JP2599349B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP2599349B2 JP2599349B2 JP59174011A JP17401184A JP2599349B2 JP 2599349 B2 JP2599349 B2 JP 2599349B2 JP 59174011 A JP59174011 A JP 59174011A JP 17401184 A JP17401184 A JP 17401184A JP 2599349 B2 JP2599349 B2 JP 2599349B2
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体装置、より詳しくは、半導体装置の
金属配線に関するものである。
金属配線に関するものである。
IC,LSIなどの集積回路である半導体装置においては、
多数の能動素子（トランジスタ，ダイオード）および受
動素子（抵抗，キャパシタ）が半導体基板（例えば、シ
リコン基板）に形成され、これら素子が金属配線によっ
て所定回路を構成するように接続されている。
多数の能動素子（トランジスタ，ダイオード）および受
動素子（抵抗，キャパシタ）が半導体基板（例えば、シ
リコン基板）に形成され、これら素子が金属配線によっ
て所定回路を構成するように接続されている。
従来の技術および発明が解決しようとする問題点 このような金属配線（特に、アルミニウム配線）は、
高集積化に伴ない配線幅も細くされ、その幅が３μｍ以
下のものも形成されるようになってきた。このように細
い配線が直線で500μｍ以上の直線部を有して所定接続
のために走らせられることがある。このような場合に、
アルミニウム配線形成時にも配線自身にストレス（特
に、引張り応力）が生じ、さらに後工程での熱処理（例
えば、パッシベーション膜形成時の加熱、パッケーシン
グの封止時の加熱）などによって、ストレスが大きくな
り、時としてアルミニウム結晶の界面あるいはすべり面
に沿った切断に至ることがある。
高集積化に伴ない配線幅も細くされ、その幅が３μｍ以
下のものも形成されるようになってきた。このように細
い配線が直線で500μｍ以上の直線部を有して所定接続
のために走らせられることがある。このような場合に、
アルミニウム配線形成時にも配線自身にストレス（特
に、引張り応力）が生じ、さらに後工程での熱処理（例
えば、パッシベーション膜形成時の加熱、パッケーシン
グの封止時の加熱）などによって、ストレスが大きくな
り、時としてアルミニウム結晶の界面あるいはすべり面
に沿った切断に至ることがある。
問題点を解決するための手段 本発明は、上記の問題を解決するために、半導体基板
上に形成されたアルミニウムまたはアルミニウム合金か
ら成る配線を備え、該配線の幅が３μｍ以下でかつ直線
部分の長さが500μｍ以上となるようなところにはその
途中に、幅５μｍ以上で長さ５μｍ以上の拡張部分、ま
たはＺ形状部分を設けることを特徴とする半導体装置を
提供する。
上に形成されたアルミニウムまたはアルミニウム合金か
ら成る配線を備え、該配線の幅が３μｍ以下でかつ直線
部分の長さが500μｍ以上となるようなところにはその
途中に、幅５μｍ以上で長さ５μｍ以上の拡張部分、ま
たはＺ形状部分を設けることを特徴とする半導体装置を
提供する。
作用 本発明は、上記の拡張部分またはＺ形状部分を設けた
ことにより、配線のストレスを緩和することができる。
ことにより、配線のストレスを緩和することができる。
実施例 以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施態様
例によって本発明をより詳しく説明する。
例によって本発明をより詳しく説明する。
第１図，第２図および第３図は、本発明に係る金属配
線を有する半導体装置の概略平面図である。
線を有する半導体装置の概略平面図である。
第１図においては、アルミニウム配線1Aおよび1Bはそ
の幅が３μｍ以下であり、半導体（シリコン）基板の所
定領域と接触している電極部（例えば、エミッタ電極）
2A,2Bと母線（例えば、エミッタ供給電源ライン）３と
を接続している。従来ならば、電極部2A,2Bと母線３と
を直線的に結ぶ配線を設けるところであるが、その距離
が500μｍ以上である場合には、本発明にしたがって拡
張部分4A,4B,4Cおよび4Dが500μｍ以内のところに設け
られている。これら拡張部分はそれぞれ幅が５μｍ以上
でありかつ長さが５μｍ以上であり、アルミニウム配線
1A,1Bの一部分であって配線形成時のエッチング用マス
クパターンを適切に変更するだけで通常の工程にしたが
って形成される。なお、第１図においては配線の途中２
ケ所に拡張部分が設けられているが、配線の必要距離に
応じて１ケ所あるいは３ケ所以上に設けられる。また、
本明細書中でのアルミニウム配線はアルミニウム又はそ
の合金（Al−Si,Al−Cu）で作られるものをいう。
の幅が３μｍ以下であり、半導体（シリコン）基板の所
定領域と接触している電極部（例えば、エミッタ電極）
2A,2Bと母線（例えば、エミッタ供給電源ライン）３と
を接続している。従来ならば、電極部2A,2Bと母線３と
を直線的に結ぶ配線を設けるところであるが、その距離
が500μｍ以上である場合には、本発明にしたがって拡
張部分4A,4B,4Cおよび4Dが500μｍ以内のところに設け
られている。これら拡張部分はそれぞれ幅が５μｍ以上
でありかつ長さが５μｍ以上であり、アルミニウム配線
1A,1Bの一部分であって配線形成時のエッチング用マス
クパターンを適切に変更するだけで通常の工程にしたが
って形成される。なお、第１図においては配線の途中２
ケ所に拡張部分が設けられているが、配線の必要距離に
応じて１ケ所あるいは３ケ所以上に設けられる。また、
本明細書中でのアルミニウム配線はアルミニウム又はそ
の合金（Al−Si,Al−Cu）で作られるものをいう。
本発明の別の実施態様である第２図に示したアルミニ
ウム配線21A,21Bはその途中にＺ形状部分24A,24B,24Cお
よび24Dを有する。これら配線21A,21Bは幅が３μｍ以下
であり、電極部22A,22Bから母線３までが500μｍ以上で
あって、配線の直線部分が500μｍよりも長くならない
ように同じ配線幅のＺ形状部（曲がり部）24A〜24Dが設
けられている。第１図での拡張部分4Aおよび4DはＺ形状
部とすることをも含んでいる。
ウム配線21A,21Bはその途中にＺ形状部分24A,24B,24Cお
よび24Dを有する。これら配線21A,21Bは幅が３μｍ以下
であり、電極部22A,22Bから母線３までが500μｍ以上で
あって、配線の直線部分が500μｍよりも長くならない
ように同じ配線幅のＺ形状部（曲がり部）24A〜24Dが設
けられている。第１図での拡張部分4Aおよび4DはＺ形状
部とすることをも含んでいる。
さらに別の実施態様である第３図に示したアルミニウ
ム配線31A,31Bは多層配線構造を利用しており、上側ア
ルミニウム配線部分35A,35B,37A,37Bと下側アルミニウ
ム配線部分36A,36B,38A,38Bとからなる。そして、上側
および下側のアルミニウム配線部分の接続部分39A,39B,
39C,39D,39Eおよび39Fが層間絶縁膜（図示せず）に形成
されたコンタクトホールに作られる。この場合にも、ア
ルミニウム配線部分35A,35B〜38A,38Bそれぞれの幅は３
μｍ以下であり、かつ長さは500μｍ以下である。
ム配線31A,31Bは多層配線構造を利用しており、上側ア
ルミニウム配線部分35A,35B,37A,37Bと下側アルミニウ
ム配線部分36A,36B,38A,38Bとからなる。そして、上側
および下側のアルミニウム配線部分の接続部分39A,39B,
39C,39D,39Eおよび39Fが層間絶縁膜（図示せず）に形成
されたコンタクトホールに作られる。この場合にも、ア
ルミニウム配線部分35A,35B〜38A,38Bそれぞれの幅は３
μｍ以下であり、かつ長さは500μｍ以下である。
発明の効果 上述したように本発明に係る半導体装置の金属（アル
ミニウム）配線においては、幅が３μｍ以下であるとき
には直線部分の長さを500μｍ以内にしかつストレス緩
和部を設けているので、配線自身に発生するストレスが
弱められてストレスによる切断が防止できる。このこと
は半導体装置の平均寿命を延ばすことになる。
ミニウム）配線においては、幅が３μｍ以下であるとき
には直線部分の長さを500μｍ以内にしかつストレス緩
和部を設けているので、配線自身に発生するストレスが
弱められてストレスによる切断が防止できる。このこと
は半導体装置の平均寿命を延ばすことになる。
第１図，第２図および第３図は、本発明に係る金属配線
を有する半導体装置の部分概略断面図である。 1A,1B,21A,21B……配線、4A,4B,4C,4D……拡張部分、24
A,24B,24C,24D……Ｚ形状部分、35A,37A（35B,37B）…
…上側アルミニウム配線部分、36A,38A（36B,38B）……
下側アルミニウム配線部分。
を有する半導体装置の部分概略断面図である。 1A,1B,21A,21B……配線、4A,4B,4C,4D……拡張部分、24
A,24B,24C,24D……Ｚ形状部分、35A,37A（35B,37B）…
…上側アルミニウム配線部分、36A,38A（36B,38B）……
下側アルミニウム配線部分。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−111347（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−83063（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−27343（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−122749（ＪＰ，Ａ) 実開 昭48−51258（ＪＰ，Ｕ)
Claims (2)
- 【請求項１】半導体基板上に形成されたアルミニウムま
たはアルミニウム合金から成る配線を備え、 該配線の幅が３μｍ以下でかつ直線部分の長さが500μ
ｍ以上となるようなところにはその途中に、幅５μｍ以
上で長さ５μｍ以上の拡張部分、またはＺ形状部分を設
けることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】前記拡張部分または前記Ｚ形状部分が多層
配線構造での接続部分であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59174011A JP2599349B2 (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59174011A JP2599349B2 (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6153743A JPS6153743A (ja) | 1986-03-17 |
| JP2599349B2 true JP2599349B2 (ja) | 1997-04-09 |
Family
ID=15971079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59174011A Expired - Fee Related JP2599349B2 (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2599349B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000221593A (ja) | 1999-02-04 | 2000-08-11 | Mitsubishi Electric Corp | プロジェクションテレビジョン |
| US7948094B2 (en) | 2007-10-22 | 2011-05-24 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5219496Y2 (ja) * | 1971-10-18 | 1977-05-04 | ||
| JPS6058588B2 (ja) * | 1975-12-29 | 1985-12-20 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPS5827343A (ja) * | 1981-08-10 | 1983-02-18 | Matsushita Electronics Corp | 半導体集積回路 |
| JPS58111347A (ja) * | 1981-12-24 | 1983-07-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS58122749A (ja) * | 1982-01-14 | 1983-07-21 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
1984
- 1984-08-23 JP JP59174011A patent/JP2599349B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6153743A (ja) | 1986-03-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |