JP2601952B2 - 高周波半導体装置 - Google Patents

高周波半導体装置

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JP2601952B2
JP2601952B2 JP3032600A JP3260091A JP2601952B2 JP 2601952 B2 JP2601952 B2 JP 2601952B2 JP 3032600 A JP3032600 A JP 3032600A JP 3260091 A JP3260091 A JP 3260091A JP 2601952 B2 JP2601952 B2 JP 2601952B2
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semiconductor device
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聖一 辻
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked

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  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、２つの電界効果トラ
ンジスタ（以下ＦＥＴと呼ぶ）を有する高周波半導体装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の４つのＦＥＴを有する高周
波半導体装置の平面図、図３は図２の断面図である。図
において、１は放熱性のよい金属ベース、２はＦＥＴ、
３は入力整合回路、４は出力整合回路、５はボンディン
グ用ワイヤである。
【０００３】次に動作について説明する。入力されたマ
イクロ波電力は、入力整合回路３により整合されＦＥＴ
２に入力される。このＦＥＴ２で増幅されたマイクロ波
電力は、出力整合回路４により整合され出力される。
【０００４】そして高出力を得るために、ＦＥＴ２のト
ータルゲート幅を大きくし、チップサイズを大きくして
いる。また、そのＦＥＴ２を複数個（図の場合は４個）
を並列動作させ出力合成を行っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の高周波半導体装
置は以上のように構成されているので、高出力を得るた
めには大きなサイズのＦＥＴチップを複数個並列動作さ
せその出力を合成しなければならず、装置として大きな
サイズのＦＥＴが必要となり、また、整合回路基板も大
きくなるので、熱サイクルによって基板が割れるなどの
問題点があった。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、基板、および装置のＦＥＴサイ
ズを大きくすることなく高出力な高周波半導体装置を得
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る高周波半
導体装置は、２つのＦＥＴを各電極で結合したものであ
る。
【０００８】
【作用】この発明におけるＦＥＴは、各電極が厚膜で形
成され、この電極を結合する形で２つのＦＥＴが２層に
結合しているので、同じ面積で２倍の出力が得られる。
【０００９】
【実施例】実施例１．以下、この発明の一実施例を図に
ついて説明する。図１はこの発明の実施例１を示す高周
波半導体装置のＦＥＴ接合部の拡大部分断面図である。
図において、１は放熱性のよい金属ベース、２はＦＥＴ
Ａ、３は入力整合回路、４は出力整合回路、５はボンデ
ィング用ワイヤ、６はＦＥＴＢ、７はゲート電極、８は
ドレイン電極、９はソース電極、10はグランド用金厚
膜、11はソース電極９とグランド用金厚膜10とを結ぶス
ルーホールである。
【００１０】次に動作について説明する。入力されたマ
イクロ波電力は、入力整合回路３で整合されワイヤ５を
通じてゲート電極７に入力される。この入力されたマイ
クロ波電力は、ＦＥＴＡ２、ＦＥＴＢ６で増幅され、ド
レイン電極８、ワイヤ５を通り、出力整合回路４で整合
され出力される。ＦＥＴＡ２、ＦＥＴＢ６はゲート電極
７、ドレイン電極８、ソース電極９で１つに結合されて
いる。また、ヘッダに装着されるＦＥＴＡ２のゲート電
極７、ドレイン電極８は、ワイヤをボンディングするた
めＦＥＴＢ６の電極よりも大きくなっている。
【００１１】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、２つの
ＦＥＴをそれぞれ電極で結合し２層構造としたので、サ
イズを大きくすることなく高出力な高周波半導体装置が
得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施例１を示す高周波半導体装置の
ＦＥＴ接合部の拡大部分断面図である。
【図２】従来の高周波半導体装置の平面図である。
【図３】図２の断面図である。
【符号の説明】
１ 金属ベース ２ ＦＥＴＡ ３ 入力整合回路 ４ 出力整合回路 ５ ボンディング用ワイヤ ６ ＦＥＴＢ ７ ゲート電極 ８ ドレイン電極 ９ ソース電極 10 グランド用金厚膜 11 スルーホール

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ベース基板上にドレイン電極、ソース電
    極、ゲート電極等からなる動作層を有する電界効果トラ
    ンジスタにおいて、２つの電界効果トランジスタが各電
    極でそれぞれ結合され、その結合部に対して前記２つの
    動作層が接合された電界効果トランジスタ備えたことを
    特徴とする高周波半導体装置。
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JPH04271162A JPH04271162A (ja) 1992-09-28
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