JP2638339B2 - Ｌｃ共振子及びその製造方法 - Google Patents
Ｌｃ共振子及びその製造方法Info
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- JP2638339B2 JP2638339B2 JP3160517A JP16051791A JP2638339B2 JP 2638339 B2 JP2638339 B2 JP 2638339B2 JP 3160517 A JP3160517 A JP 3160517A JP 16051791 A JP16051791 A JP 16051791A JP 2638339 B2 JP2638339 B2 JP 2638339B2
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- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フィルタ回路や発振回
路等に使用されるＬＣ共振子及びその製造方法に関す
る。
路等に使用されるＬＣ共振子及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術と課題】従来、この種のＬＣ共振子として
は、誘電体層と容量電極層を交互に積層して構成した積
層コンデンサ部と、磁性体層とコイル用導体を交互に積
層すると共に各コイル用導体をスルーホール等を介して
電気的に接続して構成した積層コイル部とを一体的に重
ね合わせたものが知られている。このような構造のＬＣ
共振子は、積層コンデンサ部のキャパシタンスＣや積層
コイル部のインダクタンスＬの数値がばらつき易く、所
望の共振特性を得るためには積層コイル部に穴を明ける
等してトリミングを実施する必要があった。
は、誘電体層と容量電極層を交互に積層して構成した積
層コンデンサ部と、磁性体層とコイル用導体を交互に積
層すると共に各コイル用導体をスルーホール等を介して
電気的に接続して構成した積層コイル部とを一体的に重
ね合わせたものが知られている。このような構造のＬＣ
共振子は、積層コンデンサ部のキャパシタンスＣや積層
コイル部のインダクタンスＬの数値がばらつき易く、所
望の共振特性を得るためには積層コイル部に穴を明ける
等してトリミングを実施する必要があった。
【０００３】そこで、本発明の課題は、キャパシタンス
ＣやインダクタンスＬが精度良く形成でき、共振特性を
調整するためのトリミングを必要としないＬＣ共振子及
びその製造方法を提供することにある。
ＣやインダクタンスＬが精度良く形成でき、共振特性を
調整するためのトリミングを必要としないＬＣ共振子及
びその製造方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
め、本発明に係るＬＣ共振子の製造方法は、（ａ） 一の容量電極が内蔵された誘電体基板を形成した
後、前記誘電体基板の一方の表面に前記一の容量電極と
対向する他の容量電極を形成してコンデンサを形成する
工程と、（ｂ） 前記誘電体基板の他方の表面に、薄膜法によって
コイル用導体を形成する工程と、（ｃ）ＬＣ共振回路を形成するため、前記誘電体基板の
端面に 前記容量電極と前記コイル用導体とを接続する外
部電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
ここに、薄膜法は、スパッタ法やフォトレジスト法等の
手段を意味する。
め、本発明に係るＬＣ共振子の製造方法は、（ａ） 一の容量電極が内蔵された誘電体基板を形成した
後、前記誘電体基板の一方の表面に前記一の容量電極と
対向する他の容量電極を形成してコンデンサを形成する
工程と、（ｂ） 前記誘電体基板の他方の表面に、薄膜法によって
コイル用導体を形成する工程と、（ｃ）ＬＣ共振回路を形成するため、前記誘電体基板の
端面に 前記容量電極と前記コイル用導体とを接続する外
部電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
ここに、薄膜法は、スパッタ法やフォトレジスト法等の
手段を意味する。
【０００５】また、本発明に係るＬＣ共振子は、 （ｄ）一の容量電極を内蔵した誘電体基板と、 （ｅ）前記誘電体基板の一方の表面に設けられ、前記一
の容量電極と対向してコンデンサを形成する他の容量電
極と、 （ｆ）前記誘電体基板の他方の表面に設けられ、かつ、
薄膜コイル導体と絶縁樹脂からなるコイルと、 （ｇ）前記誘電体基板の端面に設けられ、ＬＣ共振回路
を形成するために前記容量電極と前記薄膜コイル導体を
接続する外部電極と、 を備えたことを特徴とする 。
の容量電極と対向してコンデンサを形成する他の容量電
極と、 （ｆ）前記誘電体基板の他方の表面に設けられ、かつ、
薄膜コイル導体と絶縁樹脂からなるコイルと、 （ｇ）前記誘電体基板の端面に設けられ、ＬＣ共振回路
を形成するために前記容量電極と前記薄膜コイル導体を
接続する外部電極と、 を備えたことを特徴とする 。
【０００６】
【作用】 一の容量電極が内蔵された誘電体基板の寸法精
度を良くし、この誘電体基板の一方の表面に他の容量電
極をスパッタ法やフォトレジスト法等の手段を用いて形
成することにより、容量電極間に発生するキャパシタン
スＣのばらつきが少ないコンデンサが形成される。
度を良くし、この誘電体基板の一方の表面に他の容量電
極をスパッタ法やフォトレジスト法等の手段を用いて形
成することにより、容量電極間に発生するキャパシタン
スＣのばらつきが少ないコンデンサが形成される。
【０００７】また、コイル用導体を誘電体基板の他方の
表面に薄膜法によって形成することにより、従来のよう
に複数個のコイル用導体をスルーホール等を介してシリ
ーズに電気的接続しなくてすむ。従って、コイル用導体
は寸法精度の優れた薄膜状コイルとなり、インダクタン
スＬのばらつきが少ないコイルが形成される。
表面に薄膜法によって形成することにより、従来のよう
に複数個のコイル用導体をスルーホール等を介してシリ
ーズに電気的接続しなくてすむ。従って、コイル用導体
は寸法精度の優れた薄膜状コイルとなり、インダクタン
スＬのばらつきが少ないコイルが形成される。
【０００８】
【実施例】以下、本発明に係るＬＣ共振子及びその製造
方法の一実施例について添付図面を参照して説明する。
本実施例では、ＬＣ共振子１個の場合について説明する
が、量産時は複数個のＬＣ共振子を備えたマザー基板の
形態で製造されることになる。図１及び図２に示すよう
に、誘電体基板１の内部には容量電極２が内蔵されてい
る。この誘電体基板１は、容量電極２をスパッタ法やフ
ォトレジスト法等の手段を用いて寸法精度良く誘電体部
材１ａの上面に設け、この誘電体部材１ａに別の誘電体
部材１ｂを貼り合わせて製作される。誘電体基板１の寸
法、特に誘電体部材１ａの厚み寸法は精度良く仕上られ
ている。
方法の一実施例について添付図面を参照して説明する。
本実施例では、ＬＣ共振子１個の場合について説明する
が、量産時は複数個のＬＣ共振子を備えたマザー基板の
形態で製造されることになる。図１及び図２に示すよう
に、誘電体基板１の内部には容量電極２が内蔵されてい
る。この誘電体基板１は、容量電極２をスパッタ法やフ
ォトレジスト法等の手段を用いて寸法精度良く誘電体部
材１ａの上面に設け、この誘電体部材１ａに別の誘電体
部材１ｂを貼り合わせて製作される。誘電体基板１の寸
法、特に誘電体部材１ａの厚み寸法は精度良く仕上られ
ている。
【０００９】次に、図３及び図４に示すように、誘電体
基板１の上面にポリイミド樹脂等の絶縁体層５を略全面
にスクリーン印刷等の手段にて形成する。但し、絶縁体
層５は必ずしも必要なものではない。これを設ける理由
は、後述のコイル用導体８の線間に生じる浮遊容量を絶
縁体層５の低誘電率を利用して小さくするためである。
さらに、この絶縁体層５の表面中央部、左縁部及び右縁
部にそれぞれ渦巻き形状のコイル用導体８、引出し電極
９ａ及び引出し電極９ｂがスパッタ法やフォトレジスト
法等の手段にて寸法精度良く形成される。コイル用導体
８の一方の端部は引出し電極９ａに電気的に接続してい
る。コイル用導体８及び引出し電極９ａ，９ｂを形成し
た後、ポリイミド樹脂等の絶縁膜１２がコイル用導体８
の一部を被覆するべく局所的に絶縁体層５の表面に設け
られる。さらに、この絶縁膜１２の表面にコイル用導体
８の他方の端部と引出し電極９ｂを電気的に接続する接
続導体１５を配設する。
基板１の上面にポリイミド樹脂等の絶縁体層５を略全面
にスクリーン印刷等の手段にて形成する。但し、絶縁体
層５は必ずしも必要なものではない。これを設ける理由
は、後述のコイル用導体８の線間に生じる浮遊容量を絶
縁体層５の低誘電率を利用して小さくするためである。
さらに、この絶縁体層５の表面中央部、左縁部及び右縁
部にそれぞれ渦巻き形状のコイル用導体８、引出し電極
９ａ及び引出し電極９ｂがスパッタ法やフォトレジスト
法等の手段にて寸法精度良く形成される。コイル用導体
８の一方の端部は引出し電極９ａに電気的に接続してい
る。コイル用導体８及び引出し電極９ａ，９ｂを形成し
た後、ポリイミド樹脂等の絶縁膜１２がコイル用導体８
の一部を被覆するべく局所的に絶縁体層５の表面に設け
られる。さらに、この絶縁膜１２の表面にコイル用導体
８の他方の端部と引出し電極９ｂを電気的に接続する接
続導体１５を配設する。
【００１０】次に、図５及び図６に示すように、誘電体
基板１の下面に容量電極３をスパッタ法やフォトレジス
ト法等の手段を用いて寸法精度良く形成した後、コイル
用導体８や容量電極３等をポリイミド樹脂等の絶縁体層
１７，１８にて被覆する。なお、量産時は、この後マザ
ー基板を製品毎に切り離すことになる。さらに、基板１
の左右両端部に外部電極２０，２１をスパッタ等の手段
にて設けて完成品とする。
基板１の下面に容量電極３をスパッタ法やフォトレジス
ト法等の手段を用いて寸法精度良く形成した後、コイル
用導体８や容量電極３等をポリイミド樹脂等の絶縁体層
１７，１８にて被覆する。なお、量産時は、この後マザ
ー基板を製品毎に切り離すことになる。さらに、基板１
の左右両端部に外部電極２０，２１をスパッタ等の手段
にて設けて完成品とする。
【００１１】外部電極２０は容量電極２及び引出し電極
９ａに電気的に接続しており、外部電極２１は容量電極
３及び引出し電極９ｂに電気的に接続している。図７は
こうして得られたＬＣ共振子の電気等価回路図である。
ここに、Ｃは容量電極２と３の間に発生するキャパシタ
ンスであり、Ｌはコイル用導体８に発生するインダクタ
ンスである。キャパシタンスＣは、寸法精度の良い誘電
体基板１や容量電極２，３にて構成されたコンデンサの
キャパシタンスであるので、その数値のばらつきは小さ
い。また、コイル用導体８は、従来のように複数個のコ
イル用導体をスルーホール等を介してシリーズに接続す
る構造ではないので、寸法精度の優れた薄膜状コイルと
なり、インダクタンスＬのばらつきが少ないコイルが得
られる。この結果、共振特性を調整するためのトリミン
グを必要としないＬＣ共振子が得られる。
９ａに電気的に接続しており、外部電極２１は容量電極
３及び引出し電極９ｂに電気的に接続している。図７は
こうして得られたＬＣ共振子の電気等価回路図である。
ここに、Ｃは容量電極２と３の間に発生するキャパシタ
ンスであり、Ｌはコイル用導体８に発生するインダクタ
ンスである。キャパシタンスＣは、寸法精度の良い誘電
体基板１や容量電極２，３にて構成されたコンデンサの
キャパシタンスであるので、その数値のばらつきは小さ
い。また、コイル用導体８は、従来のように複数個のコ
イル用導体をスルーホール等を介してシリーズに接続す
る構造ではないので、寸法精度の優れた薄膜状コイルと
なり、インダクタンスＬのばらつきが少ないコイルが得
られる。この結果、共振特性を調整するためのトリミン
グを必要としないＬＣ共振子が得られる。
【００１２】なお、本発明に係るＬＣ共振子及びその製
造方法は、前記実施例に限定するものではなく、その要
旨の範囲内で種々に変形することができる。コイル用導
体や容量電極の形状は任意であって製品の仕様に合わせ
て決定される。また、前記実施例のＬＣ共振子は等価電
気回路では並列共振回路を構成するものであるが、直列
共振回路を構成するものでもよい。
造方法は、前記実施例に限定するものではなく、その要
旨の範囲内で種々に変形することができる。コイル用導
体や容量電極の形状は任意であって製品の仕様に合わせ
て決定される。また、前記実施例のＬＣ共振子は等価電
気回路では並列共振回路を構成するものであるが、直列
共振回路を構成するものでもよい。
【００１３】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、一の容量電極が内蔵された誘電体基板を形成
し、この誘電体基板の一方の表面に前記一の容量電極と
対向する他の容量電極を形成してコンデンサを形成し、
かつ、誘電体基板の他方の表面に薄膜法によってコイル
用導体を形成したので、キャパシタンスＣのばらつきが
少ない板状のコンデンサとインダクタンスＬのばらつき
が少ない薄膜状のコイルが形成され、共振特性を調整す
るためのトリミングを必要としないＬＣ共振子が得られ
る。
よれば、一の容量電極が内蔵された誘電体基板を形成
し、この誘電体基板の一方の表面に前記一の容量電極と
対向する他の容量電極を形成してコンデンサを形成し、
かつ、誘電体基板の他方の表面に薄膜法によってコイル
用導体を形成したので、キャパシタンスＣのばらつきが
少ない板状のコンデンサとインダクタンスＬのばらつき
が少ない薄膜状のコイルが形成され、共振特性を調整す
るためのトリミングを必要としないＬＣ共振子が得られ
る。
【図１】本発明に係るＬＣ共振子及びその製造方法の一
実施例を示す斜視図。
実施例を示す斜視図。
【図２】図１に示したＸ−Ｘ’の垂直断面図。
【図３】図１に続くＬＣ共振子の製造方法の一実施例を
示す斜視図。
示す斜視図。
【図４】図３に示したＸ−Ｘ’の垂直断面図。
【図５】図３に続くＬＣ共振子の製造方法の一実施例を
示す斜視図。
示す斜視図。
【図６】図５に示したＸ−Ｘ’の垂直断面図。
【図７】図５に示したＬＣ共振子の等価電気回路図。
１…誘電体基板 ２，３…容量電極 ８…コイル用導体 ２０，２１…外部電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 牧田 隆志 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株 式会社村田製作所内 (56)参考文献 特開 昭58−145114（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】 一の容量電極が内蔵された誘電体基板を
形成した後、前記誘電体基板の一方の表面に前記一の容
量電極と対向する他の容量電極を形成してコンデンサを
形成する工程と、 前記誘電体基板の他方の表面に、薄膜法によってコイル
用導体を形成する工程と、ＬＣ共振回路を形成するため、前記誘電体基板の端面に
前記容量電極と前記コイル用導体とを接続する外部電極
を形成する工程と、 を備えたことを特徴とするＬＣ共振子の製造方法。 - 【請求項２】 一の容量電極を内蔵した誘電体基板と、 前記誘電体基板の一方の表面に設けられ、前記一の容量
電極と対向してコンデンサを形成する他の容量電極と、 前記誘電体基板の他方の表面に設けられ、かつ、薄膜コ
イル導体と絶縁樹脂からなるコイルと、 前記誘電体基板の端面に設けられ、ＬＣ共振回路を形成
するために前記容量電極と前記薄膜コイル導体を接続す
る外部電極と、 を備えたことを特徴とするＬＣ共振子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3160517A JP2638339B2 (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | Ｌｃ共振子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3160517A JP2638339B2 (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | Ｌｃ共振子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513254A JPH0513254A (ja) | 1993-01-22 |
| JP2638339B2 true JP2638339B2 (ja) | 1997-08-06 |
Family
ID=15716673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3160517A Expired - Fee Related JP2638339B2 (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | Ｌｃ共振子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2638339B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2757948B2 (ja) * | 1993-05-06 | 1998-05-25 | ローム株式会社 | チップ型複合電子部品の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58145114A (ja) * | 1982-01-25 | 1983-08-29 | ティーディーケイ株式会社 | Ｌｃ複合部品 |
-
1991
- 1991-07-01 JP JP3160517A patent/JP2638339B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0513254A (ja) | 1993-01-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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