JP2576383Y2 - 光半導体装置 - Google Patents

光半導体装置

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JP2576383Y2
JP2576383Y2 JP1991001306U JP130691U JP2576383Y2 JP 2576383 Y2 JP2576383 Y2 JP 2576383Y2 JP 1991001306 U JP1991001306 U JP 1991001306U JP 130691 U JP130691 U JP 130691U JP 2576383 Y2 JP2576383 Y2 JP 2576383Y2
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    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
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    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本考案は、各種電子機器に用いら
れる光半導体装置に関し、特に高感度および耐外乱特性
が要求される受光装置として用いられるリモートコント
ロール用光半導体装置に係る。
【0002】
【従来の技術】従来の光半導体装置は、各種電子機器の
リモートコントロール用のOPIC受光デバイスであ
り、受光素子(フオトダイオード)と、フオトダイオー
ドからの信号に基づき駆動する駆動素子(IC回路)と
が一体となつた受光チツプを透光性樹脂でモールドし、
フオトダイオードに光を集光するために、上部にレンズ
を設けた構造になつていた。
【0003】
【考案が解決しようとする課題】最近、光を利用したリ
モートコントロール装置が各種電子機器に用いられるよ
うになつたが、用途が雑多であり、例えば、ビデオテー
プレコーダ(VTR)、テレビジヨン受像機(TV)、
コンパクトデイスク(CD)、コンポネントシステムや
ラジオカセツトレコーダー、エアコンデイシヨナー等が
あり、使用される環境がさまざまである。
【0004】リモートコントロールを取りまく環境とし
て、50/60Hz蛍光灯、インバータ蛍光灯、白熱
灯、太陽光等の外乱光と、TVのブラウン管の同期信号
から出るノイズのような各種電子機器が発生する電磁ノ
イズとに大別され、このようなノイズの中で、信号光を
増幅、識別し誤動作する事なく、受信する必要がある。
【0005】従来のリモートコントロール用OPIC受
光デバイスは、外乱光に対し、フオトダイオード部には
当然ノイズとして入つてくるが、IC回路部に外乱光が
あたるため、IC回路部の上面には、メタル層をベタ状
に形成して遮光している。しかし、蛍光灯、白熱灯、太
陽光などの外乱光が存在する環境下で使用される場合、
どうしても、レンズ部分のみならずあらゆる方向から外
乱光が内部に入りノイズとして影響していた。
【0006】とりわけ、屋外で使用される場合、太陽光
の影響が大きく、晴天下で10万Lx、日陰で1万Lx
あり、直接太陽光が当たつた場合など、チツプエツジか
ら、光が入ると、IC回路の各種半導体部品のPNジヤ
ンクシヨン部に疑似的に光電流が生じ、等価的に寄生の
フオトダイオードとして働き、回路の誤動作の原因にな
ることがあつた。
【0007】また、リモートコントロール用OPIC受
光デバイスは、近距離から遠距離までのリモコン信号を
受信する必要があり、高ゲインのアンプを有しているこ
とから、各種電子機器の発生する電磁ノイズに対して、
誤動作することがあつた。
【0008】なお、各ユーザーにて、金属板等を受光デ
バイスの後方にとりつける例があつたが、全体、特に、
受光デバイスの前面をカバーしにくいために、十分なシ
ールド効果が得られなかつた。また、金属板等の取付ス
ペースを必要とするため、形状が大きくなる等の問題が
あつた。
【0009】本考案は、上記課題に鑑み、従来より外乱
光による影響を低減し、かつ耐電磁ノイズ特性の向上を
図り得るリモートコントロール用光半導体装置の提供を
目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本考案による課題解決手
段は、図1〜3の如く、受光素子3と、該受光素子3か
らの信号に基づき駆動する駆動素子4とがリードフレー
ム1上に隣接して配置され、これらが一次モールド樹脂
にてモールドされて一次モールド体5が形成された光半
導体装置において、前記一次モールド体5の前面に密着
して、受光素子3および駆動素子4の全体を外乱光およ
び電磁ノイズから遮断するための導電性の遮蔽体6が
記リードフレーム1とは別体に設けられ、該遮蔽体6
に、外部からの信号光を受光素子3のみに採光するため
の採光窓7が形成され、これらが二次モールド樹脂にて
モールドされて二次モールド体8が形成され、前記遮蔽
体6の一部は、二次モールド体8から露出して接地可能
とされ、該遮蔽体6は、受光素子3に可及的に接近して
配されたものである。
【0011】
【作用】上記課題解決手段において、使用時に外部の発
光素子にて光信号を送信すると、送信された光は、遮蔽
体6の採光窓7を通過して一次モールド体5に進入し、
受光素子3にて受光され、電気的信号に変換される。そ
して、受光素子3からの信号に基づき、駆動素子4が駆
動する。
【0012】このとき、一次モールド体5の前面に密着
させて、採光窓7を有する遮蔽体6を設け、かつ、遮蔽
体6を受光素子3に可及的に接近させているので、外乱
光の駆動素子4への影響を低減する。また、遮蔽体6の
一部が二次モールド体から露出して接地可能とされて
いることから、各種電子機器からの電磁ノイズに対する
耐量を向上させる。
【0013】
【実施例】以下、本考案の一実施例を図面に基づいて説
明する。
【0014】図1は本考案の一実施例を示す光半導体装
置の側面断面図、図2は同じくその正面断面図、図3は
同じく遮蔽体背後からみた斜視図である。
【0015】図示の如く、本実施例の光半導体装置は、
ビデオテープレコーダ(VTR)やエアコンデイシヨナ
ー等に用いられるリモートコントロール用のOPIC受
光デバイスであり、リードフレーム1の搭載片2に、受
光素子3と、該受光素子3からの信号に基づき駆動する
駆動素子4(IC回路)とが隣接して搭載され、これら
が一次モールド樹脂にてモールドされて一次モールド体
5が形成され、前記一次モールド体5の前面に、受光素
子3および駆動素子4の全体を外乱光および電磁ノイズ
から遮断するための導電性の遮蔽体6(金属フレーム)
が設けられ、該遮蔽体6に、外部からの信号光を受光素
子3のみに採光するための採光窓7が形成され、これら
が二次モールド樹脂にてモールドされて二次モールド体
8が形成されたものである。
【0016】前記受光素子3(フオトダイオード)およ
び駆動素子4(IC回路)は、図1,2の如く、互いに
電気的に接続され、一個の受光チツプ11として上下方
向に一体的に隣接して配されている。
【0017】前記リードフレーム1は、図2の如く、前
記受光チツプ11を搭載する搭載用リードフレーム12
と、受光チツプ11の駆動素子4にボンデイングワイヤ
13を介して電気的に接続される接続用リードフレーム
14,15とからなる。
【0018】前記搭載用リードフレーム12の先端に
は、前記受光チツプ11がダイレクトボンドされて搭載
される四角形の搭載片2が延設されている。前記各接続
用リードフレーム14,15の先端には、受光チツプ1
1の駆動素子4に接続するための短冊形の接続片17,
18が夫々延設されている。
【0019】前記一次モールド体5は、エポキシ樹脂等
の透明樹脂または可視光カツト樹脂が使用され、前記受
光チツプ11の周囲に、例えばトランスフアーモールド
方式により射出形成されている。
【0020】そして、該一次モールド体5の前面部の厚
みは、前記遮蔽体6を受光素子3に可及的に接近して配
するよう、できるだけ薄く設定されている。
【0021】前記遮蔽体6は、図3の如く、一枚の金属
板が折曲形成されてなり、前記一次モールド体5の前面
を覆う前壁21と、一次モールド体5の側面を覆う側壁
22と、一次モールド体5の上面を覆う上壁23と、前
記二次モールド体8から露出してこれらを接地可能とす
るための接地リード24とから構成されている。なお、
前記接地リード24は、前記リードフレーム1ととも
に、搭載基板上に搭載された際に、受光チツプ11を保
持する。
【0022】前記採光窓7は、遮蔽体6の前壁21に、
受光素子3とほぼ同じ大きさに形成されている。
【0023】前記二次モールド体8は、一次モールド体
5の前面に前記遮蔽体6を固定してその位置ずれを防止
するもので、図1,2の如く、例えばエポキシ樹脂等に
顔料が混入された可視光カツト樹脂が使用され、一次モ
ールド体5および遮蔽体6の周囲に例えばトランスフア
ーモールド方式にて射出形成されている。
【0024】該二次モールド体8の前記採光窓7に対応
する前面には、図1の如く、光学的特性を向上させるた
めの半球状の集光レンズ26が、トランスフアーモール
ド方式にて一体成形されている。
【0025】上記構造の光半導体装置は、次のように製
造される。
【0026】まず、受光素子3および駆動素子4からな
る受光チツプ11を多数個並べ、ロ字形のフレーム状の
タイバーにて多数個連なつたリードフレーム1の搭載片
2に夫々ダイレクトボンドする。そして、各受光チツプ
11の面積を最小限カバーするよう透光性の一次モール
ド樹脂にてトランスフアーモールド方式でモールドを行
い、一次モールド体5を形成する。
【0027】この際、一次モールド体5の前面部をでき
るだけ薄く形成しておく。また、そして、ロ字形のフレ
ーム状のタイバーにて多数個連なつた遮蔽体6を一次モ
ールドされた夫々のリードフレーム1に合わせ、受光素
子3に対応する位置に採光窓7を合わせて配し、かつ、
駆動素子4を全面カバーするよう遮蔽体6を一次モール
ド体5にかぶせる。
【0028】このとき、リードフレーム1のロ字形のタ
イバー部およびその外周フレーム部と、遮蔽体6のロ字
形タイバー部およびその外周フレーム部を密着させて、
効率よく位置決めすればよい。
【0029】そして、さらに、一次モールド体5および
遮蔽体6を合わせて全体をカバーするよう、可視光をカ
ツトする二次モールド樹脂にてモールドし、トランスフ
アーモールド方式で二次モールド体8を形成する。
【0030】この際、二次モールド体8の前記採光窓7
に対応する前面に、外部からの信号光を受光素子3に集
光させるための集光レンズ26を一体成形しておく。
【0031】そして、これらの工程後、リードフレーム
1および遮蔽体6の夫々のタイバー部および外周フレー
ム部を切断して、光半導体装置は完成する。
【0032】また、光半導体装置の使用時には、リモー
トコントロールの送信器(図示せず)内の発光素子にて
光信号を送信する。送信された光は集光レンズ26にて
集光されながら二次モールド体8の内部に進入し、さら
に、遮蔽体6の採光窓7を通過して一次モールド体5に
進入し、受光素子3にて受光され、電気的信号に変換さ
れる。そして、受光素子3からの信号に基づき、駆動素
子4が駆動する。
【0033】このとき、トランスフアーモールド方式に
て形成された一次モールド体5の前面に採光窓7を有す
る遮蔽体6を設け、かつ、一次モールド体5の前面部の
厚みを薄く形成することにより遮蔽体6を可及的に受光
素子3に接近させているので、外乱光の駆動素子4への
影響を大幅に低減できる。
【0034】しかも、一次モールド体5と二次モールド
体8との間に遮蔽体6を配しているので、遮蔽体6の位
置ずれを防止でき、その光学的特性を維持し得る。
【0035】また、遮蔽体6を用いて受光チツプ11を
カバーしているので、遮蔽体6の接地リード24を外へ
出し、グランド接続することにより、各種電子機器から
発生する電磁ノイズを遮断する事が可能になる。したが
つて、光半導体装置を、ノイズの多い製品へ用途拡大す
ることが可能となる。
【0036】なお、本考案は、上記実施例に限定される
ものではなく、本考案の範囲内で上記実施例に多くの修
正および変更を加え得ることは勿論である。
【0037】例えば、上記実施例は、受光素子3と駆動
素子4とが受光チツプ11として一体とされたリモコン
用OPIC受光デバイスを例に挙げて説明したが、駆動
素子4と受光素子3との二チツプを一パツケージに入れ
たデバイスであれば、上記構造にすることにより同様な
効果が得られることはいうまでもない。
【0038】また、上記実施例では、二次モールド体8
に可視光カツト樹脂を用いているため、光半導体装置の
下方および背後からの光についてはさ程考慮する必要が
なく、故に遮蔽体6についてはこの部分を省略した構造
とされていたが、遮蔽体6を、採光窓7を除いて一次モ
ールド体5の全周囲を遮光するよう構成してもよい。
【0039】
【考案の効果】以上の説明から明らかな通り、本考案に
よると、一次モールド体の前面に密着するように採光窓
を有する遮蔽体を設け、遮蔽体の一部を二次モールド体
から露出して接地可能とし、しかも、遮蔽体を受光素子
に可及的に接近させているので、外乱光および電磁ノイ
ズの駆動素子への影響を大幅に低減することができると
いつた優れた効果がある。また、リードフレームとは別
体の遮蔽体を一次モールド体に密着させて、これらを二
次モールド体で覆うことにより、遮蔽体の位置ずれを防
止でき、その機能を確実に発揮させることができる。さ
らに、この光半導体装置を実装したとき、遮蔽体は一部
を除いて外部に露出していないので、他の部品と接触し
て不具合を起こすことがない。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本考案の一実施例を示す光半導体装置の
側面断面図である。
【図2】図2は同じくその正面断面図である。
【図3】図3は同じく遮蔽体背後からみた斜視図であ
る。
【符号の説明】
1 リードフレーム 2 搭載片 3 受光素子 4 駆動素子 5 一次モールド体 6 遮蔽体 7 採光窓 8 二次モールド体

Claims (1)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 受光素子と、該受光素子からの信号に基
    づき駆動する駆動素子とがリードフレーム上に隣接して
    配置され、これらが一次モールド樹脂にてモールドされ
    て一次モールド体が形成された光半導体装置において、
    前記一次モールド体の前面に密着して、受光素子および
    駆動素子の全体を外乱光および電磁ノイズから遮断する
    ための導電性の遮蔽体が前記リードフレームとは別体に
    設けられ、該遮蔽体に、外部からの信号光を受光素子の
    みに採光するための採光窓が形成され、これらが二次モ
    ールド樹脂にてモールドされて二次モールド体が形成さ
    れ、前記遮蔽体の一部は、二次モールド体から露出して
    接地可能とされ、該遮蔽体は、受光素子に可及的に接近
    して配されたことを特徴とする光半導体装置。
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