中120℃で20時間乾燥後、空気中
600℃で2時間焼成することによって、酸素を除く原
子比でLi1Si30なる組成の触媒を得た。
【0051】(反応)この触媒5mlを内径10mmの
ステンレス製反応管に充填し、該反応管を380℃の溶
融塩浴に浸せきした。該反応管に、N−(2−ヒドロキ
シエチル)−N′−メチル−アセトアミドの分圧が76
mmHgになるように窒素で希釈した原料ガスを、N−
(2−ヒドロキシエチル)−N′−メチル−アセトアミ
ドの空間速度200h-1で供給して、常圧で反応させ
た。反応開始より1時間後の反応器出口ガスをガスクロ
マトグラフにより分析した結果、N−(2−ヒドロキシ
エチル)−N′−メチル−アセトアミドの転化率、N−
ビニル−N′−メチル−アセトアミド選択率および単流
収率は、それぞれ73.6モル%、89.2モル%および
65.7モル%であった。
【0052】実施例2 (触媒調製)硝酸ナトリウム0.43gを水100gに
溶解した溶液中に、球状シリカゲル(5〜10メッシ
ュ)30gを2時間浸せきした。その後、湯浴上で加熱
乾固し、空気中120℃で20時間乾燥後、空気中60
0℃で2時間焼成することによって、酸素を除く原子比
でNa1Si100なる組成の触媒を得た。
【0053】(反応)この触媒を用いて、反応温度を4
00℃とした以外は実施例1と同様に反応させ、分析し
た。反応開始1時間後のN−(2−ヒドロキシエチル)
−N′−メチル−アセトアミドの転化率、N−ビニル−
N′−メチル−アセトアミド選択率および単流収率は、
それぞれ75.2モル%、87.1モル%および65.5
モル%であった。
【0054】実施例3 (触媒調製)硝酸カリウム5.06gを水250gに溶
解し、90℃で加熱撹拌しているところに30gの酸化
珪素を加えて加熱濃縮後、空気中120℃で20時間乾
燥した。得られた固体を9〜16メッシュに破砕し、空
気中500℃で2時間焼成することによって、酸素を除
く原子比でK1Si10なる組成の触媒を得た。
【0055】(反応)この触媒を用いて、反応温度を3
90℃とした以外は実施例1と同様に反応させ、分析し
た。反応開始1時間後のN−(2−ヒドロキシエチル)
−N′−メチル−アセトアミドの転化率、N−ビニル−
N′−メチル−アセトアミド選択率および単流収率は、
それぞれ77.3モル%、85.6モル%および66.1
モル%であった。
【0056】実施例4 (触媒調製)硝酸ルビジウム7.38gを水250gに
溶解し、90℃で加熱撹拌しているところに30gの酸
化珪素を加えて加熱濃縮後、空気中120℃で20時間
乾燥した。得られた固体を9〜16メッシュに破砕し、
空気中500℃で2時間焼成することによって、酸素を
除く原子比でRb1Si10なる組成の触媒を得た。
【0057】(反応)この触媒を用いて、実施例1と同
様に反応させ、分析した。反応開始1時間後のN−(2
−ヒドロキシエチル)−N′−メチル−アセトアミドの
転化率、N−ビニル−N′−メチル−アセトアミド選択
率および単流収率は、それぞれ74.9モル%、88.8
モル%および66.5モル%であった。
【0058】実施例5 (触媒調製)炭酸セシウム7.76gを水250gに溶
解し、90℃で加熱撹拌しているところに30gの酸化
珪素を加えて加熱濃縮後、空気中120℃で20時間乾
燥した。得られた固体を9〜16メッシュに破砕し、空
気中500℃で2時間焼成することによって、酸素を除
く原子比でCs1Si10なる組成の触媒を得た。
【0059】(反応)この触媒を用いて、実施例1と同
様に反応させ、分析した。反応開始1時間後のN−(2
−ヒドロキシエチル)−N′−メチル−アセトアミドの
転化率、N−ビニル−N′−メチル−アセトアミド選択
率および単流収率は、それぞれ76.2モル%、89.1
モル%および67.9モル%であった。
【0060】実施例6 (触媒調製) 炭酸セシウム8.15g、リン酸第2アンモニウム0.
66gおよび酸化珪素30gに水150gを加えて、湯
浴上で加熱混合しながら濃縮乾固した。次いで空気中1
20℃で20時間乾燥し、9〜16メッシュに破砕後、
空気中450℃で2時間焼成することによって、酸素を
除く原子比でCsSi10なる組成の触媒を
得た。
【0061】(反応)この触媒を用いて、N−(2−ヒ
ドロキシエチル)−N′−メチル−アセトアミドの分圧
を38mmHgに、そして空間速度100h-1にそれぞ
れ変更した以外は実施例1と同様に反応させ、分析し
た。反応開始1時間後のN−(2−ヒドロキシエチル)
−N′−メチル−アセトアミドの転化率、N−ビニル−
N′−メチル−アセトアミド選択率および単流収率は、
それぞれ73.9モル%、92.6モル%および68.4
モル%であった。
【0062】実施例7 実施例1の触媒を用いて、反応原料をN−(2−ヒドロ
キシエチル)−N′−メチル−プロピルアミドに変更し
た以外は実施例1と同様に反応させ、分析した。反応開
始1時間後のN−(2−ヒドロキシエチル)−N′−メ
チル−プロピルアミドの転化率、N−ビニル−N′−メ
チル−プロピルアミド選択率および単流収率は、それぞ
れ87.1モル%、91.3モル%および79.5モル%
であった。
【0063】実施例8 (触媒調製) 水酸化マグネシウム0.29g、硝酸ルビジウム6.6
4gおよびの酸化珪素30gに水150gを加えて、湯
浴上で加熱混合しながら濃縮乾固した。次いで空気中1
20℃で20時間乾燥し、9〜16メッシュに破砕後、
空気中500℃で2時間焼成することによって、酸素を
除く原子比でRbMgSi10なる組成の
触媒を得た。
【0064】(反応) この触媒を用いて実施例と同様に反応させ、分析し
た。反応開始1時間後のN−(2−ヒドロキシエチル)
−N′−メチル−プロピルアミドの転化率、N−ビニル
−N′−メチル−プロピルアミド選択率および単流収率
は、それぞれ85.4モル%、93.1モル%および7
9.1モル%であった。
【0065】実施例9 (触媒調製) 水酸化バリウム8水和物3.16g、硝酸セシウム7.
80gおよび酸化珪素30gに水150gを加えて湯浴
上で加熱混合しながら濃縮乾固した。次いで空気中12
0℃で20時間乾燥し、9〜16メッシュに破砕後、空
気中500℃で2時間焼成することによって酸素を除く
原子比でCsBaSi10なる組成の触媒
を得た。
【0066】(反応) この触媒を用いて実施例と同様に反応させ、分析し
た。反応開始1時間後のN−(2−ヒドロキシエチル)
−N′−メチル−プロピルアミドの転化率、N−ビニル
−N′−メチル−プロピルアミド選択率および単流収率
は、それぞれ87.1モル%、92.4モル%および8
0.5モル%であった。
【0067】実施例10 (触媒調製) 水酸化カリウム1.40gおよびほう酸0.15gを水
100gに溶解した溶液中に、30gの球状シリカゲル
(5〜10メッシュ)を3時間浸せきした後、湯浴上で
濃縮乾固した。次いで空気中120℃で20時間乾燥
し、更に空気中600℃で2時間焼成することによっ
て、酸素を除く原子比でKSi20なる組成
の触媒を得た。
【0068】(反応) この触媒を用いて実施例と同様に反応させ、分析し
た。反応開始1時間後のN−(2−ヒドロキシエチル)
−N′−メチル−プロピルアミドの転化率、N−ビニル
−N′−メチル−プロピルアミド選択率および単流収率
は、それぞれ88.8モル%、91.4モル%および8
1.2モル%であった。
【0069】実施例11 (反応)実施例1の触媒5mlを内径10mmのステン
レス製反応管に充填した後、該反応管を370℃の溶融
塩浴に浸せきした。次いで、該反応管をその後部より真
空ポンプで減圧することによって反応器の出口圧力を3
8mmHgに調整した。この反応管に、N−(2−ヒド
ロキシエチル)−N′−メチルプロピルアミドを空間速
度100h-1で供給して反応させた。反応を50時間継
続した後、原料供給を停止し、反応器内の圧力を窒素に
より常圧に戻し、次いで空気を100cc/分で24時
間通じて触媒上に析出している炭素状物質を燃焼させて
除くことによって、触媒を再生した。その後、再び前述
の反応条件にて更に50時間反応させた。原料供給開始
より1時間および50時間ならびに再生後1時間および
50時間の各時点で、反応器出口ガスをガスクロマトグ
ラフにより分析した。N−(2−ヒドロキシエチル)−
N′−メチル−プロピルアミドの転化率、N−ビニル−
N′−メチル−プロピルアミド選択率および単流収率を
表−1に示した。
【0070】 表−1 ------------------------------------------------ 経過時間 転化率 選択率 単流収率 (時間) (モル%) (モル%) (モル%) ------------------------------------------------ 1 86.4 94.2 81.4 50 80.0 95.6 76.5 再生後 1 86.6 94.3 81.7 50 80.1 95.8 76.7 ------------------------------------------------実施例12 (触媒調製)硝酸リチウム3.45gを水50gに溶解
させ、90℃で加熱、撹拌しながら酸化珪素30gを加
えて加熱濃縮後、空気中120℃で20時間乾燥した。
得られた固体を9〜16メッシュに破砕し、空気中50
0℃で2時間焼成することによって、酸素を除く原子比
でLi1Si10なる組成の触媒を得た。
【0071】(反応)この触媒5mlを内径10mmの
ステンレス製反応管に充填し、該反応管を400℃の溶
融塩浴に浸せきした。該反応管にN−(2−ヒドロキシ
エチル)−2−ピロリドンの分圧が76mmHgになる
ように窒素で希釈した原料ガスを、N−(2−ヒドロキ
シエチル)−2−ピロリドンの空間速度200h-1で供
給して、常圧で反応させた。反応開始より1時間後の反
応器出口ガスをガスクロマトグラフにより分析した結
果、N−(2−ヒドロキシエチル)−2−ピロリドンの
転化率、N−ビニル−2−ピロリドン選択率および単流
収率は、それぞれ59.2モル%、99.2モル%および
58.7モル%であった。
【0072】実施例13〜16 (触媒調製)実施例12において、硝酸リチウム3.4
5gを、硝酸ナトリウム4.25g(実施例13)、硝
酸カリウム5.06g(実施例14)、硝酸ルビジウム
7.38g(実施例15)および硝酸セシウム9.75g
(実施例16)にそれぞれ変更した以外は実施例12と
同様にして、表−2に記載の触媒(酸素を除く原子比で
表記)を得た。
【0073】(反応)これらの触媒を用いて反応温度を
変えた以外は実施例12と同様に反応させ、分析した。
反応開始1時間後のN−(2−ヒドロキシエチル)−2
−ピロリドンの転化率、N−ビニル−2−ピロリドン選
択率および単流収率を表−2に示した。
【0074】 表−2 ---------------------------------------------------------------------- 実施例 触媒 反応温度 転化率 選択率 単流収率 番号 (℃) (モル%) (モル%) (モル%) ---------------------------------------------------------------------- 13 Na1Si10 370 57.0 98.7 56.3 14 K1Si10 370 85.9 95.1 81.7 15 Rb1Si10 370 89.8 94.2 84.6 16 Cs1Si10 350 80.9 96.2 77.8 ----------------------------------------------------------------------比較例1 実施例12において、触媒を活性アルミナ(500℃、
2時間焼成品)に変更した以外は全く同様に反応させ、
分析した。反応開始1時間後のN−(2−ヒドロキシエ
チル)−2−ピロリドンの転化率、N−ビニル−2−ピ
ロリドン選択率および単流収率は、それぞれ93.8モ
ル%、33.6モル%および31.5モル%であった。
【0075】比較例2 実施例12において、触媒を酸化ジルコニウム(900
℃、2時間焼成品)に、反応温度を370℃に、それぞ
れ変更した以外は同様に反応させ、分析した。反応開始
1時間後のN−(2−ヒドロキシエチル)−2−ピロリ
ドンの転化率、N−ビニル−2−ピロリドン選択率およ
び単流収率は、それぞれ84.7モル%、71.0モル%
および60.3モル%であった。
【0076】比較例3 実施例12において、触媒を酸化珪素(500℃、2時
間焼成品)に、反応温度を370℃に、それぞれ変更し
た以外は同様に反応させ、分析した。反応開始1時間後
のN−(2−ヒドロキシエチル)−2−ピロリドンの転
化率、N−ビニル−2−ピロリドン選択率および単流収
率は、それぞれ16.3モル%、94.2モル%および1
5.4モル%であった。
【0077】実施例17 (触媒調製)炭酸セシウム0.81gを水40gに溶解
させた溶液中に、球状シリカゲル(5〜10メッシュ)
30gを2時間浸せきした。その後湯浴上で加熱乾固
し、空気中120℃で20時間乾燥後、空気中800℃
で2時間焼成することによって、酸素を除く原子比でC
1Si100なる組成の触媒を得た。
【0078】(反応)この触媒を用いて、反応温度を3
60℃に変更した以外は実施例12と同様に反応させ、
分析した。反応開始1時間後のN−(2−ヒドロキシエ
チル)−2−ピロリドンの転化率、N−ビニル−2−ピ
ロリドン選択率、および単流収率は、それぞれ93.8
モル%、93.1モル%および87.3モル%であった。
【0079】実施例18 (触媒調製)実施例17において、炭酸セシウム量を
0.81gから0.41gに変更した以外は同様にして、
酸素を除く原子比でCs1Si200なる触媒を調製した。
【0080】(反応)この触媒を用いて、反応温度を3
70℃に変更した以外は実施例12と同様に反応させ、
分析した。反応開始1時間後のN−(2−ヒドロキシエ
チル)−2−ピロリドンの転化率、N−ビニル−2−ピ
ロリドン選択率および単流収率は、それぞれ90.7モ
ル%、91.1モル%および82.6モル%であった。
【0081】実施例19 (触媒調製)実施例17において炭酸セシウム0.81
gを炭酸ナトリウム0.88gに変更し、焼成温度を7
00℃に変更した以外は同様にして、酸素を除く原子比
でNa1Si30なる組成の触媒を得た。
【0082】(反応)この触媒を用いて、反応温度を3
70℃に変更した以外は実施例12と同様に反応させ、
分析した。反応開始1時間後のN−(2−ヒドロキシエ
チル)−2−ピロリドンの転化率、N−ビニル−2−ピ
ロリドン選択率および単流収率は、それぞれ92.7モ
ル%、92.1モル%および85.4モル%であった。
【0083】実施例20 (触媒調製)実施例17において、炭酸セシウム0.8
1gを炭酸カリウム1.15gに変更し、焼成温度を7
00℃に変更した以外は同様にして、酸素を除く原子比
でK1Si30なる組成の触媒を得た。
【0084】(反応)この触媒を用いて、反応温度を3
70℃に変更した以外は実施例12と同様に反応させ、
分析した。反応開始1時間後のN−(2−ヒドロキシエ
チル)−2−ピロリドンの転化率、N−ビニル−2−ピ
ロリドン選択率および単流収率は、それぞれ91.1モ
ル%、91.8モル%および83.6モル%であった。
【0085】実施例21 (触媒調製)実施例17において、炭酸セシウム0.8
1gを水酸化ルジウム1.71gに変更し、焼成温度を
700℃に変更した以外は同様にして、酸素を除く原子
比でRb1Si30なる組成の触媒を得た。
【0086】(反応)この触媒を用いて、反応温度を3
60℃に変更した以外は実施例12と同様に反応させ、
分析した。反応開始1時間後のN−(2−ヒドロキシエ
チル)−2−ピロリドンの転化率、N−ビニル−2−ピ
ロリドン選択率および単流収率は、それぞれ93.5モ
ル%、91.0モル%および85.1モル%であった。
【0087】実施例22 (触媒調製)実施例12において、硝酸リチウム3.4
5gを水酸セシウム7.5gに変更した以外は同様にし
て、酸素を除く原子比でCs1Si10なる組成の触媒を
得た。
【0088】(反応)この触媒を用いて、反応温度を3
60℃に変更した以外は実施例12と同様に反応させ、
分析した。反応開始1時間後のN−(2−ヒドロキシエ
チル)−2−ピロリドンの転化率、N−ビニル−2−ピ
ロリドン選択率および単流収率は、それぞれ94.6モ
ル%、94.6モル%および89.5モル%であった。
【0089】実施例23 (触媒調製)水酸化マグネシウム2.9gおよび酸化珪
素30gに水150gを加え、湯浴上で加熱混合しなが
ら濃縮乾固した。次いで空気中120℃で20時間乾燥
し、得られた固体を9〜16メッシュに破砕した後、空
気中500℃で2時間焼成することによって、酸素を除
く原子比でMg1Si10なる組成の触媒を得た。
【0090】(反応)この触媒を用いて、実施例12と
同様に反応させ、分析した。反応開始1時間後のN−
(2−ヒドロキシエチル)−2−ピロリドンの転化率、
N−ビニル−2−ピロリドン選択率および単流収率は、
それぞれ54.6モル%、88.6モル%および48.4
モル%であった。
【0091】実施例24〜26 (触媒調製)実施例23において、水酸化マグネシウム
2.9gを、水酸化カルシウム3.7g(実施例24)、
水酸化ストロンチウム8水和物13.3g(実施例2
5)および水酸化バリウム8水和物15.8g(実施例
26)に、それぞれ変更した以外は実施例23と同様に
して、表−3に記載の触媒(酸素を除く原子比で表記)
を得た。
【0092】(反応)これらの触媒を用いて、実施例1
2と同様に反応させ、分析した。反応開始1時間後のN
−(2−ヒドロキシエチル)−2−ピロリドンの転化
率、N−ビニル−2−ピロリドン選択率および単流収率
を表−3に示した。
【0093】 実施例27 (触媒調製) 硝酸セシウム3.9gおよび硝酸リチウム0.34gを
水100gに溶かした溶液中に、酸化珪素30gを加
え、湯浴上で加熱混合しながら濃縮乾固した。次いで、
空気中120℃で乾燥し、9〜16メッシュに破砕後、
空気中500℃で2時間焼成することによって、酸素を
除く原子比でCsLiSi20なる組成の
触媒を得た。
【0094】(反応)この触媒を用いて、反応温度を3
50℃に変更した以外は実施例12と同様に反応させ、
分析した。反応開始1時間後のN−(2−ヒドロキシエ
チル)−2−ピロリドンの転化率、N−ビニル−2−ピ
ロリドン選択率および単流収率は、それぞれ82.8モ
ル%、94.3モル%および78.1モル%であった。
【0095】実施例28 (触媒調製) 硝酸ルビジウム5.9gおよび水酸化バリウム8水和物
3,2gを水100gに溶かした溶液中に、酸化珪素3
0gを加え、湯浴上で加熱濃縮しながら濃縮乾固した。
次いで空気中120℃で20時間乾燥し、9〜16メッ
シュに破砕後、空気中500℃で2時間焼成することに
よって、酸素を除く原子比でRbBaSi
10なる組成の触媒を得た。
【0096】(反応)この触媒を用いて、反応温度を3
60℃に変更した以外は実施例12と同様に反応させ、
分析した。反応開始1時間後のN−(2−ヒドロキシエ
チル)−2−ピロリドンの転化率、N−ビニル−2−ピ
ロリドン選択率および単流収率は、それぞれ80.8モ
ル%、97.8モル%および79.0モル%であった。
【0097】実施例29 (触媒調製) 水酸化バリウム8水和物15.8g、リン酸第2アンモ
ニウム0.66gおよび酸化珪素30gに水150gを
加え、湯浴上で加熱濃縮しながら濃縮乾固した。次いで
空気中120℃で20時間乾燥し、9〜16メッシュに
破砕後、空気中450℃で2時間焼成することによっ
て、酸素を除く原子比でBaSi10なる組
成の触媒を得た。
【0098】(反応)この触媒を用いて、実施例12と
同様に反応させ、分析した。反応開始1時間後のN−
(2−ヒドロキシエチル)−2−ピロリドンの転化率、
N−ビニル−2−ピロリドン選択率および単流収率は、
それぞれ67.2モル%、96.1モル%および64.6
モル%であった。
【0099】実施例30 (触媒調製) 硝酸セシウム19.5gおよびほう酸4.9gを水10
0gに溶かした溶液中に、酸化珪素30gを加え、湯浴
上で加熱濃縮しながら濃縮乾固した。次いで空気中12
0℃で20時間乾燥し、9〜16メッシュに破砕後、空
気中500℃で2時間焼成することによって、酸素を除
く原子比でCsSiなる組成の触媒を得
た。
【0100】(反応)この触媒を用いて、実施例12と
同様に反応を100時間継続した。反応開始1時間、2
0時間および100時間後におけるN−(2−ヒドロキ
シエチル)−2−ピロリドンの転化率、N−ビニル−2
−ピロリドン選択率および単流収率を表−4に示した。
【0101】 実施例31 (触媒調製) 硝酸セシウム19.5gおよびリン酸第2アンモニウム
9.2gを水100gに溶かした溶液中に、リン酸アル
ミニウム1.2gおよび酸化珪素30gを加え、湯浴上
で加熱濃縮しながら濃縮乾固した。次いで空気中120
℃で20時間乾燥し、9〜16メッシュに破砕後、空気
中600℃で2時間焼成することによって、酸素を除く
原子比でCsSiAlなる組成の触
媒を得た。
【0102】(反応)この触媒を用いて、実施例12と
同様に反応させ、分析した。反応開始1時間後のN−
(2−ヒドロキシエチル)−2−ピロリドンの転化率、
N−ビニル−2−ピロリドン選択率および単流収率は、
それぞれ53.6モル%、97.8モル%および52.4
モル%であった。
【0103】実施例32〜34 (触媒調製) 硝酸セシウム9.8gおよびリン酸第2アンモニウム
5.3gを水100gに溶かした溶液中に、酸化珪素3
0gを加え、湯浴上で加熱濃縮しながら濃縮乾固した。
次いで空気中120℃で20時間乾燥し、9〜16メッ
シュに破砕後、空気中500℃で2時間焼成することに
よって、酸素を除く原子比でCsSi10
る組成の触媒を得た。
【0104】(反応)この触媒を用い、反応条件を表−
5に示す値に変更した以外は実施例12と同様に反応さ
せ、分析した。反応開始1時間後のN−(2−ヒドロキ
シエチル)−2−ピロリドンの転化率、N−ビニル−2
−ピロリドン選択率および単流収率を表−5に示した。
【0105】 表−5 ---------------------------------------------------------------------- 実施例 原料分圧 空間速度 反応温度 転化率 選択率 単流収率 番号 (mmHg) (hr-1) (℃) (モル%)(モル%) (モル%) ---------------------------------------------------------------------- 32 76 200 400 78.9 96.8 76.4 33 76 100 400 89.9 93.3 83.9 34 38 200 390 92.1 98.4 90.6 ----------------------------------------------------------------------実施例35 (触媒調製)炭酸セシウム8.15gを水100gに溶
解させた溶液中に、酸化珪素30gを加え、湯浴上で加
熱混合しながら濃縮乾固した。次いで空気中120℃で
20時間乾燥し、9〜16メッシュに破砕後、空気中5
00℃で2時間焼成することによって、酸素を除く原子
比でCs1Si10なる組成の触媒を得た。
【0106】(反応)この触媒5mlを内径10mmの
ステンレス製の反応管に充填した後、該反応管を360
℃の溶融塩浴に浸せきした。次いで、該反応管をその後
部より真空ポンプで減圧することによって反応器の出口
圧力を76mmHgに調整した。この反応管に、N−
(2−ヒドロキシエチル)−2−ピロリドンを空間速度
200h-1で供給して反応させた。反応を100時間継
続した後、原料供給を停止し、反応器内の圧力を窒素に
より常圧に戻し、次いで空気を100cc/分で24時
間通じて触媒上に析出している炭素状物質を燃焼させて
除くことによって、触媒を再生した。その後、再び前述
の反応条件にて更に100時間反応させた。原料供給開
始より1時間、20時間および100時間ならびに再生
後1時間、20時間および100時間の各時点で、反応
器出口ガスをガスクロマトグラフフにより分析した。N
−(2−ヒドロキシエチル)−2−ピロリドンの転化
率、N−ビニル−2−ピロリドン選択率および単流収率
を表−6に示した。
【0107】 表−6 ------------------------------------------------ 経過時間 転化率 選択率 単流収率 (時間) (モル%) (モル%) (モル%) ------------------------------------------------ 1 94.3 94.9 89.5 20 93.5 95.6 89.4 100 93.0 96.4 89.7 再生後 1 94.0 95.3 89.6 20 93.8 95.7 89.8 100 93.5 96.9 90.6 ------------------------------------------------ 以下に示す実施例36〜39は、3級N−(2−ヒドロ
キシプロピル)カルボン酸アミド類の分子内脱水反応に
よる3級N−プロペニルカルボン酸アミド類の製造につ
いての実施例である。
【0108】実施例36 (反応)実施例1の触媒を用い、反応原料をN−(2−
ヒドロキシプロピル)−N′−メチル−アセトアミドに
変更した以外は実施例1と同様に反応させ、分析した。
反応開始1時間後のN−(2−ヒドロキシプロピル)−
N′−メチル−アセトアミドの転化率、N−(1−プロ
ペニル)−N′−メチル−アセトアミドとN−(2−プ
ロペニル)−N′−メチル−アセトアミドとを併せたN
−プロペニル−N′−メチル−アセトアミドの選択率お
よび単流収率は、それぞれ67.9モル%、92.2モル
%および62.6モル%であった。
【0109】実施例37 (反応)実施例10の触媒を用いた以外は、実施例36
と同様に反応させ、分析した。反応開始1時間後のN−
(2−ヒドロキシプロピル)−N′−メチル−アセトア
ミドの転化率、N−(1−プロペニル)−N′−メチル
−アセトアミドとN−(2−プロペニル)−N′−メチ
ル−アセトアミドとを併せたN−プロペニル−N′−メ
チル−アセトアミドの選択率および単流収率は、それぞ
れ84.2モル%、94.5モル%および79.6モル%
であった。
【0110】実施例38 (反応)実施例17の触媒を用いて、反応原料をN−
(2−ヒドロキシプロピル)−N′−メチル−プロピル
アミドに変更した以外は実施例36と同様に反応させ、
分析した。反応開始1時間後のN−(2−ヒドロキシプ
ロピル)−N′−メチル−プロピルアミドの転化率、N
−(1−プロペニル)−N′−メチル−プロピルアミド
とN−(2−プロペニル)−N′−メチル−プロピルア
ミドとを併せたN−プロペニル−N′−メチル−プロピ
ルアミドの選択率および単流収率はそれぞれ93.1モ
ル%、91.6モル%および85.3モル%であった。
【0111】実施例39 (反応)実施例31の触媒を用いて、実施例38と同様
に反応させ、分析した。反応開始1時間後のN−(2−
ヒドロキシプロピル)−N′−メチル−プロピルアミド
の転化率、N−(1−プロペニル)−N′−メチル−プ
ロピルアミドとN−(2−プロペニル)−N′−メチル
−プロピルアミドとを併せたN−プロペニル−N′−メ
チル−プロピルアミドの選択率および単流収率は、それ
ぞれ60.4モル%、95.6モル%および57.7モル
%であった。
【0112】上記の実施例によって例証されるように、
本発明によれば、副原料を一切用いることなく、3級N
−(2−ヒドロキシアルキル)カルボン酸アミド類から
連続的に効率よく3級N−アルケニルカルボン酸アミド
を製造することができる。本発明による3級N−アルケ
ニルカルボン酸アミドの製造方法は、副原料を使用しな
いので簡便であり、しかも副原料由来の廃棄物の発生が
ないので、安全である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 // C07B 61/00 300 C07B 61/00 300 (56)参考文献 特開 昭50−76015(JP,A) 特開 昭55−153754(JP,A) 特開 昭61−143355(JP,A) 特開 昭61−200936(JP,A) 特開 昭61−286357(JP,A) 特開 平2−56454(JP,A) 特開 平2−161236(JP,A) 特開 平4−235146(JP,A) 特開 平6−256306(JP,A) 特公 昭45−14283(JP,B1) 特公 昭47−40792(JP,B1) 特公 昭48−37266(JP,B1) 欧州特許出願公開228898(EP,A) 欧州特許出願公開230776(EP,A) 欧州特許出願公開227461(EP,A) 米国特許4567300(US,A) 米国特許4973751(US,A) 米国特許3821245(US,A) 米国特許2669570(US,A)

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 3級N−(2−ヒドロキシアルキル)カ
    ルボン酸アミド類を気相分子内脱水反応して3級N−ア
    ルケニルカルボン酸アミド類を合成する際に用いる触媒
    であって、アルカリ金属元素および/またはアルカリ土
    類金属元素と珪素とを含有してなる酸化物であることを
    特徴とする触媒。
  2. 【請求項2】 前記触媒が、一般式(I) MaSibcd (1) (式中、Mはアルカリ金属元素及びアルカリ土類金属元
    素からなる群より選ばれる少なくとも1つの元素、Si
    は珪素、Xはホウ素、アルミニウム及びリンからなる群
    より選ばれる少なくとも1つの元素、Oは酸素を表す。
    添字a、b、c及びdは、それぞれの元素の原子数を表
    し、a=1のときb=1〜500、c=0〜1の範囲を
    とり、dはa、b及びcの値及び各種構成元素の結合状
    態により定まる数値である。)で表される酸化物である
    請求項1に記載の触媒。
  3. 【請求項3】 3級N−(2−ヒドロキシアルキル)カ
    ルボン酸アミド類が、下記一般式(2) 【化1】 (式中、R1及びR2は独立した基で、炭素数1〜6個の
    炭化水素基からなる群より選ばれる何れか1種であ
    る。)で表されるN−(2−ヒドロキシエチル)−N′
    −アルキル−アミド化合物であって、これを気相分子内
    脱水反応して、3級N−アルケニルカルボン酸アミド類
    である、下記一般式(3) 【化2】 (式中、R1及びR2は前記一般式(2)と同じであ
    る。)で表されるN−ビニル−N′−アルキル−アミド
    化合物を合成する際に用いる請求項1または2に記載の
    触媒。
  4. 【請求項4】 3級N−(2−ヒドロキシアルキル)カ
    ルボン酸アミド類が、N−(2−ヒドロキシエチル)−
    2−ピロリドンであって、これを気相分子内脱水反応し
    て、3級N−アルケニルカルボン酸アミド類である、N
    −ビニル−2−ピロリドンを合成する際に用いる請求項
    1または2に記載の触媒。
  5. 【請求項5】 3級N−(2−ヒドロキシアルキル)カ
    ルボン酸アミド類が、下記一般式(4) 【化3】 (式中、R1、R2及びR3は独立した基で、R1及びR2
    は炭素数1〜6個の炭化水素基からなる群より選ばれる
    何れか1種であり、R3は水素および炭素数1〜6の炭
    化水素基からなる群より選ばれる何れか一種である。)
    で表されるN−(2−ヒドロキシアルキル)−N′−ア
    ルキル−アミド化合物であって、これを気相分子内脱水
    反応して、3級N−アルケニルカルボン酸アミド類であ
    る、下記一般式(5)および(6) 【化4】 (式中、R1、R2及びR3は前記一般式(4)と同じで
    ある。)で表されるN−アルケニル−N′−アルキル−
    アミド化合物を合成する際に用いる請求項1または2に
    記載の触媒。
  6. 【請求項6】 3級N−(2−ヒドロキシアルキル)カ
    ルボン酸アミド類を気相分子内脱水反応して3級N−ア
    ルケニルカルボン酸アミド類を得る際に、請求項1又は
    2に記載の触媒を用いることを特徴とする3級N−アル
    ケニルカルボン酸アミド類の製造方法。
  7. 【請求項7】 3級N−(2−ヒドロキシアルキル)カ
    ルボン酸アミド類が、下記一般式 【化5】 (式中、R1及びR2は独立した基で、炭素数1〜6個の
    炭化水素基からなる群より選ばれる何れか1種であ
    る。)で表されるN−(2−ヒドロキシエチル)−N′
    −アルキル−アミド化合物であり、3級N−アルケニル
    カルボン酸アミド類が、下記一般式(3) 【化6】 (式中、R1及びR2は前記一般式(2)と同じであ
    る。)で表されるN−ビニル−N′−アルキル−アミド
    化合物である、請求項6に記載の製造方法。
  8. 【請求項8】 3級N−(2−ヒドロキシアルキル)カ
    ルボン酸アミド類が、N−(2−ヒドロキシエチル)−
    2−ピロリドンであり、3級N−アルケニルカルボン酸
    アミド類が、N−ビニル−2−ピロリドンである請求項
    6に記載の製造方法。
  9. 【請求項9】 3級N−(2−ヒドロキシアルキル)カ
    ルボン酸アミド類が、下記一般式(4) 【化7】 (式中、R1、R2及びR3は独立した基で、R1及びR2
    は炭素数1〜6個の炭化水素基からなる群より選ばれる
    何れか1種であり、R3は水素および炭素数1〜6の炭
    化水素基からなる群より選ばれる何れか一種である。)
    で表されるN−(2−ヒドロキシアルキル)−N′−ア
    ルキル−アミド化合物であり、3級N−アルケニルカル
    ボン酸アミド類が、下記一般式(5)および(6) 【化8】 (式中、R1、R2及びR3は前記一般式(4)と同じで
    ある。)で表されるN−アルケニル−N′−アルキル−
    アミド化合物である、請求項6に記載の製造方法。
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