JP2639293B2 - 電子部品の半田付け方法 - Google Patents
電子部品の半田付け方法Info
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/303—Surface mounted components, e.g. affixing before soldering, aligning means, spacing means
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品を基板に半田
付けする際に、電子部品を基板に仮止めしておくための
仮止め用ボンドを使用する電子部品の半田付け方法に関
するものである。
付けする際に、電子部品を基板に仮止めしておくための
仮止め用ボンドを使用する電子部品の半田付け方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】コンデンサチップ、抵抗チップ、リード
付チップなどの電子部品を基板に表面実装するための半
田付けは、基板の電極部に予め半田を形成した後、この
半田上に電子部品の電極を着地させて搭載し、次いで基
板を加熱炉へ送り、基板を半田の溶融温度以上に加熱し
て半田を溶融させた後、溶融した半田を冷却して固化さ
せることにより行われる。
付チップなどの電子部品を基板に表面実装するための半
田付けは、基板の電極部に予め半田を形成した後、この
半田上に電子部品の電極を着地させて搭載し、次いで基
板を加熱炉へ送り、基板を半田の溶融温度以上に加熱し
て半田を溶融させた後、溶融した半田を冷却して固化さ
せることにより行われる。
【０００３】この場合、半田が固化して電子部品の電極
が基板にしっかり半田付けされるまでの間に電子部品が
位置ずれしないように、仮止め用ボンドにより電子部品
を基板に仮止めすることが行われる。以下、図６（ａ）
〜（ｄ）を参照しながら従来の電子部品の半田付け方法
を説明する。
が基板にしっかり半田付けされるまでの間に電子部品が
位置ずれしないように、仮止め用ボンドにより電子部品
を基板に仮止めすることが行われる。以下、図６（ａ）
〜（ｄ）を参照しながら従来の電子部品の半田付け方法
を説明する。
【０００４】図６（ａ）において、基板１の上面に銅箔
により形成された電極部２上にはクリーム半田３が塗布
されている。図７に示すようにクリーム半田３は微小な
半田粒子の集合体であって、一般にスクリーン印刷装置
により電極部２上に塗布される。
により形成された電極部２上にはクリーム半田３が塗布
されている。図７に示すようにクリーム半田３は微小な
半田粒子の集合体であって、一般にスクリーン印刷装置
により電極部２上に塗布される。
【０００５】次に図６（ｂ）に示すように、基板１の上
面に仮止め用ボンド４が塗布される。この仮止め用ボン
ド４は、ディスペンサなどのボンド塗布装置により塗布
される。次に図６（ｃ）に示すようにチップマウンタに
より電子部品５が搭載される。本実施例の電子部品５は
リード付チップであって、本体部６の側面から電極とし
てのリード７が延出しており、本体部６を仮止め用ボン
ド４に着地させ、またリード７をクリーム半田３に着地
させて搭載される。図８は従来の仮止め用ボンド４の拡
大図であって、エポキシ樹脂などの合成樹脂１１に硬化
剤１２を混合して生成されている。約１５０℃程度まで
加熱すると、硬化剤１２の作用により合成樹脂１１は硬
化する。
面に仮止め用ボンド４が塗布される。この仮止め用ボン
ド４は、ディスペンサなどのボンド塗布装置により塗布
される。次に図６（ｃ）に示すようにチップマウンタに
より電子部品５が搭載される。本実施例の電子部品５は
リード付チップであって、本体部６の側面から電極とし
てのリード７が延出しており、本体部６を仮止め用ボン
ド４に着地させ、またリード７をクリーム半田３に着地
させて搭載される。図８は従来の仮止め用ボンド４の拡
大図であって、エポキシ樹脂などの合成樹脂１１に硬化
剤１２を混合して生成されている。約１５０℃程度まで
加熱すると、硬化剤１２の作用により合成樹脂１１は硬
化する。
【０００６】次にこの基板１を加熱炉へ送り、基板１を
クリーム半田３の溶融温度（一般に１８３℃程度）以上
に加熱する。するとクリーム半田３は溶融し、次に基板
１を冷却すると、溶融したクリーム半田３は固化して電
子部品５のリード７は基板１の電極部２に半田付けされ
る（図６（ｄ））。仮止め用ボンド４は熱硬化性の合成
樹脂であり、基板１を加熱すると仮止め用ボンド４は硬
化し、電子部品５の本体部６は基板１に固着される。
クリーム半田３の溶融温度（一般に１８３℃程度）以上
に加熱する。するとクリーム半田３は溶融し、次に基板
１を冷却すると、溶融したクリーム半田３は固化して電
子部品５のリード７は基板１の電極部２に半田付けされ
る（図６（ｄ））。仮止め用ボンド４は熱硬化性の合成
樹脂であり、基板１を加熱すると仮止め用ボンド４は硬
化し、電子部品５の本体部６は基板１に固着される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記仮止め
用ボンド４は一般にエポキシ樹脂などの合成樹脂に硬化
剤を混合して生成されたものであって、その硬化温度は
１５０℃程度であり、半田の溶融温度（上述のように一
般に１８３℃程度）よりもかなり低い。したがって基板
１を加熱炉で加熱すると、仮止め用ボンド４が硬化した
後でクリーム半田３は溶融する。このためクリーム半田
３が溶融する際に電子部品５が自重や溶融したクリーム
半田３の表面張力で沈み込むことは硬化した仮止め用ボ
ンド４により阻害されてしまい、その結果基板１の上面
と電子部品５の下面の間隔ｈはかなり大きくなる。この
ため、図６（ｄ）の左側の半田３を図９の部分拡大図で
示すように溶融固化したクリーム半田３は胴細の断面つ
づみ形になってしまい、最悪の場合には図６（ｄ）の右
側の半田３を図１０の部分拡大図で示すようにリード７
は溶融固化した半田３から浮き上がって半田付け不良と
なりやすいという問題点があった。
用ボンド４は一般にエポキシ樹脂などの合成樹脂に硬化
剤を混合して生成されたものであって、その硬化温度は
１５０℃程度であり、半田の溶融温度（上述のように一
般に１８３℃程度）よりもかなり低い。したがって基板
１を加熱炉で加熱すると、仮止め用ボンド４が硬化した
後でクリーム半田３は溶融する。このためクリーム半田
３が溶融する際に電子部品５が自重や溶融したクリーム
半田３の表面張力で沈み込むことは硬化した仮止め用ボ
ンド４により阻害されてしまい、その結果基板１の上面
と電子部品５の下面の間隔ｈはかなり大きくなる。この
ため、図６（ｄ）の左側の半田３を図９の部分拡大図で
示すように溶融固化したクリーム半田３は胴細の断面つ
づみ形になってしまい、最悪の場合には図６（ｄ）の右
側の半田３を図１０の部分拡大図で示すようにリード７
は溶融固化した半田３から浮き上がって半田付け不良と
なりやすいという問題点があった。
【０００８】したがって本発明は上記従来手段の問題点
を解消し、電子部品の電極を基板の電極部にしっかり半
田付けすることができる電子部品の半田付け方法を提供
することを目的とする。
を解消し、電子部品の電極を基板の電極部にしっかり半
田付けすることができる電子部品の半田付け方法を提供
することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このために本発明は、基
板の電極部に半田を形成するプロセスと、前記基板に前
記半田の溶融温度よりも硬化温度が高い仮止め用ボンド
を塗布するプロセスと、電子部品の電極を前記半田に着
地させ、かつこの電子部品の本体部を前記仮止め用ボン
ドに着地させて電子部品を前記基板に搭載するプロセス
と、前記基板を加熱炉内で加熱することにより、前記半
田を溶融させて前記電極を沈み込ませた後、前記仮止め
用ボンドを硬化させるプロセスとから電子部品の半田付
け方法を構成したものである。
板の電極部に半田を形成するプロセスと、前記基板に前
記半田の溶融温度よりも硬化温度が高い仮止め用ボンド
を塗布するプロセスと、電子部品の電極を前記半田に着
地させ、かつこの電子部品の本体部を前記仮止め用ボン
ドに着地させて電子部品を前記基板に搭載するプロセス
と、前記基板を加熱炉内で加熱することにより、前記半
田を溶融させて前記電極を沈み込ませた後、前記仮止め
用ボンドを硬化させるプロセスとから電子部品の半田付
け方法を構成したものである。
【００１０】
【作用】上記構成によれば、電子部品を仮止め用ボンド
により基板に仮止めした後、電子部品の半田付けのため
に基板を加熱炉で加熱すると、半田が溶融した後で仮止
め用ボンドは硬化するので、電子部品が自重と溶融した
半田の表面張力により沈み込むのを仮止め用ボンドで阻
害されることはなく、電子部品の電極は基板の電極部に
しっかり半田付けされる。
により基板に仮止めした後、電子部品の半田付けのため
に基板を加熱炉で加熱すると、半田が溶融した後で仮止
め用ボンドは硬化するので、電子部品が自重と溶融した
半田の表面張力により沈み込むのを仮止め用ボンドで阻
害されることはなく、電子部品の電極は基板の電極部に
しっかり半田付けされる。
【００１１】
【実施例】次に、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。
説明する。
【００１２】図１は本発明に係る電子部品の仮止め用ボ
ンド１０の拡大図である。この仮止め用ボンド１０はエ
ポキシ樹脂などの合成樹脂１１に、熱可塑性合成樹脂１
３で表面を被覆した硬化剤１２の粒子を混合して生成さ
れている。この熱可塑性合成樹脂１３の直径は３〜１０
μｍ程度である。この合成樹脂１１としては、例えばビ
スフェノール型エポキシ樹脂、フェノールボラック型エ
ポキシ樹脂、ポリフェノール型エポキシ樹脂等が使用さ
れる。また硬化剤１２としては、例えばポリメチレンジ
アミン、芳香族アミンなどのアミン系硬化剤や、メチル
イミダゾール、フェニルイミダゾールなどのイミダゾー
ル系硬化剤等が使用される。また熱可塑性樹脂１３は半
田の溶融温度（一般に約１８３℃）よりも高い１８３℃
〜２３０℃程度の溶融温度を有するものであり、例えば
ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニレンオキサイ
ド、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリ
スルホン、ポリエーテルエーテルケトン等が使用され
る。
ンド１０の拡大図である。この仮止め用ボンド１０はエ
ポキシ樹脂などの合成樹脂１１に、熱可塑性合成樹脂１
３で表面を被覆した硬化剤１２の粒子を混合して生成さ
れている。この熱可塑性合成樹脂１３の直径は３〜１０
μｍ程度である。この合成樹脂１１としては、例えばビ
スフェノール型エポキシ樹脂、フェノールボラック型エ
ポキシ樹脂、ポリフェノール型エポキシ樹脂等が使用さ
れる。また硬化剤１２としては、例えばポリメチレンジ
アミン、芳香族アミンなどのアミン系硬化剤や、メチル
イミダゾール、フェニルイミダゾールなどのイミダゾー
ル系硬化剤等が使用される。また熱可塑性樹脂１３は半
田の溶融温度（一般に約１８３℃）よりも高い１８３℃
〜２３０℃程度の溶融温度を有するものであり、例えば
ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニレンオキサイ
ド、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリ
スルホン、ポリエーテルエーテルケトン等が使用され
る。
【００１３】図２（ａ）（ｂ）（ｃ）及び図３（ａ）
（ｂ）はこの仮止め用ボンド１０を使用して電子部品５
のリード７を基板１の電極部２に半田付けする一連の工
程を示しており、次に図２および図３を参照しながら従
来の電子部品の半田付け方法を説明する。
（ｂ）はこの仮止め用ボンド１０を使用して電子部品５
のリード７を基板１の電極部２に半田付けする一連の工
程を示しており、次に図２および図３を参照しながら従
来の電子部品の半田付け方法を説明する。
【００１４】図２（ａ）において、基板１の上面に銅箔
により形成された電極部２上にはクリーム半田３が塗布
されている。クリーム半田３は微小な半田粒子の集合体
であって、一般にスクリーン印刷装置により電極部２上
に塗布される。なお半田としては、クリーム半田３以外
にも、メッキ手段やレベラ手段により形成される半田プ
リコートなども適用できる。
により形成された電極部２上にはクリーム半田３が塗布
されている。クリーム半田３は微小な半田粒子の集合体
であって、一般にスクリーン印刷装置により電極部２上
に塗布される。なお半田としては、クリーム半田３以外
にも、メッキ手段やレベラ手段により形成される半田プ
リコートなども適用できる。
【００１５】次に図２（ｂ）に示すように、基板１の上
面にボンド塗布装置であるディスペンサ１４のノズル１
５から仮止め用ボンド１０を注出して仮止め用ボンド１
０が塗布される。次に図２（ｃ）に示すようにチップマ
ウンタの移載ヘッド１６のノズル１７に電子部品５を真
空吸着し、リード７をクリーム半田３に位置合わせした
うえで、電子部品５を基板１に搭載する。本実施例の電
子部品５はリード付チップであって、本体部６の側面か
らリード７が延出しており、本体部６を仮止め用ボンド
１０に着地させ、またリード７をクリーム半田３に着地
させて搭載される。
面にボンド塗布装置であるディスペンサ１４のノズル１
５から仮止め用ボンド１０を注出して仮止め用ボンド１
０が塗布される。次に図２（ｃ）に示すようにチップマ
ウンタの移載ヘッド１６のノズル１７に電子部品５を真
空吸着し、リード７をクリーム半田３に位置合わせした
うえで、電子部品５を基板１に搭載する。本実施例の電
子部品５はリード付チップであって、本体部６の側面か
らリード７が延出しており、本体部６を仮止め用ボンド
１０に着地させ、またリード７をクリーム半田３に着地
させて搭載される。
【００１６】次に図３（ａ）に示すようにこの基板１を
リフロー装置の加熱炉１８へ送り、加熱炉１８内をコン
ベヤ１９により搬送しながら、加熱炉１８の内部に設け
られたヒータ２０により加熱された熱気をファン２１に
より基板１に吹き当てて基板１をクリーム半田３の溶融
温度（一般に１８３℃程度）以上に加熱する。するとク
リーム半田３は溶融し、電子部品５は自重と溶融したク
リーム半田３の表面張力により十分に沈み込み、リード
７は溶融したクリーム半田３に十分に接着される。
リフロー装置の加熱炉１８へ送り、加熱炉１８内をコン
ベヤ１９により搬送しながら、加熱炉１８の内部に設け
られたヒータ２０により加熱された熱気をファン２１に
より基板１に吹き当てて基板１をクリーム半田３の溶融
温度（一般に１８３℃程度）以上に加熱する。するとク
リーム半田３は溶融し、電子部品５は自重と溶融したク
リーム半田３の表面張力により十分に沈み込み、リード
７は溶融したクリーム半田３に十分に接着される。
【００１７】更に基板１を１８３℃以上に加熱すると、
仮止め用ボンド１０中の熱可塑性合成樹脂１３が溶融
し、硬化剤１２は合成樹脂１１中に溶出して仮止め用ボ
ンド１０は硬化し、本体部６は基板１に固着される。次
いで基板１を加熱炉１８から搬送して空冷用のファン２
２により冷却すると、溶融したクリーム半田３は固化し
てリード７は電極部２に固着される（図３（ｂ））。２
３はファン２１，２２の駆動用モータである。図４はこ
のようにして半田付けされた後の拡大図を示しており、
図示するようにリード７は十分に沈み込んで電極部２に
半田付けされている。
仮止め用ボンド１０中の熱可塑性合成樹脂１３が溶融
し、硬化剤１２は合成樹脂１１中に溶出して仮止め用ボ
ンド１０は硬化し、本体部６は基板１に固着される。次
いで基板１を加熱炉１８から搬送して空冷用のファン２
２により冷却すると、溶融したクリーム半田３は固化し
てリード７は電極部２に固着される（図３（ｂ））。２
３はファン２１，２２の駆動用モータである。図４はこ
のようにして半田付けされた後の拡大図を示しており、
図示するようにリード７は十分に沈み込んで電極部２に
半田付けされている。
【００１８】このようにこの仮止め用ボンド１０はクリ
ーム半田３が溶融した後で硬化するので、電子部品５の
沈み込みを阻害することはなく、リード７は電極部２に
しっかり半田付けされる。
ーム半田３が溶融した後で硬化するので、電子部品５の
沈み込みを阻害することはなく、リード７は電極部２に
しっかり半田付けされる。
【００１９】（表１）は従来例との比較を示している。
【００２０】
【表１】
【００２１】（表１）において、合成樹脂１１はビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂、硬化剤１２は２−メチルイ
ミダゾールである。また実施例１の熱可塑性合成樹脂１
３は溶融温度が２２０℃のポリフェニレンサルファイド
であり、実施例２の熱可塑性合成樹脂１３は溶融温度が
１９０℃のポリエーテルエーテルケトンである。また加
熱炉におけるリフロー温度（クリーム半田３を溶融させ
るための温度）は２３０℃であり、リフロー時間は９０
秒である。
ェノールＡ型エポキシ樹脂、硬化剤１２は２−メチルイ
ミダゾールである。また実施例１の熱可塑性合成樹脂１
３は溶融温度が２２０℃のポリフェニレンサルファイド
であり、実施例２の熱可塑性合成樹脂１３は溶融温度が
１９０℃のポリエーテルエーテルケトンである。また加
熱炉におけるリフロー温度（クリーム半田３を溶融させ
るための温度）は２３０℃であり、リフロー時間は９０
秒である。
【００２２】（表１）の接着強度の欄に示すように、従
来例では１５０℃で仮止め用ボンド４は硬化して大きな
接着強度が生じ、電子部品５の沈み込みを阻害する。従
来例の半田付けの不良率は３５％である。また実施例１
及び実施例２では２１０℃あるいは２３０℃以上になら
ないと仮止め用ボンド１０は硬化して大きな接着強度を
生じないので、仮止め用ボンド１０がクリーム半田３の
溶融にともなう電子部品５の沈み込みを阻害することは
なく、半田付けの不良率は０％である。なお接着強度
は、タテ１．６mm, ヨコ０．８mmの小型コンデンサを使
用し、また基板１はガラエポ基板を使用し、シェア強度
を測定して得られたものである。またオープン不良率と
は、０．５mmピッチで１００本のリードを有する電子部
品をガラエポ基板に対して使用し、次式で求められたも
のである。
来例では１５０℃で仮止め用ボンド４は硬化して大きな
接着強度が生じ、電子部品５の沈み込みを阻害する。従
来例の半田付けの不良率は３５％である。また実施例１
及び実施例２では２１０℃あるいは２３０℃以上になら
ないと仮止め用ボンド１０は硬化して大きな接着強度を
生じないので、仮止め用ボンド１０がクリーム半田３の
溶融にともなう電子部品５の沈み込みを阻害することは
なく、半田付けの不良率は０％である。なお接着強度
は、タテ１．６mm, ヨコ０．８mmの小型コンデンサを使
用し、また基板１はガラエポ基板を使用し、シェア強度
を測定して得られたものである。またオープン不良率と
は、０．５mmピッチで１００本のリードを有する電子部
品をガラエポ基板に対して使用し、次式で求められたも
のである。
【００２３】オープン不良率＝（リードオープン不良が
１本以上発生した電子部品数）÷（試験対象電子部品
数） 図５は両面実装基板を加熱炉で加熱中の断面図である。
基板１は表裏反転されてその下面には上述した電子部品
５が半田付けされている。基板１の上面には後工程で他
の電子部品３１が搭載されている。この電子部品３１は
コンデンサチップであって、本体部３２の両側部に電極
３３を有しており、この電極３３をクリーム半田３によ
り基板１の電極部２に半田付けする。半田付けのために
基板１は１８３℃以上に再加熱されるが、このように再
加熱しても仮止め用ボンド１０は溶融しないので、下面
の電子部品５が落下することはない。このようにこの仮
止め用ボンド１０によれば、基板の表面と裏面の両面に
電子部品を半田付けする両面実装基板に特に有用であ
る。
１本以上発生した電子部品数）÷（試験対象電子部品
数） 図５は両面実装基板を加熱炉で加熱中の断面図である。
基板１は表裏反転されてその下面には上述した電子部品
５が半田付けされている。基板１の上面には後工程で他
の電子部品３１が搭載されている。この電子部品３１は
コンデンサチップであって、本体部３２の両側部に電極
３３を有しており、この電極３３をクリーム半田３によ
り基板１の電極部２に半田付けする。半田付けのために
基板１は１８３℃以上に再加熱されるが、このように再
加熱しても仮止め用ボンド１０は溶融しないので、下面
の電子部品５が落下することはない。このようにこの仮
止め用ボンド１０によれば、基板の表面と裏面の両面に
電子部品を半田付けする両面実装基板に特に有用であ
る。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、電
子部品の半田付けのために基板を加熱炉で加熱すると、
半田が溶融した後で仮止め用ボンドは硬化するので、電
子部品が自重と溶融した半田の表面張力により沈み込む
のを仮止め用ボンドが阻害することはなく、電子部品の
電極は基板の電極にしっかり半田付けされる。
子部品の半田付けのために基板を加熱炉で加熱すると、
半田が溶融した後で仮止め用ボンドは硬化するので、電
子部品が自重と溶融した半田の表面張力により沈み込む
のを仮止め用ボンドが阻害することはなく、電子部品の
電極は基板の電極にしっかり半田付けされる。
【図１】本発明の一実施例の電子部品の仮止め用ボンド
の拡大図
の拡大図
【図２】（ａ）本発明の一実施例の基板の斜視図 （ｂ）本発明の一実施例のボンド塗布中の基板の断面図 （ｃ）本発明の一実施例の電子部品の搭載中の断面図
【図３】（ａ）本発明の一実施例のリフロー装置の断面
図 （ｂ）本発明の一実施例の半田付け後の電子部品と基板
の側面図
図 （ｂ）本発明の一実施例の半田付け後の電子部品と基板
の側面図
【図４】本発明の一実施例の半田付け後の要部拡大図
【図５】本発明の一実施例の両面実装基板の断面図
【図６】（ａ）従来の基板の斜視図 （ｂ）従来のボンド塗布後の基板の断面図 （ｃ）従来の電子部品が搭載された基板の断面図 （ｄ）従来の電子部品が搭載された基板の断面図
【図７】従来のクリーム半田の部分拡大図
【図８】従来の仮止め用ボンドの拡大図
【図９】従来の半田付後の要部拡大図
【図１０】従来の半田付後の要部拡大図
１ 基板 ２ 電極部 ３ クリーム半田 ５ 電子部品 ６ 本体部 ７ リード １０ 仮止め用ボンド １８ 加熱部
Claims (1)
- 【請求項１】基板の電極部に半田を形成するプロセス
と、 前記基板に前記半田の溶融温度よりも硬化温度が高い仮
止め用ボンドを塗布するプロセスと、 電子部品の電極を前記半田に着地させ、かつこの電子部
品の本体部を前記仮止め用ボンドに着地させて電子部品
を前記基板に搭載するプロセスと、 前記基板を加熱炉内で加熱することにより、前記半田を
溶融させて前記電極を沈み込ませた後、前記仮止め用ボ
ンドを硬化させるプロセスと、 を含むことを特徴とする電子部品の半田付け方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32293292A JP2639293B2 (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | 電子部品の半田付け方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32293292A JP2639293B2 (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | 電子部品の半田付け方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177523A JPH06177523A (ja) | 1994-06-24 |
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1992
- 1992-12-02 JP JP32293292A patent/JP2639293B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
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