JP2682366B2 - 電子部品の仮止め用ボンド - Google Patents
電子部品の仮止め用ボンドInfo
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- electronic component
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- solder
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/303—Surface mounted components, e.g. affixing before soldering, aligning means, spacing means
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- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品を基板に半田
付けする際に、電子部品を基板に仮止めしておくための
電子部品の仮止め用ボンドに関するものである。
付けする際に、電子部品を基板に仮止めしておくための
電子部品の仮止め用ボンドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】コンデンサチップ、抵抗チップ、リード
付チップなどの電子部品を基板に表面実装するための半
田付けは、基板の電極部に予め半田部を形成した後、こ
の半田部上に電子部品の電極を着地させて搭載し、次い
で基板を加熱炉へ送り、基板を半田の溶融温度以上に加
熱して半田を溶融させた後、溶融した半田を冷却して固
化させることにより行われる。
付チップなどの電子部品を基板に表面実装するための半
田付けは、基板の電極部に予め半田部を形成した後、こ
の半田部上に電子部品の電極を着地させて搭載し、次い
で基板を加熱炉へ送り、基板を半田の溶融温度以上に加
熱して半田を溶融させた後、溶融した半田を冷却して固
化させることにより行われる。
【０００３】この場合、半田が固化して電子部品の電極
が基板にしっかり半田付けされるまでの間に電子部品が
位置ずれしないように、仮止め用ボンドにより電子部品
を基板に仮止めすることが行われる。以下、図７（ａ）
〜（ｄ）を参照しながら従来の電子部品の半田付け方法
を説明する。
が基板にしっかり半田付けされるまでの間に電子部品が
位置ずれしないように、仮止め用ボンドにより電子部品
を基板に仮止めすることが行われる。以下、図７（ａ）
〜（ｄ）を参照しながら従来の電子部品の半田付け方法
を説明する。
【０００４】図７（ａ）において、基板１の上面に銅箔
により形成された電極部２上には半田部としてのクリー
ム半田３が塗布されている。図８に示すようにクリーム
半田３は微小な半田粒子の集合体であって、一般にスク
リーン印刷装置により電極部２上に塗布される。
により形成された電極部２上には半田部としてのクリー
ム半田３が塗布されている。図８に示すようにクリーム
半田３は微小な半田粒子の集合体であって、一般にスク
リーン印刷装置により電極部２上に塗布される。
【０００５】次に図７（ｂ）に示すように、基板１の上
面に仮止め用ボンド４が塗布される。この仮止め用ボン
ド４は、ディスペンサなどのボンド塗布装置により塗布
される。次に図７（ｃ）に示すようにチップマウンタに
より電子部品５が搭載される。本実施例の電子部品５は
リード付電子部品であって、本体部６の側面から電極と
してのリード７が延出しており、本体部６を仮止め用ボ
ンド４に着地させ、またリード７をクリーム半田３に着
地させて搭載される。図９は従来の仮止め用ボンド４の
拡大図であって、エポキシ樹脂などの合成樹脂１１に、
２−メチルイミダゾールなどの粒子状の硬化剤１２を混
合して生成されている。約１５０℃程度まで加熱する
と、硬化剤１２の作用により合成樹脂１１は硬化する。
面に仮止め用ボンド４が塗布される。この仮止め用ボン
ド４は、ディスペンサなどのボンド塗布装置により塗布
される。次に図７（ｃ）に示すようにチップマウンタに
より電子部品５が搭載される。本実施例の電子部品５は
リード付電子部品であって、本体部６の側面から電極と
してのリード７が延出しており、本体部６を仮止め用ボ
ンド４に着地させ、またリード７をクリーム半田３に着
地させて搭載される。図９は従来の仮止め用ボンド４の
拡大図であって、エポキシ樹脂などの合成樹脂１１に、
２−メチルイミダゾールなどの粒子状の硬化剤１２を混
合して生成されている。約１５０℃程度まで加熱する
と、硬化剤１２の作用により合成樹脂１１は硬化する。
【０００６】次にこの基板１を加熱炉へ送り、基板１を
クリーム半田３の溶融温度（一般に１８３℃程度）以上
に加熱する。するとクリーム半田３は溶融し、次に基板
１を冷却すると、溶融したクリーム半田３は固化して電
子部品５のリード７は基板１の電極部２に半田付けされ
る（図７（ｄ））。仮止め用ボンド４は熱硬化性の合成
樹脂であり、基板１を加熱すると仮止め用ボンド４は硬
化し、電子部品５の本体部６は基板１に固着される。
クリーム半田３の溶融温度（一般に１８３℃程度）以上
に加熱する。するとクリーム半田３は溶融し、次に基板
１を冷却すると、溶融したクリーム半田３は固化して電
子部品５のリード７は基板１の電極部２に半田付けされ
る（図７（ｄ））。仮止め用ボンド４は熱硬化性の合成
樹脂であり、基板１を加熱すると仮止め用ボンド４は硬
化し、電子部品５の本体部６は基板１に固着される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記仮止め
用ボンド４は一般にエポキシ樹脂などの合成樹脂に、２
−メチルイミダゾールなどの硬化剤１２を混合して生成
されたものであるが、２−メチルイミダゾールの溶融温
度は１４０℃程度であり、クリーム半田３の溶融温度
（上述のように一般に１８３℃程度）よりもかなり低
い。したがって基板１を加熱炉で加熱すると、仮止め用
ボンド４が硬化した後でクリーム半田３は溶融する。こ
のためクリーム半田３が溶融する際に電子部品５が自重
や溶融したクリーム半田３の表面張力で沈み込むことは
硬化した仮止め用ボンド４により阻害されてしまい、そ
の結果基板１の上面と電子部品５の下面の間隔ｈはかな
り大きくなるため、図７（ｄ）の左側の半田３を図１０
の部分拡大図で示すように溶融固化したクリーム半田３
は胴細の断面つづみ形になってしまい、最悪の場合には
図７（ｄ）の右側の半田３を図１１の部分拡大図で示す
ようにリード７は溶融固化した半田３から浮き上がって
半田付け不良となりやすいという問題点があった。
用ボンド４は一般にエポキシ樹脂などの合成樹脂に、２
−メチルイミダゾールなどの硬化剤１２を混合して生成
されたものであるが、２−メチルイミダゾールの溶融温
度は１４０℃程度であり、クリーム半田３の溶融温度
（上述のように一般に１８３℃程度）よりもかなり低
い。したがって基板１を加熱炉で加熱すると、仮止め用
ボンド４が硬化した後でクリーム半田３は溶融する。こ
のためクリーム半田３が溶融する際に電子部品５が自重
や溶融したクリーム半田３の表面張力で沈み込むことは
硬化した仮止め用ボンド４により阻害されてしまい、そ
の結果基板１の上面と電子部品５の下面の間隔ｈはかな
り大きくなるため、図７（ｄ）の左側の半田３を図１０
の部分拡大図で示すように溶融固化したクリーム半田３
は胴細の断面つづみ形になってしまい、最悪の場合には
図７（ｄ）の右側の半田３を図１１の部分拡大図で示す
ようにリード７は溶融固化した半田３から浮き上がって
半田付け不良となりやすいという問題点があった。
【０００８】したがって本発明は上記従来手段の問題点
を解消し、電子部品の電極を基板の電極部にしっかり半
田付けすることができる電子部品の仮止め用ボンドを提
供することを目的とする。
を解消し、電子部品の電極を基板の電極部にしっかり半
田付けすることができる電子部品の仮止め用ボンドを提
供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このために本発明は、合
成樹脂に、半田の溶融温度よりも高い溶融温度を有する
硬化剤を混合して電子部品の仮止め用ボンドとしたもの
である。
成樹脂に、半田の溶融温度よりも高い溶融温度を有する
硬化剤を混合して電子部品の仮止め用ボンドとしたもの
である。
【００１０】また合成樹脂に、半田の溶融温度よりも高
い溶融温度を有する熱可塑性合成樹脂で表面を被覆した
硬化剤を混合して電子部品の仮止め用ボンドとしたもの
である。
い溶融温度を有する熱可塑性合成樹脂で表面を被覆した
硬化剤を混合して電子部品の仮止め用ボンドとしたもの
である。
【００１１】
【作用】上記構成によれば、電子部品を仮止め用ボンド
により基板に仮止めした後、電子部品の半田付けのため
に基板を加熱炉で加熱すると、半田が溶融した後で仮止
め用ボンドは硬化するので、電子部品が自重と溶融した
半田の表面張力により沈み込むのを仮止め用ボンドで阻
害されることはなく、電子部品の電極は基板の電極部に
しっかり半田付けされる。
により基板に仮止めした後、電子部品の半田付けのため
に基板を加熱炉で加熱すると、半田が溶融した後で仮止
め用ボンドは硬化するので、電子部品が自重と溶融した
半田の表面張力により沈み込むのを仮止め用ボンドで阻
害されることはなく、電子部品の電極は基板の電極部に
しっかり半田付けされる。
【００１２】
【実施例】次に、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。
説明する。
【００１３】（実施例１）図１は本発明に係る電子部品
の仮止め用ボンド１０Ａの拡大図である。この仮止め用
ボンド１０Ａはエポキシ樹脂などの合成樹脂１１に、硬
化剤１２の粒子を混合して生成されている。この合成樹
脂１１としては、例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂、フェノールボラック型エポキシ樹脂、ポリフェノー
ル型エポキシ樹脂等が使用される。また硬化剤１２とし
ては、例えば次のものが使用される。
の仮止め用ボンド１０Ａの拡大図である。この仮止め用
ボンド１０Ａはエポキシ樹脂などの合成樹脂１１に、硬
化剤１２の粒子を混合して生成されている。この合成樹
脂１１としては、例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂、フェノールボラック型エポキシ樹脂、ポリフェノー
ル型エポキシ樹脂等が使用される。また硬化剤１２とし
ては、例えば次のものが使用される。
【００１４】 （溶融温度） イソフタル酸ヒドラジド (210 ℃） ２，４−ジアミノ−６−〔２−ウンデシルイミダゾリル−（１）〕−エチル −Ｓ−トリアジン (185 ℃） ジシアンジアミド (210 ℃） ２，４−ジアミノ−６−〔２−エチル−４−メチルイミダゾリル−（１）〕 −エチル−Ｓ−トリアジン (220 ℃） ジアミノマレオ＝トリル (185 ℃） なお配合比は次のとおりである。
【００１５】 エポキシ樹脂 １００重量部 硬化剤 ５重量部 半田の溶融温度は一般に約１８３℃であり、したがって
硬化剤１２の溶融温度は１８５℃〜２２０℃であって半
田の溶融温度よりも高い。
硬化剤１２の溶融温度は１８５℃〜２２０℃であって半
田の溶融温度よりも高い。
【００１６】図２（ａ）（ｂ）（ｃ）、図３（ａ）
（ｂ）はこの仮止め用ボンド１０Ａを使用して電子部品
５のリード７を基板１の電極部２に半田付けする工程を
示しており、次に図２（ａ）（ｂ）（ｃ）、図３（ａ）
（ｂ）を参照しながら電子部品の半田付け方法を説明す
る。
（ｂ）はこの仮止め用ボンド１０Ａを使用して電子部品
５のリード７を基板１の電極部２に半田付けする工程を
示しており、次に図２（ａ）（ｂ）（ｃ）、図３（ａ）
（ｂ）を参照しながら電子部品の半田付け方法を説明す
る。
【００１７】図２（ａ）において、基板１の上面に銅箔
により形成された電極部２上にはクリーム半田３が塗布
されている。クリーム半田３は図８に示すように微小な
半田粒子の集合体であって、一般にスクリーン印刷装置
により電極部２上に塗布される。なお半田としては、ク
リーム半田３以外にも、メッキ手段やレベラ手段により
形成される半田プリコートなども適用できる。
により形成された電極部２上にはクリーム半田３が塗布
されている。クリーム半田３は図８に示すように微小な
半田粒子の集合体であって、一般にスクリーン印刷装置
により電極部２上に塗布される。なお半田としては、ク
リーム半田３以外にも、メッキ手段やレベラ手段により
形成される半田プリコートなども適用できる。
【００１８】次に図２（ｂ）に示すように、基板１の上
面にボンド塗布装置であるディスペンサ１４のノズル１
５から仮止め用ボンド１０Ａを注出して仮止め用ボンド
１０Ａが塗布される。次に図２（ｃ）に示すようにチッ
プマウンタの移載ヘッド１６のノズル１７に電子部品５
を真空吸着し、リード７をクリーム半田３に位置合わせ
したうえで、電子部品５を基板１に搭載する。本実施例
の電子部品５はリード付電子部品であって、本体部６の
側面からリード７が延出しており、本体部６を仮止め用
ボンド１０Ａに着地させ、またリード７をクリーム半田
３に着地させて搭載される。
面にボンド塗布装置であるディスペンサ１４のノズル１
５から仮止め用ボンド１０Ａを注出して仮止め用ボンド
１０Ａが塗布される。次に図２（ｃ）に示すようにチッ
プマウンタの移載ヘッド１６のノズル１７に電子部品５
を真空吸着し、リード７をクリーム半田３に位置合わせ
したうえで、電子部品５を基板１に搭載する。本実施例
の電子部品５はリード付電子部品であって、本体部６の
側面からリード７が延出しており、本体部６を仮止め用
ボンド１０Ａに着地させ、またリード７をクリーム半田
３に着地させて搭載される。
【００１９】次に図３（ａ）に示すようにこの基板１を
加熱炉１８へ送り、加熱炉１８内をコンベヤ１９により
搬送しながら、加熱炉１８の内部に設けられたヒータ２
０により加熱された熱気をファン２１により基板１に吹
き当てて基板１をクリーム半田３の溶融温度（一般に１
８３℃程度）以上に加熱する。するとクリーム半田３は
溶融し、電子部品５は自重と溶融したクリーム半田３の
表面張力により十分に沈み込み、リード７は溶融したク
リーム半田３に十分に沈み込む。
加熱炉１８へ送り、加熱炉１８内をコンベヤ１９により
搬送しながら、加熱炉１８の内部に設けられたヒータ２
０により加熱された熱気をファン２１により基板１に吹
き当てて基板１をクリーム半田３の溶融温度（一般に１
８３℃程度）以上に加熱する。するとクリーム半田３は
溶融し、電子部品５は自重と溶融したクリーム半田３の
表面張力により十分に沈み込み、リード７は溶融したク
リーム半田３に十分に沈み込む。
【００２０】更に基板１を１８３℃以上に加熱すると、
仮止め用ボンド１０Ａ中の硬化剤１２は溶融し、溶融し
た硬化剤１２は合成樹脂１１中に溶出して仮止め用ボン
ド１０Ａは硬化し、本体部６は基板１に固着される。次
いで基板１を加熱室１８から搬送して空冷用のファン２
２により冷却すると、溶融したクリーム半田３は固化し
てリード７は電極部２に固着される。２３はファン２
１，２２の駆動用モータである。図３（ｂ）はこのよう
にして半田付けされた後の基板１を示しており、また図
４はリード７先端の半田付け部分の拡大図を示してお
り、図示するようにリード７は十分に沈み込んで電極部
２に半田付けされている。
仮止め用ボンド１０Ａ中の硬化剤１２は溶融し、溶融し
た硬化剤１２は合成樹脂１１中に溶出して仮止め用ボン
ド１０Ａは硬化し、本体部６は基板１に固着される。次
いで基板１を加熱室１８から搬送して空冷用のファン２
２により冷却すると、溶融したクリーム半田３は固化し
てリード７は電極部２に固着される。２３はファン２
１，２２の駆動用モータである。図３（ｂ）はこのよう
にして半田付けされた後の基板１を示しており、また図
４はリード７先端の半田付け部分の拡大図を示してお
り、図示するようにリード７は十分に沈み込んで電極部
２に半田付けされている。
【００２１】このようにこの仮止め用ボンド１０Ａはク
リーム半田３が溶融した後で硬化するので、電子部品５
の沈み込みを阻害することはなく、リード７は電極部２
にしっかり半田付けされる。（表１）は従来例との比較
を示している。
リーム半田３が溶融した後で硬化するので、電子部品５
の沈み込みを阻害することはなく、リード７は電極部２
にしっかり半田付けされる。（表１）は従来例との比較
を示している。
【００２２】
【表１】
【００２３】（表１）において、合成樹脂１１は何れも
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂である。また実施例１
の硬化剤１２はイソフタル酸ヒドラジド（溶融温度２１
０℃）、実施例２の硬化剤１２は２，４−ジアミノ−６
−〔２−ウンデシルイミダゾリル−（１）〕−エチル−
Ｓ−トリアジン（溶融温度１８５℃）、従来例の硬化剤
は２−メチルイミダゾール（溶融温度１５０℃）であ
る。また加熱炉におけるリフロー温度（クリーム半田３
を溶融させるための温度）は２３０℃であり、リフロー
時間は９０秒である。
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂である。また実施例１
の硬化剤１２はイソフタル酸ヒドラジド（溶融温度２１
０℃）、実施例２の硬化剤１２は２，４−ジアミノ−６
−〔２−ウンデシルイミダゾリル−（１）〕−エチル−
Ｓ−トリアジン（溶融温度１８５℃）、従来例の硬化剤
は２−メチルイミダゾール（溶融温度１５０℃）であ
る。また加熱炉におけるリフロー温度（クリーム半田３
を溶融させるための温度）は２３０℃であり、リフロー
時間は９０秒である。
【００２４】（表１）の接着強度の欄に示すように、従
来例では１５０℃で仮止め用ボンド４は硬化して２ｋｇ
ｆ以上の大きな接着強度が生じ、電子部品５の沈み込み
を阻害する。従来例の半田付けのオープン不良率は３５
％である。これに対し実施例１では２１０℃で０．５ｋ
ｇｆ、２３０℃で２ｋｇｆ以上の接着強度となる。また
実施例２では２１０℃で２ｋｇｆ以上の接着強度とな
る。このように本発明に係る実施例１と実施例２の仮止
め用ボンド１０Ａは、２１０℃または２３０℃以上にな
らないと大きな接着強度を生じないので、仮止め用ボン
ド１０Ａがクリーム半田３の溶融にともなう電子部品５
の沈み込みを阻害することはなく、したがって半田付け
のオープン不良率は０％である。なお接着強度は、タテ
１．６mm,ヨコ０．８mmの小型コンデンサを使用し、ま
た基板１はガラスエポキシ樹脂基板を使用し、シェア強
度を測定して得られたものである。またオープン不良率
とは、０．５mmピッチで１００本のリードを有する電子
部品をガラスエポキシ樹脂基板に対して使用し、次式で
求められたものである。
来例では１５０℃で仮止め用ボンド４は硬化して２ｋｇ
ｆ以上の大きな接着強度が生じ、電子部品５の沈み込み
を阻害する。従来例の半田付けのオープン不良率は３５
％である。これに対し実施例１では２１０℃で０．５ｋ
ｇｆ、２３０℃で２ｋｇｆ以上の接着強度となる。また
実施例２では２１０℃で２ｋｇｆ以上の接着強度とな
る。このように本発明に係る実施例１と実施例２の仮止
め用ボンド１０Ａは、２１０℃または２３０℃以上にな
らないと大きな接着強度を生じないので、仮止め用ボン
ド１０Ａがクリーム半田３の溶融にともなう電子部品５
の沈み込みを阻害することはなく、したがって半田付け
のオープン不良率は０％である。なお接着強度は、タテ
１．６mm,ヨコ０．８mmの小型コンデンサを使用し、ま
た基板１はガラスエポキシ樹脂基板を使用し、シェア強
度を測定して得られたものである。またオープン不良率
とは、０．５mmピッチで１００本のリードを有する電子
部品をガラスエポキシ樹脂基板に対して使用し、次式で
求められたものである。
【００２５】オープン不良率＝〔（リードオープン不良
が１本以上発生した電子部品数）÷（試験対象電子部品
数）〕×１００ 図５は両面実装基板を加熱炉で加熱中の側部断面図であ
る。基板１は表裏反転されてその下面には上述した電子
部品５が半田付けされている。基板１の上面には後工程
で他の電子部品３１が搭載されている。この電子部品３
１はコンデンサチップであって、本体部３２の両側部に
電極３３を有しており、この電極３３をクリーム半田３
により基板１の電極部２に半田付けする。半田付けのた
めに基板１は１８３℃以上に再加熱されるが、このよう
に再加熱しても仮止め用ボンド１０Ａは溶融しないの
で、下面の電子部品５が落下することはない。このよう
にこの仮止め用ボンド１０Ａによれば、基板の表面と裏
面の両面に電子部品を半田付けする両面実装基板に特に
有用である。
が１本以上発生した電子部品数）÷（試験対象電子部品
数）〕×１００ 図５は両面実装基板を加熱炉で加熱中の側部断面図であ
る。基板１は表裏反転されてその下面には上述した電子
部品５が半田付けされている。基板１の上面には後工程
で他の電子部品３１が搭載されている。この電子部品３
１はコンデンサチップであって、本体部３２の両側部に
電極３３を有しており、この電極３３をクリーム半田３
により基板１の電極部２に半田付けする。半田付けのた
めに基板１は１８３℃以上に再加熱されるが、このよう
に再加熱しても仮止め用ボンド１０Ａは溶融しないの
で、下面の電子部品５が落下することはない。このよう
にこの仮止め用ボンド１０Ａによれば、基板の表面と裏
面の両面に電子部品を半田付けする両面実装基板に特に
有用である。
【００２６】（実施例２）図６は第２実施例の電子部品
の仮止め用ボンド１０Ｂの拡大図である。この仮止め用
ボンド１０Ｂはエポキシ樹脂などの合成樹脂１１に、熱
可塑性合成樹脂１３で表面を被覆した硬化剤１２の粒子
を混合して生成されている。この熱可塑性合成樹脂１３
の直径は３〜１０μｍ程度である。この合成樹脂１１と
しては、例えばビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノ
ールボラック型エポキシ樹脂、ポリフェノール型エポキ
シ樹脂等が使用される。また硬化剤１２としては、例え
ばポリメチレンジアミン、芳香族アミンなどのアミン系
硬化剤や、メチルイミダゾール、フェニルイミダゾール
などのイミダゾール系硬化剤等が使用される。また熱可
塑性合成樹脂１３は半田の溶融温度（一般に約１８３
℃）よりも高い１８３℃〜２３０℃程度の溶融温度を有
するものであり、例えばポリフェニレンサルファイド、
ポリフェニレンオキサイド、ポリアミド、ポリイミド、
ポリアミドイミド、ポリスルホン、ポリエーテルエーテ
ルケトン等が使用される。
の仮止め用ボンド１０Ｂの拡大図である。この仮止め用
ボンド１０Ｂはエポキシ樹脂などの合成樹脂１１に、熱
可塑性合成樹脂１３で表面を被覆した硬化剤１２の粒子
を混合して生成されている。この熱可塑性合成樹脂１３
の直径は３〜１０μｍ程度である。この合成樹脂１１と
しては、例えばビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノ
ールボラック型エポキシ樹脂、ポリフェノール型エポキ
シ樹脂等が使用される。また硬化剤１２としては、例え
ばポリメチレンジアミン、芳香族アミンなどのアミン系
硬化剤や、メチルイミダゾール、フェニルイミダゾール
などのイミダゾール系硬化剤等が使用される。また熱可
塑性合成樹脂１３は半田の溶融温度（一般に約１８３
℃）よりも高い１８３℃〜２３０℃程度の溶融温度を有
するものであり、例えばポリフェニレンサルファイド、
ポリフェニレンオキサイド、ポリアミド、ポリイミド、
ポリアミドイミド、ポリスルホン、ポリエーテルエーテ
ルケトン等が使用される。
【００２７】この仮止め用ボンド１０Ｂを使用した電子
部品の半田付け方法は、図２（ａ）（ｂ）（ｃ）および
図３（ａ）（ｂ）に示した第１実施例と同じである。す
なわち、図３（ａ）に示すようにこの仮止め用ボンド１
０Ｂを使用して電子部品５を搭載した基板１を加熱炉１
８へ送り、加熱炉１８内をコンベヤ１９により搬送しな
がら、加熱炉１８の内部に設けられたヒータ２０により
加熱された熱気をファン２１により基板１に吹き当てて
基板１をクリーム半田３の溶融温度（一般に１８３℃程
度）以上に加熱する。するとクリーム半田３は溶融し、
電子部品５は自重と溶融したクリーム半田３の表面張力
により十分に沈み込み、リード７は溶融したクリーム半
田３に十分に沈み込む。
部品の半田付け方法は、図２（ａ）（ｂ）（ｃ）および
図３（ａ）（ｂ）に示した第１実施例と同じである。す
なわち、図３（ａ）に示すようにこの仮止め用ボンド１
０Ｂを使用して電子部品５を搭載した基板１を加熱炉１
８へ送り、加熱炉１８内をコンベヤ１９により搬送しな
がら、加熱炉１８の内部に設けられたヒータ２０により
加熱された熱気をファン２１により基板１に吹き当てて
基板１をクリーム半田３の溶融温度（一般に１８３℃程
度）以上に加熱する。するとクリーム半田３は溶融し、
電子部品５は自重と溶融したクリーム半田３の表面張力
により十分に沈み込み、リード７は溶融したクリーム半
田３に十分に沈み込む。
【００２８】更に基板１を１８３℃以上まで加熱する
と、仮止め用ボンド１０Ｂ中の熱可塑性合成樹脂１３が
溶融し、硬化剤１２は合成樹脂１１中に溶出して仮止め
用ボンド１０Ｂは硬化し、本体部６は基板１に固着され
る。次いで基板１を加熱室１８から搬送して空冷用のフ
ァン２２により冷却すると、溶融したクリーム半田３は
固化してリード７は電極部２に固着される。この場合
も、図４に示すようにリード７は十分に沈み込んで電極
部２に半田付けされている。このようにこの仮止め用ボ
ンド１０Ｂはクリーム半田３が溶融した後で硬化するの
で、電子部品５の沈み込みを阻害することはなく、リー
ド７は電極部２にしっかり半田付けされる。（表２）は
従来例との比較を示している。
と、仮止め用ボンド１０Ｂ中の熱可塑性合成樹脂１３が
溶融し、硬化剤１２は合成樹脂１１中に溶出して仮止め
用ボンド１０Ｂは硬化し、本体部６は基板１に固着され
る。次いで基板１を加熱室１８から搬送して空冷用のフ
ァン２２により冷却すると、溶融したクリーム半田３は
固化してリード７は電極部２に固着される。この場合
も、図４に示すようにリード７は十分に沈み込んで電極
部２に半田付けされている。このようにこの仮止め用ボ
ンド１０Ｂはクリーム半田３が溶融した後で硬化するの
で、電子部品５の沈み込みを阻害することはなく、リー
ド７は電極部２にしっかり半田付けされる。（表２）は
従来例との比較を示している。
【００２９】
【表２】
【００３０】（表２）において、合成樹脂１１はビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂、硬化剤１２は２−メチルイ
ミダゾールである。また実施例１の熱可塑性合成樹脂１
３は溶融温度が２２０℃のポリフェニレンサルファイド
であり、実施例２の熱可塑性合成樹脂１３は溶融温度が
１９０℃のポリエーテルエーテルケトンである。また加
熱炉１８におけるリフロー温度（クリーム半田３を溶融
させるための温度）は２３０℃であり、リフロー時間は
９０秒である。
ェノールＡ型エポキシ樹脂、硬化剤１２は２−メチルイ
ミダゾールである。また実施例１の熱可塑性合成樹脂１
３は溶融温度が２２０℃のポリフェニレンサルファイド
であり、実施例２の熱可塑性合成樹脂１３は溶融温度が
１９０℃のポリエーテルエーテルケトンである。また加
熱炉１８におけるリフロー温度（クリーム半田３を溶融
させるための温度）は２３０℃であり、リフロー時間は
９０秒である。
【００３１】（表２）の接着強度の欄に示すように、従
来例では１５０℃で仮止め用ボンド４は硬化して２ｋｇ
ｆ以上の大きな接着強度が生じ、電子部品５の沈み込み
を阻害する。従来例の半田付けのオープン不良率は３５
％である。これに対し実施例１及び実施例２では２３０
℃あるいは２１０℃以上にならないと仮止め用ボンド１
０Ｂは硬化して２ｋｇｆ以上の大きな接着強度を生じな
いので、仮止め用ボンド１０Ｂがクリーム半田３の溶融
にともなう電子部品５の沈み込みを阻害することはな
く、したがって半田付けのオープン不良率は０％であ
る。
来例では１５０℃で仮止め用ボンド４は硬化して２ｋｇ
ｆ以上の大きな接着強度が生じ、電子部品５の沈み込み
を阻害する。従来例の半田付けのオープン不良率は３５
％である。これに対し実施例１及び実施例２では２３０
℃あるいは２１０℃以上にならないと仮止め用ボンド１
０Ｂは硬化して２ｋｇｆ以上の大きな接着強度を生じな
いので、仮止め用ボンド１０Ｂがクリーム半田３の溶融
にともなう電子部品５の沈み込みを阻害することはな
く、したがって半田付けのオープン不良率は０％であ
る。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように本発明の電子部品の
仮止め用ボンドによれば、電子部品の半田付けのために
基板を加熱炉で加熱すると、半田が溶融した後で仮止め
用ボンドは硬化するので、電子部品が自重と溶融した半
田の表面張力により沈み込むのを仮止め用ボンドが阻害
することはなく、電子部品の電極は基板の電極にしっか
り半田付けされる。
仮止め用ボンドによれば、電子部品の半田付けのために
基板を加熱炉で加熱すると、半田が溶融した後で仮止め
用ボンドは硬化するので、電子部品が自重と溶融した半
田の表面張力により沈み込むのを仮止め用ボンドが阻害
することはなく、電子部品の電極は基板の電極にしっか
り半田付けされる。
【図１】本発明の第一実施例における電子部品の仮止め
用ボンドの拡大図
用ボンドの拡大図
【図２】（ａ）本発明の第一実施例における電子部品の
仮止め用ボンドの基板の斜視図 （ｂ）本発明の第一実施例における電子部品の仮止め用
ボンドを塗布後の基板の側面図 （ｃ）本発明の第一実施例における電子部品の仮止め用
ボンドの電子部品が搭載された基板の側面図
仮止め用ボンドの基板の斜視図 （ｂ）本発明の第一実施例における電子部品の仮止め用
ボンドを塗布後の基板の側面図 （ｃ）本発明の第一実施例における電子部品の仮止め用
ボンドの電子部品が搭載された基板の側面図
【図３】（ａ）本発明の第一実施例における電子部品の
仮止め用ボンドの電子部品を半田付け中の加熱炉の断面
図 （ｂ）本発明の第一実施例における電子部品の仮止め用
ボンドの電子部品の半田付け後の側面図
仮止め用ボンドの電子部品を半田付け中の加熱炉の断面
図 （ｂ）本発明の第一実施例における電子部品の仮止め用
ボンドの電子部品の半田付け後の側面図
【図４】本発明の第一実施例における電子部品の仮止め
用ボンドの半田付け後の要部拡大図
用ボンドの半田付け後の要部拡大図
【図５】本発明の第一実施例における電子部品の仮止め
用ボンドの両面実装基板の半田付け中の側部断面図
用ボンドの両面実装基板の半田付け中の側部断面図
【図６】本発明の第二実施例における電子部品の仮止め
用ボンドの拡大図
用ボンドの拡大図
【図７】（ａ）従来の電子部品の仮止め用ボンドにおけ
る基板の斜視図 （ｂ）従来の電子部品の仮止め用ボンドにおける仮止め
用ボンドを塗布後の基板の側面図 （ｃ）従来の電子部品の仮止め用ボンドにおける電子部
品が搭載された基板の側面図 （ｄ）従来の電子部品の仮止め用ボンドにおける電子部
品が搭載された基板の側面図
る基板の斜視図 （ｂ）従来の電子部品の仮止め用ボンドにおける仮止め
用ボンドを塗布後の基板の側面図 （ｃ）従来の電子部品の仮止め用ボンドにおける電子部
品が搭載された基板の側面図 （ｄ）従来の電子部品の仮止め用ボンドにおける電子部
品が搭載された基板の側面図
【図８】従来の電子部品の仮止め用ボンドにおけるクリ
ーム半田の部分拡大図
ーム半田の部分拡大図
【図９】従来の電子部品の仮止め用ボンドにおける拡大
図
図
【図１０】従来の電子部品の仮止め用ボンドにおける半
田付後の要部拡大図
田付後の要部拡大図
【図１１】従来の電子部品の仮止め用ボンドにおける半
田付後の要部拡大図
田付後の要部拡大図
１０Ａ 仮止め用ボンド １０Ｂ 仮止め用ボンド １１ 合成樹脂 １２ 硬化剤 １３ 熱可塑性合成樹脂
Claims (2)
- 【請求項１】合成樹脂に、半田の溶融温度よりも高い溶
融温度を有する硬化剤を混合したことを特徴とする電子
部品の仮止め用ボンド。 - 【請求項２】合成樹脂に、半田の溶融温度よりも高い溶
融温度を有する熱可塑性合成樹脂で表面を被覆した硬化
剤を混合したことを特徴とする電子部品の仮止め用ボン
ド。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5019805A JP2682366B2 (ja) | 1992-11-24 | 1993-02-08 | 電子部品の仮止め用ボンド |
| US08/190,605 US5447267A (en) | 1993-02-08 | 1994-02-02 | Method of soldering electronic part using a bond for tacking the electronic part |
| US08/453,963 US5741597A (en) | 1992-11-24 | 1995-05-30 | Bond for tacking an electronic part |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-313089 | 1992-11-24 | ||
| JP31308992 | 1992-11-24 | ||
| JP5019805A JP2682366B2 (ja) | 1992-11-24 | 1993-02-08 | 電子部品の仮止め用ボンド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06216513A JPH06216513A (ja) | 1994-08-05 |
| JP2682366B2 true JP2682366B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=26356661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5019805A Expired - Lifetime JP2682366B2 (ja) | 1992-11-24 | 1993-02-08 | 電子部品の仮止め用ボンド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2682366B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6013416B2 (ja) * | 2014-08-26 | 2016-10-25 | 株式会社タムラ製作所 | 接着剤組成物および電子部品の接合方法 |
| JP2019165043A (ja) * | 2018-03-19 | 2019-09-26 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電子回路装置および回路基板の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2830408B2 (ja) * | 1990-07-19 | 1998-12-02 | 松下電器産業株式会社 | 電子部品のボンディング方法 |
-
1993
- 1993-02-08 JP JP5019805A patent/JP2682366B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06216513A (ja) | 1994-08-05 |
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