JP2653557B2 - 電極配線基板 - Google Patents
電極配線基板Info
- Publication number
- JP2653557B2 JP2653557B2 JP3002935A JP293591A JP2653557B2 JP 2653557 B2 JP2653557 B2 JP 2653557B2 JP 3002935 A JP3002935 A JP 3002935A JP 293591 A JP293591 A JP 293591A JP 2653557 B2 JP2653557 B2 JP 2653557B2
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- JP
- Japan
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- metal layer
- electrode wiring
- etching
- layer
- tantalum
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、タンタル電極配線等の
金属電極配線を有する電極基板に関し、より詳しくは別
の上層電極膜あるいは上層電極配線と電気的に接続され
る接続部に特徴を有する電極配線基板に関する。
金属電極配線を有する電極基板に関し、より詳しくは別
の上層電極膜あるいは上層電極配線と電気的に接続され
る接続部に特徴を有する電極配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】酸化タンタルに覆われたタンタル電極配
線に、別の上層電極膜あるいは上層電極配線と電気的に
接続される接続部分を作製する方法の一つとして、ドラ
イエッチングが考えられる。ところが、この方法によれ
ば、酸化タンタルとタンタルのエッチング選択性を得る
ことが困難であるため、図３に示すように、エッチング
を酸化タンタル層３を通してタンタル電極配線２の底辺
まで行う必要があり、底辺に達した時点でエッチングを
終了し、この時形成される図中斜線で示されるエッチン
グ面２０を接続部Ｃとして得ていた。
線に、別の上層電極膜あるいは上層電極配線と電気的に
接続される接続部分を作製する方法の一つとして、ドラ
イエッチングが考えられる。ところが、この方法によれ
ば、酸化タンタルとタンタルのエッチング選択性を得る
ことが困難であるため、図３に示すように、エッチング
を酸化タンタル層３を通してタンタル電極配線２の底辺
まで行う必要があり、底辺に達した時点でエッチングを
終了し、この時形成される図中斜線で示されるエッチン
グ面２０を接続部Ｃとして得ていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記構造の
接続部Ｃによれば、接続部Ｃの表面積が小さいため、外
部の上層電極膜や上層電極配線との接続面積が小さくな
り、接続抵抗が大きくなる欠点がある。
接続部Ｃによれば、接続部Ｃの表面積が小さいため、外
部の上層電極膜や上層電極配線との接続面積が小さくな
り、接続抵抗が大きくなる欠点がある。
【０００４】このような欠点を解消するには、図４に示
すように、タンタル電極配線２の途中でエッチングを終
了し、この時残存する底辺部２１を前記エッチング面２
０と併せた接続部Ｃとして活用すればよい。
すように、タンタル電極配線２の途中でエッチングを終
了し、この時残存する底辺部２１を前記エッチング面２
０と併せた接続部Ｃとして活用すればよい。
【０００５】しかるに、上記したように酸化タンタルと
タンタルのエッチング選択性を得ることが困難であるた
め、タンタル電極配線２の途中でエッチングをうまく終
了させるには、エッチング条件を精細に管理する必要が
ある。特に、基板面積の大きなものを対象とする場合
は、基板全体を均一にエッチングしなければならず、よ
り一層精細にエッチング条件を管理する必要があるため
実用化が難しい。
タンタルのエッチング選択性を得ることが困難であるた
め、タンタル電極配線２の途中でエッチングをうまく終
了させるには、エッチング条件を精細に管理する必要が
ある。特に、基板面積の大きなものを対象とする場合
は、基板全体を均一にエッチングしなければならず、よ
り一層精細にエッチング条件を管理する必要があるため
実用化が難しい。
【０００６】本発明はこのような従来技術の欠点を解消
するものであり、接続部の接続面積を拡大でき、且つ大
型基板にも対応できる電極配線基板を提供することを目
的とする。
するものであり、接続部の接続面積を拡大でき、且つ大
型基板にも対応できる電極配線基板を提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の電極配線基板
は、絶縁基板上に電極配線及び該電極配線の電気的接続
部が形成された電極配線基板において、該電気的接続部
は、第１の金属層と該第１の金属層に積層された第２の
金属層からなる金属積層体及び該金属積層体を覆う絶縁
層を具備し、該第２の金属層と該絶縁層とは互いにエッ
チング選択性を有さない材料で構成され、かつ該第２の
金属層と該第１の金属層とは互いにエッチング選択性を
有する材料で構成され、該絶縁層の表面から該第２の金
属層を貫通して刻設された凹陥内で、底部面に該第１の
金属層が、側壁面に該第２の金属層がそれぞれ露出し、
該第１の金属層及び該第２の金属層の少なくとも一方が
該電極配線を構成しており、そのことにより上記目的が
達成される。
は、絶縁基板上に電極配線及び該電極配線の電気的接続
部が形成された電極配線基板において、該電気的接続部
は、第１の金属層と該第１の金属層に積層された第２の
金属層からなる金属積層体及び該金属積層体を覆う絶縁
層を具備し、該第２の金属層と該絶縁層とは互いにエッ
チング選択性を有さない材料で構成され、かつ該第２の
金属層と該第１の金属層とは互いにエッチング選択性を
有する材料で構成され、該絶縁層の表面から該第２の金
属層を貫通して刻設された凹陥内で、底部面に該第１の
金属層が、側壁面に該第２の金属層がそれぞれ露出し、
該第１の金属層及び該第２の金属層の少なくとも一方が
該電極配線を構成しており、そのことにより上記目的が
達成される。
【０００８】
【０００９】
【作用】上記構成によれば、第１の金属層のエッチング
により露出した面及び側壁部を露出した第２の金属層の
双方が電気的接続部の接続面となり、かつ第２の金属層
の露出面が第１の金属層の露出面を周囲から囲繞するよ
うにして、これにほぼ直立する方向に配置されるので、
電気的接続部で配線が相互に接触される導電部位の接触
可能な面積を可及的に大きくできる。このため、その接
続抵抗を小さくできるので、配線相互間の電気的接続及
び機械的連結が確実に行える。 また、第１の金属層と第
２の金属層とがエッチング選択性を有し、エッチングの
終点を容易に得ることができる結果、エッチングの均一
化が図れるので、大型基板に対応できる。
により露出した面及び側壁部を露出した第２の金属層の
双方が電気的接続部の接続面となり、かつ第２の金属層
の露出面が第１の金属層の露出面を周囲から囲繞するよ
うにして、これにほぼ直立する方向に配置されるので、
電気的接続部で配線が相互に接触される導電部位の接触
可能な面積を可及的に大きくできる。このため、その接
続抵抗を小さくできるので、配線相互間の電気的接続及
び機械的連結が確実に行える。 また、第１の金属層と第
２の金属層とがエッチング選択性を有し、エッチングの
終点を容易に得ることができる結果、エッチングの均一
化が図れるので、大型基板に対応できる。
【００１０】
【実施例】以下本発明の実施例を説明する。
【００１１】図１は本発明の一実施例に係る電極配線基
板を示しており、該電極配線基板の作成は以下の制作手
順で行われる。
板を示しており、該電極配線基板の作成は以下の制作手
順で行われる。
【００１２】まず、ガラス基板１上の所定部位に、スパ
ッタリング法により導電膜層としてＡｌ層を積層し、次
いで、このＡｌ層をパターニングして導電膜片４を作成
する。
ッタリング法により導電膜層としてＡｌ層を積層し、次
いで、このＡｌ層をパターニングして導電膜片４を作成
する。
【００１３】導電膜層としては、Ａｌに限定されるもの
ではなく、ＣｒやＩＴＯ (Indum TinOxide) 等の金属層
を用いてもよい。但し、本実施例では金属電極配線とし
て、次に述べるタンタル電極配線２を用いるため、該タ
ンタル電極配線２とエッチング選択性を有する金属層に
限定される。
ではなく、ＣｒやＩＴＯ (Indum TinOxide) 等の金属層
を用いてもよい。但し、本実施例では金属電極配線とし
て、次に述べるタンタル電極配線２を用いるため、該タ
ンタル電極配線２とエッチング選択性を有する金属層に
限定される。
【００１４】次いで、導電膜片４を覆うようにしてガラ
ス基板１上にタンタル層をスパッタリング法により積層
し、該タンタル層をパターニングしてタンタル電極配線
２を形成する。次に、タンタル電極配線２を陽極酸化
し、該タンタル電極配線２の上層部に絶縁膜たる酸化タ
ンタル層３を作成する。なお、酸化タンタル層３はスパ
ッタリング法を用いて作成することにしてもよい。
ス基板１上にタンタル層をスパッタリング法により積層
し、該タンタル層をパターニングしてタンタル電極配線
２を形成する。次に、タンタル電極配線２を陽極酸化
し、該タンタル電極配線２の上層部に絶縁膜たる酸化タ
ンタル層３を作成する。なお、酸化タンタル層３はスパ
ッタリング法を用いて作成することにしてもよい。
【００１５】次いで、この状態から、反応ガスとしてＣ
Ｆ4 、Ｏ2 を用い、ドライエッチング法により酸化タン
タル層３およびタンタル電極配線２をエッチングし、エ
ッチング箇所に接続部Ｃを形成する。このような導電膜
片４を設けると、この位置でエッチングの進行が停止さ
れる。従って、エッチングにより導電膜片４の一部が露
出し、本実施例では、露出部４０とタンタル電極配線２
のエッチング面２０とで接続部Ｃが構成される。
Ｆ4 、Ｏ2 を用い、ドライエッチング法により酸化タン
タル層３およびタンタル電極配線２をエッチングし、エ
ッチング箇所に接続部Ｃを形成する。このような導電膜
片４を設けると、この位置でエッチングの進行が停止さ
れる。従って、エッチングにより導電膜片４の一部が露
出し、本実施例では、露出部４０とタンタル電極配線２
のエッチング面２０とで接続部Ｃが構成される。
【００１６】このような接続部Ｃによれば、以下に示す
利点がある。
利点がある。
【００１７】露出部４０が確保される分、図５に示さ
れる従来例に対して、接続面積を大きくできるので、接
続抵抗を小さくできる。
れる従来例に対して、接続面積を大きくできるので、接
続抵抗を小さくできる。
【００１８】導電膜片４がタンタル電極配線２とエッ
チング選択性を有するので、エッチングの終点を容易に
得ることができる。従って、エッチングの均一化が図
れ、大型基板に容易に対応できる。
チング選択性を有するので、エッチングの終点を容易に
得ることができる。従って、エッチングの均一化が図
れ、大型基板に容易に対応できる。
【００１９】図２は本発明の他の実施例を示しており、
この実施例では、タンタル電極配線２上に導電膜片４を
作成し、該導電膜片４を覆うようにして、タンタル電極
配線２上にスパッタリング法により酸化タンタル層３を
形成した構成をとる。
この実施例では、タンタル電極配線２上に導電膜片４を
作成し、該導電膜片４を覆うようにして、タンタル電極
配線２上にスパッタリング法により酸化タンタル層３を
形成した構成をとる。
【００２０】導電膜片４は、酸化タンタル層３とエッチ
ング選択性を有し、該酸化タンタル層３をエッチングし
て接続部Ｃが得られる。すなわち、この実施例では、導
電膜片４の露出部４０が接続部Ｃを構成する。なお、絶
縁層については、酸化タンタル層３に限定されるもので
はなく、導電膜片４とエッチング選択性を有するもので
あればよく、種々の組み合わせが考えられる。
ング選択性を有し、該酸化タンタル層３をエッチングし
て接続部Ｃが得られる。すなわち、この実施例では、導
電膜片４の露出部４０が接続部Ｃを構成する。なお、絶
縁層については、酸化タンタル層３に限定されるもので
はなく、導電膜片４とエッチング選択性を有するもので
あればよく、種々の組み合わせが考えられる。
【００２１】図２は、また本発明の他の実施例を示して
おり、この実施例では、エッチングにより図示する破線
部を除去し、これにより、タンタル電極配線２のエッチ
ング面２０と導電膜片４の片側部分に相当する露出部４
０の組み合わせを接続部Ｃとする構成をとる。この実施
例によれば、エッチング領域が比較的大きく、且つエッ
チング形状がシンプルなものになるので、エッチングが
より容易になると共に、接続面積をより一層大きくでき
る利点がある。
おり、この実施例では、エッチングにより図示する破線
部を除去し、これにより、タンタル電極配線２のエッチ
ング面２０と導電膜片４の片側部分に相当する露出部４
０の組み合わせを接続部Ｃとする構成をとる。この実施
例によれば、エッチング領域が比較的大きく、且つエッ
チング形状がシンプルなものになるので、エッチングが
より容易になると共に、接続面積をより一層大きくでき
る利点がある。
【００２２】加えて、エッチングが容易になることおよ
びその積層構造により、導電膜片４の膜厚を自由に設定
できるので、膜厚を薄く選定することにより、接続部Ｃ
を介して接続される上層電極膜あるいは電極配線膜を作
成する際に、段差に起因する段切れを生じることがな
い。従って、制作性の安定化および能率化が図れる。
びその積層構造により、導電膜片４の膜厚を自由に設定
できるので、膜厚を薄く選定することにより、接続部Ｃ
を介して接続される上層電極膜あるいは電極配線膜を作
成する際に、段差に起因する段切れを生じることがな
い。従って、制作性の安定化および能率化が図れる。
【００２３】図４は、また本発明の他の実施例を示して
おり、この実施例では、タンタル電極配線２の一側端部
に、他端部がガラス基板１上に位置するように導電膜片
４を形成し、エッチングにより露出する露出部４０を接
続部Ｃとする構成をとる。
おり、この実施例では、タンタル電極配線２の一側端部
に、他端部がガラス基板１上に位置するように導電膜片
４を形成し、エッチングにより露出する露出部４０を接
続部Ｃとする構成をとる。
【００２４】
【発明の効果】以上の本発明によれば、第１の金属層の
エッチングにより露出した面及び側壁部を露出した第２
の金属層の双方が電気的接続部の接続面となり、電気的
接続部で配線が相互に接触される導電部位の接触可能な
面積を可及的に大きくでき、その接続抵抗を小さくでき
るので、配線相互間の電気的接続及び機械的連結が確実
に行える、といった効果を奏することができる。 加え
て、第１の金属層と第２の金属層とがエッチング選択性
を有し、エッチングの終点を容易に得ることができる結
果、エッチングの均一化が図れるので、大型基板に対応
できる、といった効果を奏することができる。
エッチングにより露出した面及び側壁部を露出した第２
の金属層の双方が電気的接続部の接続面となり、電気的
接続部で配線が相互に接触される導電部位の接触可能な
面積を可及的に大きくでき、その接続抵抗を小さくでき
るので、配線相互間の電気的接続及び機械的連結が確実
に行える、といった効果を奏することができる。 加え
て、第１の金属層と第２の金属層とがエッチング選択性
を有し、エッチングの終点を容易に得ることができる結
果、エッチングの均一化が図れるので、大型基板に対応
できる、といった効果を奏することができる。
【００２５】
【図１】図１は本発明の一実施例を示す図面。
【図２】本発明の他の実施例を示す図面。
【図３】従来例を示す図面。
【図４】他の従来例を示す図面。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤原 敏昭 大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャー プ株式会社内 (72)発明者 丸本 英治 大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャー プ株式会社内 (72)発明者 岡村 智子 大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャー プ株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−253715（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−288881（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁基板上に電極配線及び該電極配線の
電気的接続部が形成された電極配線基板において、 該電気的接続部は、第１の金属層と該第１の金属層に積
層された第２の金属層からなる金属積層体及び該金属積
層体を覆う絶縁層を具備し、該第２の金属層と該絶縁層
とは互いにエッチング選択性を有さない材料で構成さ
れ、かつ該第２の金属層と該第１の金属層とは互いにエ
ッチング選択性を有する材料で構成され、該絶縁層の表
面から該第２の金属層を貫通して刻設された凹陥内で、
底部面に該第１の金属層が、側壁面に該第２の金属層が
それぞれ露出し、該第１の金属層及び該第２の金属層の
少なくとも一方が該電極配線を構成している 電極配線基
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3002935A JP2653557B2 (ja) | 1991-01-16 | 1991-01-16 | 電極配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3002935A JP2653557B2 (ja) | 1991-01-16 | 1991-01-16 | 電極配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04241325A JPH04241325A (ja) | 1992-08-28 |
| JP2653557B2 true JP2653557B2 (ja) | 1997-09-17 |
Family
ID=11543213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3002935A Expired - Lifetime JP2653557B2 (ja) | 1991-01-16 | 1991-01-16 | 電極配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2653557B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2886066B2 (ja) * | 1993-11-16 | 1999-04-26 | 株式会社フロンテック | 薄膜トランジスタ基板およびその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62288881A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-15 | 株式会社日立製作所 | 配線パタ−ンの形成方法 |
| JPH01253715A (ja) * | 1988-04-01 | 1989-10-11 | Toppan Printing Co Ltd | 博膜トランジスタの製造方法 |
-
1991
- 1991-01-16 JP JP3002935A patent/JP2653557B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04241325A (ja) | 1992-08-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970501 |
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