JP2621634B2 - ポリイミド樹脂多層配線基板の製造方法 - Google Patents
ポリイミド樹脂多層配線基板の製造方法Info
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- resin insulating
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Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明はポリイミド樹脂多層配線基板の製造方法に関
し、特に電子機器で用いられる多層配線基板の製造方法
に関する。
し、特に電子機器で用いられる多層配線基板の製造方法
に関する。
従来技術 従来、ポリイミド樹脂多層配線基板を製造する場合、
セラミック多層配線基板21上に導体配線層22を形成し
［第３図（ａ）参照］、その上に非感光性ポリイミドワ
ニス23をコートしてプリベークした後に、フォトレジス
ト24をコートしてフォトリソグラフィによりフォトレジ
スト24にパターンを形成する［第３図（ｂ），（ｃ）参
照］。
セラミック多層配線基板21上に導体配線層22を形成し
［第３図（ａ）参照］、その上に非感光性ポリイミドワ
ニス23をコートしてプリベークした後に、フォトレジス
ト24をコートしてフォトリソグラフィによりフォトレジ
スト24にパターンを形成する［第３図（ｂ），（ｃ）参
照］。
そして、プリベーク状態のポリイミドをアルカリエッ
チャントによりエッチングしてヴィアホール25用の貫通
穴を形成し、その後にフォトレジスト24を剥離してから
ポリイミド23をキュアして絶縁層を形成する［第３図
（ｄ）参照］。
チャントによりエッチングしてヴィアホール25用の貫通
穴を形成し、その後にフォトレジスト24を剥離してから
ポリイミド23をキュアして絶縁層を形成する［第３図
（ｄ）参照］。
さらに、キュアされたポリイミド23の上に導体配線層
26を形成し、同時にヴィアホール25を形成する［第３図
（ｅ）参照］。
26を形成し、同時にヴィアホール25を形成する［第３図
（ｅ）参照］。
上記の工程を繰返し行うことにより多層配線基板を得
ていた。
ていた。
また、感光性ポリイミドを使用した場合には、セラミ
ック多層配線基板31上に導体配線層32を形成し［第４図
（ａ）参照］、その上に感光性ポリイミドワニス33をコ
ートしてプリベークした後に、フォトリソグラフィによ
る露光光線34によりヴィアホール35用の貫通穴を形成し
［第４図（ｂ）参照］、その後にポリイミド33をキュア
して絶縁層を形成する［第４図（ｃ）参照］。
ック多層配線基板31上に導体配線層32を形成し［第４図
（ａ）参照］、その上に感光性ポリイミドワニス33をコ
ートしてプリベークした後に、フォトリソグラフィによ
る露光光線34によりヴィアホール35用の貫通穴を形成し
［第４図（ｂ）参照］、その後にポリイミド33をキュア
して絶縁層を形成する［第４図（ｃ）参照］。
さらに、キュアされたポリイミド33の上に導体配線層
36を形成し、同時にヴィアホール35を形成していた［第
４図（ｄ）参照］。
36を形成し、同時にヴィアホール35を形成していた［第
４図（ｄ）参照］。
このような従来のポリイミド多層配線基板の製造方法
では、非感光性ポリイミドを使用した場合、ポリイミド
23をエッチングするときにプリベーク膜にダメージを与
え易いとともに、アルカリエッチャントによるウエット
エッチングのために等方性エッチングとなり、ヴィアホ
ール25が逆テーパになってしまうという問題がある。
では、非感光性ポリイミドを使用した場合、ポリイミド
23をエッチングするときにプリベーク膜にダメージを与
え易いとともに、アルカリエッチャントによるウエット
エッチングのために等方性エッチングとなり、ヴィアホ
ール25が逆テーパになってしまうという問題がある。
また、感光性ポリイミドを使用した場合には、プリベ
ーク条件の違いによる露光感度の変動や露光条件、およ
びプリベーク条件や現像液温の違いによる現像時間のコ
ントロールなど、感光性ポリイミド33の形成条件のコン
トロールが難しいという問題がある。
ーク条件の違いによる露光感度の変動や露光条件、およ
びプリベーク条件や現像液温の違いによる現像時間のコ
ントロールなど、感光性ポリイミド33の形成条件のコン
トロールが難しいという問題がある。
さらに、最近発表されている低熱膨脹タイプのポリイ
ミド、すなわち熱膨張係数が0.2×10-5（1/℃）から0.3
×10-5（1/℃）のものの熱膨張係数が、感光性タイプに
すると0.8×10-5（１×℃）から1.5×10-5（1/℃）に落
ちてしまい、低熱膨脹の特性が失われてしまうという問
題がある。
ミド、すなわち熱膨張係数が0.2×10-5（1/℃）から0.3
×10-5（1/℃）のものの熱膨張係数が、感光性タイプに
すると0.8×10-5（１×℃）から1.5×10-5（1/℃）に落
ちてしまい、低熱膨脹の特性が失われてしまうという問
題がある。
発明の目的 本発明は上記のような従来のものの問題点を除去すべ
くなされたもので、ダメージを受けず、ヴィアホールが
逆テーパとなることなく、ポリイミドの形成条件を容易
にコントロールすることができ、低熱膨脹タイプのポリ
イミドでも低熱膨脹の特性が失われずにポリイミドの絶
縁層を形成することができるポリイミド樹脂多層配線基
板の製造方法の提供を目的とする。
くなされたもので、ダメージを受けず、ヴィアホールが
逆テーパとなることなく、ポリイミドの形成条件を容易
にコントロールすることができ、低熱膨脹タイプのポリ
イミドでも低熱膨脹の特性が失われずにポリイミドの絶
縁層を形成することができるポリイミド樹脂多層配線基
板の製造方法の提供を目的とする。
発明の構成 本発明によるポリイミド樹脂多層配線基板の製造方法
は、キュアされたポリイミド樹脂絶縁層を基板上の導体
配線層の上に積層する工程と、該工程により積層された
前記ポリイミド樹脂絶縁層上にフォトレジスト層を形成
し、前記フォトレジスト層を選択的に除去する工程と、
該工程により形成された基板全体にレーザ光を照射し、
露出した前記ポリイミド樹脂絶縁層を除去する工程と、
前記ポリイミド樹脂絶縁層上から前記フォトレジスト層
を除去する工程とからなることを特徴とする。
は、キュアされたポリイミド樹脂絶縁層を基板上の導体
配線層の上に積層する工程と、該工程により積層された
前記ポリイミド樹脂絶縁層上にフォトレジスト層を形成
し、前記フォトレジスト層を選択的に除去する工程と、
該工程により形成された基板全体にレーザ光を照射し、
露出した前記ポリイミド樹脂絶縁層を除去する工程と、
前記ポリイミド樹脂絶縁層上から前記フォトレジスト層
を除去する工程とからなることを特徴とする。
本発明による他のポリイミド樹脂多層配線基板の製造
方法は、キュアされたポリイミド樹脂絶縁層を基板上の
導体配線層の上に積層する工程と、該工程により積層さ
れた前記ポリイミド樹脂絶縁層上にフォトレジスト層を
形成し、前記フォトレジスト層を選択的に除去する工程
と、該工程により形成された基板全体にレーザ光を照射
し、露出した前記ポリイミド樹脂絶縁層および前記フォ
トレジスト層を除去する工程とからなることを特徴とす
る。
方法は、キュアされたポリイミド樹脂絶縁層を基板上の
導体配線層の上に積層する工程と、該工程により積層さ
れた前記ポリイミド樹脂絶縁層上にフォトレジスト層を
形成し、前記フォトレジスト層を選択的に除去する工程
と、該工程により形成された基板全体にレーザ光を照射
し、露出した前記ポリイミド樹脂絶縁層および前記フォ
トレジスト層を除去する工程とからなることを特徴とす
る。
実施例 次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例によるポリイミド多層配線
基板の製造工程を示す図である。この図を用いて本発明
の一実施例によるポリイミド多層配線基板の製造方法に
ついて以下説明する。
基板の製造工程を示す図である。この図を用いて本発明
の一実施例によるポリイミド多層配線基板の製造方法に
ついて以下説明する。
まず、セラミック（またはガラスセラミック）多層配
線基板１に厚さ10ミクロンで、線幅15ミクロンの銅また
は金などの導体配線層２をメッキ法などで形成する［第
１図（ａ）参照］。
線基板１に厚さ10ミクロンで、線幅15ミクロンの銅また
は金などの導体配線層２をメッキ法などで形成する［第
１図（ａ）参照］。
次に、導体配線層２上に厚さ10ミクロンのポリイミド
樹脂絶縁層３をキュアして形成する［第１図（ｂ）参
照］。
樹脂絶縁層３をキュアして形成する［第１図（ｂ）参
照］。
そのポリイミド樹脂絶縁層３の上に厚さ20ミクロンの
フォトレジスト４を形成してから［第１図（ｃ）参
照］、フォトリソグラフィによりフォトレジスト４のパ
ターンニングを行う［第１図（ｄ）参照］。
フォトレジスト４を形成してから［第１図（ｃ）参
照］、フォトリソグラフィによりフォトレジスト４のパ
ターンニングを行う［第１図（ｄ）参照］。
フォトリソグラフィによってパターンニングされたフ
ォトレジスト４をエッチングマスクとして、波長248nm
のKrFエキシマレーザ５をスキャンさせながら基板の全
表面上に照射する［第１図（ｅ）参照］。
ォトレジスト４をエッチングマスクとして、波長248nm
のKrFエキシマレーザ５をスキャンさせながら基板の全
表面上に照射する［第１図（ｅ）参照］。
このとき、エネルギ密度が0.8J/cm2で、１パルス当り
のレートが0.2ミクロンのKrFエキシマレーザ５を50パル
ス照射することにより、パターンニングされてフォトレ
ジスト４が抜けている部分のポリイミド、つまり露出し
ているポリイミドがエッチングされ、ヴィアホール６用
の貫通穴が形成される。
のレートが0.2ミクロンのKrFエキシマレーザ５を50パル
ス照射することにより、パターンニングされてフォトレ
ジスト４が抜けている部分のポリイミド、つまり露出し
ているポリイミドがエッチングされ、ヴィアホール６用
の貫通穴が形成される。
ここで、露出しているポリイミドのエッチングを行う
場合、ポリイミドの種類に応じて波長190〜310nmのレー
ザのうち最適なものを使用すればよい。
場合、ポリイミドの種類に応じて波長190〜310nmのレー
ザのうち最適なものを使用すればよい。
この後に、ポリイミド樹脂絶縁層３上に残っているフ
ォトレジスト４を、レジストのリムーバでエッチングす
るか、あるいはO2プラズマによるアッシングなどでエッ
チングして剥離する［第１図（ｆ）参照］。
ォトレジスト４を、レジストのリムーバでエッチングす
るか、あるいはO2プラズマによるアッシングなどでエッ
チングして剥離する［第１図（ｆ）参照］。
さらに、ポリイミド樹脂絶縁層３上に導体配線層７を
形成するとともに、ヴィアホール６を形成し［第１図
（ｇ）参照］、上記の工程を繰返し行うことにより多層
配線基板を得る。
形成するとともに、ヴィアホール６を形成し［第１図
（ｇ）参照］、上記の工程を繰返し行うことにより多層
配線基板を得る。
第２図は本発明の他の実施例によるポリイミド多層配
線基板の製造工程を示す図である。この図を用いて本発
明の他の実施例によるポリイミド多層配線基板の製造方
法について以下説明する。
線基板の製造工程を示す図である。この図を用いて本発
明の他の実施例によるポリイミド多層配線基板の製造方
法について以下説明する。
まず、セラミック（またはガラスセラミック）多層配
線基板11に厚さ10ミクロンで、線幅15ミクロンの銅また
は金などの導体配線層12をメッキ法などで形成する［第
２図（ａ）参照］。
線基板11に厚さ10ミクロンで、線幅15ミクロンの銅また
は金などの導体配線層12をメッキ法などで形成する［第
２図（ａ）参照］。
次に、導体配線層12上に厚さ10ミクロンのポリイミド
樹脂絶縁層13をキュアして形成する［第２図（ｂ）参
照］。
樹脂絶縁層13をキュアして形成する［第２図（ｂ）参
照］。
そのポリイミド樹脂絶縁層13の上に厚さ10ミクロン、
つまりポリイミド樹脂絶縁層13と同じ厚さのフォトレジ
スト14を形成してから［第２図（ｃ）参照］、フォトリ
ソグラフィによりフォトレジスト14のパターンニングを
行う［第２図（ｄ）参照］。
つまりポリイミド樹脂絶縁層13と同じ厚さのフォトレジ
スト14を形成してから［第２図（ｃ）参照］、フォトリ
ソグラフィによりフォトレジスト14のパターンニングを
行う［第２図（ｄ）参照］。
フォトリソグラフィによってパターンニングされたフ
ォトレジスト14をエッチングマスクとして、波長248nm
のKrFエキシマレーザ15をスキャンさせながら基板の全
表面上に照射する［第２図（ｅ）参照］。
ォトレジスト14をエッチングマスクとして、波長248nm
のKrFエキシマレーザ15をスキャンさせながら基板の全
表面上に照射する［第２図（ｅ）参照］。
このとき、ポリイミド樹脂絶縁層13とフォトレジスト
14とが同じエッチングレートなのを利用して、エネルギ
密度が0.8J/cm2で、１パルス当りのレートが0.2ミクロ
ンのKrFエキシマレーザ15を50パルス照射することによ
り、エッチングマスクとして形成したフォトレジスト1
4、つまり露出しているフォトレジスト14のエッチング
と、パターンニングされてフォトレジスト14が抜けてい
る部分のポリイミド樹脂絶縁層13、つまり露出している
ポリイミド樹脂絶縁層13のエッチングとが同時に行わ
れ、ヴィアホール16用の貫通穴が形成される［第２図
（ｆ）参照］。
14とが同じエッチングレートなのを利用して、エネルギ
密度が0.8J/cm2で、１パルス当りのレートが0.2ミクロ
ンのKrFエキシマレーザ15を50パルス照射することによ
り、エッチングマスクとして形成したフォトレジスト1
4、つまり露出しているフォトレジスト14のエッチング
と、パターンニングされてフォトレジスト14が抜けてい
る部分のポリイミド樹脂絶縁層13、つまり露出している
ポリイミド樹脂絶縁層13のエッチングとが同時に行わ
れ、ヴィアホール16用の貫通穴が形成される［第２図
（ｆ）参照］。
ここで、露出しているポリイミドおよびフォトレジス
トのエッチングを行う場合、ポリイミドおよびフォトレ
ジストの種類に応じて波長190〜310nmのレーザのうち最
適なものを使用すればよい。
トのエッチングを行う場合、ポリイミドおよびフォトレ
ジストの種類に応じて波長190〜310nmのレーザのうち最
適なものを使用すればよい。
この後に、ポリイミド樹脂絶縁層13上に導体配線層17
を形成するとともに、ヴィアホール16を形成し［第２図
（ｇ）参照］、上記の工程を繰返し行うことにより多層
配線基板を得る。
を形成するとともに、ヴィアホール16を形成し［第２図
（ｇ）参照］、上記の工程を繰返し行うことにより多層
配線基板を得る。
このように、キュアされたポリイミド樹脂絶縁層３を
セラミック基板１上の導体配線層２の上に積層し、その
ポリイミド樹脂絶縁層３の上にフォトレジスト４を形成
してパターンニングし、その上から基板の全表面をKrF
エキシマレーザ５でスキャンして露出したポリイミド樹
脂絶縁層３を除去してヴィアホール６用の貫通穴を形成
してから残ったフォトレジスト４を除去するようにする
ことによって、非感光性ポリイミドの場合、ポリイミド
をエッチングするときにプリベーク膜にダメージを与え
易いとともに、アルカリエッチャントによるウェットエ
ッチングのために等方性エッチングとなり、ヴィアホー
ルが逆テーパになってしまうという従来の問題を解決
し、ダメージを受けず、ヴィアホールが逆テーパとなる
ことなく、ポリイミド樹脂絶縁層３を形成することがで
きる。
セラミック基板１上の導体配線層２の上に積層し、その
ポリイミド樹脂絶縁層３の上にフォトレジスト４を形成
してパターンニングし、その上から基板の全表面をKrF
エキシマレーザ５でスキャンして露出したポリイミド樹
脂絶縁層３を除去してヴィアホール６用の貫通穴を形成
してから残ったフォトレジスト４を除去するようにする
ことによって、非感光性ポリイミドの場合、ポリイミド
をエッチングするときにプリベーク膜にダメージを与え
易いとともに、アルカリエッチャントによるウェットエ
ッチングのために等方性エッチングとなり、ヴィアホー
ルが逆テーパになってしまうという従来の問題を解決
し、ダメージを受けず、ヴィアホールが逆テーパとなる
ことなく、ポリイミド樹脂絶縁層３を形成することがで
きる。
また、感光性ポリイミドの場合にも、プリベーク条件
の違いによる露光感度の変動や露光条件、およびプリベ
ーク条件や現像液温の違いによる現像時間のコントロー
ルなどが難しいという問題や、低熱膨脹タイプのポリイ
ミドの熱膨張係数が感光性タイプにすることによって落
ちてしまい、低熱膨脹の特性が失われてしまうという従
来の問題を解決し、ポリイミドの形成条件を容易にコン
トロールすることができ、低熱膨脹タイプのポリイミド
でも低熱膨脹の特性が失われずにポリイミド樹脂絶縁層
３を形成することができる。
の違いによる露光感度の変動や露光条件、およびプリベ
ーク条件や現像液温の違いによる現像時間のコントロー
ルなどが難しいという問題や、低熱膨脹タイプのポリイ
ミドの熱膨張係数が感光性タイプにすることによって落
ちてしまい、低熱膨脹の特性が失われてしまうという従
来の問題を解決し、ポリイミドの形成条件を容易にコン
トロールすることができ、低熱膨脹タイプのポリイミド
でも低熱膨脹の特性が失われずにポリイミド樹脂絶縁層
３を形成することができる。
さらに、フォトレジスト14をポリイミド樹脂絶縁層13
の膜厚と同じ膜厚で形成し、ポリイミド樹脂絶縁層13と
フォトレジスト14とが同じエッチングレートなのを利用
して、KrFエキシマレーザ15によりエッチングマスクと
して形成したフォトレジスト14のエッチングと、パター
ンニングされてフォトレジスト14が抜けている部分のポ
リイミド樹脂絶縁層13のエッチングとを同時に行うよう
にすることによって、フォトレジスト14の剥離工程を省
略することができる。
の膜厚と同じ膜厚で形成し、ポリイミド樹脂絶縁層13と
フォトレジスト14とが同じエッチングレートなのを利用
して、KrFエキシマレーザ15によりエッチングマスクと
して形成したフォトレジスト14のエッチングと、パター
ンニングされてフォトレジスト14が抜けている部分のポ
リイミド樹脂絶縁層13のエッチングとを同時に行うよう
にすることによって、フォトレジスト14の剥離工程を省
略することができる。
発明の効果 以上説明したように本発明のポリイミド樹脂多層配線
基板の製造方法によれば、キュアされたポリイミド樹脂
絶縁層を基板上の導体配線層の上に積層し、そのポリイ
ミド樹脂絶縁層上にフォトレジスト層を形成してから選
択的に除去し、さらに基板全体にレーザ光を照射して露
出したポリイミド樹脂絶縁層を除去してから残ったフォ
トレジスト層を除去するようにすることによって、ダメ
ージを受けず、ヴィアホールが逆テーパとなることな
く、ポリイミドの形成条件を容易にコントロールするこ
とができ、低熱膨脹タイプのポリイミドでも低熱膨脹の
特性が失われずにポリイミドの絶縁層を形成することが
できるという効果がある。
基板の製造方法によれば、キュアされたポリイミド樹脂
絶縁層を基板上の導体配線層の上に積層し、そのポリイ
ミド樹脂絶縁層上にフォトレジスト層を形成してから選
択的に除去し、さらに基板全体にレーザ光を照射して露
出したポリイミド樹脂絶縁層を除去してから残ったフォ
トレジスト層を除去するようにすることによって、ダメ
ージを受けず、ヴィアホールが逆テーパとなることな
く、ポリイミドの形成条件を容易にコントロールするこ
とができ、低熱膨脹タイプのポリイミドでも低熱膨脹の
特性が失われずにポリイミドの絶縁層を形成することが
できるという効果がある。
また、本発明の他のポリイミド樹脂多層配線基板の製
造方法によれば、キュアされたポリイミド樹脂絶縁層を
基板上の導体配線層の上に積層し、そのポリイミド樹脂
絶縁層上にフォトレジスト層を形成してから選択的に除
去し、さらに基板全体にレーザ光を照射して露出したポ
リイミド樹脂絶縁層およびフォトレジスト層を除去する
ようにすることによって、ダメージを受けず、ヴィアホ
ールが逆テーパとなることなく、ポリイミドの形成条件
を容易にコントロールすることができ、低熱膨脹タイプ
のポリイミドでも低熱膨脹の特性が失われずにポリイミ
ドの絶縁層を形成することができるとともに、フォトレ
ジスト層の剥離工程を省略することができるという効果
がある。
造方法によれば、キュアされたポリイミド樹脂絶縁層を
基板上の導体配線層の上に積層し、そのポリイミド樹脂
絶縁層上にフォトレジスト層を形成してから選択的に除
去し、さらに基板全体にレーザ光を照射して露出したポ
リイミド樹脂絶縁層およびフォトレジスト層を除去する
ようにすることによって、ダメージを受けず、ヴィアホ
ールが逆テーパとなることなく、ポリイミドの形成条件
を容易にコントロールすることができ、低熱膨脹タイプ
のポリイミドでも低熱膨脹の特性が失われずにポリイミ
ドの絶縁層を形成することができるとともに、フォトレ
ジスト層の剥離工程を省略することができるという効果
がある。
第１図は本発明の一実施例によるポリイミド多層配線基
板の製造工程を示す図、第２図は本発明の他の実施例に
よるポリイミド多層配線基板の製造工程を示す図、第３
図および第４図は従来例のポリイミド多層配線基板の製
造工程を示す図である。 主要部分の符号の説明 1,11……セラミック多層配線基板 2,7,12,17……導体配線層 3,13……ポリイミド樹脂絶縁層 4,14……フォトレジスト 5,15……KrFエキシマレーザ 6,16……ヴィアホール
板の製造工程を示す図、第２図は本発明の他の実施例に
よるポリイミド多層配線基板の製造工程を示す図、第３
図および第４図は従来例のポリイミド多層配線基板の製
造工程を示す図である。 主要部分の符号の説明 1,11……セラミック多層配線基板 2,7,12,17……導体配線層 3,13……ポリイミド樹脂絶縁層 4,14……フォトレジスト 5,15……KrFエキシマレーザ 6,16……ヴィアホール
Claims (2)
- 【請求項１】キュアされたポリイミド樹脂絶縁層を基板
上の導体配線層の上に積層する工程と、該工程により積
層された前記ポリイミド樹脂絶縁層上にフォトレジスト
層を形成し、前記フォトレジスト層を選択的に除去する
工程と、該工程により形成された基板全体にレーザ光を
照射し、露出した前記ポリイミド樹脂絶縁層を除去する
工程と、前記ポリイミド樹脂絶縁層上から前記フォトレ
ジスト層を除去する工程とからなることを特徴とするポ
リイミド樹脂多層配線基板の製造方法。 - 【請求項２】キュアされたポリイミド樹脂絶縁層を基板
上の導体配線層の上に積層する工程と、該工程により積
層された前記ポリイミド樹脂絶縁層上にフォトレジスト
層を形成し、前記フォトレジスト層を選択的に除去する
工程と、該工程により形成された基板全体にレーザ光を
照射し、露出した前記ポリイミド樹脂絶縁層および前記
フォトレジスト層を除去する工程とからなることを特徴
とするポリイミド樹脂多層配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28635290A JP2621634B2 (ja) | 1990-10-24 | 1990-10-24 | ポリイミド樹脂多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28635290A JP2621634B2 (ja) | 1990-10-24 | 1990-10-24 | ポリイミド樹脂多層配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04162494A JPH04162494A (ja) | 1992-06-05 |
| JP2621634B2 true JP2621634B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=17703275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28635290A Expired - Lifetime JP2621634B2 (ja) | 1990-10-24 | 1990-10-24 | ポリイミド樹脂多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2621634B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100521882C (zh) * | 1997-12-11 | 2009-07-29 | 伊比登株式会社 | 多层印刷电路板的制造方法 |
| WO1999044403A1 (fr) | 1998-02-26 | 1999-09-02 | Ibiden Co., Ltd. | Carte a circuits imprimes multicouche avec structure de trous d'interconnexion pleins |
-
1990
- 1990-10-24 JP JP28635290A patent/JP2621634B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04162494A (ja) | 1992-06-05 |
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