JP2625109B2 - プラズマ増強化学蒸着のためのプラズマ装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は物品のプラズマ増強化学蒸着（PECVD）装置
のためのプラズマ装置に関する。

（従来の技術） 種々のエッチングプロセスにプラズマ反応装置を用い
ることは周知である。また、半導体ウエーハにたとえば
導電層または絶縁層を被着するのにプラズマ反応装置を
用いることもしばしば利用される訳ではないが知られて
いる。平面的プラズマ反応装置の利点はたとえば米国特
許第4,223,048号で周知であるが、これにはいくつかの
問題がある。この方法に固有の問題もいくつかある。

（発明が解決しようとする問題点） 化学蒸着プロセスは、物質の蒸着が施されるべき対象
物（例えば半導体ウエーハ）は加熱されなければならな
い。対象物の温度を上げるのに必要な熱は、加熱ランプ
を含む赤外線源によって提供される。しかしながら、こ
のような加熱ランプは、スイッチが入れられるとかなり
膨張する傾向がある。このような膨張によって、このよ
うな加熱ランプを物理的に支持し且つ同ランプと電気的
に接触する電気端子間においてランプに圧縮応力を生じ
る。この圧縮応力は、ランプの破壊の危険性を生じ且つ
このようなランプに対する電気的接触の信頼性を低くす
る。したがって、本発明の目的は改良されたプラズマ被
着装置を提供することである。

本発明の他の目的は、半導体ウエーハを加熱するため
の改良された手段を提供することである。

本発明のさらに他の目的は、ランプが加熱中に膨張す
るときにランプに圧縮応力がかかるのを避ける、放射加
熱ランプのための支持取り付け手段を提供することであ
る。

本発明のさらに別の目的は、ランプが加熱されるとき
にかなり膨張してもランプの端子との電気的接触の信頼
性を改良した、放射加熱ランプのための支持取り付け手
段を提供することである。

（問題点を解決するための手段およびその作用） 前記目的は本発明によって達成される。本発明の装置
においては、蒸着が施されるべき対象物上に物質を蒸着
するためのプラズマ反応器が、反応チャンバを形成して
いるハウジングを含んでいる。このハウジングは、熱線
に対して半透過性又は透過性の窓を含んでいると共に、
反応チャンバへガスを供給し及び反応チャンバからガス
を排出するためのガス交換ポートをも含んでいる。プラ
ズマ反応器はまた、反応チャンバ内にグロー放電を生じ
させるためのプラズマ放電回路をも含んでいる。

放射加熱装置が、反応チャンバ内において蒸着が施さ
れるべき対象物を放射加熱するための熱線に対して半透
過性の窓の外側に隣接して位置決めされている。放射加
熱装置は、少なくとも一つの加熱ランプを支持するため
のベースを含んでいる。加熱ランプは、両端に電気端子
を有する。弾性的ブラケットのような支持部分がベース
に取り付けられて 、電気端子においてランプを弾性的
に支持し且つ同端子に電気的接触させるようになされて
いる。好ましい実施形態においては、このようなランプ
が複数個ベースの中心の周りに対称的に配列されてい
る。ベースは、導電性材料によって作ることができ、そ
の場合には、絶縁性のフィードスルー部材が導電性のベ
ース内を貫通して延びており、導電性ボルトがベース及
び絶縁性のフィードスルー部材のうちの一つを貫通して
延びて、加熱ランプの端子に対する電気的接続を提供し
つつ各支持部分をベースに取り付けている。

本発明のより完全な理解は添付図面に関連した次の詳
細な説明によって得ることができるであろう。

（実施例） 第１図はプラズマ増強化学蒸着用の反応チャンバの好
適実施例を示す。本発明により、仕切り板によって分離
された２つのチャンバが備えられ、半導体ウエーハを含
んだ一方の反応器チャンバはプラズマが発生する他方の
入口チャンバからウエーハの直径より小さい開口によっ
て分離されている。

特に、反応器10は適当な手段（図示せず）によって絶
縁性部材12に取付けられた上部電極11を有している。絶
縁性部材12は、各主表面にＯリングのような適当な封入
部材を受ける溝を有する環状リングを備えているのが望
ましい。絶縁性部材12はこれもまた環状リングを備えて
いるのが望ましい導電性部材13に機械的に接続される。
導電性部材13は後で説明するガス供給、排出管、および
それ自体は当業者に周知の適当な冷却手段を有してい
る。部材12および13は反応器の側壁を形成するが同じ厚
さである必要はない。10.16cm（４インチ）直径のウエ
ーハ上に被着をなす反応器での典型的な厚さは絶縁性部
材12に対して1.27cm（0.5インチ）、導電性部材13に対
して1.27cm（0.5インチ）である。これらの各部材の中
央孔は典型的には10.16cm（４インチ）直径のウエーハ
に対して15.24cm（６インチ）であるがこれらは同じで
ある必要はない。

導電性部材13によって画定された空間内には、大体平
らな部分２と環状壁部３を有する仕切り板14がある。平
面部２は導電性部材13から所定の距離４、たとえば0.25
4cm（100ミル）、だけ離れている。４インチ（10.16c
m）ウエーハ上に被着層を形成するシステムでは、壁３
は導電性部材13から所定の距離、たとえば300ミル（0.7
62cm）だけ離れている。ここに示した以外の寸法でも、
環状壁３の高さはチャンバの寸法および形状によって変
わる。４インチ（10.16cm）ウエーハに層被着をなすチ
ャンバでは0.5インチ（1.27cm）の高さが適当であるこ
とが判明している。

導電性部材13は複数個のガス供給、排出ポート（詳細
は第３図）を有している、ガス供船ポートに第１図に示
された延長部15のような延長部が接続されている。延長
部15は導電性部材13に接続され、壁３の適当な大きさの
穴を貫通する。仕切り板14の平面部２はたとえば３イン
チ（7.62cm）の直径でほぼ中央に位置している孔17を有
している。こうして、反応器10は入口チャンバ16とウエ
ーハ19を含んだ反応チャンバ18を備えることになる。こ
れらのチャンバは開孔17および仕切り板14の周囲の間隙
４を介して連絡する。

ウエーハ19は、フレーム22によって適所に保持され好
ましくは石英で形成された熱線に対して半透過性または
透過性の絶縁性部材21の上に載っている。絶縁性部材21
はウエーハ19のまわりのチャンバ18を閉じるものであ
る。部材21はまた窓を備えることができ、そこを通して
ウエーハを放射加熱できる。

反応器10の放射加熱部はカップ状の導電性部材23にマ
ウントされた複数個のランプ24,25,26を備えている。こ
の導電性部材23はこれらのランプを囲み、冷却ガスまた
は空気の供給、排出用の適当な通路を有している。ラン
プ24〜26は、ANSI製DXW、120V1000Wランプのような赤外
線放射が多いハロゲンランプが望ましい。本発明の好適
実施例では、図示されてはいないけれどもランプ25と対
向し、チャンバの中心のまわりの他のランプとほぼ対称
関係になった第４のランプが備えられる。ランプ24〜26
は取り付け金具（ブラケット）31によって弾力的にマウ
ントされ、絶縁性フィードスルー部材32を貫通している
導電性ボルト33によって絶縁性フィードスルー部材32に
取付けられる。カップ23は赤外線放射の反射を増大させ
るために金メッキされているのがよい。

こうして、ランプは導電性部材33に固定的に取付けら
れるがそれでもなお弾力的にマウントされるので、ラン
プがターンオンされたときに受ける大きな膨張の間に、
ランプに対する信頼性の高い接触がそのランプに圧縮力
を加えなくても形成される。絶縁性フィードスルー部材
32はランブに加えられた電力をカップ23から絶縁するも
のである。

ウエーハ19の質量をシミュレートする予め定められた
質量の小さな円板上にマウントされた熱電対39はカップ
23内にマウントされているがそこからは熱絶縁されてい
る。典型的なプロセスの実施の間にシリコンウエーハは
約400℃の温度に加熱され、その温度に保たれなけれは
ならない。この温度を直接にモニタし制御することは、
反応ガスが存在すること、高周波の電界、良好な真空シ
ールを維持する必要があることなどのために非常に難し
い。本発明によれば、所定質量の円板上に配置された熱
電対39はウエーハの加熱をシミュレートし、ウエーハの
温度をモニタし制御する比較的簡単な手段を与える。

第２図は本発明による温度センサの構造を詳細に示
す。熱電対39はたとえば陽極酸化処理されたアルミニウ
ム、セラミックまたはグラファイトでできた円板40に取
付けられる。円板40は、一般的にいって低反射率低比熱
材料なら何でもよい。円板40は複数個のピン、たとえば
ピン49によって取付け部品48から熱絶縁され、そのピン
上への円板の配置を容易にするようにくぼませてある。
円板40はランプ用の冷却空気からその円板40を隔離する
熱線透過性の管48aによって囲まれている。管48aは窓21
の方へ延びるがそれには接触しない。管48bが取付け部
品48のほぼ中央に配置され、冷却空気を円板40に運ぶ。
この空気は継続して供給されず、「リセット空気」と呼
ばれ、ランプ冷却用の空気から区別される。すなわち、
リセット空気は円板40を基準温度にもっていくのに用い
られる。基準温度に達すると、プロセスサイクルが開始
することができ、それが開始すると、円板40の温度が上
昇できるようにリセット空気が止められる。

熱線透過性の管48aは石英でできているのがよく、管4
8bはステンレス鋼でできているのがよい。都合がよいこ
とには、管48bは熱電対39に対するリード線への接続お
よび円板40にバネ負荷を与えてそれをピン49に対して適
所に保持する手段を提供する。また、熱電対の選択は円
板40の温度範囲による。典型的な材料はクロメルーアル
メル（Chromel−alumel）やプラチナ−プラチナ・ロジ
ウム（platinum−platinum）/rhodium）合金である。

本発明により、上部電極11はRF電源５、たとえば13.5
6MHzで最大数百ワットの電源に接続される。他の周波数
および電力範囲も用いることができることはプラズマ被
着技術の当業者には理解できるであろう。導電性部材13
は接地されているのがよく、それによってプラズマ放電
が供給ラインまたは排出ラインに入る傾向が抑えられ
る。

第３図は本発明による仕切り板延長部の一部を示す。
すなわち、導電性部材13はそれに取付けられ、仕切り板
14の壁３の適当な穴を貫通する延長部15を有する。穴42
および43のような複数個の穴が壁３のまわりにほぼ一定
間隔で備えられチャンバ内のガスの分布が相対的に均一
になるようにする。同様に、排出ポート45,46等は導電
性部材13の内面のまわりに均一に分布しているのが望ま
しい。延長部15およびその他の延長部は中空管であっ
て、それは密封端および、ウエーハ19から離れたチャン
バ18および開口17内のガスを逃がすための上部の穴41を
有している。これによってガスの混合が改良され、した
がってウエーハ19上の被着も改良される。

第４図に示すように、延長部は全部同じ長さではな
く、長さを変えて被着の均一性を改良する。第４図に示
すように、２つの隣り合った延長部は同じ長さではな
く、仕切り板14の壁３から内側へ放射状に延びいくつか
の対のうちの１つの対を形成している。第４図にはこの
特定のパターンをもつものとして図示したが、他の種々
の形状も用いることができることは当業者に理解できる
であろう。たとえば、３本の異なった長さの延長部を用
いることもできるであろうし、２本の異なった長さの延
長部を４本一組にして左右対称に配列することもできる
であろう。

第５図に示すように、本発明の反応器はウエーハの自
動処理のための種々のウエーハ輸送システムを収容する
ために反転することができる。これを実現するために、
反応器の一部は輸送に対する余裕を与えるように可動に
なっている。すなわち、反応器は固定され、チャンバの
上部となるランプハウジング60で分離されている。チャ
ンバの残りは、ウエーハがたとえば輸送機構（図示せ
ず）からのへらによって挿入できるように降下される。
第５図の反応器は、いくつかは簡単のために便宜上除か
れてはいるが第１図に示したすべての要素を含んでい
る。第１図と第５図の主な違いはタイン（歯）67,68を
用いてウエーハ19をランプハウジング60の窓に対して保
持していることである。タインの実際の数は重要ではな
いが、ウエーハを保持するには最低３個は必要である。

反応器チャンバおよび入口チャンバが点線のように降
下されるとき、タイン67,68は封入面の上で上方へ広が
っているから、ウエーハは輸送機構で配置または回収で
きる。チャンバが上昇されると、ウエーハ19は窓に対し
て強固に保持されるのでウエーハの下側で被着が生じ
る。タインはチャンバの壁にマウントされた片持ち梁
で、信頼できるウエーハ転送を保証するに充分遠いとこ
ろまでのみウエーハ19の縁へ広がる。

本発明によるプラズマ反応器の動作は加熱およびプラ
ズマ放電時間が図示されている第６図を参照することに
よって理解できるであろう。被着サイクルの間に、ウエ
ーハ19は曲線55によって示されるように所定の温度まで
加熱される。その温度、たとえば約400℃に達すると、
ランプ24〜26に印加される電力はウエーハ19を比較的一
定の温度に維持するために減少される。この時間の間に
グロー放電が入口チャンバ内で点弧され、ウエーハ19に
接触し被着サイクルを開始させる反応性種を与える。プ
ラズマ放電は被着を開始、凝集させる（nucleate）のに
必要と思われるが２珪化タングステンの被着の継続には
有害であることがわかっている。本発明によりグロー放
電は第６図において斜線領域59で示された所定時間終了
させる。しかし、被着プロセスはウエーハ19が反応ガス
の解離温度を越えた温度に維持されるので継続する。さ
らに、１つには被着層の所望の厚さによって決定される
一定時間経過後、ランプ24〜26への印加電力はゼロに減
少され、ウエーハ19は曲線58によって示されるよう冷却
できるようになる。

ウエーハの温度の制御は本発明によれば所定の最低温
度を越えた適当な被着温度を選ぶことによって重要性は
減少する。第７図に示すように所定プロセスの被着率は
温度に依存する。この温度依存性は、アレーニウスプロ
ットに従う、すなわち、被着はｅ（自然対数の底）の絶
対温度の負の逆数乗に比例することがわかっている。こ
の曲線の傾きはこの反応の見かけの活性化エネルギに比
例する。この曲線は線61のような比較的なだらかな傾き
をもった第１の線と線62のようなかなり急な傾きをもっ
た第２の線とによって一般化できる。本発明において
は、ウエーハ19の温度は第７図に示された温度Tc以上の
温度に維持され、そこでは被着率が温度変化とともに除
々に変化する。こうして、最低の被着温度を越えている
かぎり、膜厚制御のためには、温度制御は重要ではある
が決定的ではないシステムが得られる。

ウエーハの温度の制御は第６図及び第７図のように素
朴なものではない。第８図は、上の曲線でウエーハ19の
温度および下の曲線で熱電対39の温度を示す。本発明に
よるプロセスは第１図、第６図および第７図を一緒に参
照することによって最もよく理解できるであろう。

熱および温度は熱力学的には別々のものであるから、
木発明において最大精度はウエーハ19とセンサ39が既知
の温度でプロセスサイクルを始めたときに得られる。ウ
エーハ19は通常、室温20℃にある。センサ39は前述した
とおりセット空気の付加により所定の温度にされる。こ
の温度に達すると、初期の低電力がランプ24〜26に印加
され、ランプフィラメントを暖め、流入（inrush）電流
を最小にする。短時間、たとえば２秒経過後、全電力が
ランプ24〜26に印加されウエーハ19を被着温度まで上げ
る。これは第６図の曲線55および第８図の曲線63,73に
よって示される。

ウエーハ19および円板40は、その赤外線エネルギが石
英窓21によってウエーハ19に伝達されるランプ24〜26に
よって共に放射加熱される。ウエーハ19は入射エネルギ
の大部分を吸収し、温度が上昇する。円板40も同様であ
る。所定のウエーハ温度、たとえば390〜400℃に達する
と、ランプ24〜26に印加される電力はウエーハ19の温度
を維持するに十分な所定の低レベルまで減少される。

第８図に示されるように、熱電対39の温度は曲線64に
示されるように急に低下し曲線65で示される低温度で安
定する。円板の温度は放射冷却のため、またある程度は
通路35を流れる空気またはガスによるランプ24〜26の冷
却のために低下する。窓21の他方側にあるウエーハ19の
温度は曲線75で示されるほぼ一定のレベルに維持され
る。第８図に示された曲線のデータはウエーハの温度が
センサ39の較正の間に複数個のプローブによって直接に
測定される実際の実験において得られた。

第８図において上の曲線によって示される温度と下の
曲線によって示される温度の比はいくつかのファクタに
依存する。これらの中には実施されているプロセスその
ものだけでなく、円板40の位置、質量、反射率および比
熱などがある。円板40の材料を適当に選ぶことによっ
て、曲線63,64によって形成されるピークを除いたり、
曲線65のレベルを上げることができる。

ウエーハ19に対して円板40の温度を上昇させることは
温度制御を改良する理論的な効果がある。たとえば、第
８図に示されるように、円板温度（曲線65）に５℃の誤
差があると、ウエーハ温度（曲線75）に10℃または12℃
の誤差が生じることになろう。円板温度がウエーハ温度
より高ければ、誤差は減少するであろう。円板40として
グラファイトを用いれば円板の温度はプロセスサイクル
の間にアルミニウム円板の場合よりもずっと高くなり、
またウエーハの温度よりも高くさえなる。しかし、熱電
対材料も高温度に耐え得るがクロメル−アルメルより小
さい抵抗温度係数をもつ材料たとえばプラチナーロジウ
ム／プラチナ合金に変更する必要がある。したがって、
改良効果は期待するほど大きくはない。

反応ガスたとえばジクロルシランが導電性部材13およ
び延長部15を介して反応器チャンバ18に供給される。そ
のガスはまたプラズマ放電が開始される入口チャンバ16
を循環する。供給ガスはガス状生成物とともに壁３の外
側に配置された導電性部材13のポートを介して排出され
る。したがって、チャンバ内のガスの流れは大まかにい
うと中央部から周辺部への放射状の流れとみることがで
きる。周知のように、ジクロルシランは加熱ウエーハ19
が存在するとき解離してその上にシリコンを被着させ
る。プラズマ放電はシリコンの被着を開始させるもので
ある。

中央領域から周辺へのガス流が存在するだけでなく電
界線も存在する。一般に、電界は上部電極11から導電性
部材13へ発散する。この発散によって薄いゲート酸化物
のような高感度素子の放射損傷が減少する。電界およぴ
ガスの発散にもかかわらず、良好な均一性が得られる。
これはガス分布の調整およびチャンバが小さいこと、す
なわち４インチ（10.16cm）ウエーハに約1/2リットルの
容積、に基づくものと思われる。典型的な単一ウエーハ
プラズマ反応器は５〜７リットルの容積を有している。
入口チャンバからウエーハへ移動するイオンは本発明の
チャンバでは遠くまで行く必要がない。

第９図はウエーハから窓によって分離された温度検知
装置がウエーハの温度を示す信号を発生する回路を図示
する。交換器はその信号をディジタル形式に変換し、ラ
ンプに接続された制御装置はそのディジタル信号によっ
てランプから放散される電力を調整する。

ウエーハの温度は前述したように熱電対39および円板
40によってシミュレートされる。熱電対39はそれに対す
る適当な増幅、線形化特性を与える演算増幅器81に接続
される。演算増幅器81はスレショルド検知増幅器82およ
び83に接続される。増幅器82および83は少なくとも何ら
かのヒステリシスを有しているのがよく、それによって
雑音がランプの間欠的な付勢を生じさせるのを防ぐ。比
較器82はまたポテンショメータ84によって示された可変
電圧源に接続される。同様に、比較器83はポテンショメ
ータ85として第９図に示された可変電圧源に接続された
別の入力を有している。ポテンショメータ84および85は
それぞれ比較器82および83によって検知されるスレショ
ルドを設定する。

動作の際、比較器82および83は入力の電圧レベルを比
較し、どの入力が大きな電圧をもっているかを示す出力
を発生する。こうして、熱電対39によって検知された温
度の２進表示が得られる。この２進表示は、第９図に示
されたCPU91を有する適当なマイクロプロセッサの入力
に与えられる。CPU91はデータバス92として示された出
力を有し、その出力はCPU91と制御回路94の間の必要な
隔離を与えるインタフェース回路93に接続される。イン
タフェース回路93は、AC電力線のゼロ交差と同期する制
御回路94に信号を与えるゼロ交差検波器を有している。
こうして、供給電力の半サイクルの同期スイッチングに
よってランプの電力が制御でき、電力線のゼロ交差に関
してターンオン点を取ることができる。制御回路94は、
適当な電源95からランプ101および103へ高電圧、高電流
を切換えるためのシリコン制御整流器（SCR）のような
装置を含む。

第９図に示した要素に対応する電気部品はそれ自体は
当業者に公知のもので、しばしば単一の半導体素子でよ
い。

動作においては、スイッチングスレショルド（しきい
値）はポテンショメータ84および85によって設定され
る。熱電対39からの出力は増幅器81によって増幅され、
線形化され、比較器82および83の他の入力に与えられ
る。プロセスの初期相の間に、熱電対39はポテンショメ
ータ84によって表示される所定の初期温度に冷却され
る。この温度に達すると、比較器82からの出力は状態を
変化させ、その状態の変化はCPU91によって検知され
る。その際、CPU91はインタフェース回路93を介して制
御回路94に信号を与え、ランプ101および103を所定の量
だけターンオンする。

一定時間経過後、CPU91は制御回路94にランプ101及び
103に全電力を与えるよう指示する。その間に、熱電対3
9の温度はCPU91へ温度設定点を与える比較器82および83
によって連続的にモニタされる。CPU91が所定の被着温
度が得られたことを示す信号を比較器83から受けると、
CPU91は制御回路94に減少された量の電力ランプ101およ
び103に与えるよう指示する。CPU91への他の入力（図示
せず）はそれのタイミングたとえばプロセスサイクルの
継続時間を制御する。プロセスサイクルが終了すると、
CPU91は制御回路94にランプ101および103からの電力を
除去するように指示し、それによってウエーハ19が冷却
できるようになる。冷却相の間に、不活性ガスがチャン
バ16および18に供給され、ウエーハ19の冷却効果を高め
る。次に、チャンバ16および18はウエーハ19を除去でき
るように大気圧に戻される。

本発明の特定の例として、アモルファスシリコンがジ
クロルシランから１分間0.09ミクロンの速度、200ミリ
トールの圧力、92SCCMの流量、温度500℃、150Wの供給R
F電力で60秒間被着された。被着膜は900オングストロー
ムの厚さ、無限大の抵抗および±2.5％のウエーハ横断
均一性を有していた。

本発明の第２の特定例は、１分間に2000オングストロ
ームの速度、150ミリトールの圧力、ジクロルシランの5
0SCCM、６フッ化タングステンの2.8SCCMの流れ、450℃
の温度でジクロルシランと６フッ化タングステンの混合
物から２珪化タングステンを被着するものである。被着
膜は60秒で2000オングストロームの厚さ、300μΩcmの
被着抵抗率、5500オングストロームで50％の反射率およ
び±５％の厚さ均一性を有していた。プラズマは約15秒
後に終了した。すなわち、プラズマは２珪化タングステ
ンの層を形成または凝集するのに用いるにすぎない。

（発明の効果） こうして、本発明によって、半導体ウエーハを加熱す
るための改良された手段を備えた、化学蒸着用の大きく
改良されたプラズマ反応器が提供される。また、ランプ
が加熱中に膨張するときにランプに圧縮応力がかかるの
を避けることができる。更に、ランプが加熱されるとき
にかなり膨張してもランプの端子との電気的接触の信頼
性が改良される。

本発明の装置においては、ウエーハは効率的に放射加
熱され、ウエーハの温度をシミュレートして被着制御を
なす。温度、ガス均一性の制御および反応器の内部仕切
り板によって被着層の均一性が確保される。また、高速
の被着が得られる。

これで本発明の説明を終了するが、当業者には、本発
明の精神および範囲内で種々の修正がなされ得ることは
明らかであろう。たとえば、反応器10は導電性部材用の
ステンレス鋼、および絶縁性部材用の石英を含むのが望
ましいが、インコネル、グラファイトまたはセラミック
のような他の材料も用いることができる。プログラム可
能な論理を用いているので、他の特徴も得られる。たと
えば、フィラメント連続性のテストを容易にすることが
できる。このテストが失敗すれば被着が不均一となるか
らプロセスが終了することになる。維持電力レベルは前
もってプログラム可能であるが、別のスレショルドセン
サを加え、温度をフィードバックループ内でCPU91で動
的に制御できる。単一の制御回路に並列に接続されるよ
うに図示されているが、各ランプはそれの大電力消費の
ためそれ自身の制御回路を要求してもよいということが
理解されるであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による被着チャンバを示す部分的断面
図、第２図は、本発明による温度センサの一部を示す部
分的断面図、第３図は本発明による仕切り板および延長
部の一部を示す斜視図、第４図は本発明による延長部の
方位を示す説明図、第５図は本発明による被着チャンバ
の別の実施例を示す部分的断面図、第６図は本発明によ
る被着プロセスを示す説明図、第７図は本発明において
用いられるガス被着特性を示すグラフ、第８図は本発明
による温度検知を示すグラフ、第９図は本発明による制
御回路を示すブロック回路図である。 （符号の説明） ２……平面部、３……環状壁部、10……反応器、12……
絶縁性部材、13……導電性部材、14……仕切り板、15…
…延長部、16,18……チャンバ、19……ウエーハ、24,25
……ランプ、39……熱電対

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロバート・ウィリアム・スティッツ アメリカ合衆国アリゾナ州 85204、メ サ、イースト・キャロル・アベニュー 2541 (56)参考文献 特開 昭60−92477（ＪＰ，Ａ) 実開 昭60−106335（ＪＰ，Ｕ)

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】所定容積を包囲するハウジングを有し、同
   ハウジングは、熱線に対して透過性の窓と、前記包囲さ
   れた容積にガスを供給し及び同容積からガスを排出する
   ためのガス交換ポートと、前記包囲された容積内にグロ
   ー放電を生じさせるためのプラズマ放電回路とを含む、
   化学蒸着装置であって、 蒸着が施されるべき対象物を前記包囲された容積内で放
   射加熱するために、前記窓の外側に隣接して設けられた
   放射加熱部を含み、 同放射加熱部が、ベースと、両端に電気端子を有する少
   なくとも一つのランプと、同少なくとも一つのランプを
   前記電気端子において弾性的に支持し且つ同ランプに電
   気的接触するために前記ベースに取り付けられた支持部
   と、を含むことを特徴とする装置。
2. 【請求項２】前記放射加熱部が、前記ベースの中心のま
   わりに対称的に配列された複数個のランプを備えてい
   る、特許請求の範囲第１項に記載の装置。
3. 【請求項３】前記ベースは導電性であり、前記放射加熱
   部が、前記導電性のベースを貫通して延びた絶縁性のフ
   ィードスルー部材と、前記ベース及び前記絶縁性のフィ
   ードスルー部材を貫通して延びて前記支持部を前記ベー
   スに取り付けるための導電性のボルトと、を更に含む、
   特許請求の範囲第１項に記載の装置。